JPS6029467A - スパッタリング装置用電力供給装置 - Google Patents
スパッタリング装置用電力供給装置Info
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- JPS6029467A JPS6029467A JP13662783A JP13662783A JPS6029467A JP S6029467 A JPS6029467 A JP S6029467A JP 13662783 A JP13662783 A JP 13662783A JP 13662783 A JP13662783 A JP 13662783A JP S6029467 A JPS6029467 A JP S6029467A
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高周波電力を同時に複数の電極に印加するス
パッタリング装置の改良に関する。
パッタリング装置の改良に関する。
従来のこの種のスパッタリング装置は第１図の構成をも
っている。第１図にて■は真空容器、Ｔ１゜’ｒ２．
Ｔ、は一方の電極で例えばターゲット、ｓは他方の電極
で例えば基板ホルダーである。ターゲットの各々には個
別に電力供給系１．ス３が設備されている。例えばター
ゲットＴ１に設備される電力供給系１は、高周波発振回
路０８Ｃ，、電力増幅回路ＡＭ□、インピーダンス整合
回路ＭＢ１の直列接続回路から成る等である。この従来
の装置には次の欠点がある。
っている。第１図にて■は真空容器、Ｔ１゜’ｒ２．
Ｔ、は一方の電極で例えばターゲット、ｓは他方の電極
で例えば基板ホルダーである。ターゲットの各々には個
別に電力供給系１．ス３が設備されている。例えばター
ゲットＴ１に設備される電力供給系１は、高周波発振回
路０８Ｃ，、電力増幅回路ＡＭ□、インピーダンス整合
回路ＭＢ１の直列接続回路から成る等である。この従来
の装置には次の欠点がある。
各電力供給系１．２．３は発振周波数を異にする。この
ため真空容器ｖ内で兎角ビートを生じ、とのビー化ずる
。
ため真空容器ｖ内で兎角ビートを生じ、とのビー化ずる
。
（２）インピーダンス整合回路の振動、従って投入電力
に振動を生ずる。
に振動を生ずる。
生ずる。
等の不具合を生む。
また電極Ｔ１ ｅ Ｔ２ ｅ・・・・・・・・・・・・
を近接配置するときはこのビートが助長されるため、こ
れらは隔離せざるを得すこのため装置を小型に構成する
ことが困難であった。
を近接配置するときはこのビートが助長されるため、こ
れらは隔離せざるを得すこのため装置を小型に構成する
ことが困難であった。
この不具合を解消する目的で高周波発振回路を共通にす
ることも行なわれているが、その場合もなお位相差及び
位相差の浮動を免れることはできず改善の程度は充分と
は言えないものであった。
ることも行なわれているが、その場合もなお位相差及び
位相差の浮動を免れることはできず改善の程度は充分と
は言えないものであった。
本発明は上述のビート、位相差及びそれらの浮動を皆無
とし、小型化の可能な装置を提供することを目的とする
。また１本発明は薄膜形成１食刻等の作業において、電
極相互間に所望の条件を正しく附与し、かつそれを維持
することのできる装置を提供することを目的とする。以
下実施例によって本発明の詳細な説明する。
とし、小型化の可能な装置を提供することを目的とする
。また１本発明は薄膜形成１食刻等の作業において、電
極相互間に所望の条件を正しく附与し、かつそれを維持
することのできる装置を提供することを目的とする。以
下実施例によって本発明の詳細な説明する。
第２図には本発明の実施例を示す。この実施例系１は従
来と変らないが、電力供給系２０．３０はそれぞれ位相
補正回路Ｆ８２．ＦＳ、及び位相検出回路ＦＤ２．ＦＤ
、を設備し、電力供給系１の出力の位相を基準にしてそ
れぞれの出力の位相を位相検出回路ＦＤ、 、 ＦＤ、
で検出し、その検出出力で位相補正回路Ｆｔ２’、Ｆ８
３を制御する位相制御ループをそなえている。
来と変らないが、電力供給系２０．３０はそれぞれ位相
補正回路Ｆ８２．ＦＳ、及び位相検出回路ＦＤ２．ＦＤ
、を設備し、電力供給系１の出力の位相を基準にしてそ
れぞれの出力の位相を位相検出回路ＦＤ、 、 ＦＤ、
で検出し、その検出出力で位相補正回路Ｆｔ２’、Ｆ８
３を制御する位相制御ループをそなえている。
一般に各電力供給系の所望電力及びＴ１ ｔ Ｔ２＋Ｔ
Ｂ部の負荷状態には差異及び経時変動のあるのが普通で
あり、このため発振回路Ｏ８Ｃを共通にしても増幅回路
、インピーダンス整合回路を調整しただけではこれら電
力供給系１ 、２０ 、３０の出力の位相わ を揃えることは困難であるし、その作業は煩はしＴ３に
印加される電力の位相をすべて一致させるか。
Ｂ部の負荷状態には差異及び経時変動のあるのが普通で
あり、このため発振回路Ｏ８Ｃを共通にしても増幅回路
、インピーダンス整合回路を調整しただけではこれら電
力供給系１ 、２０ 、３０の出力の位相わ を揃えることは困難であるし、その作業は煩はしＴ３に
印加される電力の位相をすべて一致させるか。
若くは所望位相差に正しくかつ微細に調整しこれを維持
することができる。
することができる。
第３図は本発明の別の実施例を示す。この場合は、高周
波電力供給系ｌＩ２０はターゲラ）Ｔｌ、Ｔ２／に、３
００は基板ホルダーＳに供給されている。
波電力供給系ｌＩ２０はターゲラ）Ｔｌ、Ｔ２／に、３
００は基板ホルダーＳに供給されている。
この第２図の構成の装置は多元スパッタリング装置ある
いは、同時スパッタリング装置と呼ばれている装置であ
り、複数のＪ４種ターゲット物質を使用し組成比制御す
る合金膜形成）あるいは、複数の同種ターゲット物質を
使用し高速膜形成を行なう場合に使用され、第３図の構
成の装置はバイアススパッタリング方式の装置とも呼ば
れているもので、基板上に膜付着と食刻を同時に進行さ
せステップカバレイジ向上及び膜質改善等を計る場合に
使用される。
いは、同時スパッタリング装置と呼ばれている装置であ
り、複数のＪ４種ターゲット物質を使用し組成比制御す
る合金膜形成）あるいは、複数の同種ターゲット物質を
使用し高速膜形成を行なう場合に使用され、第３図の構
成の装置はバイアススパッタリング方式の装置とも呼ば
れているもので、基板上に膜付着と食刻を同時に進行さ
せステップカバレイジ向上及び膜質改善等を計る場合に
使用される。
第４図は本願の第２の発明を説明する図である。
前述の各実施例の１位相補正回路ＦＳ２．ＦＳ３には既
存の様々の方式のものが使用できるが、その多くで２位
相を補正するとゲインがそれに附随して変化する現象が
見られる。スパッタリング作業の場合は電力供給系のゲ
インの変動は製品の仕上りに大きい影響をもたらすので
、出来るだけゲインを一定に保つ必要がある。第２の発
明はこの問題を解決するものである。
存の様々の方式のものが使用できるが、その多くで２位
相を補正するとゲインがそれに附随して変化する現象が
見られる。スパッタリング作業の場合は電力供給系のゲ
インの変動は製品の仕上りに大きい影響をもたらすので
、出来るだけゲインを一定に保つ必要がある。第２の発
明はこの問題を解決するものである。
第４図の電力供給系４では２位相補正回路ＦＳ。
増幅回路ＡＭ、インピーダンス整合回路ＭＢ、位相検出
回路ＦＤで構成する上述の第１の発明の電力供給系の一
部にゲインコントロール回路ＧＣが付設されており、出
力４１をゲインプントロール回路ＧＣを経て入力４２に
負毎還し、この系のゲインを一定に維持している。負き
還の方式としては既存の様々のものが流用できる。
回路ＦＤで構成する上述の第１の発明の電力供給系の一
部にゲインコントロール回路ＧＣが付設されており、出
力４１をゲインプントロール回路ＧＣを経て入力４２に
負毎還し、この系のゲインを一定に維持している。負き
還の方式としては既存の様々のものが流用できる。
本発明の電力供給装置は上記の通りであって、スパッタ
リング装置の電極相互間に所望の位相条件。
リング装置の電極相互間に所望の位相条件。
電力条件を正しく設定し、かつそれを長期に亘って維持
することができる。従って、下記の酩効果がある。
することができる。従って、下記の酩効果がある。
（λ、第２図の実施例において、異種ターゲットを使用
した場合には、基板に付着した合金膜の組成比を正確に
制御できる。又同種ターゲットを使用した場合には各電
極に投入された電力の和に対し最大の膜付着速度が得ら
れる様位相を制御することができる。
した場合には、基板に付着した合金膜の組成比を正確に
制御できる。又同種ターゲットを使用した場合には各電
極に投入された電力の和に対し最大の膜付着速度が得ら
れる様位相を制御することができる。
２ 第３図の実施例において、基板上に膜付着と食刻を
同時に進行させた場合、前項の効果に加えて、基板上の
食刻速度の変動及び朕質の変動を極めて抑制することが
できる。
同時に進行させた場合、前項の効果に加えて、基板上の
食刻速度の変動及び朕質の変動を極めて抑制することが
できる。
３、加工精度、加工の均質さ、が時間的にも空間的にも
大きく向上し、それらを意のま〜に調整 制することができるようになる。
大きく向上し、それらを意のま〜に調整 制することができるようになる。
従って本発明の装置はこれを例えばＬＳＩの製造の工程
に使用して、その品質の向上１歩留りの向上に大いにそ
の力量を発揮するものである。産業上極めて有益な発明
ということができる。
に使用して、その品質の向上１歩留りの向上に大いにそ
の力量を発揮するものである。産業上極めて有益な発明
ということができる。
第１図は従来の装置の電力供給装置を示すプロは本願の
第２の発明を説明するためのブロック図。 １ 、２０ 、３０ 、３００ 、・・・・・・・・・
：電力供給系ＦＳＸ、・・・・−・・−・：位相補正回
路。’ｒｌｅ Ｔ２ ＋ ’ｒａ ”電極（ターゲット
）。Ｓ：電極（基板ホルダー）■：真空容器。ＧＣニゲ
インコントロール回路。 特許出願人 日電アネルバ株式会社 ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＧ、４ ム 手続補正書（自発） 昭和５８年１１月２６日 １ 事件の表示 昭和５８年特許願第１３６６２７号 ２発明の名称 スパッタリング装置用電力供給装置〆 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４ 補正命令の日付 昭和 年 月 日５ 補正により
増加する発明の数 ０ 補正の内容 特許請求の範囲を下記のものに補正する。 （１）単一の真空容器内に設り”られた複数の電極のそ
れぞれに、高周波発振回路を共通にして、電力増幅回路
とインピーダンス整合回路よりなる電力供給系を経由す
る高周波電力を印加して真空放電させるスパッタリング
装置において、該電力供給系の少くとも一つに位相補正
回路を設けるとともにこの系の出力周波数と他の糸の出
力周波数を位相比較する位相検出回路を設り、この位相
検出回路の出力で該位相補正回路を制御する位相制御ル
ープケ加味したことを特徴とするスパッタリング装置用
電力供給装置。 （４）単一の真空容器内に設けられた複数の電極のそれ
ぞれに、高周波発振回路を共通にして、電力増幅回路と
インピーダンス整合回路よりなる電力供給系を経由する
高周波電力を印加して真空放電させるスパッタリング装
置において、該電力供給系の少くとも一つに位相補正回
路を設けるとともにこの系の出力周波数と他の系の出力
周波数を位相比較する位相検出回路を設け、この位相検
出回路の出力で該位相補正回路を制御する位相制御ルー
プを加味するとともに、該位相補正回路を内包して、こ
の電力供給系のゲインを一定にするゲイン制御負き還回
路をも加味したことを特徴とするスパッタリング装置用
電力供給装置。 力供給装置。 手続補正書（自発） 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第１３６６２７号２
、発明の名称 スパッタリング装置用電力供給装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都府中市四谷５−８−１ ４、補正命令の日付 昭和 年 月 日５、補正により
増加する発明の数 ０ ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄７、補
正の内容 明細書第４頁９行目の「食刻」の代シに［物
理的食刻あるいはりアクティブイオンエソテング（ＲＩ
Ｅ）の如き化デ的食刻」を代入するＯ
第２の発明を説明するためのブロック図。 １ 、２０ 、３０ 、３００ 、・・・・・・・・・
：電力供給系ＦＳＸ、・・・・−・・−・：位相補正回
路。’ｒｌｅ Ｔ２ ＋ ’ｒａ ”電極（ターゲット
）。Ｓ：電極（基板ホルダー）■：真空容器。ＧＣニゲ
インコントロール回路。 特許出願人 日電アネルバ株式会社 ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＧ、４ ム 手続補正書（自発） 昭和５８年１１月２６日 １ 事件の表示 昭和５８年特許願第１３６６２７号 ２発明の名称 スパッタリング装置用電力供給装置〆 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４ 補正命令の日付 昭和 年 月 日５ 補正により
増加する発明の数 ０ 補正の内容 特許請求の範囲を下記のものに補正する。 （１）単一の真空容器内に設り”られた複数の電極のそ
れぞれに、高周波発振回路を共通にして、電力増幅回路
とインピーダンス整合回路よりなる電力供給系を経由す
る高周波電力を印加して真空放電させるスパッタリング
装置において、該電力供給系の少くとも一つに位相補正
回路を設けるとともにこの系の出力周波数と他の糸の出
力周波数を位相比較する位相検出回路を設り、この位相
検出回路の出力で該位相補正回路を制御する位相制御ル
ープケ加味したことを特徴とするスパッタリング装置用
電力供給装置。 （４）単一の真空容器内に設けられた複数の電極のそれ
ぞれに、高周波発振回路を共通にして、電力増幅回路と
インピーダンス整合回路よりなる電力供給系を経由する
高周波電力を印加して真空放電させるスパッタリング装
置において、該電力供給系の少くとも一つに位相補正回
路を設けるとともにこの系の出力周波数と他の系の出力
周波数を位相比較する位相検出回路を設け、この位相検
出回路の出力で該位相補正回路を制御する位相制御ルー
プを加味するとともに、該位相補正回路を内包して、こ
の電力供給系のゲインを一定にするゲイン制御負き還回
路をも加味したことを特徴とするスパッタリング装置用
電力供給装置。 力供給装置。 手続補正書（自発） 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第１３６６２７号２
、発明の名称 スパッタリング装置用電力供給装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都府中市四谷５−８−１ ４、補正命令の日付 昭和 年 月 日５、補正により
増加する発明の数 ０ ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄７、補
正の内容 明細書第４頁９行目の「食刻」の代シに［物
理的食刻あるいはりアクティブイオンエソテング（ＲＩ
Ｅ）の如き化デ的食刻」を代入するＯ
Claims (2)
- （１）単一の真空容器内に設けられた複数の電極のそれ
ぞれに、高周波発振回路を共通にして、電力させるスパ
ッタリング装置において、該電力供給系の少くとも−っ
に位相補正回路を設けるとともにこの系の出力周波数と
他の系の出力周波数を位相比較する位相検出回路を設け
、この位相検出回路の出力で該位相補正回路を制御する
位相制御ループを加味したことを特徴とするスパッタリ
ング装置用電力供給装置。 - （２）単一の真空容器内に設けられた複数の電極のそれ
ぞれに、高周波発振回路を共通にして、電力増幅回路と
インピーダンス整合回路よりなる電力供給系を経由する
高周波電力を印加して真空放電させるスパッタリング装
置において、該電力供給にこの系の出力周波数と他の系
の出力周波数を位相比較する位相検出回路を設け、この
位相検出回路の出力で該位相補正回路を制御する位相制
御ループを加味すると共に、該位相補正回路を内包して
。 この電力供給系のゲインを一定にするゲイン制御（３）
該複数の電極がすべてターゲットである第１（４） 該
複数の電極がターゲットと基板ホルダの両者を含む第１
又は２項記載のスパッタリング装置用電力供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13662783A JPH0233787B2 (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | Supatsutaringusochodenryokukyokyusochi |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13662783A JPH0233787B2 (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | Supatsutaringusochodenryokukyokyusochi |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6029467A true JPS6029467A (ja) | 1985-02-14 |
| JPH0233787B2 JPH0233787B2 (ja) | 1990-07-30 |
Family
ID=15179722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13662783A Expired - Lifetime JPH0233787B2 (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | Supatsutaringusochodenryokukyokyusochi |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0233787B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61207573A (ja) * | 1985-03-09 | 1986-09-13 | Matsufumi Takatani | 多成分系電力スパツタリング法 |
| JPS61235916A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-21 | Nippon Koshuha Kk | 定位相差多数負荷供給高周波電源装置 |
| JPH02156080A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
| JPH02247380A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Hitachi Ltd | 高周波バイアススパッタリング装置及びその方法 |
| JPH02258976A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-10-19 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
| US5116482A (en) * | 1989-09-22 | 1992-05-26 | Hitachi, Ltd. | Film forming system using high frequency power and power supply unit for the same |
| WO2001075187A1 (en) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advanced Energy Industries, Inc. | System for driving multiple magnetrons with multiple phase ac |
| WO2008032570A1 (fr) * | 2006-09-14 | 2008-03-20 | Ulvac, Inc. | procédé de formation de film mince et appareil de formation de film mince |
| JP2014105368A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置、薄膜製造方法 |
| JP2014159614A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
-
1983
- 1983-07-26 JP JP13662783A patent/JPH0233787B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61207573A (ja) * | 1985-03-09 | 1986-09-13 | Matsufumi Takatani | 多成分系電力スパツタリング法 |
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| JPH02258976A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-10-19 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
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| JPH02247380A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Hitachi Ltd | 高周波バイアススパッタリング装置及びその方法 |
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| JP2014159614A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0233787B2 (ja) | 1990-07-30 |
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