JPS60255806A - アセチレン重合体の製造方法 - Google Patents
アセチレン重合体の製造方法Info
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- JPS60255806A JPS60255806A JP11077584A JP11077584A JPS60255806A JP S60255806 A JPS60255806 A JP S60255806A JP 11077584 A JP11077584 A JP 11077584A JP 11077584 A JP11077584 A JP 11077584A JP S60255806 A JPS60255806 A JP S60255806A
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- acetylene
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- polymer
- crystal substance
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は一軸配向したアセチレン重合体の製造方法に関
する。
する。
アセチレンを遷移金属化合物と有機金浅化合物からなる
チーグラ・ナツタ触媒を用いて重合する方法において、
アセチレンと重合触媒溶液との自由表面近傍の界面にお
いて高重合反応を行うと、直接的ＶＣＩｌ＠状アセチレ
ン重合体を製造することが出来る（特公昭４８−３２５
８１号）。この膜は直径敬白オンブストロームのフィブ
リルが無秩序に集合した結晶性の高重合体である。
チーグラ・ナツタ触媒を用いて重合する方法において、
アセチレンと重合触媒溶液との自由表面近傍の界面にお
いて高重合反応を行うと、直接的ＶＣＩｌ＠状アセチレ
ン重合体を製造することが出来る（特公昭４８−３２５
８１号）。この膜は直径敬白オンブストロームのフィブ
リルが無秩序に集合した結晶性の高重合体である。
このアセチレン高重合体は有機半導体として知られ、史
に電子供与性物質あるいけ電子受容性物ａをドーグする
ことにより高い電気伝導性を有する材料になることも知
られている。（特開昭５５−１２９４２６＞。一般［、
Ｉ、分子材料においては、その−次元性が材料の巨視構
造に反映されると（−軸配、向を有するとも言う）材料
特性が向上することが知られている。上記アセチレン高
重合体は加熱しても溶融せす、またこの高重合体を溶解
する溶媒も見い出されていない。このため、−軸配向し
たアセチレン高重合体を得るための方法としては加熱下
で機械的操作により延伸する方法が知ら１するのみであ
る（特開昭５５−１４２１３）。この方法では延伸時に
上記フィブリルの切断をも伴うので、−軸配向の材料を
得る方法上しては好しくない。しかしながら、得らね、
た材料の電気的性質は異方性を示し、配向軸方向の電気
抵抗は延侵していないものの半分以下になる。
に電子供与性物質あるいけ電子受容性物ａをドーグする
ことにより高い電気伝導性を有する材料になることも知
られている。（特開昭５５−１２９４２６＞。一般［、
Ｉ、分子材料においては、その−次元性が材料の巨視構
造に反映されると（−軸配、向を有するとも言う）材料
特性が向上することが知られている。上記アセチレン高
重合体は加熱しても溶融せす、またこの高重合体を溶解
する溶媒も見い出されていない。このため、−軸配向し
たアセチレン高重合体を得るための方法としては加熱下
で機械的操作により延伸する方法が知ら１するのみであ
る（特開昭５５−１４２１３）。この方法では延伸時に
上記フィブリルの切断をも伴うので、−軸配向の材料を
得る方法上しては好しくない。しかしながら、得らね、
た材料の電気的性質は異方性を示し、配向軸方向の電気
抵抗は延侵していないものの半分以下になる。
本発明の目的はアセチレンの重合反応において１合媒体
として液晶物ηを用い、且つ液晶物質を完全に配向させ
ておくことにより、重合と同時に一軸配向アセチレン〜
１重合体を提供することにある。
として液晶物ηを用い、且つ液晶物質を完全に配向させ
ておくことにより、重合と同時に一軸配向アセチレン〜
１重合体を提供することにある。
Ｃ＠明のＲ姿〕
本発明はチーグラ ナツタ触媒を溶解せ［７めた液晶物
質の自由表面にてアセチレンを重合せしめるアセチレン
高重合体の製造方法において、前記液晶物質を配向させ
ることにより、−軸配向アセチレン高重合体を得ること
ＶＣ％徴がある。
質の自由表面にてアセチレンを重合せしめるアセチレン
高重合体の製造方法において、前記液晶物質を配向させ
ることにより、−軸配向アセチレン高重合体を得ること
ＶＣ％徴がある。
液晶物質を配向させる方法としては（１）表面処理した
基板を用いる（２）外場印加を用いるの２秤類に大別さ
れる。（１）の方法には、高分子塗布１１φ、ラビング
、斜方蒸着、グレーティング（回折格子）が含捷れる。
基板を用いる（２）外場印加を用いるの２秤類に大別さ
れる。（１）の方法には、高分子塗布１１φ、ラビング
、斜方蒸着、グレーティング（回折格子）が含捷れる。
（２）の方法には、１マ場印加、磁場印加、せん照応力
印加が含まれる。こｆｔらの中で、（２）の方法は、２
枚のガラス基板で液晶物質を挟む必要がある。このため
アセチレンの拡散が充分圧起らない。（１）の方法は、
一枚の基板で重合が行えるため、余長の方法である。更
に述べると、（２）のせん照応力印加では、一枚の基板
で行うことが可能である。つ１す、基板上に市゛合触四
を含んだ液晶物質を塗付し、重合直前に基板を斜めＶｃ
卸け、液晶物質を流す（フロー法）によってもせん断応
力が生ずることを利用する方法である。この方法では、
基板に対する処理が不要であるのみならず、を場等の外
用発生装部も不要であるので最も簡便な方法と渚えられ
る。オだ、これらの絹合わせ、例え。
印加が含まれる。こｆｔらの中で、（２）の方法は、２
枚のガラス基板で液晶物質を挟む必要がある。このため
アセチレンの拡散が充分圧起らない。（１）の方法は、
一枚の基板で重合が行えるため、余長の方法である。更
に述べると、（２）のせん照応力印加では、一枚の基板
で行うことが可能である。つ１す、基板上に市゛合触四
を含んだ液晶物質を塗付し、重合直前に基板を斜めＶｃ
卸け、液晶物質を流す（フロー法）によってもせん断応
力が生ずることを利用する方法である。この方法では、
基板に対する処理が不要であるのみならず、を場等の外
用発生装部も不要であるので最も簡便な方法と渚えられ
る。オだ、これらの絹合わせ、例え。
け高分子塗（′１膜をラビングした基柳を使うこと等が
考えられる、これにより、配向がより向上する。
考えられる、これにより、配向がより向上する。
本発明に用いられる液晶物質は、重合触媒との関係にお
いて触媒ｆ溶解し易く、かつ触媒と化学反応し、ないも
のが望−ましい。すなわち、液晶の分子構造について重
合触媒に対して活性な置換基を治していないのが望せし
い。捷だ、原料であるアセチレンは気体であるため、拡
散し易い液晶であることが望捷しい。特にイ、マチック
液晶はより好しい。
いて触媒ｆ溶解し易く、かつ触媒と化学反応し、ないも
のが望−ましい。すなわち、液晶の分子構造について重
合触媒に対して活性な置換基を治していないのが望せし
い。捷だ、原料であるアセチレンは気体であるため、拡
散し易い液晶であることが望捷しい。特にイ、マチック
液晶はより好しい。
本発明に用いるチーグラ・ゾノタ触媒は遷移金属化合物
とイＪ機台用用合物とから成る。遷移金属化合物と有機
金属化合物の内、本発明で南効なものを次に例示する。
とイＪ機台用用合物とから成る。遷移金属化合物と有機
金属化合物の内、本発明で南効なものを次に例示する。
遷移金属化合物
遷移金檎；チタ７、バナジル、鉄、クロｌＮ 、コバル
ト、 一般式； ’ｌ’ ｉ Ｉ （ＪＪ（）、八Ｊ（ａｃａ
ｃ）、、Ｍ（Ｊ （ａｔ ：ＡＣ）２、（但Ｌ−１Ｉ’
けアルキル基かアリル基、へ４け遷移金！”Ａ％ ａＣ
ａＣはアセチルアセトナ−ト基である。） 代表例：テトラメトキン′チタニウム、テトう１トキ／
チタニウム、テトラ−１）− プロポキノチタニウム、ｉ１フイソ プ１１ホキ／チタニウム、デドノ−１１−ブトキ／チタ
ニウム、テトライソフ ；・キンチタニウノ１、テトラメクタテ７０キンヂタ−
ラム、テトラノエノ キ／チタＳウム、トリスア・チルア 十トナートチタニウム、トリスアセ ｆ−ルアセトナー］バナジウム、トリ スアセヂルア＋トナー トｖ５、トリスアセチルア士ト
ナートクロム、トリ スアセチルアナトナー トコバルト、 チタニウムオキ／ｒ七チル゛ア＋トナ −ト、バナジウ１５ノキンアセチルア セトナー ト。
ト、 一般式； ’ｌ’ ｉ Ｉ （ＪＪ（）、八Ｊ（ａｃａ
ｃ）、、Ｍ（Ｊ （ａｔ ：ＡＣ）２、（但Ｌ−１Ｉ’
けアルキル基かアリル基、へ４け遷移金！”Ａ％ ａＣ
ａＣはアセチルアセトナ−ト基である。） 代表例：テトラメトキン′チタニウム、テトう１トキ／
チタニウム、テトラ−１）− プロポキノチタニウム、ｉ１フイソ プ１１ホキ／チタニウム、デドノ−１１−ブトキ／チタ
ニウム、テトライソフ ；・キンチタニウノ１、テトラメクタテ７０キンヂタ−
ラム、テトラノエノ キ／チタＳウム、トリスア・チルア 十トナートチタニウム、トリスアセ ｆ−ルアセトナー］バナジウム、トリ スアセヂルア＋トナー トｖ５、トリスアセチルア士ト
ナートクロム、トリ スアセチルアナトナー トコバルト、 チタニウムオキ／ｒ七チル゛ア＋トナ −ト、バナジウ１５ノキンアセチルア セトナー ト。
有ｔル釜ハ（化合物
金１％、 、マダ不シウム 曲鉛、アルミニウム、−４
−一ず。
−一ず。
−匈ひ式：へ１１箱（世１．へ４は全国、口はアルキル
仙かアリル基である、） 代？、−ｆａｌｌ 、 トリコーチルアＡミニウム、ト
リイソ７’ 千ｒｖアルミニウム、トリベキ／ルアルミ
ニウム、ジエチルアルミニウ ムクロライド ／−ｎ−ブチルアル ミニウムクロライド。
仙かアリル基である、） 代？、−ｆａｌｌ 、 トリコーチルアＡミニウム、ト
リイソ７’ 千ｒｖアルミニウム、トリベキ／ルアルミ
ニウム、ジエチルアルミニウ ムクロライド ／−ｎ−ブチルアル ミニウムクロライド。
４′移金属化合物に対する有機金属化合物の使用％ｌｉ
合は％に制限されないが、一般にけ 々移金属化合物に
対する有機金属化合物の１４１１合は、モル比ｌ〜１０
０の範囲内であることが好しい。
合は％に制限されないが、一般にけ 々移金属化合物に
対する有機金属化合物の１４１１合は、モル比ｌ〜１０
０の範囲内であることが好しい。
チーグラ・ナツタ触媒を液晶に添加する方法としては、
遷移金属化合物・と廟台用邑化合物とを液晶に直接添加
する方法の他に、予め遷移金属化合物及びイＪｐ金用化
合物を７キんた触媒溶液（４１機ｌｒ。
遷移金属化合物・と廟台用邑化合物とを液晶に直接添加
する方法の他に、予め遷移金属化合物及びイＪｐ金用化
合物を７キんた触媒溶液（４１機ｌｒ。
媒）を調製（７、この浴液を固化［７た液晶吻杓に添加
し７だ後に触媒溶液中の沼媒のみを真空ポンプで除去す
る方法も可能である。佐・渚の方法によｔｌけ依階の触
媒をハ１いるに際し“Ｃの秤損上のわすられ（７さがな
くなる。
し７だ後に触媒溶液中の沼媒のみを真空ポンプで除去す
る方法も可能である。佐・渚の方法によｔｌけ依階の触
媒をハ１いるに際し“Ｃの秤損上のわすられ（７さがな
くなる。
液晶物／Ｍ Ｋ対する触媒の濃度としては、チーグラ・
ナツタ触媒中のふ移金用化合物のＷｍが液１（１’１物
’ｉＫ Ｉ ／−Ｋ対して０００１〜１．０モノし一度
のイ（Ｉ）、囲で申汀ケイ丁うことが望ましい。１０−
モノ用１間川−以上でけｔｌ’ｉ晶物ｆ＋の液晶相が消
失（−てしまう可能性がある。寸だ、（１，０１１１モ
ルＣｎｆ片以−トでは得られる試料が粉末状になって１
．まう恐れがある。
ナツタ触媒中のふ移金用化合物のＷｍが液１（１’１物
’ｉＫ Ｉ ／−Ｋ対して０００１〜１．０モノし一度
のイ（Ｉ）、囲で申汀ケイ丁うことが望ましい。１０−
モノ用１間川−以上でけｔｌ’ｉ晶物ｆ＋の液晶相が消
失（−てしまう可能性がある。寸だ、（１，０１１１モ
ルＣｎｆ片以−トでは得られる試料が粉末状になって１
．まう恐れがある。
（発明の実施例コ
（″＊：施例極細
♀素雰囲気下でｌＯｍｚのガラス容器に式（１）で示さ
れる４−（トランス−４−ｎ−プロビルシクロヘキ／）
し）−エトーｒンベンセ／七式（２）で示される４ −
（１−ラ／ス−４−ｎ−プロヒル／クロベキ、／ル）
ブトキ７ベンセノの等モル混合物を３ｎ・ｔカ１１に−
ｄ）。この混合物のイマチノク敲晶相から等方性散体相
への転移温度け３５Ｃである。この液晶混合物にＴ］・
う°ロ ブトキノチタニウム（１゛１（（ｌ）ＪＬｌ１
４１５ ］μｌ及びトリエチルアルミニウム（Ａ）ｒい
、）６１μｔを加え、鍮拌し３０分間熟成し７だ。この
ヂーク゛う・ｆツタ触媒の混入により、転移ｆｌｉｋｔ
ｍ Ｖ、Ｉ： ２ ７ ＣＫ 降−ト し７／ヒ。
れる４−（トランス−４−ｎ−プロビルシクロヘキ／）
し）−エトーｒンベンセ／七式（２）で示される４ −
（１−ラ／ス−４−ｎ−プロヒル／クロベキ、／ル）
ブトキ７ベンセノの等モル混合物を３ｎ・ｔカ１１に−
ｄ）。この混合物のイマチノク敲晶相から等方性散体相
への転移温度け３５Ｃである。この液晶混合物にＴ］・
う°ロ ブトキノチタニウム（１゛１（（ｌ）ＪＬｌ１
４１５ ］μｌ及びトリエチルアルミニウム（Ａ）ｒい
、）６１μｔを加え、鍮拌し３０分間熟成し７だ。この
ヂーク゛う・ｆツタ触媒の混入により、転移ｆｌｉｋｔ
ｍ Ｖ、Ｉ： ２ ７ ＣＫ 降−ト し７／ヒ。
（−れとは別に、３０ Ｇ １］１１のガラス容器に、
一方向Ｖζラビノグしたポリイミド糸憎脂塗布基也を入
ハ、・−素雰囲気十て上記の触媒を電解させた液晶物１
％ｊを注射器でガラス基板上に４＾１トした。この容器
を重合装置ｊＲに取り付けた優、真空ポンプで容器中の
窒素を排気する。ガラス容器’（ｒｌ ５Ｕの温を隻に
保持Ｌ、５ｎ（１闘１−１ｇの圧力の和製アセチレンカ
スを吹き込んだ 白ちに液晶表向で重合が起り、ηシ（状アセチレン高重
合体が生成した。３０分後、未反応のアセチレンカスを
除去し７、カラス容器を重合４εＩＮからはすし一素を
・八人しブζ。トルエン及び均醒−メタノール沼液−ト
ルエンの１１盾で洗浄をくり返［７、液晶物７（と触媒
を取除き、式空乾燥により試料を得た。
一方向Ｖζラビノグしたポリイミド糸憎脂塗布基也を入
ハ、・−素雰囲気十て上記の触媒を電解させた液晶物１
％ｊを注射器でガラス基板上に４＾１トした。この容器
を重合装置ｊＲに取り付けた優、真空ポンプで容器中の
窒素を排気する。ガラス容器’（ｒｌ ５Ｕの温を隻に
保持Ｌ、５ｎ（１闘１−１ｇの圧力の和製アセチレンカ
スを吹き込んだ 白ちに液晶表向で重合が起り、ηシ（状アセチレン高重
合体が生成した。３０分後、未反応のアセチレンカスを
除去し７、カラス容器を重合４εＩＮからはすし一素を
・八人しブζ。トルエン及び均醒−メタノール沼液−ト
ルエンの１１盾で洗浄をくり返［７、液晶物７（と触媒
を取除き、式空乾燥により試料を得た。
イｎられた膜状アセチレン高重合体の走査型電子珀゛Ｉ
依鏡による表面囮祭によると、基板のラビングノｊ向に
フィブリルが配向している様子が屋ら〕１だ。
依鏡による表面囮祭によると、基板のラビングノｊ向に
フィブリルが配向している様子が屋ら〕１だ。
この試料け（・支械的強ｒｔｙに異方性を有し、ラビン
グ方向に直交する方向に容易に引き裂くことが出来るこ
とが分った。′ｄ）、気抵抗にもｙｒ方性をイー＋（７
、フィブリルの配向方向で３ ｘ １ ｏ５Ωｒｍ、？
−１１ＶＣ直交方向で２．５Ｘ１０’Ωｍであった。
グ方向に直交する方向に容易に引き裂くことが出来るこ
とが分った。′ｄ）、気抵抗にもｙｒ方性をイー＋（７
、フィブリルの配向方向で３ ｘ １ ｏ５Ωｒｍ、？
−１１ＶＣ直交方向で２．５Ｘ１０’Ωｍであった。
（実施例２）
３００ｍｚのガラス容器に、−酸化ケイ素を斜方蒸着し
たガラス基板を人第１、り素雰囲気下この基板上に実施
例１と同様の方法で調製した触媒混合液晶を滴下した。
たガラス基板を人第１、り素雰囲気下この基板上に実施
例１と同様の方法で調製した触媒混合液晶を滴下した。
この容器を重合装置に取付け、真空ポンプで排気する。
１５ＣＫ保持してアセチレンを導入すると、直ちに基板
上で重合体が生成した。史に実施例１と同様の洗浄処理
を行い、膜状アセチレン【ｈ重合体を得た。
上で重合体が生成した。史に実施例１と同様の洗浄処理
を行い、膜状アセチレン【ｈ重合体を得た。
ｒの膜状物質を′重子３ｉｕ微錫で親λイすると、フィ
ブリルが一方向に配向している様子がｊ−らねた、（実
施例３） ３「）０口１／のガラス容器に回１］格子（１２００本
／、、）を・入れ、実施例１と同様の方法でアセチレン
高１Ｆ合体を得た。
ブリルが一方向に配向している様子がｊ−らねた、（実
施例３） ３「）０口１／のガラス容器に回１］格子（１２００本
／、、）を・入れ、実施例１と同様の方法でアセチレン
高１Ｆ合体を得た。
この膜状物１質を電子顕微鏡で四部すると、格子槁方向
ＶＣフィブリルが配向しでいる４、Ｌ子が見られ／と。
ＶＣフィブリルが配向しでいる４、Ｌ子が見られ／と。
（η−廁例４）
：（ｎ Ｑ ｎｌｔのカラス容器にカラス基板（３０期
×６０ヤ）を人ｔ１、ψ素＾囲諷下、この基板−ヒにＪ
極細１１と同様の触媒混合液晶を簡Ｆ Ｌ、ｌｒ、この
容器を重合装政に取り付け、６空ホンブで窒素をゼト気
しｌｃｏ′重付ＩＨ前に容器を傾け、ガラス基板上の液
晶物性に流れ（フロー法）を与ズ４．１（５）１時にア
セチレンを吹き込むと直ちにアセチレン高重合体ケ牛成
した。この後、実施例ＩＶＣ示した方法で洗浄を行ない
腔状試料を得ｊ（、。
×６０ヤ）を人ｔ１、ψ素＾囲諷下、この基板−ヒにＪ
極細１１と同様の触媒混合液晶を簡Ｆ Ｌ、ｌｒ、この
容器を重合装政に取り付け、６空ホンブで窒素をゼト気
しｌｃｏ′重付ＩＨ前に容器を傾け、ガラス基板上の液
晶物性に流れ（フロー法）を与ズ４．１（５）１時にア
セチレンを吹き込むと直ちにアセチレン高重合体ケ牛成
した。この後、実施例ＩＶＣ示した方法で洗浄を行ない
腔状試料を得ｊ（、。
この膜状試料を重子顕微鏡で観察すると、液晶の流れ方
向に沿ってフィブリルが配向している様子が見られた。
向に沿ってフィブリルが配向している様子が見られた。
（実施例５）
実施例１と同様の方法で調製した触媒混合液晶を２枚の
透明電極の間に挾み（電極間のギツプけ１０μｍ）５Ｖ
の電場を印加した。この透明電極一体を３００１ｎ／、
のガラス容器に仕込んだ。このガラス容器を重合波［［
取り付け、真空排気［７た。
透明電極の間に挾み（電極間のギツプけ１０μｍ）５Ｖ
の電場を印加した。この透明電極一体を３００１ｎ／、
のガラス容器に仕込んだ。このガラス容器を重合波［［
取り付け、真空排気［７た。
アセチレンを導入すると、電極間のすき１…部分から中
央部罠向けてアセチレン高重体が生成して行くのが観察
された。実施例１と同様の方法で洗浄を行いアセチレン
高重合体を得た。
央部罠向けてアセチレン高重体が生成して行くのが観察
された。実施例１と同様の方法で洗浄を行いアセチレン
高重合体を得た。
この試料を電子顕＊ｆＪＰ、により観察すると、フィブ
リルが一方向に配列している様子が見られた。
リルが一方向に配列している様子が見られた。
（実施例６）
実施例１と同様の方法で調製した触媒混合液晶を、アセ
チレンカス導入可能なキャピラリ（径１０φ）Ｋ２ｍｌ
加える、このキャピラリーを支０００ガウスの磁場中に
配置し、゛真空脱気後、アセチレンカスを導入するとキ
ャピラリー上部にアセチレン高重合体が生成しプζ。実
施例１と同様の操作で洗浄を行い、膜状アセチレン高重
合体を得た。
チレンカス導入可能なキャピラリ（径１０φ）Ｋ２ｍｌ
加える、このキャピラリーを支０００ガウスの磁場中に
配置し、゛真空脱気後、アセチレンカスを導入するとキ
ャピラリー上部にアセチレン高重合体が生成しプζ。実
施例１と同様の操作で洗浄を行い、膜状アセチレン高重
合体を得た。
この膜状試料を電子顕微鏡で観察するとフィブリルが一
方向に配列している様子が見ら１１だ。
方向に配列している様子が見ら１１だ。
（実施例７）
次式（３）４−（）ランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘ
キシル）−４−エチルビフェニル：３ ｇ ｋ カラス
容器に入れ加熱ｕ５０ｒ）ｔ、、ネマチック液晶状態に
する。こ＃”ＬＫテトラ−ｎ−ブレキンチタニウム（’
Ｔ’ｉ （ＯＨｕ）４ ） ５１ ｐＬ とトリエチル
アルミニウム（ＡｔＥｌ、） ６１μｔ（＋−加え、触
媒を３０分間熟成させる、この後、カラス容器ｆ５０ｔ
ｊｃ冷却し、スメクチック液晶状態にする。この液晶物
質の固相からスメクチック液晶相、スメクチック液晶相
からネマチック液晶相への転移温度はそｉｌ、ぞれ３４
ｔｒ、１４６Ｃである。上記の触媒を溶解させた液晶物
質の一部を伊素雰囲気下で２枚のガラス基板で挾む。一
端、ガラス基板を加熱しく１５０Ｃ）、液晶物質をガラ
ス基板体に拡け、再度５０ＣＶＣ冷却する。２枚の基板
をスライドさせ、せん断応力を加える。１枚の基板を静
かにはがし、液晶物質の残留している基板を３００ｍｔ
のガラス容器に入れ、実施例１と同様の操作でアセチレ
ン高重合体を得た。
キシル）−４−エチルビフェニル：３ ｇ ｋ カラス
容器に入れ加熱ｕ５０ｒ）ｔ、、ネマチック液晶状態に
する。こ＃”ＬＫテトラ−ｎ−ブレキンチタニウム（’
Ｔ’ｉ （ＯＨｕ）４ ） ５１ ｐＬ とトリエチル
アルミニウム（ＡｔＥｌ、） ６１μｔ（＋−加え、触
媒を３０分間熟成させる、この後、カラス容器ｆ５０ｔ
ｊｃ冷却し、スメクチック液晶状態にする。この液晶物
質の固相からスメクチック液晶相、スメクチック液晶相
からネマチック液晶相への転移温度はそｉｌ、ぞれ３４
ｔｒ、１４６Ｃである。上記の触媒を溶解させた液晶物
質の一部を伊素雰囲気下で２枚のガラス基板で挾む。一
端、ガラス基板を加熱しく１５０Ｃ）、液晶物質をガラ
ス基板体に拡け、再度５０ＣＶＣ冷却する。２枚の基板
をスライドさせ、せん断応力を加える。１枚の基板を静
かにはがし、液晶物質の残留している基板を３００ｍｔ
のガラス容器に入れ、実施例１と同様の操作でアセチレ
ン高重合体を得た。
得られた試料を電子顕微！＃により観察すると、フィブ
リルが一方向に配列している様子が見られた。
リルが一方向に配列している様子が見られた。
以上説明したように、本発明によればアセチレンの重合
反応１１ｉｉｌ桿で、重合媒体であるところの液晶物質
を表面処理基板あるいは外場印加により完全罠配向させ
て重合することにより、重合と同時に一軸配向アセチレ
ン高重合体が得られるという効果がある。
反応１１ｉｉｌ桿で、重合媒体であるところの液晶物質
を表面処理基板あるいは外場印加により完全罠配向させ
て重合することにより、重合と同時に一軸配向アセチレ
ン高重合体が得られるという効果がある。
Claims (1)
- １、チーグラ・ナツタ触媒を溶解せしめた液晶物質の自
由表面にて、アセチレンを重合せしめるアセチレン高重
合体の製造方法において、前記液晶物質を配向させて重
合を行うことを特徴とするアセチレン重合体の製造方法
。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11077584A JPS60255806A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | アセチレン重合体の製造方法 |
| KR1019840004217A KR850001232A (ko) | 1983-07-18 | 1984-07-18 | 배향된 고분자재료의 중합방법 |
| EP84108499A EP0131968A3 (en) | 1983-07-18 | 1984-07-18 | Process for producing oriented polymeric material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11077584A JPS60255806A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | アセチレン重合体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60255806A true JPS60255806A (ja) | 1985-12-17 |
Family
ID=14544278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11077584A Pending JPS60255806A (ja) | 1983-07-18 | 1984-06-01 | アセチレン重合体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60255806A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02257122A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-17 | Nec Corp | 液晶の配向方法 |
| CN109400875A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-01 | 江苏亚宝绝缘材料股份有限公司 | 一种以1,3-双[4-（3-氨基苯氧基）苯甲酰基]苯合成聚酰胺酸树脂的方法 |
-
1984
- 1984-06-01 JP JP11077584A patent/JPS60255806A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02257122A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-17 | Nec Corp | 液晶の配向方法 |
| CN109400875A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-01 | 江苏亚宝绝缘材料股份有限公司 | 一种以1,3-双[4-（3-氨基苯氧基）苯甲酰基]苯合成聚酰胺酸树脂的方法 |
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