JPS60252478A - 5−(テトラヒドロ−4−メチル−2h−2−ピラノキシ)−3−メチルペンタナ−ルおよびその製造方法 - Google Patents
5−(テトラヒドロ−4−メチル−2h−2−ピラノキシ)−3−メチルペンタナ−ルおよびその製造方法Info
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- JPS60252478A JPS60252478A JP10908784A JP10908784A JPS60252478A JP S60252478 A JPS60252478 A JP S60252478A JP 10908784 A JP10908784 A JP 10908784A JP 10908784 A JP10908784 A JP 10908784A JP S60252478 A JPS60252478 A JP S60252478A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は5−(テトラヒドロ−4−メチル−2H−2−
ピラノキシ)−3−メチルペンタナールおよびその製造
方法に関する。
ピラノキシ)−3−メチルペンタナールおよびその製造
方法に関する。
本発明により提供される5−(テトラヒドロ−4−メチ
ル−2H−2−ピラノキシ)−3−メチルペンタナール
は文献未載の新規化合物であり、価値ある化合物とくに
3−メチル−1,5−ベンタンジオールの合成中間体と
して有用である。
ル−2H−2−ピラノキシ)−3−メチルペンタナール
は文献未載の新規化合物であり、価値ある化合物とくに
3−メチル−1,5−ベンタンジオールの合成中間体と
して有用である。
ポリエステル、ポリウレタンなどの製造原料として有用
な3−メチル−1,5−ベンタンジオールの工業的に有
利な製造方法として3−メチル−3−ブテン−1−オー
ルをヒドロホルミル化し、得られるヒドロホルミル化反
応生成物を単離しまたは単離することなく水素化するこ
とからなる方法が知られている(例えば特公昭58−4
0533号公報、特開昭55−151521号公報参照
あしかしながら、この製造方法に従う3−メチル−3−
ブテン−1−オールのヒドロホルミル化反応においては
、3−メチル−3−ブテン−1−オールの異性化による
3−メチル−2−ブテン−1−オールおよびイソバレル
アルデヒドの副生を避けることができず、望ましいヒド
ロホルミル化反応生成物であるテトラヒト0−2−ヒド
ロキシ−4−メチル−2H−ビランへの選択率は最適な
ヒドロホルミル化反応条件を採用しても約90係程度で
ある。
な3−メチル−1,5−ベンタンジオールの工業的に有
利な製造方法として3−メチル−3−ブテン−1−オー
ルをヒドロホルミル化し、得られるヒドロホルミル化反
応生成物を単離しまたは単離することなく水素化するこ
とからなる方法が知られている(例えば特公昭58−4
0533号公報、特開昭55−151521号公報参照
あしかしながら、この製造方法に従う3−メチル−3−
ブテン−1−オールのヒドロホルミル化反応においては
、3−メチル−3−ブテン−1−オールの異性化による
3−メチル−2−ブテン−1−オールおよびイソバレル
アルデヒドの副生を避けることができず、望ましいヒド
ロホルミル化反応生成物であるテトラヒト0−2−ヒド
ロキシ−4−メチル−2H−ビランへの選択率は最適な
ヒドロホルミル化反応条件を採用しても約90係程度で
ある。
このため、この製造方法における3−メチル−1゜5−
ベンタンジオールの収率は必ずしも満足しつるものでは
ない。
ベンタンジオールの収率は必ずしも満足しつるものでは
ない。
本発明の目的の1つは新規かつ有用な3−メチルペンタ
ナール誘導体を提供することにある。本発明の他の目的
は3−メチル−1,5−ベンタンジオールを高収率で製
造することができるプロセスにおける中間体として有用
な3−メチルペンタナール誘導体を提供することにある
。本発明のさらに他の目的は該3−メチルペンタナール
誘導体を製造する方法を提供することにある。
ナール誘導体を提供することにある。本発明の他の目的
は3−メチル−1,5−ベンタンジオールを高収率で製
造することができるプロセスにおける中間体として有用
な3−メチルペンタナール誘導体を提供することにある
。本発明のさらに他の目的は該3−メチルペンタナール
誘導体を製造する方法を提供することにある。
本発明によれば、上記の目的は、下記の化合物およびi
遣方法を提供することによって達成される。
遣方法を提供することによって達成される。
すなわち、本発明により、式
で示される5−(テトラヒドロ−4−メチル−2M−2
−ピラノキシ)−3−メチルペンタナールが提供され、
また、式 で示されるテトラヒドロ−2−(3−メチル−3−ブテ
ノキシ)−4−メチル−2H−ビランをロジウム化合物
または一コバルト化合物の存在下1c −酸化炭素およ
び水素と反応させることを特徴とする5−(テトラヒド
ロ−4−メチル−2H−2−ピラノキシ)−3−メチル
ペンタナールの製造方法が提供される。
−ピラノキシ)−3−メチルペンタナールが提供され、
また、式 で示されるテトラヒドロ−2−(3−メチル−3−ブテ
ノキシ)−4−メチル−2H−ビランをロジウム化合物
または一コバルト化合物の存在下1c −酸化炭素およ
び水素と反応させることを特徴とする5−(テトラヒド
ロ−4−メチル−2H−2−ピラノキシ)−3−メチル
ペンタナールの製造方法が提供される。
テトラヒドロ−2−(3−メチル−3−ブテノキシ)−
4−メチル−2H−ビラン〔以下、これを化合物(n)
と記す。〕 を5−(テトラヒドロ−4−メチル−2H
−2−ピラノキシ)−3−メチルペンタナール〔以下、
これ全化合物(I)と記す。〕に導くだめの上記反応(
ヒドロホルミル化反応)に用いるロジウム化合物または
コバルト化合物としてFi、ヒドロホルミル化反応に対
して触媒能を有するものであれば任意のロジウム化合物
またはコバルト化合物を使用することができる。使用可
能なロジウム化合物としてドデカカルボニル四ロジウム
、ヘキサデカカルボニル六ロジウムなどの周期表第■族
の元素を含有する配位子によシ変性されていないロジウ
ムカルボニル化合物;ヒドリドカルボニルトリス(トリ
フェニルホスフィン)ロジウム(1) fzどの周期表
第■族の元素を含有する配位子によシ変性されたロジウ
ムカルボニル化合物などが例示される。かかる周期表第
■族の元素を含有する配位子として作用する変性剤とし
てU、l−!jフェニルホスフィン、トリアジルホスフ
ィン、トリーp−トリルホスフィン、トリーp−トリル
ホスフィン、トリーn−ブチルホスフィン、トリシクロ
へキシルホスフィン、ナトリウムジフェニルホスフィノ
ベンゼン−m−スルホ*−トナどの有機第三級ホスフィ
ン;トリフェニルホスファイト、トリブチルホスファイ
トなどの有機第三級ホスファイト;トリフェニルアルシ
ン、トリオクチルアルシンなどの有機第三級アルシン;
トリフェニルスチビンなどの有機第三級スチビンナトが
例示され、これらの中でも通常用いられるものハトリフ
ェニルホスフインである。なお、ヒドロホルミル化反応
系にはヒドロホルミル化触媒能を有する前述のロジウム
カルボニル化合物番添加してもよいが、反応系中でヒド
リドロジウムカルボニル化合物に変換される塩化ロジウ
ム、酸化ロジウム、ビスシクロオクタジェニルロジウム
クロリドなどのロジウム化合物を添加してもよい。また
、コバルト化合物としては、オクタカルボニルコバルト
、ヒドリドテトラカルボニルコバルトなどのコバルトカ
ルボニル化合物などが例示され、ヒドロホルミル化反応
系中においてコバルトカルボニル化合物に変換される炭
酸コバルト、酢酸コバルトなどのコバルト化合物を使用
することもできる。
4−メチル−2H−ビラン〔以下、これを化合物(n)
と記す。〕 を5−(テトラヒドロ−4−メチル−2H
−2−ピラノキシ)−3−メチルペンタナール〔以下、
これ全化合物(I)と記す。〕に導くだめの上記反応(
ヒドロホルミル化反応)に用いるロジウム化合物または
コバルト化合物としてFi、ヒドロホルミル化反応に対
して触媒能を有するものであれば任意のロジウム化合物
またはコバルト化合物を使用することができる。使用可
能なロジウム化合物としてドデカカルボニル四ロジウム
、ヘキサデカカルボニル六ロジウムなどの周期表第■族
の元素を含有する配位子によシ変性されていないロジウ
ムカルボニル化合物;ヒドリドカルボニルトリス(トリ
フェニルホスフィン)ロジウム(1) fzどの周期表
第■族の元素を含有する配位子によシ変性されたロジウ
ムカルボニル化合物などが例示される。かかる周期表第
■族の元素を含有する配位子として作用する変性剤とし
てU、l−!jフェニルホスフィン、トリアジルホスフ
ィン、トリーp−トリルホスフィン、トリーp−トリル
ホスフィン、トリーn−ブチルホスフィン、トリシクロ
へキシルホスフィン、ナトリウムジフェニルホスフィノ
ベンゼン−m−スルホ*−トナどの有機第三級ホスフィ
ン;トリフェニルホスファイト、トリブチルホスファイ
トなどの有機第三級ホスファイト;トリフェニルアルシ
ン、トリオクチルアルシンなどの有機第三級アルシン;
トリフェニルスチビンなどの有機第三級スチビンナトが
例示され、これらの中でも通常用いられるものハトリフ
ェニルホスフインである。なお、ヒドロホルミル化反応
系にはヒドロホルミル化触媒能を有する前述のロジウム
カルボニル化合物番添加してもよいが、反応系中でヒド
リドロジウムカルボニル化合物に変換される塩化ロジウ
ム、酸化ロジウム、ビスシクロオクタジェニルロジウム
クロリドなどのロジウム化合物を添加してもよい。また
、コバルト化合物としては、オクタカルボニルコバルト
、ヒドリドテトラカルボニルコバルトなどのコバルトカ
ルボニル化合物などが例示され、ヒドロホルミル化反応
系中においてコバルトカルボニル化合物に変換される炭
酸コバルト、酢酸コバルトなどのコバルト化合物を使用
することもできる。
反応系中に存在させるロジウム化合物の斌は、ロジウム
原子に換算して反応混合液に〉:佳し通常0.001〜
1ミリグラム原子/Aの範囲内である。址だ反応系中に
存在させるコバルト化合物の;ikは、コバルト原子に
換算して反応混合液に対し通常1〜500 ミ!Jグラ
ム原子/lの範囲内である。なお、変性剤を使用する場
合には、その使用量について%に制限はないが、ロジウ
ム1原子心た950モル以下が好ましい。上述のロジウ
ム化合物およびコバルト化合物の中でも特に好ましいも
のは周期表第■族の元素を含イfする配位子により変性
されていないロジウムカルボニル化合物またはロジウム
化合物であシ、これらを用いフこ場合にはヒドロホルミ
ル化反応の反応速度が速く、シかも化合物(1)への選
択率が非常に高い。
原子に換算して反応混合液に〉:佳し通常0.001〜
1ミリグラム原子/Aの範囲内である。址だ反応系中に
存在させるコバルト化合物の;ikは、コバルト原子に
換算して反応混合液に対し通常1〜500 ミ!Jグラ
ム原子/lの範囲内である。なお、変性剤を使用する場
合には、その使用量について%に制限はないが、ロジウ
ム1原子心た950モル以下が好ましい。上述のロジウ
ム化合物およびコバルト化合物の中でも特に好ましいも
のは周期表第■族の元素を含イfする配位子により変性
されていないロジウムカルボニル化合物またはロジウム
化合物であシ、これらを用いフこ場合にはヒドロホルミ
ル化反応の反応速度が速く、シかも化合物(1)への選
択率が非常に高い。
ヒドロホルミル化反応において用いる水素および一酸化
炭素は水素対−酸化炭素のモル比で3対1〜1対3の範
囲内、特に1対1付近であることが好ましい。廿だ反応
圧力は全圧が10絶対気圧程度であってもよいが、反応
系中のロジウムまたはコバルトの濃it低くしてしかも
高い反応速度を得るためには全圧を80〜300絶対気
圧の範囲内にすることが有利である。反応温度は通常6
0〜150℃の範囲内でおり、好ましくは80〜130
℃の範囲内である。ヒドロホルばル化反応は溶媒を併用
することなく行うことができるが、必要に応じて反応条
件下で不活性な溶媒を併用することもできる。使用可能
な溶媒の代表例としては、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ンなどの飽和脂肪族炭化水素;シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサンナトの脂環式炭化水素;ベンゼン、トル
エン、キシレンなどの芳香族炭化水素;テトラヒドロフ
ラン、ジオキサンなどのエーテルなどが挙げられる。
炭素は水素対−酸化炭素のモル比で3対1〜1対3の範
囲内、特に1対1付近であることが好ましい。廿だ反応
圧力は全圧が10絶対気圧程度であってもよいが、反応
系中のロジウムまたはコバルトの濃it低くしてしかも
高い反応速度を得るためには全圧を80〜300絶対気
圧の範囲内にすることが有利である。反応温度は通常6
0〜150℃の範囲内でおり、好ましくは80〜130
℃の範囲内である。ヒドロホルばル化反応は溶媒を併用
することなく行うことができるが、必要に応じて反応条
件下で不活性な溶媒を併用することもできる。使用可能
な溶媒の代表例としては、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ンなどの飽和脂肪族炭化水素;シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサンナトの脂環式炭化水素;ベンゼン、トル
エン、キシレンなどの芳香族炭化水素;テトラヒドロフ
ラン、ジオキサンなどのエーテルなどが挙げられる。
ヒドロホルミル化反応は、化合物(n)の変換率がほぼ
100%近くになるように実施することもできるし、ま
た反応を完全にり追い込まないように行い、未反応の化
合物(■)を反応後の反応混合 □液から回収してヒド
ロホルばル化反応に再使用することもできる。
100%近くになるように実施することもできるし、ま
た反応を完全にり追い込まないように行い、未反応の化
合物(■)を反応後の反応混合 □液から回収してヒド
ロホルばル化反応に再使用することもできる。
以上のようにして行われる化合物(n)のヒドロホルミ
ル化反応においては、3−メチル−3−ブテン−1−オ
ールをヒドロホルミル化する場合の異性化反応のごとき
副反応を抑制して著しく高い収率で化合物(1)を得る
ことができる。
ル化反応においては、3−メチル−3−ブテン−1−オ
ールをヒドロホルミル化する場合の異性化反応のごとき
副反応を抑制して著しく高い収率で化合物(1)を得る
ことができる。
化合物(1)はヒドロホルミル化反応後の反応混合液か
ら減圧蒸留などの任意の方法によって単離することがで
きる。場合によっては、該反応混合液からロジウム化合
物寸たけコバルト化合物を除去して得られる化合物(1
)含有溶液をそのまま該化合物(I)を他の化合物に転
化するための反応に供することもできる。反応に使用し
たロジウム化合物捷たはコバルト化合物は、ヒドロホル
ミル化反応に循環丙使用し、あるいはロジウムまたはコ
バルトの金属または化合物として回収することもできる
。
ら減圧蒸留などの任意の方法によって単離することがで
きる。場合によっては、該反応混合液からロジウム化合
物寸たけコバルト化合物を除去して得られる化合物(1
)含有溶液をそのまま該化合物(I)を他の化合物に転
化するための反応に供することもできる。反応に使用し
たロジウム化合物捷たはコバルト化合物は、ヒドロホル
ミル化反応に循環丙使用し、あるいはロジウムまたはコ
バルトの金属または化合物として回収することもできる
。
本発明の方法において原料として使用する化合物(II
)は式 で示されるテトラヒドロ−2−ヒドロキシ−4−メチル
−2H−ビラン〔以下、これを化合物(III)とH己
す。〕 と〕3−メチルー3−ブテンー1−オーとヲ酸
触媒の存在下に脱水縮合する方法(方法1)、一般式 〔式中、Rは低級アルキル基を表わす。〕で示される2
−アルコキシ−テトラヒドロ−4−メチル−2H−ピラ
ン〔以下、これを化合物(■)と記す。〕と〕3−メチ
ルー3−ブテンー1−オーとを酸触媒の存在下にアセタ
ール交換する方法(方法2)、化合物(1)を酸触媒の
存在下に3=メチル−3−ブテン−1−オールと反応す
せる方法(方法3)などの方法によって製造することが
できる。なお、方法3に従う反応は次式で表わされ、1
モルの化合物(1)から2モルの化合物(肋が生成する
。
)は式 で示されるテトラヒドロ−2−ヒドロキシ−4−メチル
−2H−ビラン〔以下、これを化合物(III)とH己
す。〕 と〕3−メチルー3−ブテンー1−オーとヲ酸
触媒の存在下に脱水縮合する方法(方法1)、一般式 〔式中、Rは低級アルキル基を表わす。〕で示される2
−アルコキシ−テトラヒドロ−4−メチル−2H−ピラ
ン〔以下、これを化合物(■)と記す。〕と〕3−メチ
ルー3−ブテンー1−オーとを酸触媒の存在下にアセタ
ール交換する方法(方法2)、化合物(1)を酸触媒の
存在下に3=メチル−3−ブテン−1−オールと反応す
せる方法(方法3)などの方法によって製造することが
できる。なお、方法3に従う反応は次式で表わされ、1
モルの化合物(1)から2モルの化合物(肋が生成する
。
前記の方法1〜3において用いる酸触媒はプロトン酸、
ルイス酸のいずれであってもよく、プロトン酸として酢
酸、プロピオン酸、2−エチルヘキサン酸、安息香酸、
テレフタル酸などの有機カルボン酸:ベンゼンスルホン
rR1p−1ルエンスルホン酸などの有機スルホン酸;
カチオン交換樹脂、フェノール樹脂などの酸性基分有す
る高分子化合物;硫酸、塩酸、リン酸、硫酸水素す)
IJウム、リン酸二水素ナトリウムなどの無機プロトン
酸などが挙げられ、ルイス酸として硫酸銅、塩化ニッケ
ル、塩化カルシウム、塊化紀2鉄、塩化亜鉛、アルミナ
、シリカアルミナ、活性白土などが早げられる。これら
の内でも特にカチオン交換樹脂、シリカアルミナなどの
固体の酸が触媒分離が容易である点から好ましい。酸触
媒の使用量は特に厳密な制限はないが、通常、反応原料
に対してり、 01〜10重tチの範囲内である。化合
物(IID、CW’)または([)と3−メチル−3−
ブテン−1−オールとの使用割合は化学量論量付近であ
ることが好ましく、3−メチル−3−ブテン−1−オー
ル1モルに対して、方法1においては化合物(In)イ
C約1モル、方法2においては化合物(■)を約1eル
、方法3においては化合物(1) (!−約約0.七(
III)、(IV)または(1)と3−メチル−3−ブ
テン−1−オールとの使用割合はこれに限定されること
はなく、例えば3−メチル−3−ブテン−1−オールを
過剰量使用しても差しつかえない。反応温度は通常0〜
150℃の範囲内であり、好ましくは20〜100℃の
範囲内である。また、こね。
ルイス酸のいずれであってもよく、プロトン酸として酢
酸、プロピオン酸、2−エチルヘキサン酸、安息香酸、
テレフタル酸などの有機カルボン酸:ベンゼンスルホン
rR1p−1ルエンスルホン酸などの有機スルホン酸;
カチオン交換樹脂、フェノール樹脂などの酸性基分有す
る高分子化合物;硫酸、塩酸、リン酸、硫酸水素す)
IJウム、リン酸二水素ナトリウムなどの無機プロトン
酸などが挙げられ、ルイス酸として硫酸銅、塩化ニッケ
ル、塩化カルシウム、塊化紀2鉄、塩化亜鉛、アルミナ
、シリカアルミナ、活性白土などが早げられる。これら
の内でも特にカチオン交換樹脂、シリカアルミナなどの
固体の酸が触媒分離が容易である点から好ましい。酸触
媒の使用量は特に厳密な制限はないが、通常、反応原料
に対してり、 01〜10重tチの範囲内である。化合
物(IID、CW’)または([)と3−メチル−3−
ブテン−1−オールとの使用割合は化学量論量付近であ
ることが好ましく、3−メチル−3−ブテン−1−オー
ル1モルに対して、方法1においては化合物(In)イ
C約1モル、方法2においては化合物(■)を約1eル
、方法3においては化合物(1) (!−約約0.七(
III)、(IV)または(1)と3−メチル−3−ブ
テン−1−オールとの使用割合はこれに限定されること
はなく、例えば3−メチル−3−ブテン−1−オールを
過剰量使用しても差しつかえない。反応温度は通常0〜
150℃の範囲内であり、好ましくは20〜100℃の
範囲内である。また、こね。
らの方法においては反応系に溶媒を存在させる必’l特
にないが、反応に実害を与えない範囲において任意の溶
媒を使用することもできる。使用可能な溶媒としては、
ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの飽和脂肪族炭化水
素;シクロヘキサン、メチルシクロヘチサンなどの飽剖
」脂環式炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレンナト
の芳fF 族炭化水素;塩化メチレン、クロロホルム、
四塩化炭素、ジクロロエタノなどの・・ロゲン化炭化水
素;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのエー
テル;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルグトンなどのケトンなどが例示される。これらの内で
も脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素または芳香族炭化水
素を使用し、生成する水または低級アルコールを系外に
除去しながら反応させることが特に好ましい。溶媒の使
用量は特に制限はないが、反応後の溶媒回収を考慮する
と反応原料に対して通常20倍(重量)以下が適当であ
る。前記方法1〜3における化合物(II)の生成反応
は通常はぼ定量的に進行するので、反応後の反応混合液
から酸触媒を除去したものをその1ま化合物CI)の製
造に供することもできるし、また化合物(n)を反応混
合液から単離精製したものな化合物(1)の製造に使用
することもできる。
にないが、反応に実害を与えない範囲において任意の溶
媒を使用することもできる。使用可能な溶媒としては、
ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの飽和脂肪族炭化水
素;シクロヘキサン、メチルシクロヘチサンなどの飽剖
」脂環式炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレンナト
の芳fF 族炭化水素;塩化メチレン、クロロホルム、
四塩化炭素、ジクロロエタノなどの・・ロゲン化炭化水
素;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのエー
テル;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルグトンなどのケトンなどが例示される。これらの内で
も脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素または芳香族炭化水
素を使用し、生成する水または低級アルコールを系外に
除去しながら反応させることが特に好ましい。溶媒の使
用量は特に制限はないが、反応後の溶媒回収を考慮する
と反応原料に対して通常20倍(重量)以下が適当であ
る。前記方法1〜3における化合物(II)の生成反応
は通常はぼ定量的に進行するので、反応後の反応混合液
から酸触媒を除去したものをその1ま化合物CI)の製
造に供することもできるし、また化合物(n)を反応混
合液から単離精製したものな化合物(1)の製造に使用
することもできる。
本発明の化合物(1)は、水および水素化触媒の存在下
に加水分解および水素化することによって、ポリエステ
ルおよびボリウレタ/などの原料として有用な3−メチ
ル−1.5−べ/タンジオールに容易Kかつ高収率で転
化することができる。
に加水分解および水素化することによって、ポリエステ
ルおよびボリウレタ/などの原料として有用な3−メチ
ル−1.5−べ/タンジオールに容易Kかつ高収率で転
化することができる。
したがって、化合物(I)は3−メチル−1,5−ベン
タンジオールの合成中間体として重要である。
タンジオールの合成中間体として重要である。
特に化合物(I)から3−メチル−1,5−ベンタンジ
オールを製造する方法に身いて、化合物(1)の一部を
3−メチル−3−ブテン−1−オールと反応させること
によって化合物(n)に変換し、次に得られた化合物(
II) Thヒドロホルミル化して化合物(1)を合成
する工程を組込むならば,下記の反応式で示されるよう
に、全体としては見掛は上3ーメチルー3ーブテンー1
ーオール、−酸化炭素および水素から3−メチル−1,
5−ペンタンジオ−ルを生成させることができる。
オールを製造する方法に身いて、化合物(1)の一部を
3−メチル−3−ブテン−1−オールと反応させること
によって化合物(n)に変換し、次に得られた化合物(
II) Thヒドロホルミル化して化合物(1)を合成
する工程を組込むならば,下記の反応式で示されるよう
に、全体としては見掛は上3ーメチルー3ーブテンー1
ーオール、−酸化炭素および水素から3−メチル−1,
5−ペンタンジオ−ルを生成させることができる。
(1)
(n)
〔実施例〕
シ、下、実施例によって本発明を具体的に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例1
(a)化合物CI[l)の合成
内容量300mA’のステン1/ス製電磁攪拌式オート
クレーブに3−メチル−3−ブテン−1−オール801
、ヘキサン80尻lおよびRh4(Co) 120.8
3ηを仕込み、系内を水素と一酸化炭素とのモル比1附
1の混合ガスで充分置換したのち、内圧を同じ混合ガス
で200絶対気圧に保った。反応混合液を攪拌下に30
分で100℃に昇温したのち、100℃に保ってざらに
5時間反応させた。この間、内圧を常に200絶対気圧
に保ち、オフガスとして約57I/hrを常に抜き出し
た。反応終了後、系内金常温、常圧に戻したのち反応混
合液を取り出した。反応混合液をガスクロマトグラフィ
ーで分析したところ3−メチル−3−ブテン−1−オー
ルの変化率は99.2%であった。さらに反応混合液の
少kifc水とエタノールとの体積比1対1の混合溶媒
中、ニッケルケイソウ土を用いて水素還元したのち反応
混合液をガスクロマトグラフィーで分析したところ、生
成物は3−メチル−1,5−ベンタンジオール85壬ル
チおよびイソアミルアルコール15七ルチからなる混合
物であることが判明した。ヒドロホルミル化で得られた
反応混合液からヘキサンを留去したのち、残留液を減圧
蒸留し、沸点80℃/ 10 traHf の留分とし
て化合物(lIi)84 yを得た。
クレーブに3−メチル−3−ブテン−1−オール801
、ヘキサン80尻lおよびRh4(Co) 120.8
3ηを仕込み、系内を水素と一酸化炭素とのモル比1附
1の混合ガスで充分置換したのち、内圧を同じ混合ガス
で200絶対気圧に保った。反応混合液を攪拌下に30
分で100℃に昇温したのち、100℃に保ってざらに
5時間反応させた。この間、内圧を常に200絶対気圧
に保ち、オフガスとして約57I/hrを常に抜き出し
た。反応終了後、系内金常温、常圧に戻したのち反応混
合液を取り出した。反応混合液をガスクロマトグラフィ
ーで分析したところ3−メチル−3−ブテン−1−オー
ルの変化率は99.2%であった。さらに反応混合液の
少kifc水とエタノールとの体積比1対1の混合溶媒
中、ニッケルケイソウ土を用いて水素還元したのち反応
混合液をガスクロマトグラフィーで分析したところ、生
成物は3−メチル−1,5−ベンタンジオール85壬ル
チおよびイソアミルアルコール15七ルチからなる混合
物であることが判明した。ヒドロホルミル化で得られた
反応混合液からヘキサンを留去したのち、残留液を減圧
蒸留し、沸点80℃/ 10 traHf の留分とし
て化合物(lIi)84 yを得た。
冷却器、攪拌装置、温度計を備えた内容300dの三つ
ロフラスコに上記で得られた化合物(III)70?(
0,60モル)、3−メチル−3−ブテン−1−オール
52.46f (0,61モル)、ヘキサン150罰お
よび活性白土32を仕込み、60°Cで攪拌下に1時間
反応させた。反応後の反応混合液なピーク舎#が認めら
れた。反応混合液から活性白土を戸別し、次いでヘキサ
ンを留去したのち残留液を減圧蒸留したところ、沸点8
95〜90,0℃/10wHPの留分として化合物(I
t) 105 fを得た(収率98チ)。
ロフラスコに上記で得られた化合物(III)70?(
0,60モル)、3−メチル−3−ブテン−1−オール
52.46f (0,61モル)、ヘキサン150罰お
よび活性白土32を仕込み、60°Cで攪拌下に1時間
反応させた。反応後の反応混合液なピーク舎#が認めら
れた。反応混合液から活性白土を戸別し、次いでヘキサ
ンを留去したのち残留液を減圧蒸留したところ、沸点8
95〜90,0℃/10wHPの留分として化合物(I
t) 105 fを得た(収率98チ)。
実施例1の(a)における3−メチル−3−ブテン−1
−オールの代わシに化合物(II) x 8o y用い
た以外は実施例1の(a)と同様の反応を行なった。
−オールの代わシに化合物(II) x 8o y用い
た以外は実施例1の(a)と同様の反応を行なった。
反応終了後、反応混合液全ガスクロマトグラフィーで分
析したところ化合物(旧の変化率は99.0チであった
。ざらに反応混合液の少量を水とエタノールとの体積比
1対1の混合溶媒中、ニッケルケイソウ土を用いて水素
還元したのち、反応混合液をガスクロマトグラフィーで
分析したところ、生成物は3−メチル−1,5−ベンタ
ンジオール96七ルチ、2−イソプロピル−1,3−ブ
タンジオール3七ルチおよびイソアミルアルコール1七
ルチからなる混合物であることが判明した。ヒドロホル
ミル化で得られた反応混合液からヘキサンを留去したの
ち、残留液を減圧蒸留し、沸点113〜114℃/ 4
m+n Hyの留分として化合物(1) 81 yを
得だ。この生成物について測定した核磁気共鳴(NMR
)スペクトル(CI)α3中)および赤外線吸収スペク
トル(Naa液膜法による)’?−それぞれ第1図およ
び躯2図に示す。また、この生成物は電解脱離イオン化
(k″D)マススペクトル分析においてΔl+−214
を与えた。
析したところ化合物(旧の変化率は99.0チであった
。ざらに反応混合液の少量を水とエタノールとの体積比
1対1の混合溶媒中、ニッケルケイソウ土を用いて水素
還元したのち、反応混合液をガスクロマトグラフィーで
分析したところ、生成物は3−メチル−1,5−ベンタ
ンジオール96七ルチ、2−イソプロピル−1,3−ブ
タンジオール3七ルチおよびイソアミルアルコール1七
ルチからなる混合物であることが判明した。ヒドロホル
ミル化で得られた反応混合液からヘキサンを留去したの
ち、残留液を減圧蒸留し、沸点113〜114℃/ 4
m+n Hyの留分として化合物(1) 81 yを
得だ。この生成物について測定した核磁気共鳴(NMR
)スペクトル(CI)α3中)および赤外線吸収スペク
トル(Naa液膜法による)’?−それぞれ第1図およ
び躯2図に示す。また、この生成物は電解脱離イオン化
(k″D)マススペクトル分析においてΔl+−214
を与えた。
実施例2
内容100TLlのステンレス製の電磁攪拌式オートク
レーブに実施例1(b)で得られた化合物(II)を1
0y1 トルエン40 ml、 HRh(CO)(P(
C6H5)s)32.3■を仕込み、系内金水素および
一酸化炭素からなる混合ガス(水素/−一酸化炭素モル
比1./1 )で充分置換したのち、内圧を該混合ガス
で100絶対気圧とした。反応混合液を攪拌下に90°
Cで15時間反応させた。この間、内圧を′(イに10
0絶対気圧に保つように、消費された不足分のガスを常
時、供給した。反応終了後、系内金常圧にもどしたのち
反応混合液を取り出しk。反応混合液をガスクロマトグ
ラフィーで分析したところ、化合物(1)が96係の収
率で生成していることか判明した。
レーブに実施例1(b)で得られた化合物(II)を1
0y1 トルエン40 ml、 HRh(CO)(P(
C6H5)s)32.3■を仕込み、系内金水素および
一酸化炭素からなる混合ガス(水素/−一酸化炭素モル
比1./1 )で充分置換したのち、内圧を該混合ガス
で100絶対気圧とした。反応混合液を攪拌下に90°
Cで15時間反応させた。この間、内圧を′(イに10
0絶対気圧に保つように、消費された不足分のガスを常
時、供給した。反応終了後、系内金常圧にもどしたのち
反応混合液を取り出しk。反応混合液をガスクロマトグ
ラフィーで分析したところ、化合物(1)が96係の収
率で生成していることか判明した。
実施例3
内容100 allのステンレス製の電磁攪拌式オート
クレーブに実施例1で得られた化合物(U’)f102
、ヘキ”)−740rnl!、C0z(Co)s 75
”W ’f:仕色み、系内金水素および一酸化炭素か
らなる混合ガス(水素/−一酸化炭素モル比1/1)で
充分直換し7たのち、内圧ケ該混合ガスで200絶対気
圧とした。反応混合液は攪拌下に120℃で2時間反応
させた。この間、内圧を常に200絶対気圧に保つよう
に消費された不足分のガスを常時、供給した。反応終了
後、系内を冷却し、常圧にもどしたのち、反応混合液を
取り出した。反応混合液をガスクロマトグラフィーによ
り分析したところ、化合物(1)が32チの収率で生成
していることが判明した。
クレーブに実施例1で得られた化合物(U’)f102
、ヘキ”)−740rnl!、C0z(Co)s 75
”W ’f:仕色み、系内金水素および一酸化炭素か
らなる混合ガス(水素/−一酸化炭素モル比1/1)で
充分直換し7たのち、内圧ケ該混合ガスで200絶対気
圧とした。反応混合液は攪拌下に120℃で2時間反応
させた。この間、内圧を常に200絶対気圧に保つよう
に消費された不足分のガスを常時、供給した。反応終了
後、系内を冷却し、常圧にもどしたのち、反応混合液を
取り出した。反応混合液をガスクロマトグラフィーによ
り分析したところ、化合物(1)が32チの収率で生成
していることが判明した。
参考例
オールの合成
内容300dのステンレス製電磁攪拌式オートクレーブ
にメタノール100KI、水5Qml、化合物(1)
10 fおよび粉末状ニッケルケイソウ土触媒にッケル
含!50%)2f”を仕込み、水素圧を50絶対気圧に
保ちながら140℃で5時間、攪拌下に化合物(1)を
水素化した。水素化反応終了後、反応混合液全ガスクロ
マトグラフィーで分析したところ、化合物(I)の金貨
が3−メチル−1,5−ベンタンジオールに変換されて
いることが判明した。反応混合液から触媒tF別し、メ
タノールおよび水を留去したのち残留油を減圧蒸留し、
沸点114℃/ 4 tan Hyの留分として純度1
00%の3−メチル−1,5−ベンタンジオール1o、
’tyが得られた。
にメタノール100KI、水5Qml、化合物(1)
10 fおよび粉末状ニッケルケイソウ土触媒にッケル
含!50%)2f”を仕込み、水素圧を50絶対気圧に
保ちながら140℃で5時間、攪拌下に化合物(1)を
水素化した。水素化反応終了後、反応混合液全ガスクロ
マトグラフィーで分析したところ、化合物(I)の金貨
が3−メチル−1,5−ベンタンジオールに変換されて
いることが判明した。反応混合液から触媒tF別し、メ
タノールおよび水を留去したのち残留油を減圧蒸留し、
沸点114℃/ 4 tan Hyの留分として純度1
00%の3−メチル−1,5−ベンタンジオール1o、
’tyが得られた。
冷却器、攪拌装置および温度計を備えた内容r−00m
gの三つロフラスコに化合物(1) ] Oy、;3−
メチル−3−ブテン−1−オール8.6F(0,1モル
)、ヘキサン20dおよび活性白土1.1を仕込み、6
5℃で攪拌下に1時間反応させた。得られた反応混合液
をガスクロマトグラフィーで分析し7たところクロマト
グラム上に化合物(1)のピークは認められず、未反応
の3−メチル−3−ブテン−1−オールのピーク以外に
は新たに化合物(II)のピークのみが認められた。化
合物(■)の収率は反応した3−メチル−3−ブテン−
1−オール基準で99チであった。
gの三つロフラスコに化合物(1) ] Oy、;3−
メチル−3−ブテン−1−オール8.6F(0,1モル
)、ヘキサン20dおよび活性白土1.1を仕込み、6
5℃で攪拌下に1時間反応させた。得られた反応混合液
をガスクロマトグラフィーで分析し7たところクロマト
グラム上に化合物(1)のピークは認められず、未反応
の3−メチル−3−ブテン−1−オールのピーク以外に
は新たに化合物(II)のピークのみが認められた。化
合物(■)の収率は反応した3−メチル−3−ブテン−
1−オール基準で99チであった。
本発明によシ新規かつ有用な化合物(1)およびその製
造方法が提供された。該化合物(1)を例えば3−メチ
ル−3−ブテン−1−オールを見掛は上の原料とする3
−メチル−1,5−ベンタンジオールの製造プロセスに
おける合成中間体として使用する場合、3−メチル−3
−ブテン−1−オールを直接ヒドロホルミル化したのち
得られる生成物を水素化することからなる従来公知の3
−メチ/L/−1,5−ベンタンジオールの製造法に比
し、副生物の生成を大幅に抑制できるために著しく高い
収率で3−メチル−1,5−ベンタンジオールを得るこ
とができる。
造方法が提供された。該化合物(1)を例えば3−メチ
ル−3−ブテン−1−オールを見掛は上の原料とする3
−メチル−1,5−ベンタンジオールの製造プロセスに
おける合成中間体として使用する場合、3−メチル−3
−ブテン−1−オールを直接ヒドロホルミル化したのち
得られる生成物を水素化することからなる従来公知の3
−メチ/L/−1,5−ベンタンジオールの製造法に比
し、副生物の生成を大幅に抑制できるために著しく高い
収率で3−メチル−1,5−ベンタンジオールを得るこ
とができる。
第1図は本発明の化合物について測定した核磁気共鳴ス
ペクトルを示し、第2図は本発明の化合物について測定
した赤外線吸収スペクトルを示すO 特許出願人 株式会社 り ラ し 代理人弁理士本多 堅
ペクトルを示し、第2図は本発明の化合物について測定
した赤外線吸収スペクトルを示すO 特許出願人 株式会社 り ラ し 代理人弁理士本多 堅
Claims (1)
- 1.5−(テトラヒドロ−4−メチル−2H−2−ピラ
ノキシ)−3−メチルペンタナール。 2、 テトラヒドロ−2−(3−メチル−3−ブテノキ
シ)−4−メチル−2H−ビランをロジウム化合物また
はコバルト化合物の存在下に一酸化炭素および水素と反
応させることを特徴とする5−(テトラヒドロ−4−メ
チル−2H−2−ピラノキシ)−3−メチルペンタナー
ルの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10908784A JPS60252478A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 5−(テトラヒドロ−4−メチル−2h−2−ピラノキシ)−3−メチルペンタナ−ルおよびその製造方法 |
US06/710,852 US4663468A (en) | 1984-03-14 | 1985-03-12 | Hydroformylation of 3-methyl-3-buten-1-ol and analogs thereof and use of such hydroformylation products |
DE8585102963T DE3572975D1 (en) | 1984-03-14 | 1985-03-14 | Hydroformylation of 3-methyl-3-buten-1-ol and use of such hydroformylation products |
EP85102963A EP0155002B1 (en) | 1984-03-14 | 1985-03-14 | Hydroformylation of 3-methyl-3-buten-1-ol and use of such hydroformylation products |
US07/013,535 US4861922A (en) | 1984-03-14 | 1987-02-11 | Hydroformylation of 3-methyl-3-buten-1-ol and analogs thereof and use of such hydroformylation products |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10908784A JPS60252478A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 5−(テトラヒドロ−4−メチル−2h−2−ピラノキシ)−3−メチルペンタナ−ルおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60252478A true JPS60252478A (ja) | 1985-12-13 |
Family
ID=14501259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10908784A Pending JPS60252478A (ja) | 1984-03-14 | 1984-05-28 | 5−(テトラヒドロ−4−メチル−2h−2−ピラノキシ)−3−メチルペンタナ−ルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60252478A (ja) |
-
1984
- 1984-05-28 JP JP10908784A patent/JPS60252478A/ja active Pending
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