JPS60263504A - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents

弾性表面波素子の製造方法

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Publication number
JPS60263504A
JPS60263504A JP11900484A JP11900484A JPS60263504A JP S60263504 A JPS60263504 A JP S60263504A JP 11900484 A JP11900484 A JP 11900484A JP 11900484 A JP11900484 A JP 11900484A JP S60263504 A JPS60263504 A JP S60263504A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
resist
idts
idt
metallic film
Prior art date
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Pending
Application number
JP11900484A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyobumi Yamashita
山下 清文
Shosuke Wajima
和島 昌助
Toru Takezaki
徹 竹崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Development and Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Engineering Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Electronic Device Engineering Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP11900484A priority Critical patent/JPS60263504A/ja
Publication of JPS60263504A publication Critical patent/JPS60263504A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分!#) 本発明は弾性表面波素子の製造方法に関するものでらる
〔発明の技術的背景とその問題点〕
一般に、庄゛1.1ノ+基板たとえは二オフ酸リチウム
(L4NbOs)、タンタル酸すチウA (LiTaO
,)等の結晶表面の弾性表面波伝播路の両側に、櫛形状
電極の交差幅が異なるメインロープとサイドローブから
なる重み付はインターディジタル電極(以下重み付けI
DTと称す)と交差幅が一定の正規型のインターディジ
タル電極(以下IDTと称す)を設けた素子はフィルタ
や遅延線とし、て用いられている。
また、各電極の近くの基板端部に非金属材料により成る
吸音部を設けて、弾性表面波の基板端部における反射波
を吸収することが行なわれている。
この様な弾性表面波素子の製造工程の概略は、圧電基板
からなるウェーハを洗浄し、アルミニューム等の金鵜を
ウェーハに蒸着し、この上にレジストを形成し、このレ
ジストを露光して、櫛形電極を3JA像し、エツチング
をして不要なアルミニューム等の金属膜を除去し、吸音
剤を塗布して吸音部を形成し最後にウェーハを切断する
工程から成る。
しかし、なから、ウェーハに金属膜を被着する前後にウ
ェーハを洗浄する工程がある。この工程において、ウェ
ーハは外周部に比べ中央部での洗浄が容易となり、中央
部のクリーン度が良い。換言するならば、塵芥等が外周
部に残存する確率が高く、金;、4膜をウェーハに被着
した際の欠陥部(例えば金属膜の破れ等)が外周部に多
くなる。したがって、複数個の弾性表面波素子を1枚の
ウェーハから取る製造方法においては、金属膜の欠陥部
分をさけてIDTを形成することは困難である。
この為、弾性表面波素子の特性劣化及び歩留低下が生じ
る危険がある。
〔発明の目的〕
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであり、T
DTの断線を防止する弾性表面波素子の製造方法を提供
することを目的とする。
〔発明の概要〕
上述の目的を達成する為に、本発明の弾性表面波素子の
製造方法は、レジストを露光する際に用いるガラスマス
クの中心線1cfeって、IDTを設ける。すなわち、
本発明は圧電基板上に蒸着された金属膜の欠陥の少ない
中心部にIDTを形成することによ91周波数特性に最
も影響の大きいIDTの断線を防止することができる。
〔発明の実施例〕
以下、第1図fa)乃至第1図げ)を参照して本発明の
製造方法の実施例を説明する。
第1図(alは圧電基板からなる一主面が洗浄されたウ
ェーッ・(1)の−主面上に蒸着等により電極用金属膜
たとえばアルミニウム層(2)を被着し、第1図(b)
はその上にレジスト(3)を全面に塗布し、たものであ
る。第1図(C)に示すように、ウェーッ1(1)の実
質的な中央部にちるレジスト(3)上に正規型のIDT
(4)のパターンと、ウェーッ・(1)の実質的な外周
部に重み付けI D T (61のパターンと、シール
ド電極(5)のパターン色、ボンデインダパット(40
1) 、 (601)のパター/とをガラスマスク(図
示せず)を用いて一挙に露光する。次にレジスト露光部
(301)を現像溶解すると、ウェーッ・(1)上にレ
ジストによるI D T (41とシールド電極(5)
と重み付けI D T f61とのバター/が形成され
る。その次にレジストをマスクにしてアルミニウム層(
2)をエツチングして洗浄し乾燥し、IDT(51とシ
ールド電極(5)と重み付けi D T (6)とを形
成すると第1図fd) [示すような構成が出来あがる
。さらに、IDTf4)と重み旬けI D T (6)
との近傍に吸音剤を塗布して吸音部(7)を形成し乾燥
すると第1図telに示すような構成が出来る。その後
、ダイシングライン(8)及びダイシングライン(9)
でウェーハを分離すなわち切断し洗浄、乾燥させる。こ
のようにして構[、!された弾性表面波素子は、第1図
(flに示しておる。
次に第2図及び第3図を参照して本発明の弾性表面波素
子の製造方法の効果を説明する。
第2図において、本発明のII)Tは断線しないので正
常な周波数特性を示す特性曲線fil)e描く。
この関係は、 △f = f、/N 但し、△f:帯域幅、fo:中心周波数、N:IDTの
電極指の対数 となる。一方、重み付けID’l”は所望の周波数特性
から正規型の周波数特性を差引いた周波数特性を有する
。したがって重み付けIDTの断線は、メインローブ(
電極指の交差部分)以外でちれば第3図図示の弾性表面
波素子の周波数特性の特性曲線(22は、正常な弾性表
面波素子の周波数特性の特性曲線e11Vc比べて若干
の劣化ですむ。また一方、IDTの電極指が1本断線す
るとIDTの周波数特性は第2図図示の周波数特性の特
性曲線α2を描く。さらに、この…■線したIDTを用
いた弾性表面波素子は周波数特性の特性曲線(ハ)を描
く。し、たがって、I D Tの霜;極脂が断線するよ
りも、重み例けIDTの電極指がllI線した方が、弾
性表面波素子の周波数特性の劣化が少ない。故に、本発
明の弾性表面(&素子の製造方法は、断線の危険性が少
ない圧電基板の中央部に弾性表面波素子の周波数特性に
一番影輯するIDTを形成するため、IDTのm+線が
防止される。この為、弾性表面波素子の周波数特性に劣
化が生じることがなくなる。
さらに、重み付けIDTをウェーッーの外周部に形成し
たので、メインローブ以外の電極指が断線している場合
、断廠部分を修復することが簡単に出来るようになる。
また、実施例では、2611X 13m1+の弾性表面
波素子を製造することを示し、た。このように放送機器
等に用いる弾性表面波素子の如く、大型の場合特に本発
明は有効でちる。例えば、ウェーハVこ2列で2個又は
3個(1例あたりの数)の弾性表面波素子を構成する場
合、特に本発明は有効となる。
なお、本実施例以外Vc111:子ビームによる直接露
光でも同等の効果が得られる。さらに、本実施例では、
市み付けIDTO数が1個の場合で説明したが、重み付
けIDTは複数個あっても良いのは言うまでもない。
〔発明の効果〕
本発明は上述のWt成をとることにより、同一圧電基板
から複数個の弾性表面波素子を形成した場合、周波数特
性劣化が防止され、歩留も向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図(at乃至第1図ff)は本発明の製造方法の実
施例を説明するだめの模式平面図、第2図乃至第3図は
本発明の弾性表面波素子の実施例の効果を説明するため
の周波数特性簡略図でちる。 (1)・・・圧電基板からなるウェーハ(2)・・金属
膜 (3)・・レジスト (4)・・インターディジタル電極 (6)・・重み付はイ/ターディジタル電極代理人 弁
理士 則 近 憲 佑(ほか1名)第 1図 (cL) L&> 第1図 (C) (d) 第1図 (e) (f) 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 圧電基板に金属膜を被着する工程と、この金属膜上にレ
    ジストを被着する工程と、前記圧電基板の実質的に中央
    部にイノターディジタル電極全力1つ前記圧電基板の実
    質的に外周部に重み付けきれたインターディジタル電極
    を形成するように前記レジストケ露光する工程と、前記
    レジスト及び不要な前記金)@膜を除去し1弾性表面波
    素子を形成する工程と、前nピ圧電基板からこの弾性表
    面波素子を分離する工程とを具備することを特徴とする
    弾性表面波素子の製造方法。
JP11900484A 1984-06-12 1984-06-12 弾性表面波素子の製造方法 Pending JPS60263504A (ja)

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JPS60263504A true JPS60263504A (ja) 1985-12-27

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