JPS6030106A - 高周波変圧器の巻線構造 - Google Patents
高周波変圧器の巻線構造Info
- Publication number
- JPS6030106A JPS6030106A JP58138441A JP13844183A JPS6030106A JP S6030106 A JPS6030106 A JP S6030106A JP 58138441 A JP58138441 A JP 58138441A JP 13844183 A JP13844183 A JP 13844183A JP S6030106 A JPS6030106 A JP S6030106A
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- JP
- Japan
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- winding
- windings
- primary
- flat strip
- onward
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F19/00—Fixed transformers or mutual inductances of the signal type
- H01F19/04—Transformers or mutual inductances suitable for handling frequencies considerably beyond the audio range
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は漏れインダクタンスの低減化を図った高周波
変圧器の巻暢4II造にIAする。
変圧器の巻暢4II造にIAする。
近年、誘導加熱装置等、大容量の高周波1に流を使用す
る装置の発達にともない、それらの負荷整合に用いる高
周波変圧器の漏れインダクタンスを下げることが、皮相
良鉱刀の低減の観点から極めてm要になつ℃いる。
る装置の発達にともない、それらの負荷整合に用いる高
周波変圧器の漏れインダクタンスを下げることが、皮相
良鉱刀の低減の観点から極めてm要になつ℃いる。
例えば、】天測からみた漏れインダクタンスが] Of
iHテアツTCトT7::rト、50 Ki(Z 、
1000Aの電流を流した場合、この漏れインダクタン
スによる電圧降下Vdは、 Vd=+000AXlrX50X10 11Zx10X
IOl−1 =100(l午3140 V −・−°°tllとなり
、@れインダクタンスによる無効電力は3140KVa
rである。従って、負荷゛4力をJOOOKWとすると
この時の皮相成力P、は、・・・・・・(2) となる。
iHテアツTCトT7::rト、50 Ki(Z 、
1000Aの電流を流した場合、この漏れインダクタン
スによる電圧降下Vdは、 Vd=+000AXlrX50X10 11Zx10X
IOl−1 =100(l午3140 V −・−°°tllとなり
、@れインダクタンスによる無効電力は3140KVa
rである。従って、負荷゛4力をJOOOKWとすると
この時の皮相成力P、は、・・・・・・(2) となる。
一方、1次側からみた漏れインダクタンスが2μHの場
合、50KHz 、 100 DAの電流を流したとき
の無効4力は6zsKVarであり。
合、50KHz 、 100 DAの電流を流したとき
の無効4力は6zsKVarであり。
負荷電力toooKwのとぎσJ皮相lヒ刀P、は。
pt=W丙〒西118 ] KVA
・・・・・・(3)
となり、極めて有利である。しかも近年、上記1次側に
電力を供給する高周波1源は半導体を利用したものが普
及し始め、前記皮相電力を低減することは、これら使用
半導体の規格を市場部品の定格値内に収める意味でも、
また直並列数を低減する上でも極めて重要である。
電力を供給する高周波1源は半導体を利用したものが普
及し始め、前記皮相電力を低減することは、これら使用
半導体の規格を市場部品の定格値内に収める意味でも、
また直並列数を低減する上でも極めて重要である。
そして、上記漏れインダクタンスの絶対値を小さくてる
定めに、鉄心を全(持たない空心変圧器を適用するケー
スが増加してきた。これによれば、漏れの割合は増加す
るものの漏れインダクタンスの値そのものは大幅に下げ
うるかもである。1ζ励i電流は相当に増加するけれど
も、これは通常、負荷゛電流と比べて僅かであるから、
結局全体としては皮相1に力を極め℃小さな値に抑える
ことができる。(f′llえば上記皮相電力P、を鉄心
な有する変圧器に、Ptを空心変圧器に各々対応させて
考えれば、その事情が理解される。ン ところで、上述した従来の空心変圧器においては、第1
図に示すように、1次巻線lのリード線la、lbおよ
び2次巻線2171リード12a +2bが各々巻線部
の反対側に位置し、リード線1a−1b間、2a−2b
間を通る磁束による配線インダクタンスが相当に人さく
なり、大型の変圧器においては2μm■程度にもなって
、これを除去することが大きな問題となっていに。
定めに、鉄心を全(持たない空心変圧器を適用するケー
スが増加してきた。これによれば、漏れの割合は増加す
るものの漏れインダクタンスの値そのものは大幅に下げ
うるかもである。1ζ励i電流は相当に増加するけれど
も、これは通常、負荷゛電流と比べて僅かであるから、
結局全体としては皮相1に力を極め℃小さな値に抑える
ことができる。(f′llえば上記皮相電力P、を鉄心
な有する変圧器に、Ptを空心変圧器に各々対応させて
考えれば、その事情が理解される。ン ところで、上述した従来の空心変圧器においては、第1
図に示すように、1次巻線lのリード線la、lbおよ
び2次巻線2171リード12a +2bが各々巻線部
の反対側に位置し、リード線1a−1b間、2a−2b
間を通る磁束による配線インダクタンスが相当に人さく
なり、大型の変圧器においては2μm■程度にもなって
、これを除去することが大きな問題となっていに。
この発明は上記の事情に鑑み、漏れインダクタンスの低
減を図った高周波変圧器の巻線構造を提供するもので、
1次側および2次側の巻線な平帯導体により形成すると
ともに、前記各巻線の巻始めおよび巻終りを巻線部の同
一側に形成し、かつ前記1次2次巻線問および各巻線σ
2往路と復路間の間隔を内側巻線の直径に対して十分に
小さくしたことを特徴とする。
減を図った高周波変圧器の巻線構造を提供するもので、
1次側および2次側の巻線な平帯導体により形成すると
ともに、前記各巻線の巻始めおよび巻終りを巻線部の同
一側に形成し、かつ前記1次2次巻線問および各巻線σ
2往路と復路間の間隔を内側巻線の直径に対して十分に
小さくしたことを特徴とする。
さらに詳述するとこの発明は、次の2点に層成してなさ
れたものである。第1に、各巻1i!を断面長方形状の
平帯導体によって形成するとともに、第2図に示1−2
次巻線(内側巻線)12の直径dを1次巻線11と2次
巻線12の間隔Δdに比べて十分大きくとり、両巻線間
の面槓ΔSff:@東通:a所面積Sに比較して十分に
小さくした点である。
れたものである。第1に、各巻1i!を断面長方形状の
平帯導体によって形成するとともに、第2図に示1−2
次巻線(内側巻線)12の直径dを1次巻線11と2次
巻線12の間隔Δdに比べて十分大きくとり、両巻線間
の面槓ΔSff:@東通:a所面積Sに比較して十分に
小さくした点である。
以下、図面を参照し又本発明の詳細な説明する。
第3図&工本発明の一実施例に係る1次巻1fJ、11
(t!1こは2次巻線12)の構成な示す図で、同図0
)はその斜視図、同図(ロ)(・工等価回路図である。
(t!1こは2次巻線12)の構成な示す図で、同図0
)はその斜視図、同図(ロ)(・工等価回路図である。
これらの図において、13は1大巻嶽11を形成するテ
ープ状の平帯導体で、この平帯導体13は1次巻線11
の上端に形成されに巻始めターミナル11aから下端に
向う往路を平巻き状に(丁なわち、平帯導体13の長方
形断面σJ長辺な軸方向にして]巻回されつつ下行する
。そして、”F端に達すると今度は下端から上熾に向う
復路を往路と同方向に巻回されつつ上行して上端に至り
、巻始めターミナルllaと最短間隔で対向する巻終り
ターミナル1ll)に終端する。ここで、往路、復路2
層間の間隔も極めて小さくイ゛る。
ープ状の平帯導体で、この平帯導体13は1次巻線11
の上端に形成されに巻始めターミナル11aから下端に
向う往路を平巻き状に(丁なわち、平帯導体13の長方
形断面σJ長辺な軸方向にして]巻回されつつ下行する
。そして、”F端に達すると今度は下端から上熾に向う
復路を往路と同方向に巻回されつつ上行して上端に至り
、巻始めターミナルllaと最短間隔で対向する巻終り
ターミナル1ll)に終端する。ここで、往路、復路2
層間の間隔も極めて小さくイ゛る。
仄:(,2大巻@12.も平帯導体13で同様に構成し
、1大巻曾11の中に緊密に挿入するっこのとき1両巻
線11.12間の距離Δdは第2図に示すように2′r
K巻線12の直径dよりも遥かに小さくする。
、1大巻曾11の中に緊密に挿入するっこのとき1両巻
線11.12間の距離Δdは第2図に示すように2′r
K巻線12の直径dよりも遥かに小さくする。
とのような構成によれば、巻始めターミナル11a(1
2a)と巻終りターミナル】i l)(12b)間のイ
ンダクタンスを0.1μH程度の極ぬて小さな値に抑え
ることが可能である。また、1次巻111tと2次%@
12の漏れインダクタンスも最小化でき、1?X、側B
圧300v、2仄側)NF、El 000 V 、容!
250KVAノ2心’&圧器の例では、1次側からみに
漏れインダクタンスをlμH程度恍することができる。
2a)と巻終りターミナル】i l)(12b)間のイ
ンダクタンスを0.1μH程度の極ぬて小さな値に抑え
ることが可能である。また、1次巻111tと2次%@
12の漏れインダクタンスも最小化でき、1?X、側B
圧300v、2仄側)NF、El 000 V 、容!
250KVAノ2心’&圧器の例では、1次側からみに
漏れインダクタンスをlμH程度恍することができる。
なお、上記実権例におい°〔は、平帯導体13を1往復
させた例について説明したが、n往1夏(nは任意の自
然l!!]にしても問題はない。
させた例について説明したが、n往1夏(nは任意の自
然l!!]にしても問題はない。
以上説明し友ようにこの発明は1次側および2次側巻!
!を平帯導体により形成するととも罠、前記各巻線の巻
始めおよび巻終りを巻線部の同一側に形成し、かつ11
1記五仄2次巻線問および各巻線の往路とrl路間の間
隔な内側巻線の直径に対して十分に小さくシrsので、
高周波変圧器の漏れインダクタンスを甑ぬて小さくする
ことができる。この結果、前記高周波変圧器の皮相電力
を低減し得て、醒源回路に使用する半導体の許容罐や故
を減らしうる利点が得られる。
!を平帯導体により形成するととも罠、前記各巻線の巻
始めおよび巻終りを巻線部の同一側に形成し、かつ11
1記五仄2次巻線問および各巻線の往路とrl路間の間
隔な内側巻線の直径に対して十分に小さくシrsので、
高周波変圧器の漏れインダクタンスを甑ぬて小さくする
ことができる。この結果、前記高周波変圧器の皮相電力
を低減し得て、醒源回路に使用する半導体の許容罐や故
を減らしうる利点が得られる。
第1図&″S、従来の空心変圧器にSい℃、各線のリー
ド線間に生じる配線インダクタンスを説明するための図
、第2図は不発明の一実施洞σ)1仄巻線と2次巻線の
間隔Δdと2次巻線の内径dとの関係7示す概略平面図
、第3図は同実施例に係る巻線の構成な示す図で、同図
(イ)はその、科睨図、同図(ロ)は等価回路図である
。 11−・・・・・1次巻線、11a、12a・・・・・
・善鯵めターミナル、(41始め]、llb、12b・
・・・・・巻終りターミナル
ド線間に生じる配線インダクタンスを説明するための図
、第2図は不発明の一実施洞σ)1仄巻線と2次巻線の
間隔Δdと2次巻線の内径dとの関係7示す概略平面図
、第3図は同実施例に係る巻線の構成な示す図で、同図
(イ)はその、科睨図、同図(ロ)は等価回路図である
。 11−・・・・・1次巻線、11a、12a・・・・・
・善鯵めターミナル、(41始め]、llb、12b・
・・・・・巻終りターミナル
【舎2腎り】、12・・・
・・・2仄渉線。 13・・・・・・平帯棉湊、d・・・・・・内側巻線の
直径。 Δd・・・・・・1次2次巻線間の間隔。 出願人 神鋼電機株式会社 第1図 第2図 I 第3図 Cイ)
・・・2仄渉線。 13・・・・・・平帯棉湊、d・・・・・・内側巻線の
直径。 Δd・・・・・・1次2次巻線間の間隔。 出願人 神鋼電機株式会社 第1図 第2図 I 第3図 Cイ)
Claims (1)
- 10KHz以上の高周波に使用する空心変圧器において
、1次側および27X、@の巻線が平帯導体からなり、
前記各巻線の巻始めおよび巻終りが巻線部の同−開にあ
り、かつ前記l仄2大巻線問および前記各巻極の往路と
榎路間の間隔を内側巻線の直径に対して十分小さクシた
ことを特徴とする高周波変圧器の巻線構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58138441A JPS6030106A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 高周波変圧器の巻線構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58138441A JPS6030106A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 高周波変圧器の巻線構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6030106A true JPS6030106A (ja) | 1985-02-15 |
JPH0374014B2 JPH0374014B2 (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=15222062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58138441A Granted JPS6030106A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 高周波変圧器の巻線構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6030106A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7796005B2 (en) | 2003-07-11 | 2010-09-14 | Lincoln Global, Inc. | Power source for plasma device |
PL423695A1 (pl) * | 2017-12-04 | 2019-06-17 | Instytut Tele-I Radiotechniczny | Bezrdzeniowy przetwornik prądu na napięcie |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP58138441A patent/JPS6030106A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7796005B2 (en) | 2003-07-11 | 2010-09-14 | Lincoln Global, Inc. | Power source for plasma device |
PL423695A1 (pl) * | 2017-12-04 | 2019-06-17 | Instytut Tele-I Radiotechniczny | Bezrdzeniowy przetwornik prądu na napięcie |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0374014B2 (ja) | 1991-11-25 |
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