JPS60260354A - Thermal head - Google Patents
Thermal headInfo
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- JPS60260354A JPS60260354A JP59117794A JP11779484A JPS60260354A JP S60260354 A JPS60260354 A JP S60260354A JP 59117794 A JP59117794 A JP 59117794A JP 11779484 A JP11779484 A JP 11779484A JP S60260354 A JPS60260354 A JP S60260354A
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- JP
- Japan
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- layer
- thermal head
- conductor layer
- alloy
- main conductor
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、感熱印刷用のサーマルヘッドに関するもので
あり、特に端子部半田付性が良好で、低コストな導体構
成を用いたサーマルヘッドに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION TECHNICAL FIELD The present invention relates to a thermal head for thermal printing, and particularly to a thermal head that has good terminal solderability and uses a low-cost conductor structure.
「従来技術およびその問題点」
従来、この種のサーマルヘッドは、例えば第３図に示す
ように構成されている。熱伝導性が良好で電気絶縁性を
有する例えばアルミナ等の絶縁性基板１１の表面が薄い
グレーズ層１２で覆われ、このグレーズ層１２上にＴａ
２Ｎ等からなる発熱抵抗体層１３が形成されている。そ
して、発熱抵抗体層１３上に所定パターンをなす給電用
導体層Ａが形成されており、給電用導体層Ａは接着層１
４と主要導体層１５とからなっている。さらに、これら
の層を覆い発熱抵抗体層１３を熱酸化から防止する酸化
防止層１６と、感熱紙との摩耗からサーマルヘッドを保
護する耐摩耗層１７とが形成されている。"Prior Art and its Problems" Conventionally, this type of thermal head is configured as shown in FIG. 3, for example. The surface of an insulating substrate 11 made of, for example, alumina, which has good thermal conductivity and electrical insulation properties is covered with a thin glaze layer 12, and Ta is coated on this glaze layer 12.
A heating resistor layer 13 made of 2N or the like is formed. A power feeding conductor layer A having a predetermined pattern is formed on the heating resistor layer 13, and the power feeding conductor layer A is formed on the adhesive layer 1.
4 and a main conductor layer 15. Furthermore, an oxidation prevention layer 16 that covers these layers and protects the heating resistor layer 13 from thermal oxidation, and an abrasion resistant layer 17 that protects the thermal head from abrasion with thermal paper are formed.
そして、従来のサーマルヘッドにおいては、打着層１４
としてＮｉ−Ｃｒ合金、主要導体層１５としてＡｕ、酸
化防止層１６として５ｉｎ２、耐摩耗層１７としてＴａ
２０５が一般的に使用されていた。このように酸型用導
体層ＡとしてＮｉ−Ｃｒ／Ａｕ導体が使用されるＣは、
Ｎｉ−Ｃｒ／Ａｕ導体が高温での抵抗値変化が小さく、
Ａｕ自身が酸化に強く、また半田付性も良好であるとい
う理由からである。In the conventional thermal head, the landing layer 14
Ni-Cr alloy as main conductor layer 15, Au as main conductor layer 15, 5in2 as anti-oxidation layer 16, and Ta as wear-resistant layer 17.
205 was commonly used. In this way, C in which a Ni-Cr/Au conductor is used as the acid type conductor layer A is
Ni-Cr/Au conductor has small resistance change at high temperature,
This is because Au itself is resistant to oxidation and has good solderability.
しかしながら、Ａｕは高価であるためサーマルヘッドが
コストアップすることとなり、また、スパッタリングの
ようなターゲットとして大量に材料を使用する装置を用
いた製造方法には適しておらず、さらに、酸化防止層１
６との電着性もよくないので性能的にも不安定な面があ
った。However, since Au is expensive, the cost of the thermal head increases, and it is not suitable for manufacturing methods that use equipment such as sputtering that uses a large amount of material as a target.
Since the electrodepositability with 6 was not good, the performance was also unstable.
一方、このような欠点を改善し、低コスト化を図るため
、主要導体層１５としてＡ１を使用することが検討され
ている。この場合、Ａ１自身は半田付けが非常に難しい
材料であるので端子部半田付性のためにＡｌ上にＮｉ層
を設けるのが一般的である。すなわち、第４図に示すよ
うに、給電用導体層Ａとして発熱抵抗体層１３上にＡＩ
からなる主要導体層１８を形成し、さらにこの主要導体
層１８上にＮｉ層１９が形成されている。なお、２１は
半田層である。On the other hand, in order to improve these drawbacks and reduce costs, the use of A1 as the main conductor layer 15 is being considered. In this case, since A1 itself is a material that is very difficult to solder, it is common to provide a Ni layer on Al to improve the solderability of the terminal portion. That is, as shown in FIG.
A main conductor layer 18 is formed, and a Ni layer 19 is further formed on this main conductor layer 18. Note that 21 is a solder layer.
しかしながら、このサーマルヘッドではＮｉ層１８とＳ
ｉｎ、からなる酸化防止層１６との接着性が悪いので実
用的ではなかった。However, in this thermal head, the Ni layer 18 and the S
It was not practical because it had poor adhesion with the antioxidant layer 16 made of in.
そこで、Ｎｉ／５ｉ０２間の接着性を改善するため、本
発明者らは先に、１面を強制酸化して給電用導体層Ａと
してＮｉ／Ｎｉ−０／ＳｉＯ□の層構成をとったサーマ
ルヘッドを提案している。 ゛
しかしながら、このサーマルヘッドでは１面を均一に酸
化することが難しく、さらに端子部は酸化膜を除去する
ことが必要となるため、製造工程の複雑化および性能的
な不安定さがあった。Therefore, in order to improve the adhesion between Ni/5i02, the present inventors first forcibly oxidized one side of the thermal conductor layer A to have a layer structure of Ni/Ni-0/SiO□. I am proposing a head. However, with this thermal head, it is difficult to uniformly oxidize one surface, and furthermore, it is necessary to remove the oxide film from the terminal portions, which complicates the manufacturing process and results in unstable performance.
このため、給電用導体層ＡとしてＡＩ／Ｎｉ系のものを
使用する一般的な構成としては、第５図に示すように、
給電用導体層ＡとしてＡＩからなる主要導体層１８のみ
を用い、端子部のみにＮｉ層１８を形成したものが採用
されている。このサーマルヘッドではＡＩ／５ｉ０２間
の接着性にも問題がなく、端子部半田付性にも問題がな
い。For this reason, a general configuration in which an AI/Ni-based material is used as the power supply conductor layer A is as shown in FIG.
As the power supply conductor layer A, only the main conductor layer 18 made of AI is used, and the Ni layer 18 is formed only at the terminal portion. In this thermal head, there is no problem with the adhesion between AI/5i02, and there is no problem with the solderability of the terminal portion.
しかしながら、このサーマルヘッドでは、端子部のみに
Ｎ１層１８を形成するので、製造工程上からみると以下
のような問題点があった。すなわち、第６図には第５図
に示したサーマルヘッドの製造工程が示されているが、
この工程は次のようになっている。なお、図中、（ａ）
〜（ｎ）は各工程を表わしている。工程（ａ）は絶縁性
基板１１上にグレーズ層１２、Ｔａ２Ｎからなる発熱抵
抗体層１３を形成し、さらにこの上にＡ１からなる主要
導体層１８およびＮｉ層１９を順次成膜した状態を示し
ている。成膜は蒸着あるいはスパッタリングで行なう。However, in this thermal head, since the N1 layer 18 is formed only in the terminal portion, there are the following problems from the viewpoint of the manufacturing process. That is, although FIG. 6 shows the manufacturing process of the thermal head shown in FIG.
This process is as follows. In addition, in the figure, (a)
~(n) represents each step. Step (a) shows a state in which a glaze layer 12 and a heating resistor layer 13 made of Ta2N are formed on an insulating substrate 11, and then a main conductor layer 18 made of A1 and a Ni layer 19 are sequentially formed thereon. ing. Film formation is performed by vapor deposition or sputtering.
工程Ｔｏ）では、Ｎｉ層１９の表面にネガレジスト２２
を全面コーティングする。工程（Ｃ）では、導体パター
ンの露光、現像を行なう。工程（ｄ）では、Ｎｉ層１８
、主要導体層１８の順にエッチソゲをする。工程（ｅ）
では、レジスト２２を剥離する。工程（ｆ）では、２回
目のレジスト２３をコートする。工程（ｇ）では、発熱
抵抗体層１３のパターンの露光、現像を行なう。工程（
ｈ）では、発熱抵抗体層１３のエツチングを行なう。工
程（ｉ）では、レジスト２３を剥離する。工程（ｊ）で
は、３回目のレジスト２４をコートする。工程（ｋ）で
は、端子部パターンの露光、現像を行なう。工程（１）
では、端子部以外のＮｉ層１９のエツチング除去を行な
う。工程（１）では、レジスト２４を剥離する。工程（
ｎ）では、端子部のみマスキングして酸化防止層１８お
よび耐摩耗層１７を連続形成する。こうしてサーマルヘ
ッドが形成される。In step To), a negative resist 22 is applied to the surface of the Ni layer 19.
Coat the entire surface. In step (C), the conductor pattern is exposed and developed. In step (d), the Ni layer 18
, the main conductor layer 18 in this order. Process (e)
Now, the resist 22 is peeled off. In step (f), a second resist 23 is coated. In step (g), the pattern of the heating resistor layer 13 is exposed and developed. Process (
In h), the heating resistor layer 13 is etched. In step (i), the resist 23 is peeled off. In step (j), the resist 24 is coated for the third time. In step (k), the terminal pattern is exposed and developed. Process (1)
Now, the Ni layer 19 other than the terminal portion is removed by etching. In step (1), the resist 24 is peeled off. Process (
In n), only the terminal portions are masked and the anti-oxidation layer 18 and the wear-resistant layer 17 are continuously formed. A thermal head is thus formed.
以上のように、第５図に示したようなサーマルヘッドを
製造するためには、導体パターン形成、抵抗体パターン
形成の他に、端子部パターンの形＋＆ｃｒ＋ために、レ
ジストコート→露光→現像→エツチング→レジスト剥離
という一連の工程を合計３回繰返す必要がある。この一
連の工程は、一度に大量に製造することが困難であり、
人手を要するので製造時間がかかり、コストが高くなる
要因の一つとなっている。As described above, in order to manufacture a thermal head as shown in FIG. 5, in addition to forming a conductor pattern and a resistor pattern, in addition to forming a terminal pattern, resist coating → exposure → development → It is necessary to repeat the series of steps of etching and resist stripping three times in total. This series of steps is difficult to produce in large quantities at once.
Since it requires manpower, it takes time to manufacture, which is one of the factors that increases costs.
「発明の目的」
本発明の目的は、安価なＡＩ／Ｎｉ系の導体構成で、製
造工程−が簡略され、低コストにて製造できるサーマル
ヘッドを提供することにある。[Object of the Invention] An object of the present invention is to provide a thermal head that has an inexpensive AI/Ni conductor structure, simplifies the manufacturing process, and can be manufactured at low cost.
「発明の構成」
本発明のサーマルヘ−／ トは、絶縁性の基板の上に、
発熱抵抗体層と、給電用導体層と、酸化防止用保護層と
、耐摩耗用保護層とが順次積層されてなり、前記給電用
導体層が、前記発熱抵抗体層上に形成された良導電体金
属膜からなる主要導体層と、この主要導体層上に形成さ
れた半田付は可能な金属膜よりなる上部導体層と、この
上部導体層上に主要導体層と同一金属で形成された接着
層とからなる三層構造をなしている。"Structure of the Invention" The thermal heat of the present invention is provided on an insulating substrate.
A heat generating resistor layer, a power supply conductor layer, an oxidation prevention protective layer, and an abrasion resistant protective layer are sequentially laminated, and the power supply conductor layer is formed on the heat generating resistor layer. A main conductor layer made of a conductive metal film, an upper conductor layer made of a metal film formed on this main conductor layer to which soldering is possible, and an upper conductor layer made of the same metal as the main conductor layer formed on this upper conductor layer. It has a three-layer structure consisting of an adhesive layer.
このように給電用導体層を三層構造とし、その最上部を
接着層としたので、酸化防止用保護層との接着性が良好
となり、端子部の接着層を除去することにより容易に半
田付は可能にすることができ、さらに全体としてレジス
トコート→露光→現像→エツチング→レジスト剥離とい
う一連の工程を１回分減らすことができ、製造工程も簡
略化される。したがって、優れた性能を有するサーマル
ヘッドを安価に提供することができる。In this way, the power supply conductor layer has a three-layer structure, and the top layer is an adhesive layer, so it has good adhesion with the oxidation-preventing protective layer, and it is easy to solder by removing the adhesive layer at the terminal part. Furthermore, the series of steps of resist coating→exposure→development→etching→resist peeling can be reduced by one, and the manufacturing process is also simplified. Therefore, a thermal head with excellent performance can be provided at low cost.
本発明において、主要導体層および接着層としては、Ａ
ＩもしくはＡ１合金から選ばれたものが好ましく、上部
導体層としては、Ｎｉ、 Ｃｕ、 Ｓｎ、 Ｐｂ、Ｆｅ
、Ｃｄ、 Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ合金、（ｌｉ、ｕ−Ｓｎ合
金、Ｃｕ−Ｎ ｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金よりなる群から
選ばれたものが好ましい。In the present invention, as the main conductor layer and adhesive layer, A
I or A1 alloy is preferable, and the upper conductor layer is made of Ni, Cu, Sn, Pb, Fe.
, Cd, Zn, Cu-Zn alloy, (li, u-Sn alloy, Cu-Ni alloy, and Fe-Ni alloy).
「発明の実施例」
第１図に示すように、本発明を実施したサーマルヘッド
は、絶縁性基板ｌｌ上にグレーズ層１２が形成され、こ
のグレーズ層１２上にＴａ２Ｎからなる発熱抵抗体層１
３が形成されている。そして、発熱抵抗体層１３上には
ＡＩからなる主要導体層１８、Ｎｉ層１８および同じ＜
ＡＩからなる接着層２０が順次積層された給電用導体層
Ａが形成されている。さらに、これらの層上にＳ ｉ
０７からなる酸化防止層１８およびＴａ２０５からなる
耐摩耗層１７が形成されている。なお、端子部には接着
層２０が除去されており、Ｎｉ層 ）１８上に半田層２
１が形成されている。Embodiments of the Invention As shown in FIG. 1, a thermal head embodying the present invention includes a glaze layer 12 formed on an insulating substrate 11, and a heating resistor layer 1 made of Ta2N on this glaze layer 12.
3 is formed. Then, on the heating resistor layer 13, there is a main conductor layer 18 made of AI, a Ni layer 18, and the same <
A power feeding conductor layer A is formed in which adhesive layers 20 made of AI are sequentially laminated. Furthermore, Si
An anti-oxidation layer 18 made of Ta207 and a wear-resistant layer 17 made of Ta205 are formed. Note that the adhesive layer 20 is removed from the terminal portion, and a solder layer 2 is placed on the Ni layer ) 18.
1 is formed.
したがって、このサーマルヘッドでは、給電用導体層Ａ
の最上層がＡＩからなる接着層２０であるため、酸化防
止層１Ｂとの接着性が良好である。接着層２０の膜厚は
１，０００人程庶子も、第４図に示した給電用導体層Ａ
の最上層がＮｉからなるサーマルヘッドに比べると、格
段に優れた接着性改善効果が得られる。このように、酸
化防止層１６との接着性が良好となるので、パルス寿命
、信頼性に優れたサーマルヘッドを提供することができ
る。−次に、このサーマルヘッドの製造方法を説明する
。第２図にはこのサーマルヘッドの製造工程が示されて
いるが、この工程は次のようになっている。なお、図中
、（ａ）〜（ｎ）は各工程を表わしている。工程（ａ）
は絶縁性基板１１上にグレーズ層１２、Ｔａ２Ｎからな
る発熱抵抗体層１３を形成し、さらにこの上にＡＩから
なる主要導体層１８、Ｎｉ層１８およびＡ１からなる接
着層２０をスバ・ンタリングで連続成膜した状態を示し
ている。工程（ｂ）では、旧居１８の表面にネガレジス
ト２５を全面コーティングする。工程（Ｃ）では、導体
パターンの露光、現像を行なう。工程（ｄ）では、接着
層２０、Ｎｉ層１８、主要導体層１８の順で給電用導体
層Ａのエツチングをする。この場合、ＡＩのエツチング
液はリン酸系（１−！３ＰＯ４＋ ＨＮＯ３＋ ＣＨ３
ＣＯ０Ｈ） 、 Ｎｉのエツチング液は硝酸系（ＨＮＯ
３＋ ８２０）のものを使用、することにより、Ａ１．
Ｎｉのエツチングを選択性良く行なうことができる。Therefore, in this thermal head, the power supply conductor layer A
Since the uppermost layer is the adhesive layer 20 made of AI, it has good adhesion to the antioxidant layer 1B. The thickness of the adhesive layer 20 is approximately 1,000 illegitimate children.
Compared to a thermal head in which the uppermost layer is made of Ni, a much superior adhesion improvement effect can be obtained. In this way, since the adhesion with the anti-oxidation layer 16 is improved, it is possible to provide a thermal head with excellent pulse life and reliability. -Next, a method of manufacturing this thermal head will be explained. FIG. 2 shows the manufacturing process of this thermal head, which is as follows. In addition, in the figure, (a) to (n) represent each process. Process (a)
A glaze layer 12 and a heating resistor layer 13 made of Ta2N are formed on an insulating substrate 11, and then a main conductor layer 18 made of AI, a Ni layer 18, and an adhesive layer 20 made of A1 are formed by sub-interpolation. This shows a state in which the film was continuously formed. In step (b), the entire surface of the former residence 18 is coated with a negative resist 25. In step (C), the conductor pattern is exposed and developed. In step (d), the power supply conductor layer A is etched in the order of the adhesive layer 20, the Ni layer 18, and the main conductor layer 18. In this case, the AI etching solution is phosphoric acid-based (1-!3PO4+ HNO3+ CH3
CO0H), Ni etching solution is nitric acid based (HNO
3+820), A1.
Ni can be etched with good selectivity.
工程（ｅ）では、残ったレジスト２５をレジスト２６を
コートする。工程（ｇ）では、発熱抵抗体層１３のパタ
ーンの露光、現像を行なう。工程（ｈ）では、フッ硝酸
（ＨＮＯ３＋ＨＦ）により発熱抵抗体層１３のエツチン
グを行なう。工程（ｉ）では、残ったレジスト２Ｂを全
面剥離する。工程（Ｄでは、端子部のみマスキングして
５ｉ０２からなる酸化防止層１６およびＴａ２０５から
なる耐摩耗層１７をスバ、７タリングにより連続成膜す
る。工程（ｋ）では、基板全体をリン酸系のＡ１エツチ
ング液に２０〜３０秒浸すことにより容易に端子部分の
最表面ＡＩを除去することができる。この場合、酸化防
止層１６、耐摩耗層１７がレジストの役割を釆し、パタ
ーン面の給電用導体層Ａを保護する。工程（＋）では、
端子部のＡ１除去直後に露出したＮｉ面に半田層２１を
コートする。In step (e), the remaining resist 25 is coated with a resist 26. In step (g), the pattern of the heating resistor layer 13 is exposed and developed. In step (h), the heating resistor layer 13 is etched using fluoronitric acid (HNO3+HF). In step (i), the remaining resist 2B is completely peeled off. In step (D), only the terminal portions are masked, and the oxidation-preventing layer 16 made of 5i02 and the wear-resistant layer 17 made of Ta205 are successively deposited by thinning and polishing. In step (k), the entire substrate is coated with phosphoric acid. The outermost surface AI of the terminal portion can be easily removed by immersing it in A1 etching solution for 20 to 30 seconds.In this case, the anti-oxidation layer 16 and the wear-resistant layer 17 serve as a resist, and the power supply on the pattern surface. Protect the conductor layer A. In the step (+),
Immediately after removing A1 from the terminal portion, the exposed Ni surface is coated with a solder layer 21.
したがって二酸化防止層１６の５ｉ９２の下地が主要導
体層１８のＡ１をなし、端子部のみにＮｉ＠１９が形成
された従来のサーマルヘッド（第５図）の工程（第８図
）に比べて、本発明のサーマルヘッドの工程は、レジス
トコート→露光→現像→エツチング→レジスト剥離とい
う一連の工程を一回分減らすことができる。また、最終
工程で、端子部の接着層２０を除去することで、露出す
るＮｉ面は清浄となり、半田付性も向上する。Therefore, compared to the process (FIG. 8) of the conventional thermal head (FIG. 5) in which the 5i92 base of the dioxide prevention layer 16 forms the A1 of the main conductor layer 18, and Ni@19 is formed only on the terminal portion. In the process of the thermal head of the present invention, the series of steps of resist coating→exposure→development→etching→resist peeling can be reduced by one. Furthermore, by removing the adhesive layer 20 at the terminal portion in the final step, the exposed Ni surface becomes clean and solderability is improved.
なお、上記実施例においては、主要導体層１８および接
着層２０としてＡ１を使用したがＡｌ−９ｉ合金、Ａｌ
−Ｃｕ合金でもよく、また、Ｎｉ層１９としてはＣｕ、
Ｓｎ、Ｐｂ、 Ｆｅ、 Ｃｄ、 Ｚｎ、 Ｃｕ−Ｚｎ合
金、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金
などを使用することもできる。In the above embodiment, A1 was used as the main conductor layer 18 and the adhesive layer 20, but Al-9i alloy, Al
-Cu alloy may be used, and as the Ni layer 19, Cu,
Sn, Pb, Fe, Cd, Zn, Cu-Zn alloy, Cu-Sn alloy, Cu-Ni alloy, Fe-Ni alloy, etc. can also be used.
「発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば、導体構成を例え
ばＡＩ／Ｎｉ／ＡＩとすることにより、導体面と酸化防
止層との接着性が良好となり、長寿命、高信頼性のもの
が得られる。また、製造工程においては、レジストコー
ト→露光→現像→エツチング５＋レジスト剥離という一
連の工程を一回分減らすことができる。そして、このよ
うに安価な材料を用い、かつ、工程数を減らすことによ
ってコスト低減を図ることができる。"Effects of the Invention" As explained above, according to the present invention, by making the conductor configuration, for example, AI/Ni/AI, the adhesion between the conductor surface and the antioxidant layer is improved, resulting in a long life and high reliability. You can get sexual things. Furthermore, in the manufacturing process, the series of steps of resist coating, exposure, development, etching, and resist peeling can be reduced by one. By using such inexpensive materials and reducing the number of steps, costs can be reduced.
第１図は本発明によるサーマルヘッドの実施例を示す断
面図、第２図は同サーマルヘッドの製造工程を示す説明
図、第３図は従来のサーマルヘッドの一例を示す断面図
、第４図は従来のサーマルヘッドの他の例を示す断面図
、第５図は従来のサーマルヘッドのさらに他の例を示す
断面図、第６図は第５図に示したサーマルヘッドの製造
工程を示す説明図である。
図中、１１は絶縁性基板、１２はグレーズ層、１３はえ
、８ワゎオい、１６．よエイ、７□、１□９、□４、
・パ１８は主要導体層、１８はＮｉ層、２０は接着層、
Ａは給゛電用導体層である。
隼 １ 図
７
第 ２ 図
（ｂ）
２
（Ｃ）FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of the thermal head according to the present invention, FIG. 2 is an explanatory view showing the manufacturing process of the thermal head, FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a conventional thermal head, and FIG. is a sectional view showing another example of the conventional thermal head, FIG. 5 is a sectional view showing still another example of the conventional thermal head, and FIG. 6 is an explanation showing the manufacturing process of the thermal head shown in FIG. 5. It is a diagram. In the figure, 11 is an insulating substrate, 12 is a glaze layer, 13 is a layer, 8 is a wafer, and 16 is a glaze layer. Yo stei, 7□, 1□9, □4,
・Pa 18 is the main conductor layer, 18 is the Ni layer, 20 is the adhesive layer,
A is a conductor layer for power supply. Hayabusa 1 Figure 7 Figure 2 (b) 2 (C)
Claims (1)
体層と、酸化防止用保護層と、耐摩耗用保護層とが順次
積層されてなるサーマルヘッドにおいて、前記給電用導
体層が、前記発熱抵抗体層上に形成された良導電体金属
膜からなる主要導体層と、この主要導体層上に形成され
た半田付は可能な金属膜よりなる上部導体層と、この上
部導体層上に主要導体層と同一金属で形成された接着層
とからなる三層構造をなすことを特徴とするサーマルヘ
ッド。 （２、特許請求の範囲第１項において、前記主要導体層
はＡＩもしくはＡ１合金から選ばれたものであり、前記
上部導体層はＮｉ、Ｃｕ、 Ｓｎ、 Ｐｂ、 Ｆｅ、
Ｃｄ、Ｚｎ、 Ｃｕ−Ｚｎ合金、Ｃｕ、−Ｓｎ合金、Ｃ
ｕ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金よりなる群から選ばれた
ものであり、前記接着層はＡＩもしくはＡ１合金から選
ばれたものであるサーマルヘッド。(1) In a thermal head in which a heating resistor layer, a power supply conductor layer, an oxidation prevention protective layer, and an abrasion resistant protective layer are sequentially laminated on an insulating substrate, the power supply conductor The layers include a main conductor layer made of a metal film with good conductivity formed on the heating resistor layer, an upper conductor layer made of a solderable metal film formed on the main conductor layer, and an upper conductor layer formed on the main conductor layer made of a metal film that can be soldered. A thermal head characterized by forming a three-layer structure consisting of a main conductor layer and an adhesive layer formed of the same metal on a conductor layer. (2. In claim 1, the main conductor layer is selected from AI or A1 alloy, and the upper conductor layer is made of Ni, Cu, Sn, Pb, Fe,
Cd, Zn, Cu-Zn alloy, Cu, -Sn alloy, C
The thermal head is selected from the group consisting of u-Ni alloy and Fe-Ni alloy, and the adhesive layer is selected from AI or A1 alloy.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117794A JPS60260354A (en) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | Thermal head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117794A JPS60260354A (en) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | Thermal head |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60260354A true JPS60260354A (en) | 1985-12-23 |
Family
ID=14720452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59117794A Pending JPS60260354A (en) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | Thermal head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60260354A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62148275A (en) * | 1985-12-24 | 1987-07-02 | Futaki Itsuo | Thermal head |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP59117794A patent/JPS60260354A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62148275A (en) * | 1985-12-24 | 1987-07-02 | Futaki Itsuo | Thermal head |
| JPH0584224B2 (en) * | 1985-12-24 | 1993-12-01 | Suzuki Yasuo |
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