JPS6028624A - Manufacture of display element - Google Patents

Manufacture of display element

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JPS6028624A
JPS6028624A JP58137284A JP13728483A JPS6028624A JP S6028624 A JPS6028624 A JP S6028624A JP 58137284 A JP58137284 A JP 58137284A JP 13728483 A JP13728483 A JP 13728483A JP S6028624 A JPS6028624 A JP S6028624A
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JP
Japan
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layer
transparent conductive
conductive layer
electrically sensitive
sensitive layer
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Pending
Application number
JP58137284A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tatsuo Oota
達男 太田
Katsuaki Komatsu
克明 小松
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
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Publication of JPS6028624A publication Critical patent/JPS6028624A/en
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/13439Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making

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Abstract

PURPOSE:To manufacture an element high in contrast and long in life by laminating an electrosensitive layer on a conductive base plate and a transparent conductive layer on this layer by coating and vacuum evaporation. CONSTITUTION:An ITO transparent conductive layer 5 is formed on a glass plate 4 in 100 nm thickness by vacuum evaporation. The layer 5 is coated with an electrochromic dye, an electrolyte, and a polyacrylonitrile, then heated, and dried in vacuum to form a 2.6-7.0mum thick transparent electrosensitive layer 2. A transparent conductive material is deposited to this layer 2 in a vacuum vapor deposition device, and subjected to etching to obtain a 100 nm thick transparent conductive layer 3 in a prescribed pattern. This layer 3 has a sheet resistance of 100OMEGA/cm<2>, and a light transmittance of 85%.

Description

【発明の詳細な説明】 1、産業上の利用分野 本発明は表示素子1例えば液晶表示素子又はエンクトロ
クロミツク素子の製造方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION 1. Industrial Application Field The present invention relates to a method for manufacturing a display element 1, such as a liquid crystal display element or an enctrochromic element.

2、従来技術 これまでに知られ【いる表示素子としては、液晶表示素
子又はエレクトpりμミック素子があるが、これらは、
液状の液晶又はエンク)EりPミック材料を2枚の電極
板間に封入してセルを構成したものである。 しかし、
素子自体が厚くなり、重量が増え、セルの大面積化も困
難である。 また、封入物質が液状であるために、封入
作業が面倒であり、かつ経時変化も生じ易くなる。
2. Prior Art Display elements known so far include liquid crystal display elements and electroluminescent elements.
A cell is constructed by sealing liquid crystal or liquid crystal material between two electrode plates. but,
The device itself becomes thicker and heavier, and it is difficult to increase the area of the cell. In addition, since the substance to be encapsulated is in a liquid state, the encapsulation process is troublesome and it tends to change over time.

そこで、固体型の表示素子として1次の(a)〜Tb)
に示す如きエレクトpりpiミック料を用いたものが提
案されている。
Therefore, as a solid-state display element, primary (a) to Tb)
A method using an electro-pimic material as shown in the following has been proposed.

(Kl、無機材料 酸化タングステン薄膜と誘電体薄膜(例えば5IO)と
の積層膜、酸化タングステン薄膜と固体電解質(例えば
リチウム等の超イオン導電性固体電解質、PbAg4I
*等)との積層膜、酸化イリジーーム薄膜と誘電体薄膜
(上記)との積層膜等。
(Kl, laminated film of inorganic material tungsten oxide thin film and dielectric thin film (e.g. 5IO), tungsten oxide thin film and solid electrolyte (e.g. superionic conductive solid electrolyte such as lithium, PbAg4I
*, etc.), a laminated film of an oxidized iridium thin film and a dielectric thin film (above), etc.

(bl、高分子材料 有機色素(例えばビオロゲン系、シフターシアニン錯体
)及び電解質を高分子中に分散せしめた高分子エレクト
pりpミック層、テトラチアフルバレンをポリスチンン
に結合せしめたもの。
(BL, polymer material organic dye (eg, viologen system, shifter cyanine complex) and electrolyte are dispersed in a polymer, and a polymer electrolyte resin layer is formed by bonding tetrathiafulvalene to polystine.

テトラチアフルバレン又はピラゾリン系色素を高分子と
ペンダント結合化したもの等。
Tetrathiafulvalene or pyrazoline dyes pendantly bonded to polymers, etc.

一方1次の(cl〜(dlに示す如き高分子液晶材料も
固体型表示素子用として提案されている。
On the other hand, polymer liquid crystal materials of the first order (cl to (dl) have also been proposed for use in solid-state display devices.

(C)、ポリペプチドとビニル系モノマーとから得られ
る重合体 γ−ブチルL−グルタメート(PBul、G ) +ト
リエチンングCJコールジメタクリメート(TGDM 
)、 PBuLB + エチンングリコールジメタクリ
レート(EGDM ) 、ポリ(r−プpビルL−グル
タメー)) (PPrLG)+ シクロヘキシルメタク
リレート(CHMA )等。
(C) Polymer γ-butyl L-glutamate (PBul, G) obtained from polypeptide and vinyl monomer + triethening CJ cold dimethacrymate (TGDM
), PBuLB + etching glycol dimethacrylate (EGDM), poly(r-p-p-pvir L-glutame)) (PPrLG) + cyclohexyl methacrylate (CHMA), etc.

(d)、ヒトP−?シブpピルセルp−ス(RPC)と
ビニル系モノマーとから得られる重合体本発明者は、上
記した如き固体型表示素子用の各種材料について検討を
加えた結果、これらの材料はいずれも、表示素子の電気
感応層として適用した場合、連続耐熱温度が150℃以
下と低いためにその電気感応層上に形成される電極材料
が制約されるという問題点があることを見出した。
(d), human P-? Polymer Obtained from Sibu P Pill Cell P-S (RPC) and Vinyl Monomer The present inventor has investigated various materials for solid-state display elements as described above, and found that all of these materials are suitable for display. It has been found that when applied as an electrically sensitive layer of a device, there is a problem in that the continuous heat resistance is as low as 150° C. or less, which limits the electrode material that can be formed on the electrically sensitive layer.

−例として、高分子エレクトpりpミック材料薄膜(電
気感応層)上に金電極を形成した素子が知られているが
、この金電極は、上記高分子エンク)+=りρコック材
料の材質及び物性の変化な生ぜしめない温度(150’
c以下)での真空蒸着等ICよって形成することができ
る。 しかしながら、そうした金電極を形成した素子に
おいては、金電極自体の光透過性が衡めて低いために、
素子による光透過表示時にコントラストが非常に悪くな
り。
- As an example, a device is known in which a gold electrode is formed on a thin film (electrically sensitive layer) of a polymer electrolytic material. Temperature that does not cause changes in material and physical properties (150'
It can be formed by IC such as vacuum evaporation (below c). However, in devices with such gold electrodes, the light transmittance of the gold electrode itself is relatively low.
The contrast becomes very poor when displaying light through the element.

表示用として不適当である。 しかも、金属電極と高分
子層との境界反応が生じて高分子劣化を招き、これによ
りて表示ミスが発生してしまう。
Not suitable for display purposes. Moreover, a boundary reaction occurs between the metal electrode and the polymer layer, leading to deterioration of the polymer, resulting in display errors.

このように、高分子薄膜の連続耐熱温度を考慮し【形成
可能な上部電極は、金等の金属材料の蒸着等によってし
か形成できないが、そのように形成しても上記した如き
欠点を回避することができない。
In this way, considering the continuous heat resistance temperature of the polymer thin film, [the upper electrode that can be formed can only be formed by vapor deposition of a metal material such as gold, but even if it is formed in this way, the above-mentioned drawbacks can be avoided. I can't.

3、発明の目的 本発明の目的は、特に固体型表示素子において。3. Purpose of the invention The object of the invention is particularly in solid-state display elements.

コントラストが高くて長寿命な素子を製造できる方法を
提供することにある。
It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an element with high contrast and long life.

4、発明の構成及びその作用効果 即ち1本発明は、導電性基体上に、少なくとも電気感応
層と透明導電層とが積層せしめられ【いることを特徴と
する表示素子を製造するに際し。
4. Structure of the invention and its effects: 1. The present invention is directed to manufacturing a display element characterized in that at least an electrically sensitive layer and a transparent conductive layer are laminated on a conductive substrate.

前記透明導電層を反応蒸着によって形成することを特徴
とする発光素子の製造方法に係るものである。
The present invention relates to a method of manufacturing a light emitting device, characterized in that the transparent conductive layer is formed by reactive vapor deposition.

本発明によれば、上記透明導電層を反応蒸着によって形
成するので、この形成時における基体の温度を上記電気
感応層の連続耐熱温度以下(特に150℃以下)に保持
して透明導電層の製膜が可能となる。 従って、高分子
電気感応層に悪影響(物性劣化や、絶縁破壊)を及ぼす
ことなく透明導電層を形成できる。 しかも、電気感応
層上に透明導電層を設けるので、光透過表示を行なう際
の表示コントラストが極めて良好となり、かつ金属電極
においてみられた如き電気感応層の劣化が生じることも
なく、長寿命化が可能となる。
According to the present invention, since the above-mentioned transparent conductive layer is formed by reactive vapor deposition, the temperature of the substrate at the time of formation is maintained below the continuous heat resistance temperature of the above-mentioned electrically sensitive layer (particularly below 150°C), and the transparent conductive layer is manufactured. membrane becomes possible. Therefore, a transparent conductive layer can be formed without adversely affecting the polymer electrosensitive layer (deterioration of physical properties or dielectric breakdown). Moreover, since a transparent conductive layer is provided on the electrically sensitive layer, the display contrast during light transmission display is extremely good, and there is no deterioration of the electrically sensitive layer as seen with metal electrodes, resulting in a longer service life. becomes possible.

なお、本明細書に記載された「連続耐熱温度(又は最高
使用温度)」は、「長期使用命件下で材質や物性の変化
が生じない場合の最高温度」と定義される〔′高分子材
料′(オーム社、昭和44年3月20日第1版発行、3
4〜35頁)〕。
In addition, the "continuous heat-resistant temperature (or maximum service temperature)" described in this specification is defined as "the maximum temperature when no change in material or physical properties occurs under long-term service requirements"['PolymerMaterials' (Ohmsha, 1st edition published March 20, 1960, 3
4-35)].

5、実施例 以下1本発明を実施例忙ついて詳細に説明する。5. Examples Hereinafter, the present invention will be explained in detail by referring to examples.

まず第1図につき1本実施例による方法で作成された固
体型発光素子の基本的構成を説明する。
First, with reference to FIG. 1, the basic structure of a solid-state light emitting device produced by the method according to this embodiment will be explained.

この発光素子は、導電性基体1と、この基体上に設ゆら
れた高分子電気感応層2と、この層上忙殺ゆられた透明
導電層3とによって構成されている。
This light emitting device is composed of a conductive substrate 1, a polymer electrosensitive layer 2 disposed on the substrate, and a transparent conductive layer 3 disposed on this layer.

導電性基体lは例えば、透明ガラス板4とITO(In
dlum Tin 0xlde )透明導電層5とから
なっている。 導電性基体1は1図示したものに限らず
、基体全体が導電性材料で形成されたものであってもよ
い、また、ガラス板4に代えて透明高分子1例えばポリ
エチレンテンフタシート又はポリ丈ルホン、ポリエーテ
ルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルサルポン
からなるフィルムも使用可能である。
The conductive substrate l is made of, for example, a transparent glass plate 4 and ITO (In
dlum Tin Oxlde) transparent conductive layer 5. The conductive substrate 1 is not limited to the one shown in the figure, and the entire substrate may be made of a conductive material.Also, instead of the glass plate 4, a transparent polymer 1 such as a polyethylene tent sheet or a polyethylene sheet can be used. Films made of polyhedron, polyetherimide, polyetherketone, polyethersarpone can also be used.

高分子電気感応層2は特に、連続耐熱温度が150℃以
下の高分子エレクトロクG’4ツク材料又は高分子液晶
材料からなっている。 使用可能な高分子エレクトロク
ロミック材料としては、テトラチアフルバンン、ピラゾ
リン色素等の既述した如き各種エレク)+=りoミック
色素が挙げられる。
The polymeric electrosensitive layer 2 is particularly made of a polymeric electromagnetic material or a polymeric liquid crystal material having a continuous heat resistance temperature of 150° C. or lower. Examples of polymeric electrochromic materials that can be used include various electrochromic dyes as described above, such as tetrathiafulvanic dyes and pyrazoline dyes.

これらの材料は実際には、高分子化合物中に分散せしめ
るが、使用可能な高分子化合物としては。
These materials are actually dispersed in polymeric compounds, but as usable polymeric compounds.

ポリスチンン樹脂(例えば、連続耐熱温度60〜80℃
のスチロール系)、ポリビニルアルコール樹脂(例えば
、連続耐熱温度60〜90℃のビニル系)、ポリメタク
リロニトリル樹脂(例えば、連続耐熱温度60〜90℃
のアクリル系、同温度80〜150℃のナイpン系、同
温度120℃程度のポリカーボネート系、同温度60〜
100℃のセルツース系)等が挙げられる。 これらの
各高分子材料はいずれも。
Polystyrene resin (e.g. continuous heat resistance temperature 60-80℃
styrene type), polyvinyl alcohol resin (e.g., vinyl type with a continuous heat resistance temperature of 60 to 90°C), polymethacrylonitrile resin (e.g., a continuous heat resistance temperature of 60 to 90°C)
acrylic type with the same temperature of 80~150℃, polycarbonate type with the same temperature of about 120℃, same temperature of 60~150℃
100° C. Celltooth series), etc. Each of these polymer materials.

高分子の透明性を発揮し、かつ使用可能な種類が多く、
加工も容易であるという利点を有している。
Demonstrates the transparency of polymers, and there are many types that can be used.
It has the advantage of being easy to process.

また、使用可能な高分子液晶材料としては、既述した各
種材料の他、 PPrLG+エチルアクリン−) (E
tA )、 PBuLG+C)IMA、 PPrLG+
メチルメタクリv −ト(MMA )、PPrl、G 
f EDGM 停が挙げられる。
In addition to the various materials mentioned above, usable polymeric liquid crystal materials include PPrLG+ethyl acriline) (E
tA), PBuLG+C)IMA, PPrLG+
Methyl methacrylate (MMA), PPrl, G
f EDGM stop is mentioned.

また、透明導電層3は、 ITO(IntOsとSnO
Moreover, the transparent conductive layer 3 is made of ITO (IntOs and SnO
.

との混合物)又はInto、或いはSnO,によって形
成することができ、第3図に示す如く裏面側にエンクト
pルミネッセンス発光シート6を配して光透過型表示を
行なう場合1c、透明導電層3側から観察される表示パ
ターン(即ち、導電層3直下とそれ以外の領域との高分
子層2の吸収波長の差による色パターン)のコントラス
トを充二分に鮮明にすることができるものである。 し
かも、透明導電層3は、後述する如く、基体温度を15
0’C以下にして連続耐熱温度が150℃以下の高分子
層2上に製膜することができるものであり、従って高分
子層2に物性劣化等を生せしめることがない。
1c, transparent conductive layer 3 side. It is possible to make the contrast of the display pattern (that is, the color pattern due to the difference in absorption wavelength of the polymer layer 2 directly under the conductive layer 3 and the other region) sufficiently clear. Moreover, as will be described later, the transparent conductive layer 3 has a substrate temperature of 15
It is possible to form a film on the polymer layer 2 whose continuous heat resistance temperature is 150° C. or less when the temperature is 0'C or less, so that the polymer layer 2 does not suffer from deterioration of its physical properties.

なお2第1図の素子は、全固体型であるから。Note 2: The device shown in FIG. 1 is an all-solid-state type.

薄型、軽量であり、大面積化が可能である。 この素子
の透明導電層3側の全面には1表面保護のために酸化シ
リコンやポリメチルメタクリレート等をコーティングす
るのがよい。
It is thin and lightweight, and can be made into a large area. The entire surface of this element on the transparent conductive layer 3 side is preferably coated with silicon oxide, polymethyl methacrylate, etc. for surface protection.

次に、本実施例による表示素子の製造方法の一例を説明
する。
Next, an example of a method for manufacturing a display element according to this embodiment will be described.

まず、上記のガラス板4上に、後述の真空蒸着によつて
形成可能なITO透明導電層5(シート抵抗100Ω/
c11−光透過率85チ)を厚さtooo Xに形成す
る。
First, an ITO transparent conductive layer 5 (sheet resistance 100Ω/
c11-light transmittance 85 cm) is formed to a thickness of too X.

次いで、下記の組成からなる分散混合物を調製する。Next, a dispersion mixture having the following composition is prepared.

組 成 モル比 エンクトμクロミック色$ 1 (テトラチアフルバレン) 電解質 K 高分子化合物 % (ポリメタクリロニトリル) この混合物を上記透明導電層5上に塗布し、真空下で加
熱、乾燥して、厚さ2,6〜7.0μmで淡黄色の透明
な電気感応層2を形成する。
Composition Molar ratio Enctoμ chromic color $ 1 (Tetrathiafulvalene) Electrolyte K Polymer compound % (Polymethacrylonitrile) This mixture is coated on the transparent conductive layer 5, heated and dried under vacuum, and then thickened. A pale yellow transparent electrosensitive layer 2 with a thickness of 2.6 to 7.0 μm is formed.

次いで、第2図及び第3図に示す真空蒸着装置を使用し
て、電気感応層2上に透明導電材料を堆積させ、これを
エツチングで加工して所定パターンの透明導電層3を形
成する。 この透明導電層3は膜厚1ooo Xに形成
されてよく、そのシート抵抗100Ω/at/1.光透
過率85チである。
Next, using the vacuum deposition apparatus shown in FIGS. 2 and 3, a transparent conductive material is deposited on the electrically sensitive layer 2, and this is processed by etching to form a transparent conductive layer 3 in a predetermined pattern. This transparent conductive layer 3 may be formed to have a thickness of 100X, and a sheet resistance of 100Ω/at/1. The light transmittance is 85cm.

この透明導電層の製膜プロセスを詳述する。The process for forming this transparent conductive layer will be described in detail.

即ち、第2図において真空槽を形成するペルジャー30
にバタフライバルブ32内を有する排気路38を介して
真空ポンプ(図示せず)を接続し、これにより当該ペル
ジャー3o内を予め例えば1o−5〜1O−7Torr
の高真空状態としておく。 当該ペルジャー30内には
基板4を配置してこれをヒーター34 により温度15
0℃以下、例えば60℃に加熱すると共に、ガス導入口
36(第3図参照)に接続された高周波ガス放電装置3
7(後記に詳述する。)により活性化及び/又はイオン
化された反応用ガス(0ワ)をペルジャー30内に導入
しながら(ガス圧はI X 10””−I X 10−
’ Torr、例えば6 X 10−’ Torr )
、基板4と対向するよう前記ぺ′ルジャー30内に配さ
れた蒸発源25から蒸着物質を加熱蒸発せしめる。
That is, the Pelger 30 forming the vacuum chamber in FIG.
A vacuum pump (not shown) is connected to the Pel jar 3o through an exhaust path 38 having an inside of the butterfly valve 32, whereby the inside of the Pel jar 3o is preliminarily heated to a pressure of, for example, 10-5 to 10-7 Torr.
Keep it in a high vacuum state. A substrate 4 is placed inside the Pelger 30 and heated to a temperature of 15 by the heater 34.
The high frequency gas discharge device 3 is heated to 0° C. or lower, for example 60° C., and is connected to the gas inlet 36 (see FIG. 3).
7 (described in detail later) while introducing the activated and/or ionized reaction gas (0 W) into the Pelger 30 (gas pressure is I
' Torr, e.g. 6 X 10-' Torr)
Then, the deposition material is heated and evaporated from the evaporation source 25 disposed in the pell jar 30 so as to face the substrate 4.

この加熱手段は電子銃加熱装置26による電子ビーム2
7(蒸着物質がITOのとき)又は抵抗加熱方式(蒸着
物質がIn+Sn、或いはIn、 Sn単独のとき)に
よってもよい。 また、基板2(実際にはその背後電極
(図示せず))には負のバイアス電圧35(−1kV以
下−6に一500V以下)を必要ニ応じて印加すること
ができる。 このバイアス電圧は直流であってよく、或
いは交流であってもよい。 又接地電位も含む。
This heating means is an electron beam 2 produced by an electron gun heating device 26.
7 (when the vapor deposition material is ITO) or a resistance heating method (when the vapor deposition material is In+Sn, or In and Sn alone) may be used. Further, a negative bias voltage 35 (-1 kV or less and -6 to -500 V or less) can be applied to the substrate 2 (actually, its back electrode (not shown)) as necessary. This bias voltage may be direct current or alternating current. Also includes ground potential.

ここで、ガス放電装置37が第3図に明示する如くに構
成されていてよい。 即ち、取付は板39の中央部には
上記ガス導入口36に連なる貫通孔(導入口)40が形
成され、この導入口40の周囲には径小のリング状突起
41と径大のリング状突起42とが同心状に設げられて
いる。 そして、内側の突起41に対してはこれを包み
込む如く忙ガス導入管43が着脱自在に嵌合固定され、
かつ外側の突起42に対しては円筒状の防着部材44が
同様に嵌合固定されている。 導入管43の外周と防着
部材44の内周との間には1例えばコイル状の放電用電
極45が巻回されている。 導入管43と防着部材44
との内端面には、防着部材の一部を構成する共通のリン
グ板46がビス47で固定され、これによって導入管4
3と防着部材44とは放電用電極45を容した状態で取
付は方法板39に取付けられる。 但、この取付は方法
又は順序は種々考えられ、予めリング板46を上記のよ
うに固定した後に上記突起41,42に同時に嵌め込ん
でもよい。
Here, the gas discharge device 37 may be constructed as clearly shown in FIG. That is, for installation, a through hole (inlet) 40 connected to the gas inlet 36 is formed in the center of the plate 39, and a ring-shaped protrusion 41 with a small diameter and a ring-shaped protrusion with a large diameter are formed around the inlet 40. A protrusion 42 is provided concentrically. Then, a busy gas introduction pipe 43 is removably fitted and fixed to the inner protrusion 41 so as to wrap it around the inner protrusion 41.
Further, a cylindrical adhesion prevention member 44 is similarly fitted and fixed to the outer protrusion 42. For example, a coil-shaped discharge electrode 45 is wound between the outer periphery of the introduction pipe 43 and the inner periphery of the adhesion prevention member 44 . Introduction pipe 43 and adhesion prevention member 44
A common ring plate 46 constituting a part of the adhesion prevention member is fixed to the inner end surface of the introduction pipe 4 with screws 47.
3 and the adhesion prevention member 44 are attached to the method plate 39 in a state where the discharge electrode 45 is accommodated. However, various methods or orders can be considered for this attachment, and the ring plate 46 may be fixed in advance as described above and then fitted into the protrusions 41 and 42 at the same time.

取付は板39には前取−>’C,電極45の一端を接続
した高周波導入端子48が嵌入固定されており、また中
央部にはねじ部49を介して外部からのガス導入存50
がねじ込み固定される。 又、取付は板39及び防着部
材44の周囲には、それらの加熱を防止するために冷却
水7oを通す水冷管71.72が設けられている。 又
、電極45の内部にも冷却水を導入する事が可能である
。 水冷管71.72は別体であってよく、或いは適当
な箇所で互いに一体化してよい。 そして、取付は板3
9は1周辺部ねじ孔51にねじ52をねじ込むことによ
って、ペルジャー3゜内の設置台53に着脱可能に固定
される。 ここにおいて、取付は板39を介して上記の
高周波ガス放電装置37を着脱可能に固定した設置台5
3が、ペルジャー30の底壁30 aに対して位置調節
可能に固定され、これによって放電装置37がペルジャ
ー3゜内の任意の位置忙適切に設置されるようにしてい
ることである。 このためには1例えば、ペルジャー底
壁30aにねじ孔73を適切な位置に適当数形成し、こ
のねじ孔73に対しねじ74をねじ込むことによって設
置台53をペルジャー壁に固定すればよい。 従って、
放電装置37の配置は、ねじ74による設置台53の固
定位置によって任意に調整でき。
For installation, a high frequency introduction terminal 48 connected to one end of an electrode 45 is fitted and fixed in the front part of the plate 39, and a gas introduction terminal 50 from the outside is connected to the center part through a threaded part 49.
is screwed into place. Additionally, water cooling pipes 71 and 72 are provided around the mounting plate 39 and the adhesion prevention member 44 to pass the cooling water 7o to prevent them from being heated. Furthermore, it is possible to introduce cooling water into the interior of the electrode 45 as well. The water cooling tubes 71, 72 may be separate pieces or may be integrated with each other at appropriate points. And the installation is on board 3
9 is removably fixed to a mounting base 53 inside the Pelger 3° by screwing a screw 52 into a peripheral screw hole 51. Here, the installation is performed on an installation stand 5 on which the above-mentioned high frequency gas discharge device 37 is removably fixed via a plate 39.
3 is fixed to the bottom wall 30a of the Pel jar 30 so that its position can be adjusted, thereby allowing the discharge device 37 to be appropriately installed at any position within the Pel jar 30. For this purpose, for example, an appropriate number of screw holes 73 may be formed at appropriate positions in the Pelger bottom wall 30a, and screws 74 may be screwed into the screw holes 73 to fix the installation base 53 to the Pelger wall. Therefore,
The arrangement of the discharge device 37 can be arbitrarily adjusted by adjusting the fixing position of the installation base 53 using the screws 74.

例えば仮想線で示す方向75にずらすことができる。For example, it can be shifted in the direction 75 shown by the imaginary line.

これに対応して、各管50.71.72等は予め所定長
だけ弛ませておき、可撓性パイプとして構成しておけば
よい。
Correspondingly, each pipe 50, 71, 72, etc. may be slackened by a predetermined length in advance and configured as a flexible pipe.

上記の放電装置37は、コイル電極45によるLカップ
リング型(銹導結合型)として構成され、高周波電圧(
例えば13.56MH,、300W )の印加によって
ガス導入管43内に発生した反応用ガスのイオン又は活
性化成分がその放出口56からペルジャー30の空間(
即ち、蒸発物質25が基板4へ向けて飛翔空間)へと導
出されるようになっている、上記に説明した真空蒸着法
(反応蒸着法)によれば、基板4を比較的低温に保持、
してITO等の透明導電層3を形成でき、しかも下地の
電気感応層2に対するダメージを阻止しなから製膜な行
なうことができる。 これ忙対し、上記反応蒸着法忙代
えて、透明導電層をスパッタリング法で形成することが
考えられるが、この場合には次のような問題点があるわ
 即ち、スパッタによって膜を堆積させるとイオン化粒
子によるボンバードダメージが電気感応層2に入り、ま
たこの層自体が加熱されて連続耐熱温度以上となり易い
上に、′wL気感応層2上に電子やイオンが蓄積される
(特忙基板−ターゲット間の電位差が大のとき)ことに
よる電場の形成で層2が絶縁破壊を生じてしまうことが
ある。 電気感応#2がその連続耐熱温度以上(例えば
200℃)に加熱されてしまう現象は。
The above-mentioned discharge device 37 is configured as an L-coupling type (coupling type) using a coil electrode 45, and a high-frequency voltage (
For example, by applying a power of 13.56 MH, 300 W), ions or activation components of the reaction gas generated in the gas introduction tube 43 are released from the discharge port 56 into the space of the Pelger 30 (
That is, according to the above-described vacuum evaporation method (reactive evaporation method) in which the evaporated substance 25 is led out toward the substrate 4 into the flight space, the substrate 4 is held at a relatively low temperature,
The transparent conductive layer 3 made of ITO or the like can be formed in this way, and the film can be formed without damaging the underlying electrically sensitive layer 2. To solve this problem, it is possible to form a transparent conductive layer by sputtering instead of the above-mentioned reactive vapor deposition method, but in this case, there are the following problems. Namely, when the film is deposited by sputtering, ionization occurs. Bombardment damage from particles enters the electrically sensitive layer 2, and this layer itself is easily heated to exceed the continuous heat resistance temperature, and electrons and ions are accumulated on the electrically sensitive layer 2 (busy substrate - target When the potential difference between the two layers is large, the formation of an electric field may cause dielectric breakdown in the layer 2. What is the phenomenon in which electric sensor #2 is heated to a temperature higher than its continuous heat resistance temperature (for example, 200°C)?

上記反応蒸着法以外の通常の蒸着法による場合釦も生じ
得る。
Buttons may also be produced when a conventional vapor deposition method other than the above-mentioned reactive vapor deposition method is used.

上記方法において1反応蒸着時の基板4の温度(Ts 
)を150℃以下とし、又は基板4の印加電圧(Vs)
を−1kV以下とすること、或いはTg≦150℃及び
v8≦5元の双方を条件とすることが望ましい。 即ち
、第4図の実験データから明らかなように、T8 が1
50℃を越えると、比較的耐熱のあるナイロン系の電気
感応層ですら熱変形を生じ易くなるので、T8≦150
℃とすれば使用可能なすぺての電気感応材料の特性を保
持することができる。
In the above method, the temperature of the substrate 4 (Ts
) is 150°C or less, or the applied voltage (Vs) of the substrate 4
It is desirable that the voltage is −1 kV or less, or that both Tg≦150° C. and v8≦5 are the conditions. That is, as is clear from the experimental data in Figure 4, T8 is 1.
If the temperature exceeds 50℃, even the relatively heat-resistant nylon-based electrically sensitive layer tends to be thermally deformed, so T8≦150
℃, it is possible to maintain the properties of all available electrosensitive materials.

また、第5図に示すように、Vsを−1kV以下にしな
いと、基板上に電荷(イオン)のへ積置が大幅に増えて
電気感応層の局部的絶縁破壊が顕著に生じ、同層中の短
絡電流が著しく増え易い。
Furthermore, as shown in Figure 5, if Vs is not lowered to -1kV or less, the accumulation of charges (ions) on the substrate will increase significantly, causing significant local dielectric breakdown of the electrically sensitive layer. Short-circuit current inside the device tends to increase significantly.

上記の方法で得られた表示素子は1例えば駆動電圧3〜
4vで赤色発色表示を行なうことができ。
The display element obtained by the above method has a driving voltage of 1, for example, 3~
Red color display can be performed at 4V.

印加電圧の極性を変えると消色する。 また、同素子の
波長550mμの光透過半発色と消色時の変化は40チ
程度と良好である。
The color disappears when the polarity of the applied voltage is changed. Further, the change in light transmission of the same element at a wavelength of 550 mμ during semi-coloring and decoloring is about 40 inches, which is good.

第6図は、実用化に適した層構成の表示素子を示し。FIG. 6 shows a display element with a layered structure suitable for practical use.

第1図の素子において電気感応層2と、その上下の導電
層3及び5との間に絶縁層7及び8が夫々設けられたも
のである。 絶縁層7.8は酸化物又は窒化物からなっ
てい【よく5例えば厚さ500〜1500 XのSIO
In the device shown in FIG. 1, insulating layers 7 and 8 are provided between the electrically sensitive layer 2 and the upper and lower conductive layers 3 and 5, respectively. The insulating layer 7.8 consists of an oxide or nitride [often 5, for example SIO with a thickness of 500 to 1500 x
.

膜で形成することができる。 これらのStO,膜7.
8は、第2図に示した反応蒸着装置によりO。
It can be formed from a membrane. These StO, membranes 7.
8 is O by the reactive vapor deposition apparatus shown in FIG.

ガスを活性化又はイオン化して導入しながらS10、S
tO,又はStを加熱、蒸発させることによりて。
S10, S while activating or ionizing the gas and introducing it.
By heating and evaporating tO or St.

上述したと同様にして製膜することができる。The film can be formed in the same manner as described above.

又窒化物として518N4−4%も製膜できる。 第6
図の素子は% 810.膜7,8の存在によって、より
長寿命化が可能であり、例えば107回以上オン・オフ
動作させてもなお表示を良好に行なうことができる。 
なお、上記のsio、膜7.8はいずれか一方だけ設け
ても効果がある。
Also, a film of 518N4-4% can be formed as a nitride. 6th
The element in the figure is %810. Due to the presence of the films 7 and 8, a longer life is possible, and good display can be achieved even after being turned on and off, for example, 107 times or more.
Note that it is also effective to provide only one of the above-mentioned sio and films 7 and 8.

第1図の表示素子においては、電気感応層2とし【高分
子液晶(例えばコンステリツク系:PPrLG十EtA
による重合体:絶縁破壊電圧10〜30kV /am 
、連続耐熱温度66〜80℃)を使用してもよい。 こ
の場合には、この重合体溶液を10〜5μmに塗布、乾
燥すればよい。
In the display element shown in FIG.
Polymer: Dielectric breakdown voltage 10-30kV/am
, continuous heat resistance temperature of 66 to 80°C) may be used. In this case, this polymer solution may be applied to a thickness of 10 to 5 μm and dried.

第7図は、実用化に適した液晶表示素子であって、上記
と同様の高分子液晶からなる電気感応層2を有し、他は
第6図と同じ層構成である。 この素子では、駆動電圧
5vで色調変化を観察でき。
FIG. 7 shows a liquid crystal display element suitable for practical use, which has an electrically sensitive layer 2 made of polymeric liquid crystal similar to that described above, and has the same layer structure as FIG. 6 in other respects. With this element, color tone changes can be observed at a driving voltage of 5V.

印加電圧及び液晶の種類、温度等によって種々の発色が
可能なものである。 また、光透過半変化は40チ程度
である。
Various colors can be produced depending on the applied voltage, type of liquid crystal, temperature, etc. Further, the light transmission half change is about 40 inches.

以上に説明した実施例は1本発明の技術的思想に基いて
更に変形が可能である。
The embodiment described above can be further modified based on the technical idea of the present invention.

例えば1表示素子の層構成や構成材料は上述のものに限
定されることなく種々変更してよい。
For example, the layer structure and constituent materials of one display element are not limited to those described above, and may be changed in various ways.

例えば高分子EC(エレクトρりqiミック)と高分子
LC(リキッドクリスタル)の積層体も作成できる。 
各層の製膜方法も変更してよい。
For example, a laminate of a polymer EC (electrodynamics) and a polymer LC (liquid crystal) can also be created.
The film forming method for each layer may also be changed.

また、表示素子の表示パターンは、上述の例のように導
電層3側から観察するのが望ましい(この場合は導電層
5及び基板4は透明でなくてよい。)が、必要に応じて
基板4側から観察することもできる。
In addition, it is desirable to observe the display pattern of the display element from the conductive layer 3 side as in the above example (in this case, the conductive layer 5 and the substrate 4 do not need to be transparent), but if necessary, It can also be observed from four sides.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図面は本発明の実施例を示すものであって、第1図は表
示素子の概略断面図。 第2図は反応蒸着装置の概略断面図。 第3図は高周波放電装置を示す第2図の一部拡大断面図
、 第4図は基板温度による電気感応層の物性変化図。 第5図は基板電圧による電気感応層の短絡電流の変化を
示す図。 第6図、第7図は表示素子の他の二側の各概略断面図 である。 なお、図面に示された符号において。 l・・・・・・・・・・導電性基体 2・・・・・・・・・・電気感応層 3・・・・・・・・・・透明導電層 4・・・・・・・・・・ガラス板(基板)5・・・・・
・・・・・透明導電層 7.8・・・・・・絶縁層 25・・・・・・・・・蒸着物質 37・・・・・・・・・高周波ガス放電装置50・・・
・・・・・・反応ガス導入管である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 (他1名)第 10 .1 第2図 @30 1A ・寥 ト。 第40 @、!;口 0−グρρF−グKV ヤス 舗6日
The drawings show embodiments of the present invention, and FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a display element. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the reactive vapor deposition apparatus. FIG. 3 is a partially enlarged sectional view of FIG. 2 showing a high-frequency discharge device, and FIG. 4 is a diagram showing changes in physical properties of the electrically sensitive layer depending on substrate temperature. FIG. 5 is a diagram showing the change in short circuit current of the electrically sensitive layer depending on the substrate voltage. FIGS. 6 and 7 are schematic sectional views of the other two sides of the display element. In addition, in the reference numerals shown in the drawings. l...... Conductive substrate 2... Electrically sensitive layer 3... Transparent conductive layer 4... ...Glass plate (substrate) 5...
...Transparent conductive layer 7.8...Insulating layer 25...Vapour-deposited substance 37...High frequency gas discharge device 50...
...Reactant gas introduction pipe. Agent: Patent attorney Hiroshi Aisaka (and 1 other person) No. 10. 1 Figure 2 @30 1A ・True. No. 40 @,! ;mouth 0-gρρF-g KV Yasu store 6th

Claims (1)

【特許請求の範囲】 l、導電性基体上に、少なくとも電気感応層と透明導電
層とが積層せしめられている表示素子を製造するに際し
、前記透明導電層を反ら蒸着によって形成することを特
徴とする表示素子の製造方法。 2、電気感応層として、連続耐熱温度又は最高使用温度
が150℃以下のものを形成する特許請求の範囲の第1
項に記載した方法。 3、電気感応層を高分子液晶材料により形成する。 特許請求の範囲の第2項に記載した方法。 4、電気感応層を高分子工ンク)Rりty9ツク材料に
より形成する。特許請求の範囲の第2項に記載した方法
。 5、透明導電層を酸化インジウム及び/又は酸化スズに
より形成する。特許請求の範囲の第1項〜第4項のいず
れか1項に記載した方法。 6、電気感応層とその両側の導電層との間の少なくとも
一方に、酸化物又は窒化物からなる層を特徴する特許請
求の範囲の第1項〜第5項のいずれか1項に記載した方
法。
[Claims] l. When manufacturing a display element in which at least an electrically sensitive layer and a transparent conductive layer are laminated on a conductive substrate, the transparent conductive layer is formed by warped vapor deposition. A method for manufacturing a display element. 2. The first claim in which the electrically sensitive layer has a continuous heat resistance temperature or a maximum operating temperature of 150°C or less
The method described in section. 3. The electrically sensitive layer is formed from a polymeric liquid crystal material. A method according to claim 2. 4. The electrically sensitive layer is formed from a polymeric material. A method according to claim 2. 5. A transparent conductive layer is formed from indium oxide and/or tin oxide. A method according to any one of claims 1 to 4. 6. As described in any one of claims 1 to 5, characterized in that a layer made of oxide or nitride is provided on at least one of the electrically sensitive layer and the conductive layers on both sides thereof. Method.
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