JPS60249228A - 撮像タ−ゲツト - Google Patents
撮像タ−ゲツトInfo
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- JPS60249228A JPS60249228A JP59105118A JP10511884A JPS60249228A JP S60249228 A JPS60249228 A JP S60249228A JP 59105118 A JP59105118 A JP 59105118A JP 10511884 A JP10511884 A JP 10511884A JP S60249228 A JPS60249228 A JP S60249228A
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- Japan
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/451—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions
- H01J29/456—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions exhibiting no discontinuities, e.g. consisting of uniform layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、水素を含有した非晶質シリコン系からなる撮
像ターｃｙトの改良に係り、特に解像度及び残像特性を
改良した撮像ターゲットに関する。
像ターｃｙトの改良に係り、特に解像度及び残像特性を
改良した撮像ターゲットに関する。
従来、水素を含有した非晶質シリコン系を使用した撮像
ターゲットの構造は第１図に示されるごとく、透光性基
板１１上に、透明導電膜１２としてＳｎＯ□ネサ膜を被
着し、この透明導電膜１２上に、正孔阻止膜１３として
８１０２６るいはａ−８ｌｘＮ１−Ｘを被着し、との正
孔阻止膜１３上に、光導電膜として水素を含有した非晶
質シリコン（以下！Ｌ−８ｌ：Ｈと略記する）膜１４を
被着し、更にこのａ−８１：Ｈ膜１４上に、電子ビーム
ランデング層１５として５ｂ２８３などのポーラスなカ
ルコゲナイド層を被着して、各層は順次積層されている
。前記ａ−８ｌ：Ｈ膜１４はスパッタ法やグロー放電分
解法などで形成されるが、スノや、夕法で形成したター
ゲット構造では正孔のトリアドモビリティが小さいため
に、飽和信号電荷を取シ出すためのターゲット電圧は、
少な（とも２０〜３０Ｖ程度の高い電圧が必要である。
ターゲットの構造は第１図に示されるごとく、透光性基
板１１上に、透明導電膜１２としてＳｎＯ□ネサ膜を被
着し、この透明導電膜１２上に、正孔阻止膜１３として
８１０２６るいはａ−８ｌｘＮ１−Ｘを被着し、との正
孔阻止膜１３上に、光導電膜として水素を含有した非晶
質シリコン（以下！Ｌ−８ｌ：Ｈと略記する）膜１４を
被着し、更にこのａ−８１：Ｈ膜１４上に、電子ビーム
ランデング層１５として５ｂ２８３などのポーラスなカ
ルコゲナイド層を被着して、各層は順次積層されている
。前記ａ−８ｌ：Ｈ膜１４はスパッタ法やグロー放電分
解法などで形成されるが、スノや、夕法で形成したター
ゲット構造では正孔のトリアドモビリティが小さいため
に、飽和信号電荷を取シ出すためのターゲット電圧は、
少な（とも２０〜３０Ｖ程度の高い電圧が必要である。
ターゲット電圧が高くなると暗電流増加あるいはきすが
発生して、撮像にとって好しくない現象が起きることが
知られている。グロー放電分解法で形成した場合は、ス
・母ツタ法に比べて正孔のドリフトモビリティが大きい
のでターダット電圧は低くできるが、電子ビームの注入
阻止膜がないために暗電流が高い欠点を有している。こ
れらの欠点は電子及び正孔のおのおのに対して阻止形に
する構造によって改善できる。
発生して、撮像にとって好しくない現象が起きることが
知られている。グロー放電分解法で形成した場合は、ス
・母ツタ法に比べて正孔のドリフトモビリティが大きい
のでターダット電圧は低くできるが、電子ビームの注入
阻止膜がないために暗電流が高い欠点を有している。こ
れらの欠点は電子及び正孔のおのおのに対して阻止形に
する構造によって改善できる。
阻止形ターケ゛ット構造の一例として高比抵抗のａ −
Ｓｉ ：Ｈ層上に、電子の阻止層としてＰ型のａ −Ｓ
ｔ ：Ｈ膜を積層するホモ接合形が考えられる。
Ｓｉ ：Ｈ層上に、電子の阻止層としてＰ型のａ −Ｓ
ｔ ：Ｈ膜を積層するホモ接合形が考えられる。
しかし力から、Ｐ型のａ −Ｓｌ ：Ｈ膜は非晶質の分
野で良く知られているように活性化エネルギが小さくな
るにしたがって・ぐンドギャップ及び比抵抗が急激に小
さくなる。この影響をなくすため約ｌＯＯ〜２００１程
度の厚さで積層した場合、薄膜効果で比抵抗の値を大き
くするととができるものの、暗電流の増加及び解像度の
劣化があシ、必ずしも電子の阻止機能及び電荷の蓄積機
能を有するものではなかった。阻止形の他の構造として
、ａ−８ｔ：Ｈ膜のバンドギャップより大きなバンドギ
ャップを有する絶縁体を積層させるヘテロ接合が考えら
れる。ヘテロ接合の例としてａ −Ｓ ｉ ＸＮ１−ｘ
膜を積層させることが知られている。しかしこの場合、
Ｉ型であるため、信号電荷である正孔も阻止してしまい
飽和信号電流を与えるが、ターダット電圧は１０７前後
と高くなる。従ってａ −Ｓ ｉ ＸＮ、−８膜の厚さ
も１００Ｘ程度に薄（し々ければならず暗電流の立ち上
がシも早くなる。この様な観点から特開昭５７−２３１
００３号公報に示すとと（、電子阻止層としてＰ型のａ
−８ｉＣ：Ｈ層を使用するヘテロ接合形を提案した。こ
の構造では電子ビームランデング層として５ｂ２８３層
の有無にかかわらず特性的には何ら差異はなかった。例
えばＰ型のａ−８ｉＣ：Ｈ層を約２００Ｘ付着させた約
３μの厚さの１吋の撮像管では規定光量条件で飽和信号
電流２００ ｎＡを与えるターダット電圧は４〜５Ｖ程
度で、ビームランデング電圧を考慮すれば無印加状態で
すでに信号電荷は飽和していると考えられる。また解像
度は約７５０〜８０ＯＴＶ本で、残像は３フイールドで
約１２％程度であった。また暗電流はターｒヮト電圧が
３０Ｖ近傍まで１ ｎＡ以下であった。この様にヘテロ
接合形でも、ｌ型のａ −Ｓ ｉ ＸＮ１−Ｘを使用す
るよシも、Ｐ型のａ −ＳｉＣ：Ｈを使用する方が特性
的に優れていることが判明した。しかしながら、上記緒
特性から理解できるように、他の光導電膜のターグット
に比較して、解像度及び残像の点で若干劣ることがわか
った。
野で良く知られているように活性化エネルギが小さくな
るにしたがって・ぐンドギャップ及び比抵抗が急激に小
さくなる。この影響をなくすため約ｌＯＯ〜２００１程
度の厚さで積層した場合、薄膜効果で比抵抗の値を大き
くするととができるものの、暗電流の増加及び解像度の
劣化があシ、必ずしも電子の阻止機能及び電荷の蓄積機
能を有するものではなかった。阻止形の他の構造として
、ａ−８ｔ：Ｈ膜のバンドギャップより大きなバンドギ
ャップを有する絶縁体を積層させるヘテロ接合が考えら
れる。ヘテロ接合の例としてａ −Ｓ ｉ ＸＮ１−ｘ
膜を積層させることが知られている。しかしこの場合、
Ｉ型であるため、信号電荷である正孔も阻止してしまい
飽和信号電流を与えるが、ターダット電圧は１０７前後
と高くなる。従ってａ −Ｓ ｉ ＸＮ、−８膜の厚さ
も１００Ｘ程度に薄（し々ければならず暗電流の立ち上
がシも早くなる。この様な観点から特開昭５７−２３１
００３号公報に示すとと（、電子阻止層としてＰ型のａ
−８ｉＣ：Ｈ層を使用するヘテロ接合形を提案した。こ
の構造では電子ビームランデング層として５ｂ２８３層
の有無にかかわらず特性的には何ら差異はなかった。例
えばＰ型のａ−８ｉＣ：Ｈ層を約２００Ｘ付着させた約
３μの厚さの１吋の撮像管では規定光量条件で飽和信号
電流２００ ｎＡを与えるターダット電圧は４〜５Ｖ程
度で、ビームランデング電圧を考慮すれば無印加状態で
すでに信号電荷は飽和していると考えられる。また解像
度は約７５０〜８０ＯＴＶ本で、残像は３フイールドで
約１２％程度であった。また暗電流はターｒヮト電圧が
３０Ｖ近傍まで１ ｎＡ以下であった。この様にヘテロ
接合形でも、ｌ型のａ −Ｓ ｉ ＸＮ１−Ｘを使用す
るよシも、Ｐ型のａ −ＳｉＣ：Ｈを使用する方が特性
的に優れていることが判明した。しかしながら、上記緒
特性から理解できるように、他の光導電膜のターグット
に比較して、解像度及び残像の点で若干劣ることがわか
った。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、解像度及び
残像を改良した撮像ターゲットを提供することを目的と
する。
残像を改良した撮像ターゲットを提供することを目的と
する。
本発明は、透光性基板上に被着された透明導電膜と、こ
の透明導電膜上に直接もしくは正孔阻止膜を介して被着
された光導電膜と、この光導電膜上に被着されたＰ型の
非晶質Ｓ％Ｃ：Ｈ膜もしくはＰ型の非晶質Ｓｌ ：Ｎ：
Ｈ膜よシなるＰ型薄膜と、このＰ型薄膜上に被着された
非晶質ＳＩＣ：Ｈもしくは非晶質Ｓｉ ：Ｎ：Ｈよシな
るポーラスなＰ型薄膜とを具備することを特徴とする撮
像ターダー５− ットである。
の透明導電膜上に直接もしくは正孔阻止膜を介して被着
された光導電膜と、この光導電膜上に被着されたＰ型の
非晶質Ｓ％Ｃ：Ｈ膜もしくはＰ型の非晶質Ｓｌ ：Ｎ：
Ｈ膜よシなるＰ型薄膜と、このＰ型薄膜上に被着された
非晶質ＳＩＣ：Ｈもしくは非晶質Ｓｉ ：Ｎ：Ｈよシな
るポーラスなＰ型薄膜とを具備することを特徴とする撮
像ターダー５− ットである。
以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す撮像ターゲットである
。第２図において、透光性基板２１上には透明導電膜２
２としてＳ ｎ Ｏ２ネサ膜が被着形成されている。以
下に述べる膜形成はグロー放電分解法によっている。形
成条件としては特に言及しない限シ基板温度２５０℃、
圧力Ｉ Ｔｏｒｒで行なった。また５ＩＨ４とＣＨ４の
混合ガスにより形成されたｌ型のａ −ＳｉＣ：Ｈであ
シ約１５０Ｘ程度被着されている。前記正孔阻止膜２３
上には光導電膜２４が被着される。この光導電膜２４は
アンドープのａ−８１：Ｈ膜で比抵抗が約１０１１〜１
０１２０α有し、厚さ約３μ被着されている。前記光導
電膜２４上にはＰ型薄膜よシなる電子注入阻止及び電荷
蓄積層２５が被着される。この電子注入阻止及び電荷蓄
積層２５はＰ型のａ −ＳｉＣ：Ｈ膜で約１０００膜程
度被着されている。このＰ型のｈ −ＳｉＣ：Ｈ６膜、
ＳｉＨ４と６− ＣＨ４ガスにドーピング材であるＢ２Ｈ６ガスを混合す
ることによって形成されＢ２Ｈ６／５ｉＨ４＝ ０．２
％のドーピング条件において、バルク値として、バンド
ギャップ値２． ＯｅＶ 、活性化エネルギ０．８ｅＶ
、比抵抗１０９（ΩｃＴｎ）の特性を有するものである
。厚さが約１００Ｘ程度では薄膜効果により比抵抗とし
て１０１１〜１０１２（Ωｍ）程度の値を有するものと
推定される。この膜厚は解像度を低下させず、且つａ−
８ｌ：Ｈ層と均一な接合面を形成できる限界の薄さから
決定された。前記電子注入阻止及び電荷蓄積層２５上に
はポーラス々Ｐ型薄膜よシなる電子ビームランデング層
２６が被着される。この電子ビームランデング層２６と
して、充填率が１０〜２０％のポーラスなＰ型ａ −Ｓ
ｉＣ：Ｈ層を約１０００１程度付着した。
。第２図において、透光性基板２１上には透明導電膜２
２としてＳ ｎ Ｏ２ネサ膜が被着形成されている。以
下に述べる膜形成はグロー放電分解法によっている。形
成条件としては特に言及しない限シ基板温度２５０℃、
圧力Ｉ Ｔｏｒｒで行なった。また５ＩＨ４とＣＨ４の
混合ガスにより形成されたｌ型のａ −ＳｉＣ：Ｈであ
シ約１５０Ｘ程度被着されている。前記正孔阻止膜２３
上には光導電膜２４が被着される。この光導電膜２４は
アンドープのａ−８１：Ｈ膜で比抵抗が約１０１１〜１
０１２０α有し、厚さ約３μ被着されている。前記光導
電膜２４上にはＰ型薄膜よシなる電子注入阻止及び電荷
蓄積層２５が被着される。この電子注入阻止及び電荷蓄
積層２５はＰ型のａ −ＳｉＣ：Ｈ膜で約１０００膜程
度被着されている。このＰ型のｈ −ＳｉＣ：Ｈ６膜、
ＳｉＨ４と６− ＣＨ４ガスにドーピング材であるＢ２Ｈ６ガスを混合す
ることによって形成されＢ２Ｈ６／５ｉＨ４＝ ０．２
％のドーピング条件において、バルク値として、バンド
ギャップ値２． ＯｅＶ 、活性化エネルギ０．８ｅＶ
、比抵抗１０９（ΩｃＴｎ）の特性を有するものである
。厚さが約１００Ｘ程度では薄膜効果により比抵抗とし
て１０１１〜１０１２（Ωｍ）程度の値を有するものと
推定される。この膜厚は解像度を低下させず、且つａ−
８ｌ：Ｈ層と均一な接合面を形成できる限界の薄さから
決定された。前記電子注入阻止及び電荷蓄積層２５上に
はポーラス々Ｐ型薄膜よシなる電子ビームランデング層
２６が被着される。この電子ビームランデング層２６と
して、充填率が１０〜２０％のポーラスなＰ型ａ −Ｓ
ｉＣ：Ｈ層を約１０００１程度付着した。
ポーラスなＰ型のａ −ＳｉＣ：Ｈ膜は、Ｂ２Ｈ６／５
ｌＨ４−０，０８％とドーピング条件を変化させ、基板
温度を約１３０℃と低くシ、また、放電パワーを若干大
きくして形成した。このとき粒界効果もあって比抵抗は
１０１１〜１０１２（Ωｃｒｎ）程度であつた。
ｌＨ４−０，０８％とドーピング条件を変化させ、基板
温度を約１３０℃と低くシ、また、放電パワーを若干大
きくして形成した。このとき粒界効果もあって比抵抗は
１０１１〜１０１２（Ωｃｒｎ）程度であつた。
この様に構成された撮像ターゲットにおいては、電子ビ
ームランデング層がポーラスなＰ型ａ −ＳＩＣ：Ｈ膜
であるため、ｉ型に近いＰ型と言われているＳｂ２Ｓ５
膜に比較して、電子ビームランデング特性が改善され、
電子ビーム電流として約２０％低減することができた。
ームランデング層がポーラスなＰ型ａ −ＳＩＣ：Ｈ膜
であるため、ｉ型に近いＰ型と言われているＳｂ２Ｓ５
膜に比較して、電子ビームランデング特性が改善され、
電子ビーム電流として約２０％低減することができた。
解像度については従来例と比較してＰ型のａ −ＳＩＣ
：Ｈ層の厚さが薄くなったことも加味されて、８００Ｔ
■本以上と向上し、また残像も３フイールドで約９％と
約２５７０改善された。この様に電子ビームランデング
層としてポーラスなＰ型のａ−８ｉＣ：Ｈを使用する効
果は極めて大きいととがわかる。
：Ｈ層の厚さが薄くなったことも加味されて、８００Ｔ
■本以上と向上し、また残像も３フイールドで約９％と
約２５７０改善された。この様に電子ビームランデング
層としてポーラスなＰ型のａ−８ｉＣ：Ｈを使用する効
果は極めて大きいととがわかる。
更に、このポーラス膜の改善によって本発明構造のター
ゲット諸特性を更に改善することが期待できる。
ゲット諸特性を更に改善することが期待できる。
上記実砲例ではポーラス膜としてＰ型のａ−８ｉＣ：Ｈ
ＶｒＣついて説明したが同様な効果はポーラスなＰ型の
ａ−８ｉ：Ｎ：Ｈ膜についても得られる。
ＶｒＣついて説明したが同様な効果はポーラスなＰ型の
ａ−８ｉ：Ｎ：Ｈ膜についても得られる。
また電子注入阻止層及び電荷蓄積層についても同様にＰ
型の畠−８１：Ｎ：Ｈ膜でもよい。
型の畠−８１：Ｎ：Ｈ膜でもよい。
以上説明した様に本発明による撮像ターゲットによれば
、電子注入阻止及び電荷蓄積機能を有するＰ型ａ −Ｓ
ｉＣ：ＨもしくはＰ ｍａ −Ｓｉ：Ｎ：Ｈ上に、ポー
ラスなＰ型ａ −ＳｉＣ：ＨもしくはポーラスなＰ型ａ
−Ｓｉ：Ｎ：Ｈ層を積層し、このポーラス層を電子ビ
ームランデング層とすることによシ、残像特性及び解像
度のよい撮像管が得られるなどの優れた効果を有する。
、電子注入阻止及び電荷蓄積機能を有するＰ型ａ −Ｓ
ｉＣ：ＨもしくはＰ ｍａ −Ｓｉ：Ｎ：Ｈ上に、ポー
ラスなＰ型ａ −ＳｉＣ：ＨもしくはポーラスなＰ型ａ
−Ｓｉ：Ｎ：Ｈ層を積層し、このポーラス層を電子ビ
ームランデング層とすることによシ、残像特性及び解像
度のよい撮像管が得られるなどの優れた効果を有する。
第１図は従来の撮像ター１” ｙ ）を示す断面図、第
２図は本発明の一実施例を示す断面図である。 ２１・・・透光性基板、２２・・・透明導電膜、２３・
・・正孔阻止膜（１型ａ −ＳＩＣ：Ｈ）、２４−ａ−
８ｉ：Ｈ膜（アンドープ）、２５・・・電子注入阻止及
び電荷蓄積層（Ｐ型ａ −ＳｉＣ：Ｈ又はＰ型ａ −８
１：Ｎ：Ｈ）、２６・・・［子ビームランデング層（ポ
ーラスミＰ型ａ −ＳｉＣ：Ｈ又はポーラスなＰ型＆
−Ｓｔ ：Ｎ：’Ｈ）。 ９− 第１図 第２図
２図は本発明の一実施例を示す断面図である。 ２１・・・透光性基板、２２・・・透明導電膜、２３・
・・正孔阻止膜（１型ａ −ＳＩＣ：Ｈ）、２４−ａ−
８ｉ：Ｈ膜（アンドープ）、２５・・・電子注入阻止及
び電荷蓄積層（Ｐ型ａ −ＳｉＣ：Ｈ又はＰ型ａ −８
１：Ｎ：Ｈ）、２６・・・［子ビームランデング層（ポ
ーラスミＰ型ａ −ＳｉＣ：Ｈ又はポーラスなＰ型＆
−Ｓｔ ：Ｎ：’Ｈ）。 ９− 第１図 第２図
Claims (1)
- 透光性基板上に被着された透明導電膜と、この透明導電
膜上に直接もしくは正孔阻止膜を介して被着された光導
電膜と、この光導電膜上に被着されたＰ型の非晶質Ｓｉ
Ｃ：Ｈ膜もしくはＰ型の非晶質Ｓｉ：Ｎ：Ｈ膜よりなる
Ｐ型薄膜と、このＰ型薄膜上に被着された非晶質ｓｉｃ
：ｎもしくは非晶質８ｉ ：Ｎ：Ｈよシなるポーラスな
Ｐ型薄膜とを具備することを特徴とする撮像ターゲット
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59105118A JPS60249228A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 撮像タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59105118A JPS60249228A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 撮像タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60249228A true JPS60249228A (ja) | 1985-12-09 |
Family
ID=14398900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59105118A Pending JPS60249228A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 撮像タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60249228A (ja) |
-
1984
- 1984-05-24 JP JP59105118A patent/JPS60249228A/ja active Pending
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