JPS6030187A - 熱発電素子 - Google Patents
熱発電素子Info
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- JPS6030187A JPS6030187A JP58137788A JP13778883A JPS6030187A JP S6030187 A JPS6030187 A JP S6030187A JP 58137788 A JP58137788 A JP 58137788A JP 13778883 A JP13778883 A JP 13778883A JP S6030187 A JPS6030187 A JP S6030187A
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- thermoelectric semiconductor
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、鉄珪化物（ＦｅＳｉ２）等からなる焼結形Ｐ
型熱電半導体と焼結形Ｎ型熱電半導体とを直接もしくは
導電体を介して接合した熱発電素子の構造の改良に関す
る。
型熱電半導体と焼結形Ｎ型熱電半導体とを直接もしくは
導電体を介して接合した熱発電素子の構造の改良に関す
る。
熱発電素子は、高温接合と低温接合間の温度差により物
質のゼーベック効果（熱電効果）で発電する熱電直接変
換素子である。この場合、鉄珪化物等の規結形熱電半導
体をその累ヰ旧こ利用すると大きな熱電変換型Ｊ上係数
（ゼーベンク係数：単位μＶ／Ｋ）か得られ、その適度
な導電率と小さな熱伝導率とから大きな熱電変換電力か
得られることがわかっている。
質のゼーベック効果（熱電効果）で発電する熱電直接変
換素子である。この場合、鉄珪化物等の規結形熱電半導
体をその累ヰ旧こ利用すると大きな熱電変換型Ｊ上係数
（ゼーベンク係数：単位μＶ／Ｋ）か得られ、その適度
な導電率と小さな熱伝導率とから大きな熱電変換電力か
得られることがわかっている。
このような焼結形態発電素子の形状は、一般的には第１
図に示すごとく焼結形Ｐ型熱電半導体１及び焼結形Ｎ型
熱電半導体２を略Ｕ字状に直接接合し、両生導体の脚部
端を耐熱接着剤を介し取（；１金ＪｉＩ−３に固着した
構成と成っている。そして、一般に両生導体を接合した
側が炎で加熱される高温側端部、各半導本脚部端が放熱
器で冷却される低温側端部となる。
図に示すごとく焼結形Ｐ型熱電半導体１及び焼結形Ｎ型
熱電半導体２を略Ｕ字状に直接接合し、両生導体の脚部
端を耐熱接着剤を介し取（；１金ＪｉＩ−３に固着した
構成と成っている。そして、一般に両生導体を接合した
側が炎で加熱される高温側端部、各半導本脚部端が放熱
器で冷却される低温側端部となる。
ところで、第１図の如き焼結形態発電素子は、その性能
を良くするために一般的に熱伝導率か極めて小さいこと
を特徴としている。例えば、ＦｅＳｉ、では熱伝導率は
約−４Ｗ／ｍ・１くである。
を良くするために一般的に熱伝導率か極めて小さいこと
を特徴としている。例えば、ＦｅＳｉ、では熱伝導率は
約−４Ｗ／ｍ・１くである。
このため、過渡的な碧温、降温の際に（加熱開始時や加
熱停止による冷却時に）、焼結体であるＰ型及びＮ型熱
電半導木の内部に厳しい温度分布が生しる。
熱停止による冷却時に）、焼結体であるＰ型及びＮ型熱
電半導木の内部に厳しい温度分布が生しる。
第２図は、その温度分布を測定する構成を示すもので、
ｆ５１図に示した焼結形熱発電素子１０の高温側端部と
なるべ外規結形１リー１１熱電士・導体と焼結形Ｎ型熱
電半導体との接合部分１１を下から炎１２で加熱する。
ｆ５１図に示した焼結形熱発電素子１０の高温側端部と
なるべ外規結形１リー１１熱電士・導体と焼結形Ｎ型熱
電半導体との接合部分１１を下から炎１２で加熱する。
この場合、焼結形態発電素子１（ＪのＵ字形の内股上端
のｌ＼点（最も加熱されテ１１い箇所）と焼結形熱発電
素子１０の下面先端の１３点（最も加熱され易い箇所）
の過渡４温Ｉｆｆ性をｆ５３図に示す。この第３図か呟
加熱開始時（とくに０〜３秒間）においては、Ａ、αの
温度上置はゆるやかなのに月し、Ｂ点は急；９′ｉに温
度か」二るため、過渡的温度差が急激につくことがわか
る。なお、５〜６秒以」−経過した後は、Ａ、Ｂ点の温
度は均ン品化して行く。
のｌ＼点（最も加熱されテ１１い箇所）と焼結形熱発電
素子１０の下面先端の１３点（最も加熱され易い箇所）
の過渡４温Ｉｆｆ性をｆ５３図に示す。この第３図か呟
加熱開始時（とくに０〜３秒間）においては、Ａ、αの
温度上置はゆるやかなのに月し、Ｂ点は急；９′ｉに温
度か」二るため、過渡的温度差が急激につくことがわか
る。なお、５〜６秒以」−経過した後は、Ａ、Ｂ点の温
度は均ン品化して行く。
上述の如き過渡的な激しい温度差の存在は、加熱開始時
に焼結形熱電半導体の表面か内部より膨張か激しく生じ
、焼結形熱電半導体内部に熱歪を発生し、場合によって
クラック発生に至る要因となる。
に焼結形熱電半導体の表面か内部より膨張か激しく生じ
、焼結形熱電半導体内部に熱歪を発生し、場合によって
クラック発生に至る要因となる。
本発明は、」二足の点に鑑み、焼結形Ｐ型熱電半導木と
焼結形Ｎ型熱電半導木とを直接もしくは導電体を介して
接合した構成において、加熱開始又は停止時における前
記半導体又は導電体の加熱源に対向する部分とその反対
側部分との温度差を少なくする構造を採用することによ
り、各焼結形熱電半導木に生じる熱歪を少なくしてクラ
ックの発生の防止を図った熱発電素子を提供しようとす
るものである。
焼結形Ｎ型熱電半導木とを直接もしくは導電体を介して
接合した構成において、加熱開始又は停止時における前
記半導体又は導電体の加熱源に対向する部分とその反対
側部分との温度差を少なくする構造を採用することによ
り、各焼結形熱電半導木に生じる熱歪を少なくしてクラ
ックの発生の防止を図った熱発電素子を提供しようとす
るものである。
以下、本発明に係る熱発電素子の実施例を図面に従って
説明する。
説明する。
第４図は、本発明の熱発電素子の１１実施例を示す。こ
の図において、焼結形態発電素子は、焼結形Ｐ型熱電半
導体１及び焼結形Ｎ型熱電半導体２を略Ｕ字状に直接接
合し、両生導体の脚部端を耐熱接着剤（セラミック接着
剤）を介し取（＝Ｉ金具３に固着し、さらに両生導体を
接合した先端側、すなわち、炎で加熱される高温側端部
を覆う如く熱的緩衝部拐としての耐熱キャップ２０を設
けた構造である。ここで、耐熱キャップ２０の祠質は、
ステンレス、インコネル等の耐熱合金箸を使用で外、そ
の固定は耐熱接着剤（セラミック接着剤）を用いて行な
うことができる。
の図において、焼結形態発電素子は、焼結形Ｐ型熱電半
導体１及び焼結形Ｎ型熱電半導体２を略Ｕ字状に直接接
合し、両生導体の脚部端を耐熱接着剤（セラミック接着
剤）を介し取（＝Ｉ金具３に固着し、さらに両生導体を
接合した先端側、すなわち、炎で加熱される高温側端部
を覆う如く熱的緩衝部拐としての耐熱キャップ２０を設
けた構造である。ここで、耐熱キャップ２０の祠質は、
ステンレス、インコネル等の耐熱合金箸を使用で外、そ
の固定は耐熱接着剤（セラミック接着剤）を用いて行な
うことができる。
上記第１実施例によれば、加熱開始又は停止時における
焼結形熱電半導体の加熱源に対向する部分とその反対側
部分との温度差を耐熱キャップ２（）を設（すだ、二と
１こより少なくすることかで゛きる。
焼結形熱電半導体の加熱源に対向する部分とその反対側
部分との温度差を耐熱キャップ２（）を設（すだ、二と
１こより少なくすることかで゛きる。
このため、各焼結形熱電半導木に生じる熱歪を少なくし
てクラックの発生を防ぐことかで外る。なお、熱応答は
耐熱キャンプ２０を設けたことにより遅れるが、この熱
発電素子は主として電力を充分取出す目的で使用される
ものであり、電力としては定常温度（平衡）に至った時
点が重視されるから問題はない。
てクラックの発生を防ぐことかで外る。なお、熱応答は
耐熱キャンプ２０を設けたことにより遅れるが、この熱
発電素子は主として電力を充分取出す目的で使用される
ものであり、電力としては定常温度（平衡）に至った時
点が重視されるから問題はない。
第５図は、本発明の熱発電素子の１２実施例を示す。こ
の図において、ＶＬ粘結形発電素子は、焼結形Ｐ型熱電
半導体１及び焼結形Ｎ型熱電半導木２を略（１字状に直
接接合し、両生導体の脚部端を耐熱接着剤を介し取（＝
Ｉ金具３に固着し、さらに両生導体を接合した先端側を
覆う如く熱的緩ｉ！Ｉｉ１部材としての耐熱コーティン
グ剤２１を塗１；ｊシた（Ｉη造である。ここで、耐熱
コーティング剤２１の祠貿は、アルミナ等のセラミック
である。この場合にもｍｌ実施例の場合と同様の効果を
初ることができる。
の図において、ＶＬ粘結形発電素子は、焼結形Ｐ型熱電
半導体１及び焼結形Ｎ型熱電半導木２を略（１字状に直
接接合し、両生導体の脚部端を耐熱接着剤を介し取（＝
Ｉ金具３に固着し、さらに両生導体を接合した先端側を
覆う如く熱的緩ｉ！Ｉｉ１部材としての耐熱コーティン
グ剤２１を塗１；ｊシた（Ｉη造である。ここで、耐熱
コーティング剤２１の祠貿は、アルミナ等のセラミック
である。この場合にもｍｌ実施例の場合と同様の効果を
初ることができる。
第６図は、本発明の熱発電素子の第３実施例を示す。こ
の図において、焼結形態発電素子は、焼結形Ｆ）型熱電
半導体１及び焼結形Ｎ型熱電半導体２を略Ｕ字状に熱伝
導の良好な金属部分３０を介して按合し、両生導水の脚
部端をｉｌｌ・Ｉ熱接着剤を介し取イマ］金兵３に固着
した構造である。、ニニで、金属部分３０は、熱電半導
体１，２をＦｅ５ｉ２（β相）で構成する場合、先端部
分のみ９００ °ｃ以−１＝で焼入れしてα化（すなわ
ち金属化）することにより容易にイｉ）られる。
の図において、焼結形態発電素子は、焼結形Ｆ）型熱電
半導体１及び焼結形Ｎ型熱電半導体２を略Ｕ字状に熱伝
導の良好な金属部分３０を介して按合し、両生導水の脚
部端をｉｌｌ・Ｉ熱接着剤を介し取イマ］金兵３に固着
した構造である。、ニニで、金属部分３０は、熱電半導
体１，２をＦｅ５ｉ２（β相）で構成する場合、先端部
分のみ９００ °ｃ以−１＝で焼入れしてα化（すなわ
ち金属化）することにより容易にイｉ）られる。
」１記第３実施例の構成によれば、炎で加熱される部分
は熱伝導のよい金属部分３０となっているか呟加熱開始
又は停止時における加熱源に対向する部分とその反対側
部分との間に生しる過渡的温度差は少なく、クランクの
発生をＩＩ）ｊ ＋ｌ することができる。
は熱伝導のよい金属部分３０となっているか呟加熱開始
又は停止時における加熱源に対向する部分とその反対側
部分との間に生しる過渡的温度差は少なく、クランクの
発生をＩＩ）ｊ ＋ｌ することができる。
第７図は、本発明の熱発電素子の第４’）、１ｉｎｉ例
を示す。この図において、焼結形態発電素子は、焼結形
Ｐ型熱電半導体１及び焼結形Ｎ型熱電半導体２を略Ｕ字
状に直接接合する如く加圧成型して焼成するが、加圧成
型の際高温側となる先端部分に金属微粉３１を混入して
熱伝導の良好な複合祠料部分３２を形成しておく。この
場合、金属微粉３１としては４状のものがとくに望まし
い。なお、各半導体脚部端は取（＝１金具３に固定され
ている。
を示す。この図において、焼結形態発電素子は、焼結形
Ｐ型熱電半導体１及び焼結形Ｎ型熱電半導体２を略Ｕ字
状に直接接合する如く加圧成型して焼成するが、加圧成
型の際高温側となる先端部分に金属微粉３１を混入して
熱伝導の良好な複合祠料部分３２を形成しておく。この
場合、金属微粉３１としては４状のものがとくに望まし
い。なお、各半導体脚部端は取（＝１金具３に固定され
ている。
」１記第４実施例の構成によれば、炎で加熱される部分
は熱（云専のよい複合４・Ａ料部分３２となっているか
ら、加熱開始又は停止時における加熱源に対向する部分
とその反ｊ＝Ｊ側部分との間に生しる過渡的温度差は少
なく、クラックの発生を防止することか′でとる。
は熱（云専のよい複合４・Ａ料部分３２となっているか
ら、加熱開始又は停止時における加熱源に対向する部分
とその反ｊ＝Ｊ側部分との間に生しる過渡的温度差は少
なく、クラックの発生を防止することか′でとる。
第８図及び第５〕図は、本発明の熱発電素子の第５実施
例を示１．これらの図において、焼も１１形熱発電素子
は、焼結形Ｐ型熱電半導１＋１及び焼結形Ｎ型熱電半導
体２を略Ｕ字状に直接接合し、両）１′。
例を示１．これらの図において、焼も１１形熱発電素子
は、焼結形Ｐ型熱電半導１＋１及び焼結形Ｎ型熱電半導
体２を略Ｕ字状に直接接合し、両）１′。
導体の脚部端を耐熱核Ｘｆ剤を介し収イ・ｊ８具３に固
着し、さらに両生々゛ｉ木を接合した先端側、すなわち
、炎で加熱される高温側端部の内周に円形穴状部１１（
）を形成した構造である。ここで、前記高温側端部の先
端外周面の曲率半径Ｉ＜、 と内周面の曲率半径Ｒ２と
の差をできるだけ小さくすることにより、好結果が１ｑ
られる。
着し、さらに両生々゛ｉ木を接合した先端側、すなわち
、炎で加熱される高温側端部の内周に円形穴状部１１（
）を形成した構造である。ここで、前記高温側端部の先
端外周面の曲率半径Ｉ＜、 と内周面の曲率半径Ｒ２と
の差をできるだけ小さくすることにより、好結果が１ｑ
られる。
上記第５実施例によれば、加熱開始又は停止時における
焼結形熱電半導本の加熱源に対向する部分とその反ヌ月
１１１）部分との温度差を、円形穴状部４（）を設けて
炎の上側への通りを良くすることによって少なくするこ
とができる。このため、’ｆＪ３Ｑ Ｉｉ’ｉ形熱電半
導木半導じる熱歪を少なくしてクラックの発生を防ぐこ
とができる。
焼結形熱電半導本の加熱源に対向する部分とその反ヌ月
１１１）部分との温度差を、円形穴状部４（）を設けて
炎の上側への通りを良くすることによって少なくするこ
とができる。このため、’ｆＪ３Ｑ Ｉｉ’ｉ形熱電半
導木半導じる熱歪を少なくしてクラックの発生を防ぐこ
とができる。
第１０図は、本発明の熱発電素子の第６実施例を示す。
この図において、焼結形態発電素子は、焼結形Ｐ型熱電
半導体１及び焼結形Ｎ型熱電半導体２を略し字状にｉｆ
（接接合し、両゛１′導体の脚部端を耐熱接着剤を介し
取１；Ｉ金具３に固着し、さらに両生導体を接合した高
温側端部の先端外周面に溝・・１１を複数本形成したも
のである。
半導体１及び焼結形Ｎ型熱電半導体２を略し字状にｉｆ
（接接合し、両゛１′導体の脚部端を耐熱接着剤を介し
取１；Ｉ金具３に固着し、さらに両生導体を接合した高
温側端部の先端外周面に溝・・１１を複数本形成したも
のである。
上記第６実施例によれば、加熱開始又は停止時における
焼鳥１１形熱電半導木の加Ｒ檜１！；（に対向する部分
とその反対’ １１１１１部分との温度差を溝・・１１
を形成して先端にも炎のがげの部分を作ることによって
少なく針ることかできる。巷力充掬モ路鳴一層喚Ｗ電以
上説明したように、本発明によれは’ＪＲ； Ｉｉ’ｌ
形１）型熱電半導体と焼結形Ｎ型熱電半導体とを直接も
しくは導電体を介して接合した構成において、加熱開始
又は停止時における前記半導体又は導電体の加熱を原に
対向する部分とその反対側（ｆ（’、分との温度差を少
なくする構造を採用したので、各焼結形熱電半導木に生
じる熱歪を少なくしてクラックの発生の防止を図った熱
発電素子を１）することができる。
焼鳥１１形熱電半導木の加Ｒ檜１！；（に対向する部分
とその反対’ １１１１１部分との温度差を溝・・１１
を形成して先端にも炎のがげの部分を作ることによって
少なく針ることかできる。巷力充掬モ路鳴一層喚Ｗ電以
上説明したように、本発明によれは’ＪＲ； Ｉｉ’ｌ
形１）型熱電半導体と焼結形Ｎ型熱電半導体とを直接も
しくは導電体を介して接合した構成において、加熱開始
又は停止時における前記半導体又は導電体の加熱を原に
対向する部分とその反対側（ｆ（’、分との温度差を少
なくする構造を採用したので、各焼結形熱電半導木に生
じる熱歪を少なくしてクラックの発生の防止を図った熱
発電素子を１）することができる。
第１図は基本的な熱発電素子の構成を示す斜視図、第２
図は過渡的な温度」ニガを測定するための構成を示す正
面図、ｄ５３図は第１図の熱発電素子におけるＡ点と１
３点の温度を測定したグラフ、第４図は本発明に係る熱
発電素子の第１実施例を示す斜視図、第５図は本発明の
第２天施例を示す斜視図、ｉｌｌ’ＳＧ図は本発明の第
：（実施例を示す斜視図、第７図は本発明の第４実施例
を示す♀゛ＩＩ視図ＰＪΣ；図は本発明の第５実施例を
示す斜視図、第９図は同羽面図、第１０図は本発明の第
６実施例を示１斜視図である。 １・・・焼結形Ｐ型熱電半導体、２・・・焼結形Ｎ型熱
電半導木、；）・・・収ｆ＝Ｉ金只、２ｏ・・・耐熱キ
１−ノブ、２１・・・耐熱コーティング剤、３ｏ・・・
金属部分、３１・・・金属微粉、３２・・・複合祠料部
分、４． ｆｉ）・・・円形穴状部、４１・・・２７ろ
。 特＋ｉ’ｌ出ｊ煩人 ティーディーケイ株式会社 代理人 弁理士 村 刀 隆 第３図 日今閲（禾グラ 第９図
図は過渡的な温度」ニガを測定するための構成を示す正
面図、ｄ５３図は第１図の熱発電素子におけるＡ点と１
３点の温度を測定したグラフ、第４図は本発明に係る熱
発電素子の第１実施例を示す斜視図、第５図は本発明の
第２天施例を示す斜視図、ｉｌｌ’ＳＧ図は本発明の第
：（実施例を示す斜視図、第７図は本発明の第４実施例
を示す♀゛ＩＩ視図ＰＪΣ；図は本発明の第５実施例を
示す斜視図、第９図は同羽面図、第１０図は本発明の第
６実施例を示１斜視図である。 １・・・焼結形Ｐ型熱電半導体、２・・・焼結形Ｎ型熱
電半導木、；）・・・収ｆ＝Ｉ金只、２ｏ・・・耐熱キ
１−ノブ、２１・・・耐熱コーティング剤、３ｏ・・・
金属部分、３１・・・金属微粉、３２・・・複合祠料部
分、４． ｆｉ）・・・円形穴状部、４１・・・２７ろ
。 特＋ｉ’ｌ出ｊ煩人 ティーディーケイ株式会社 代理人 弁理士 村 刀 隆 第３図 日今閲（禾グラ 第９図
Claims (5)
- （１）焼結形Ｐ型熱電半導体と焼結形Ｎ型熱電半導体と
を直接もしくは導電体を介して接合した熱発電素子にお
いて、加熱開始又は停止時における加熱源に対向する前
記半導体又は導電体部分とその反対側部分との温度差を
少なくする構造としたことを特徴とする熱発電素子。 - （２）前記焼結形Ｐ型熱電半導体と焼結形Ｎ型熱電半導
体との接合部分を覆う熱的緩ｉΦｊ部材を設けて前記温
度差を少なくした特許請求の範囲第１項記載の熱発電素
子。 - （３）前記焼結形Ｐ型熱電半導体と焼結形Ｎ型熱電半導
体とを接合する前記導電体を熱伝導の良好な材質で構成
して前記温度差を少なくした特許請求の範囲第１項記載
の熱発電素子。 - （４）前記焼結形Ｐ型熱電半導体と焼結形Ｎ型熱電半導
体との接合部分の外周面の曲率と内周面の曲率の差を小
さくして前記温度差を少なくした特許請求の範囲第１項
記載の熱発電素子。 - （５） 前記焼結形Ｐ型熱電半導体と焼結形Ｎ型熱電半
導体との接合部分の外周面に溝を形成して前記温度差を
少なくした特許請求の範囲ｔｊｒ、１項記載の熱発電素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137788A JPS6030187A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 熱発電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137788A JPS6030187A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 熱発電素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030187A true JPS6030187A (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=15206856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58137788A Pending JPS6030187A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 熱発電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030187A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8990595B2 (en) | 2012-03-28 | 2015-03-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Power supply control device |
| JP2019091826A (ja) * | 2017-11-15 | 2019-06-13 | 古河電気工業株式会社 | 熱電変換素子、熱電変換モジュール、及び移動体 |
| JP2019091825A (ja) * | 2017-11-15 | 2019-06-13 | 古河電気工業株式会社 | 熱電変換素子、熱電変換モジュール、及び移動体 |
-
1983
- 1983-07-29 JP JP58137788A patent/JPS6030187A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8990595B2 (en) | 2012-03-28 | 2015-03-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Power supply control device |
| JP2019091826A (ja) * | 2017-11-15 | 2019-06-13 | 古河電気工業株式会社 | 熱電変換素子、熱電変換モジュール、及び移動体 |
| JP2019091825A (ja) * | 2017-11-15 | 2019-06-13 | 古河電気工業株式会社 | 熱電変換素子、熱電変換モジュール、及び移動体 |
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