JPS60263826A - 圧力測定装置 - Google Patents
圧力測定装置Info
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- JPS60263826A JPS60263826A JP11951784A JP11951784A JPS60263826A JP S60263826 A JPS60263826 A JP S60263826A JP 11951784 A JP11951784 A JP 11951784A JP 11951784 A JP11951784 A JP 11951784A JP S60263826 A JPS60263826 A JP S60263826A
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- semiconductor pressure
- semiconductor
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/06—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices
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- G—PHYSICS
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- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/04—Means for compensating for effects of changes of temperature, i.e. other than electric compensation
-
- G—PHYSICS
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- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/04—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of resistance-strain gauges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、例えば血圧、呼吸気道内圧などの圧力を測定
する圧力測定装置に係り、特に半導体圧力トランスデユ
ーサを用い温度補償を図った圧力測定装置に関する。
する圧力測定装置に係り、特に半導体圧力トランスデユ
ーサを用い温度補償を図った圧力測定装置に関する。
「発明の技術的背景コ
血圧、脳内圧、呼吸気道内圧等の圧力を計測することは
生体計測分野の中で中心的な地位を占めている。この場
合、圧力測定装置に用いられる圧力ドランスデューサと
しては従来の金属ストレンゲージに替り、小型、高感度
等であることから、半導体圧力ドランスデューサが主流
となってきた。
生体計測分野の中で中心的な地位を占めている。この場
合、圧力測定装置に用いられる圧力ドランスデューサと
しては従来の金属ストレンゲージに替り、小型、高感度
等であることから、半導体圧力ドランスデューサが主流
となってきた。
一般的にはこの半導体圧力ドランスデューサは圧力に対
して高感度であるという長所を有しているが、一方温度
変動に対して敏感であり実用に供するには上記温度変動
に対する補償が必要であり、種々の温度補償が試みられ
ている。例えば、半導体圧力トランスデユーサのごく近
傍にサーミスタ等の感温素子を配置し、この感温素子の
出力から半導体圧力１−ランスデューサの出力を補正す
る等の手法が行なわれている。
して高感度であるという長所を有しているが、一方温度
変動に対して敏感であり実用に供するには上記温度変動
に対する補償が必要であり、種々の温度補償が試みられ
ている。例えば、半導体圧力トランスデユーサのごく近
傍にサーミスタ等の感温素子を配置し、この感温素子の
出力から半導体圧力１−ランスデューサの出力を補正す
る等の手法が行なわれている。
［背景技術の問題点］
ここで、半導体圧力ドランスデューサの温度補償に用い
る温度変動（温度ドリフト）に関する仕様値は、半導体
圧力Ｉ〜ランスデューサと外界とが熱平衡にある状態で
の静的なものであり、外界温度が変化している時（ｖＪ
的変動時）には上記仕様値とは全く別の変動を示す。こ
の動的な特性は主要部をなす感圧抵抗ブリッジの特性に
よるのではなく、この主要部を載置するシリコン基板自
体と、それを支える支持機構の熱膨張係数及び熱容量の
差による相互の変形による。更に製造に際しての個々の
半導体圧力ドランスデューサのバラツキを考慮すると動
的な特性を予測することは困難であり、よってその特性
を補正するは不可能な場合が多い。−例として、第１図
は動作補償温度範囲Ｏ〜５０ ’Ｃ１定格圧力０〜３０
０ ｓ Ｈ（１（ゲージ圧）の半導体圧力Ｉ・ランスデ
ューサの零点の温度ドリフトを示す。恒温槽で各温度に
設定し約１時間経過後のドリフト値は第１図中○印で示
す値となり、仕様値と一致するが、０℃から一定のステ
ップ温度毎に外界Ｃ温度を観測し、熱平衡に達する以前
に次のステップへ上昇させた結果をＸ印で示し破線で結
んで動的変動を測定すると、上記仕様値からは大幅に変
動してしまう。
る温度変動（温度ドリフト）に関する仕様値は、半導体
圧力Ｉ〜ランスデューサと外界とが熱平衡にある状態で
の静的なものであり、外界温度が変化している時（ｖＪ
的変動時）には上記仕様値とは全く別の変動を示す。こ
の動的な特性は主要部をなす感圧抵抗ブリッジの特性に
よるのではなく、この主要部を載置するシリコン基板自
体と、それを支える支持機構の熱膨張係数及び熱容量の
差による相互の変形による。更に製造に際しての個々の
半導体圧力ドランスデューサのバラツキを考慮すると動
的な特性を予測することは困難であり、よってその特性
を補正するは不可能な場合が多い。−例として、第１図
は動作補償温度範囲Ｏ〜５０ ’Ｃ１定格圧力０〜３０
０ ｓ Ｈ（１（ゲージ圧）の半導体圧力Ｉ・ランスデ
ューサの零点の温度ドリフトを示す。恒温槽で各温度に
設定し約１時間経過後のドリフト値は第１図中○印で示
す値となり、仕様値と一致するが、０℃から一定のステ
ップ温度毎に外界Ｃ温度を観測し、熱平衡に達する以前
に次のステップへ上昇させた結果をＸ印で示し破線で結
んで動的変動を測定すると、上記仕様値からは大幅に変
動してしまう。
［発明の目的］
本発明は上記事情に基づいてなされたもので、その目的
とするところは、静的及び動的な温度変動に対しても正
確な温度補償を図った出力を１りることか可能な圧力測
定装置を提供することにある。
とするところは、静的及び動的な温度変動に対しても正
確な温度補償を図った出力を１りることか可能な圧力測
定装置を提供することにある。
［発明の慨要］
本発明は上記目的を達成する構成として以下３つの構成
を開示している。即ち、第１の構成は感圧抵抗ブリッジ
から構成され圧力を感応して電気信号として取出す半導
体圧力ドランスデューサを用いた圧力測定装置において
、上記半導体圧力ドランスデューサの内部温度を検出す
る第１の感温手段を上記半導体圧力トランスデユーサの
内部に設け、上記半導体圧力ドランスデューサの外部近
傍に配置された第２の感温手段と、上記第１及び第２の
感温手段の出力値を比較する比較手段と、この比較手段
の出力に基づいて上記半導体圧力トランスデユーサの）
温度を制御する温度制御手段とを具備してなることを特
徴としている。
を開示している。即ち、第１の構成は感圧抵抗ブリッジ
から構成され圧力を感応して電気信号として取出す半導
体圧力ドランスデューサを用いた圧力測定装置において
、上記半導体圧力ドランスデューサの内部温度を検出す
る第１の感温手段を上記半導体圧力トランスデユーサの
内部に設け、上記半導体圧力ドランスデューサの外部近
傍に配置された第２の感温手段と、上記第１及び第２の
感温手段の出力値を比較する比較手段と、この比較手段
の出力に基づいて上記半導体圧力トランスデユーサの）
温度を制御する温度制御手段とを具備してなることを特
徴としている。
第２の構成としては、上記第１の構成に、第１及び第２
の感温手段の出力値の差が一定値以上のとき上記感圧抵
抗ブリッジからの圧力信号を抑制する信号抑制手段と、
この信号抑制手段により上記圧力信号が抑制されている
ことを表示する表示手段とを付加したことを特徴として
いる。
の感温手段の出力値の差が一定値以上のとき上記感圧抵
抗ブリッジからの圧力信号を抑制する信号抑制手段と、
この信号抑制手段により上記圧力信号が抑制されている
ことを表示する表示手段とを付加したことを特徴として
いる。
第３の構成としては、上記第１の構成の温度制御手段に
代えて、上記比較手段の出力に基づいて上記感圧抵抗ブ
リッジからの圧力信号を抑制する信号抑制手段と、この
信号抑制手段により上記圧力信号が抑制されていること
を表示する表示手段と備えたことを特徴としいる。
代えて、上記比較手段の出力に基づいて上記感圧抵抗ブ
リッジからの圧力信号を抑制する信号抑制手段と、この
信号抑制手段により上記圧力信号が抑制されていること
を表示する表示手段と備えたことを特徴としいる。
［発明の実施例］
以下、本発明の圧力測定装置を第２図に示す一実施例に
従い説明する。第２図において、１は内部に４つの拡散
抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４からなる感圧抵抗ブリッ
ジを主要部とし、第１の感温手段として温度測定用のト
ランジスタＴＲ１及びそのバイアス抵抗Ｒ５，Ｒ６を設
けてなる半導体圧力ドランスデューサである。２は半導
体圧力トラスデューザ１に定電圧電源を供給する定電圧
回路である。３は半導体圧力ドランスデューサの第１の
感温手段の出力を増幅する増幅器である。
従い説明する。第２図において、１は内部に４つの拡散
抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４からなる感圧抵抗ブリッ
ジを主要部とし、第１の感温手段として温度測定用のト
ランジスタＴＲ１及びそのバイアス抵抗Ｒ５，Ｒ６を設
けてなる半導体圧力ドランスデューサである。２は半導
体圧力トラスデューザ１に定電圧電源を供給する定電圧
回路である。３は半導体圧力ドランスデューサの第１の
感温手段の出力を増幅する増幅器である。
４は増幅器３のバイアス回路である。
５は上記抵抗ブリッジＲ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４で測定
される圧力信号を増幅する増幅器である。ＲＴは半導体
圧力ドランスデューサ１の外部近傍に配置されこの半導
体圧力ドランスデューサ１の周囲温度を測定するサーミ
スタである。Ｒ７及びＲ８はサーミスタＲＴ用のバイア
ス抵抗である。
される圧力信号を増幅する増幅器である。ＲＴは半導体
圧力ドランスデューサ１の外部近傍に配置されこの半導
体圧力ドランスデューサ１の周囲温度を測定するサーミ
スタである。Ｒ７及びＲ８はサーミスタＲＴ用のバイア
ス抵抗である。
６はサーミスタＲＴの出力を増幅する増幅器である。７
は増幅器６のバイアス回路である。８は増幅器３及び６
の出力信号を入力しその差が零になるように後述するＰ
ＦＭ回路９を介してヒータ１０を制御する比較器である
。
は増幅器６のバイアス回路である。８は増幅器３及び６
の出力信号を入力しその差が零になるように後述するＰ
ＦＭ回路９を介してヒータ１０を制御する比較器である
。
９は比較器８の次段に位置し増幅器３及び６の出力信号
差分に相当する電圧信号８２００を入力するパルス周波
数変調器（以下ＰＦＭ回路と略記する）である。１０は
半導体圧力ドランスデューサ１の近傍に配置されたヒー
タである。
差分に相当する電圧信号８２００を入力するパルス周波
数変調器（以下ＰＦＭ回路と略記する）である。１０は
半導体圧力ドランスデューサ１の近傍に配置されたヒー
タである。
次に上述のように構成された本実施例の動作を説明する
。定電圧回路２により半導体圧力ドランスデューサ１が
作動し、トランジスタＴＲ１はバイアス抵抗Ｒ５及びＲ
６とともに、抵抗ブリッジＲ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４に
対して定電流源として機能すると同時に、トランジスタ
ＴＲ１のベース・エミッタ間電圧ＶＢｆｉが温度に対し
線形な変化を示すので、この特性の基点（バイアス点）
を予じめバイアス回路４で決定しておき、これにより、
増幅器３の出力には、半導体圧力ドランスデューサ１の
内部温度と等価な電気信号が発生する。
。定電圧回路２により半導体圧力ドランスデューサ１が
作動し、トランジスタＴＲ１はバイアス抵抗Ｒ５及びＲ
６とともに、抵抗ブリッジＲ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４に
対して定電流源として機能すると同時に、トランジスタ
ＴＲ１のベース・エミッタ間電圧ＶＢｆｉが温度に対し
線形な変化を示すので、この特性の基点（バイアス点）
を予じめバイアス回路４で決定しておき、これにより、
増幅器３の出力には、半導体圧力ドランスデューサ１の
内部温度と等価な電気信号が発生する。
一方、半導体圧力ドランスデューサ１の外部近傍に配置
されたサーミスタＲＴはバイアス抵抗Ｒ７及びＲ８とと
もにトランスデユーサ１の周囲温度に感応し、バイアス
回路７及び増幅器６により、増幅器６の出力には半導体
圧力トランスデユーサ１の周囲温度と等価な電気信号が
発生する。
されたサーミスタＲＴはバイアス抵抗Ｒ７及びＲ８とと
もにトランスデユーサ１の周囲温度に感応し、バイアス
回路７及び増幅器６により、増幅器６の出力には半導体
圧力トランスデユーサ１の周囲温度と等価な電気信号が
発生する。
２つの増幅器３及び６の出力を比較器８は入力し、両者
が等しくなるように、即ち半導体圧力ｌ・ランスデュー
サ１の内部と外部とで熱平衡が保たれるようにＰＦＭ回
路９を介してヒータ１０を駆動する。
が等しくなるように、即ち半導体圧力ｌ・ランスデュー
サ１の内部と外部とで熱平衡が保たれるようにＰＦＭ回
路９を介してヒータ１０を駆動する。
以上ｊボべたように、本実施例によれば、半導体圧力１
〜ランスデユーサ１の内部及び外部の急な温度変化に対
しても、熱平衡を維持することが出来るので正確な圧力
値信号５１００を得ることが出来る。
〜ランスデユーサ１の内部及び外部の急な温度変化に対
しても、熱平衡を維持することが出来るので正確な圧力
値信号５１００を得ることが出来る。
次に本発明の第２の実施例を第２図と共通部分には同一
符号を付した第３図を参照して説明する。
符号を付した第３図を参照して説明する。
即ち、第３図に示すように、増幅器３及び６の出力の差
、即ち比較器８の出力信号＄２００を、−窓設定＋ｉｉ
Ｖ Ｔと比較器１１で比較し、ＶＴを越える場合には
、上記増幅器５の次段に位置するアナログスイッチ１３
を開くことで圧力信号ｓｉｏ。
、即ち比較器８の出力信号＄２００を、−窓設定＋ｉｉ
Ｖ Ｔと比較器１１で比較し、ＶＴを越える場合には
、上記増幅器５の次段に位置するアナログスイッチ１３
を開くことで圧力信号ｓｉｏ。
を抑制し、かつその旨を表示器１２上に示すことが出来
る。− この構成によれば上記実施例の作用に加えて、−タ１０
による加熱制御中の熱的不平衡時の誤った測定値を捨て
ることが出来る。
る。− この構成によれば上記実施例の作用に加えて、−タ１０
による加熱制御中の熱的不平衡時の誤った測定値を捨て
ることが出来る。
次に本発明の第３の実施例を第２図及び爾３図と共通部
分には同一符号を付した第４図を参照して説明する。即
ち、２つの増幅器３及び６の出力を比較器８は入力し１
、それらの差が一定設定値ＶＴ以内であれば、半導体圧
力１−ランスデューサ１は、周囲と熱平衡にあると見做
し、アナログ・スイッチ１３を閉じ、増幅器５の出力圧
力信号を外部に転送する。逆、に上記差が上記一定設定
値ＶＴを越える場合には、アナログ・スイッチ１３を開
き、増幅器５の出力を遮断する。また表示器１ｏは、比
較器８の出力を所定のフォーマツ１〜に変換して表示す
る。
分には同一符号を付した第４図を参照して説明する。即
ち、２つの増幅器３及び６の出力を比較器８は入力し１
、それらの差が一定設定値ＶＴ以内であれば、半導体圧
力１−ランスデューサ１は、周囲と熱平衡にあると見做
し、アナログ・スイッチ１３を閉じ、増幅器５の出力圧
力信号を外部に転送する。逆、に上記差が上記一定設定
値ＶＴを越える場合には、アナログ・スイッチ１３を開
き、増幅器５の出力を遮断する。また表示器１ｏは、比
較器８の出力を所定のフォーマツ１〜に変換して表示す
る。
以上述べたように、第３の実施例によれば、周囲と熱平
衡状態でない時の半導体圧力ドランスデューサが出力す
る真の値でない圧力信号の出力を抑制し、その旨を表示
することが可能となる。
衡状態でない時の半導体圧力ドランスデューサが出力す
る真の値でない圧力信号の出力を抑制し、その旨を表示
することが可能となる。
本発明は上記実施例に限定されたものではなく、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できる。
の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できる。
［発明の効果］
上記の如く偶成された本発明によれば以下の如くの効果
を秦することができる。即ち、半導体圧力ドランスデュ
ーサの内部と外部との熱平衡を維持することが出来るの
で、正確な圧力値の測定が可能となる。また、熱平衡に
あるか否かを操作者が把握でき、かつ圧力値も抑制され
るので装置全体の操作性、信頼性が向上する。更に、半
導体圧力ドランスデューサが周囲と熱平衡にある時のみ
圧力値を出力し熱平衡にない場合には、出力しないこと
により、正しい圧力値のみを出力することが可能となり
信頼性の向上が図られる。
を秦することができる。即ち、半導体圧力ドランスデュ
ーサの内部と外部との熱平衡を維持することが出来るの
で、正確な圧力値の測定が可能となる。また、熱平衡に
あるか否かを操作者が把握でき、かつ圧力値も抑制され
るので装置全体の操作性、信頼性が向上する。更に、半
導体圧力ドランスデューサが周囲と熱平衡にある時のみ
圧力値を出力し熱平衡にない場合には、出力しないこと
により、正しい圧力値のみを出力することが可能となり
信頼性の向上が図られる。
第１図は半導体圧力１〜ランスデユーサの零点の温度ド
リフトを温度を独立変数とする時の特性図、第２図は本
発明による圧力測定装置の一実施例を示すブロック図、
第３図及び第４図は夫々本発明の他の実施例を示すブロ
ック図である。 １・・・半導体圧力ドランスデューサ、２・・・定電圧
回路、３，５．６・・・増幅器、４，７・・・バイアス
回路、８，１１・・・比較器、９・・・ＰＦＭ回路、１
ｏ・・・ヒータ、１２・・・表示器、１３・・・アナロ
グスイッチ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
リフトを温度を独立変数とする時の特性図、第２図は本
発明による圧力測定装置の一実施例を示すブロック図、
第３図及び第４図は夫々本発明の他の実施例を示すブロ
ック図である。 １・・・半導体圧力ドランスデューサ、２・・・定電圧
回路、３，５．６・・・増幅器、４，７・・・バイアス
回路、８，１１・・・比較器、９・・・ＰＦＭ回路、１
ｏ・・・ヒータ、１２・・・表示器、１３・・・アナロ
グスイッチ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (3)
- （１）感圧抵抗ブリッジから構成され圧力を感応して電
気信号として取出す半導体圧力トランスデ゛コーサを用
いた圧力測定装置において、上記半導体圧力１−ランス
デューサの内部温度を検出する第１の感）合手段を上記
半導体圧力ｉ−ランスデューサの′内部に設け、上記半
導体圧力ドランスデューサの外部近傍に配置された第２
の＠温手段と、上記第１及び第２の感温手段の出力値を
比較する比較手段と、この比較手段の出力に基づいて上
記半導体圧力ドランスデューサの温度を制御する温度制
御手段とを具備してなることを特徴とする圧力測定装置
。 - （２） 感圧抵抗ブリッジから構成され圧力を感応して
電気信号として取出す半導体圧力トランスデユーサを用
いた圧力測定装置において、上記半導体圧力１−ランス
デューサの内部温度を検出する第１の感温手段を上記半
導体圧力ドランスデューサの内部に設け、上記半導体圧
力ドランスデューサの外部近傍に配置された第２の感温
手段と、上記第１及び第２の感温手段の出力値を比較す
る比較手段と、この比較手段の出力に基づいて上記半導
体圧力ドランスデューサの温度を制御する温度制御手段
と、上記第１及び第２の感温手段の出力値の差が一定値
以上のとき上記感圧抵抗ブリッジからの圧力信号を抑制
する信号抑制手段と、この信号抑制手段により上記圧力
信号が抑制されていることを表示する表示手段とを具備
してなることを特徴とする圧力測定装置。 - （３） 感圧抵抗ブリッジから構成され圧力を感応して
電気信号として取出す半導体圧力１〜ランスデユーサを
用いた圧力測定装置において、上記半導体圧力ドランス
デューサの内部湿度を検出する第１の感温手段を上記半
導体圧力ドランスデューサの内部に設け、上記半導体圧
力ドランスデューサの外部近傍に配置された第２の感温
手段と、上記第１及び第２の感温手段の出力値を比較す
る比較手段と、この比較手段の出力に基づいて上記感圧
抵抗ブリッジからの圧力信号を抑制する信号抑制手段と
、この信号抑制手段により上記圧力信号が抑制されてい
ることを表示する表示手段とを具備してなることを特徴
とする圧力測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11951784A JPS60263826A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 圧力測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11951784A JPS60263826A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 圧力測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60263826A true JPS60263826A (ja) | 1985-12-27 |
Family
ID=14763227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11951784A Pending JPS60263826A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 圧力測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60263826A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009243888A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Yamatake Corp | 圧力センサ |
-
1984
- 1984-06-11 JP JP11951784A patent/JPS60263826A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009243888A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Yamatake Corp | 圧力センサ |
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