JPS60248228A - バブリング装置 - Google Patents
バブリング装置Info
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- JPS60248228A JPS60248228A JP10371284A JP10371284A JPS60248228A JP S60248228 A JPS60248228 A JP S60248228A JP 10371284 A JP10371284 A JP 10371284A JP 10371284 A JP10371284 A JP 10371284A JP S60248228 A JPS60248228 A JP S60248228A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/008—Feed or outlet control devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
- C03B2207/86—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid by bubbling a gas through the liquid
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- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は光ファイバや半導体製造装置において、精密に
流量がコントロールされた原料ガスを反応容器へ送るた
めのバブリング装置に係る。
流量がコントロールされた原料ガスを反応容器へ送るた
めのバブリング装置に係る。
〈従来技術〉
光ファイバや半導体製造装置において原料液を保ったバ
ブラー容器にキャリヤガスを送給して原料液をバブリン
グし、原料ガスとキャリアガスの混合気体にして配管を
通じて反応容器へ送るバブリング装置は広く用いられて
いる。このようなバブリング装置においては混合気体中
の原料ガスの流量を精密にコントロールするための一方
法としてバブラー容器に導入するキャリアガスの流量を
精密にコントロールするとともに、混合気体が送通する
上記配管中に一定温度に保たれたコンデンサを介装し、
コンデンサによって混合ガスをコンデンサの温度におけ
る原料ガスの飽和蒸気とすることが知られている。
ブラー容器にキャリヤガスを送給して原料液をバブリン
グし、原料ガスとキャリアガスの混合気体にして配管を
通じて反応容器へ送るバブリング装置は広く用いられて
いる。このようなバブリング装置においては混合気体中
の原料ガスの流量を精密にコントロールするための一方
法としてバブラー容器に導入するキャリアガスの流量を
精密にコントロールするとともに、混合気体が送通する
上記配管中に一定温度に保たれたコンデンサを介装し、
コンデンサによって混合ガスをコンデンサの温度におけ
る原料ガスの飽和蒸気とすることが知られている。
このような従来のバブリング装置の１例の構成図を第１
図に示す。第１図に示すバブリング装置によれば、気密
なバブラー容器１には原料液２が収容されるとともに、
バブラー容器１の外周面にはヒータ３が装着されてバブ
ラー容器１の原料液を所定の温度に保っている。バブラ
ー容器１には液２中に開放端を有する配管４が挿入され
ている。配管４には精密流量計５が介装されている。精
密流量計５としては質量流量計が広く用いられ、配管４
内を流れバブラー容器１へ供給されるキャリアガスの流
量を精密に測定している。一方気密なバブラー容器１の
原料液２の上部空間に吸入端Ｐをもつ配管６が導出され
、配管６はコンデンサ７０巻管９の下端Ｑへ接続されて
いる。コンデンサ７は循環水享１テよって一定温度に保
たれている。巻管９の上端Ｒには反応容器（図示せず）
に導かれる配管８が接続されている。配管６と配管８に
は加熱手段（図示せず）が設けられている。第１図に示
す装置において、キャリアガスが精密流量計５で精密に
流量コントロールされ、配管４を通じてバブラー容器１
の原料液２内へ送給される。キャリアガスはバブラー容
器１の原料液２をバブリングすることによって、バブラ
ー容器１の原料液２の上部空間にキャリアガスと原料ガ
スの混合ガスを充満する。キャリアガスの流量が多い場
合、通常混合ガスはバブラー容器温度では原料ガスの飽
和蒸気とはならないので、コンデンサ７の出口で混合ガ
スをコンデンサ温度での原料ガスの飽和蒸気とするため
に原料液２の液温はヒータ３によってコンデンサ温度よ
り高く保たれる。通常原料液温度とコンデンサ温度の差
は５℃〜１０℃である。バブラー容器上部の混合ガスは
配管６、コンデンサ７、配管８を経て反応容器に導かれ
る。コンデンサ７は循環温水によって一定温度に保たれ
ており、コンデンサ７を通過した混合ガスはコンデンサ
温度まで冷却されコンデンサ温度の飽和蒸気となる。こ
の過程で過剰の原料ガスはコンデンサ内の巻管９内で凝
縮し、凝縮した原料液は重力によって巻管９から配管６
を経てバブラー容器１へ戻る。
図に示す。第１図に示すバブリング装置によれば、気密
なバブラー容器１には原料液２が収容されるとともに、
バブラー容器１の外周面にはヒータ３が装着されてバブ
ラー容器１の原料液を所定の温度に保っている。バブラ
ー容器１には液２中に開放端を有する配管４が挿入され
ている。配管４には精密流量計５が介装されている。精
密流量計５としては質量流量計が広く用いられ、配管４
内を流れバブラー容器１へ供給されるキャリアガスの流
量を精密に測定している。一方気密なバブラー容器１の
原料液２の上部空間に吸入端Ｐをもつ配管６が導出され
、配管６はコンデンサ７０巻管９の下端Ｑへ接続されて
いる。コンデンサ７は循環水享１テよって一定温度に保
たれている。巻管９の上端Ｒには反応容器（図示せず）
に導かれる配管８が接続されている。配管６と配管８に
は加熱手段（図示せず）が設けられている。第１図に示
す装置において、キャリアガスが精密流量計５で精密に
流量コントロールされ、配管４を通じてバブラー容器１
の原料液２内へ送給される。キャリアガスはバブラー容
器１の原料液２をバブリングすることによって、バブラ
ー容器１の原料液２の上部空間にキャリアガスと原料ガ
スの混合ガスを充満する。キャリアガスの流量が多い場
合、通常混合ガスはバブラー容器温度では原料ガスの飽
和蒸気とはならないので、コンデンサ７の出口で混合ガ
スをコンデンサ温度での原料ガスの飽和蒸気とするため
に原料液２の液温はヒータ３によってコンデンサ温度よ
り高く保たれる。通常原料液温度とコンデンサ温度の差
は５℃〜１０℃である。バブラー容器上部の混合ガスは
配管６、コンデンサ７、配管８を経て反応容器に導かれ
る。コンデンサ７は循環温水によって一定温度に保たれ
ており、コンデンサ７を通過した混合ガスはコンデンサ
温度まで冷却されコンデンサ温度の飽和蒸気となる。こ
の過程で過剰の原料ガスはコンデンサ内の巻管９内で凝
縮し、凝縮した原料液は重力によって巻管９から配管６
を経てバブラー容器１へ戻る。
配管６及び配管８はこれら配管内で混合ガスの原料ガス
が凝縮しないようにコンデンサ温度以上に保たれる。か
くしてキャリアガスの流量を精密に制御し混合ガスをコ
ンデンサ温度での飽和蒸気とすることによし、原料ガス
の分圧を一定にすることによって原料ガスの流量が精密
に制御された混合ガスを反応容器へ送ることができる。
が凝縮しないようにコンデンサ温度以上に保たれる。か
くしてキャリアガスの流量を精密に制御し混合ガスをコ
ンデンサ温度での飽和蒸気とすることによし、原料ガス
の分圧を一定にすることによって原料ガスの流量が精密
に制御された混合ガスを反応容器へ送ることができる。
しかしこのようなバブリング装置では混合ガス流量が増
加していくと、コンデンサ内で凝縮しバブラー容器へ落
下しようとする原料液と反応容器へ向う混合ガス流は向
きが逆のため、原料液の巻管９内での流れが阻害されて
配管６を通じてバブラー容器１へ戻ることができずコン
デンサ巻管９内に滞留したシ、あるいはコンデンサ７か
ら反応容器の力へ流れるようになる。
加していくと、コンデンサ内で凝縮しバブラー容器へ落
下しようとする原料液と反応容器へ向う混合ガス流は向
きが逆のため、原料液の巻管９内での流れが阻害されて
配管６を通じてバブラー容器１へ戻ることができずコン
デンサ巻管９内に滞留したシ、あるいはコンデンサ７か
ら反応容器の力へ流れるようになる。
このような状態を放置しておくと滞留した凝縮液により
コンデンサ７内の混合ガス流に対する管内抵抗が増大し
、原料ガスを反応容器へ安定して送れなくなったシ、コ
ンデンサ巻管９内を逆流した原料液が配管８に達し、高
温の配管８内で再気化し、反応容器へ送られることによ
って、コンデンサ７による原料ガスの流量制御の機能が
失なわれ、目的を達することができなくなる。このよう
な問題を解決する最も簡単な手段はコンデンサの巻管９
の径を太くすることである。しかしコンデンサの巻管９
の径を太くするにはコンデンサを大型にしなければなら
ない欠点がある。またコンデンサの巻管を複数本並列に
接続して、巻管１本当りの混合ガス流を減らす手段もあ
るが、この場合混合ガス流を全ての巻管に一様に分流す
ることが難かしいのに加えてコンデンサ全体の太きさも
大きくなる欠点がある。
コンデンサ７内の混合ガス流に対する管内抵抗が増大し
、原料ガスを反応容器へ安定して送れなくなったシ、コ
ンデンサ巻管９内を逆流した原料液が配管８に達し、高
温の配管８内で再気化し、反応容器へ送られることによ
って、コンデンサ７による原料ガスの流量制御の機能が
失なわれ、目的を達することができなくなる。このよう
な問題を解決する最も簡単な手段はコンデンサの巻管９
の径を太くすることである。しかしコンデンサの巻管９
の径を太くするにはコンデンサを大型にしなければなら
ない欠点がある。またコンデンサの巻管を複数本並列に
接続して、巻管１本当りの混合ガス流を減らす手段もあ
るが、この場合混合ガス流を全ての巻管に一様に分流す
ることが難かしいのに加えてコンデンサ全体の太きさも
大きくなる欠点がある。
〈発明の目的〉
本発明はかかる従来技術の欠点に鑑みてなされたもので
、安定して大流量の原料ガスを反応容器に送ることを可
能にしたバブリング装置を提供することを目的とするも
のである。
、安定して大流量の原料ガスを反応容器に送ることを可
能にしたバブリング装置を提供することを目的とするも
のである。
〈問題点解決の具体的手段〉
かかる目的を達成した本発明によるバブリング装置の構
成は、バブラー容器に保たれた液体の原料をキャリアガ
スでバブリングしてキャリアガスと原料ガスの混合ガス
を作り、該、混合ガスを一定温度に保たれたコンデンサ
の巻管な通過させて、該混合ガスをコンデンサの上記温
度における原料ガスの飽和蒸気として反応容器に導くバ
ブリング装置において、上記バブラー容器から反応容器
に上記混合ガスを供給する配管が、上記バブラー容器の
液体上部の空間から導出され、上記コンデンサの巻管の
上端から下端を経て、さらに下端に設けられた２分岐管
の一方の上方に向う分岐を経て上記反応容器に導かれ、
上記分岐管の他方の下方に向う分岐は上記容器の液体中
に開放されていることを特徴とするものである。
成は、バブラー容器に保たれた液体の原料をキャリアガ
スでバブリングしてキャリアガスと原料ガスの混合ガス
を作り、該、混合ガスを一定温度に保たれたコンデンサ
の巻管な通過させて、該混合ガスをコンデンサの上記温
度における原料ガスの飽和蒸気として反応容器に導くバ
ブリング装置において、上記バブラー容器から反応容器
に上記混合ガスを供給する配管が、上記バブラー容器の
液体上部の空間から導出され、上記コンデンサの巻管の
上端から下端を経て、さらに下端に設けられた２分岐管
の一方の上方に向う分岐を経て上記反応容器に導かれ、
上記分岐管の他方の下方に向う分岐は上記容器の液体中
に開放されていることを特徴とするものである。
〈実施例〉
本発明によるバブリング装置の実施例を図面に従って説
明する。
明する。
第２図は本発明によるバブリング装置の構成周面にはヒ
ータ３が装置されている。ヒータ３は原料液２を所定の
温度に保つためのものである。バブラー容器１にはキャ
リアガスを供給する配管４が原料液２中に挿入されてい
る。配管４の途中には送給されるキャリアガスの流量を
測定する精密流量計５が介装されている。精密流量計５
としては質量流量計が広く用いられる。
ータ３が装置されている。ヒータ３は原料液２を所定の
温度に保つためのものである。バブラー容器１にはキャ
リアガスを供給する配管４が原料液２中に挿入されてい
る。配管４の途中には送給されるキャリアガスの流量を
測定する精密流量計５が介装されている。精密流量計５
としては質量流量計が広く用いられる。
一方バブラー容器１の原料液２の上部空間に開放端Ｐを
もつ配管６が導出されている。バブラー容器１の原料液
２の上部空間にはバブラー容器１内へ送給されたキャリ
アガスと原料液が気化した原料ガスの混合ガスが充満さ
れ、配管６を経てコンデンサ７０巻管９の上端Ｒへ供給
される。巻管９の下端Ｑには２分岐管が設けてあり、一
方の上に向う分岐は配管１１、配管８を経て反応容器（
図示せず）へ連通している。２分岐管の他方の下方に向
う分岐は開放端をノくブラー容器の原料液２の中へ挿入
した配管１０に連結している。
もつ配管６が導出されている。バブラー容器１の原料液
２の上部空間にはバブラー容器１内へ送給されたキャリ
アガスと原料液が気化した原料ガスの混合ガスが充満さ
れ、配管６を経てコンデンサ７０巻管９の上端Ｒへ供給
される。巻管９の下端Ｑには２分岐管が設けてあり、一
方の上に向う分岐は配管１１、配管８を経て反応容器（
図示せず）へ連通している。２分岐管の他方の下方に向
う分岐は開放端をノくブラー容器の原料液２の中へ挿入
した配管１０に連結している。
なお、コンデンサ７は循環温水によって一定温度に保た
れている。配管６によってコンデンサ７０巻管９の上端
Ｒへ供給された混合ガスはコンデンサ７の巻管９内で所
定の温度に冷却され、原料ガスはその温度での飽和蒸気
となる。
れている。配管６によってコンデンサ７０巻管９の上端
Ｒへ供給された混合ガスはコンデンサ７の巻管９内で所
定の温度に冷却され、原料ガスはその温度での飽和蒸気
となる。
この過程で過剰の原料ガスは巻管９内で凝縮し、凝縮し
た原料液は巻管９内を重力によって落下し、分岐管、配
管１０を経て原料液２中に戻る。
た原料液は巻管９内を重力によって落下し、分岐管、配
管１０を経て原料液２中に戻る。
また飽和蒸気の原料ガスとキャリアガスの混合ガスは巻
管９の下端Ｑの分岐管、配管１１、配管８を経て反応容
器へ送られる。配管１１は図示のものは直管であるが巻
管であってもよい。
管９の下端Ｑの分岐管、配管１１、配管８を経て反応容
器へ送られる。配管１１は図示のものは直管であるが巻
管であってもよい。
配管６及び配管８は管内で混合ガス中の原料ガスが凝縮
しないのに必要な温度以上に保たれている。
しないのに必要な温度以上に保たれている。
第２図に示す本発明によるバブリング装置を用いて、原
料ガスの流量が精密にコントロールされた混合ガスを反
応容器へ送るのは以下の方法による。キャリアガスを精
密流量計５で精密に流量をコントロールして配管４を通
じてバブラー容器１内の原料液２内に導入する。バブラ
ー容器１内でキャリアガスで原料液をバブリングするこ
とによってバブラー容器１上部ではキャリアガスと原料
ガスの混合ガスとなる。キャリアガスの流量が多い場合
、通常混合ガスはバブラー容器温度での原料ガスの飽和
蒸気とはならない。コンデンサ出口で混合ガスをコンデ
ンサ温度での原料ガスの飽和蒸気とするために原料液２
の液温はヒータ３によってコンデンサ温度より高く保た
れている。通常原料液温とコンデンサ温度の温度差は５
℃〜１０℃である。コンデンサ７内で混合ガスは配管６
に治ってコンデンサ上部の巻管９の上端Ｒ４で上昇した
後、下向きの巻管９に沿って下降し、巻管の下端Ｑの２
分岐管によって一方の上方に向う分岐は配管１１に入シ
、コンデンサ内を通過し、コンデンサ出口Ｓで配管８に
連通されて反応容器へ送給される。コンデンサ７は循環
温水で一定温度に保たれており、コンデンサ７を上から
下へ通過した混合ガスはコンデンサ温度まで冷却され、
混合ガス内の原料ガスはコンデンサ温度の飽和蒸気とな
る。この過程で過剰の原料ガスはコンデンサ内の配管内
で凝縮し、凝縮した原料液は配管にそって流下しバブラ
ー容器１へ戻る。配管６のコンデンサ７の入口からコン
デンサ巻管９の上端Ｒまでに配管６内で凝縮した原料液
は垂直な配管６を通って混合ガスと逆行して流下しバブ
ラー容器１へ戻る。なお、配管６内を流下する原料液は
混合ガスと逆行するが、配管６は直管であり、阻害され
ず流下する。コンデンサ巻管９の上端Ｒから下端Ｑまで
の間で凝縮した原料液は勾配の緩やかな巻管９にそって
流下するが、混合ガス流と原料液の流下の方向が同一で
あるため混合ガス流によって原料液の流れが阻害される
ことはなくむしろ加速されて巻管９にそって下端まで流
れる。巻管９の下端Ｑの分岐管を経て配管１０を経てバ
ブラー容器１へ戻る。この際配管１０の開放端Ｔは原料
液２中に設けられていることが望ましく、もしそうでな
いと混合ガスが配管１０を通ってコンデンサ内の配管１
１に進入し、配管８へ抜けてしまうのでコンデンサ温度
における原料ガスの飽和蒸気が得られない。分岐管を通
過した混合ガスはコンデンサ７に設けられた配管１１を
経て、コンデンサの出口Ｓで接続された配管８を介して
反応容器へ送られる。配管１１を混合ガスが通過すると
き、原料ガスはコンデンサの巻管で充分に冷却されてい
るため、配管１１内で凝縮する原料液は少なく、たとえ
凝縮されても、配管１１は直管であるので混合ガスと逆
行しても流下する原料液に作用する重力は大きく問題に
ならない。コンデンサ７に導入される配管６及びコンデ
ンサ７から導出される配管８は共に配管内で原料ガスが
凝縮しない必要温度以上に保たれる。
料ガスの流量が精密にコントロールされた混合ガスを反
応容器へ送るのは以下の方法による。キャリアガスを精
密流量計５で精密に流量をコントロールして配管４を通
じてバブラー容器１内の原料液２内に導入する。バブラ
ー容器１内でキャリアガスで原料液をバブリングするこ
とによってバブラー容器１上部ではキャリアガスと原料
ガスの混合ガスとなる。キャリアガスの流量が多い場合
、通常混合ガスはバブラー容器温度での原料ガスの飽和
蒸気とはならない。コンデンサ出口で混合ガスをコンデ
ンサ温度での原料ガスの飽和蒸気とするために原料液２
の液温はヒータ３によってコンデンサ温度より高く保た
れている。通常原料液温とコンデンサ温度の温度差は５
℃〜１０℃である。コンデンサ７内で混合ガスは配管６
に治ってコンデンサ上部の巻管９の上端Ｒ４で上昇した
後、下向きの巻管９に沿って下降し、巻管の下端Ｑの２
分岐管によって一方の上方に向う分岐は配管１１に入シ
、コンデンサ内を通過し、コンデンサ出口Ｓで配管８に
連通されて反応容器へ送給される。コンデンサ７は循環
温水で一定温度に保たれており、コンデンサ７を上から
下へ通過した混合ガスはコンデンサ温度まで冷却され、
混合ガス内の原料ガスはコンデンサ温度の飽和蒸気とな
る。この過程で過剰の原料ガスはコンデンサ内の配管内
で凝縮し、凝縮した原料液は配管にそって流下しバブラ
ー容器１へ戻る。配管６のコンデンサ７の入口からコン
デンサ巻管９の上端Ｒまでに配管６内で凝縮した原料液
は垂直な配管６を通って混合ガスと逆行して流下しバブ
ラー容器１へ戻る。なお、配管６内を流下する原料液は
混合ガスと逆行するが、配管６は直管であり、阻害され
ず流下する。コンデンサ巻管９の上端Ｒから下端Ｑまで
の間で凝縮した原料液は勾配の緩やかな巻管９にそって
流下するが、混合ガス流と原料液の流下の方向が同一で
あるため混合ガス流によって原料液の流れが阻害される
ことはなくむしろ加速されて巻管９にそって下端まで流
れる。巻管９の下端Ｑの分岐管を経て配管１０を経てバ
ブラー容器１へ戻る。この際配管１０の開放端Ｔは原料
液２中に設けられていることが望ましく、もしそうでな
いと混合ガスが配管１０を通ってコンデンサ内の配管１
１に進入し、配管８へ抜けてしまうのでコンデンサ温度
における原料ガスの飽和蒸気が得られない。分岐管を通
過した混合ガスはコンデンサ７に設けられた配管１１を
経て、コンデンサの出口Ｓで接続された配管８を介して
反応容器へ送られる。配管１１を混合ガスが通過すると
き、原料ガスはコンデンサの巻管で充分に冷却されてい
るため、配管１１内で凝縮する原料液は少なく、たとえ
凝縮されても、配管１１は直管であるので混合ガスと逆
行しても流下する原料液に作用する重力は大きく問題に
ならない。コンデンサ７に導入される配管６及びコンデ
ンサ７から導出される配管８は共に配管内で原料ガスが
凝縮しない必要温度以上に保たれる。
本発明によるバブリング装置によれば、キャリアガスの
流量をキャリアガス流量計で精密に制御し、コンデンサ
７によって原料ガスを飽和蒸気とすることによって、大
流量の所定の濃度の原料ガスを安定して反応容器へ送給
することを可能としたものである。
流量をキャリアガス流量計で精密に制御し、コンデンサ
７によって原料ガスを飽和蒸気とすることによって、大
流量の所定の濃度の原料ガスを安定して反応容器へ送給
することを可能としたものである。
第２図の装置を使った場合、配管１０から混合ガスがコ
ンデンサ内に入らないようにするため、配管１０の開放
端Ｔは原料液内に開放されている。このためバブラー容
器１空隙部とコンデンサ７の巻管の下端の分岐管部Ｑと
の圧力差は、原料液がこの圧力差で配管１０内を上昇し
、分岐管部Ｑまで達する程大きくならないようにする必
要がある。通常この間の圧力差は１０ｍｍａｇｏ程度で
、原料液面の配管１０内での上昇は１ｃｒｎ程度である
ので問題にならない。しかしこの問題をさらに解決した
本発明によるバブリング装置の他の実施例を第３図に示
す。
ンデンサ内に入らないようにするため、配管１０の開放
端Ｔは原料液内に開放されている。このためバブラー容
器１空隙部とコンデンサ７の巻管の下端の分岐管部Ｑと
の圧力差は、原料液がこの圧力差で配管１０内を上昇し
、分岐管部Ｑまで達する程大きくならないようにする必
要がある。通常この間の圧力差は１０ｍｍａｇｏ程度で
、原料液面の配管１０内での上昇は１ｃｒｎ程度である
ので問題にならない。しかしこの問題をさらに解決した
本発明によるバブリング装置の他の実施例を第３図に示
す。
第３図のものは第２図に示す実施例を比較すると、コン
デンサ７の下端Ｑに設けられた分岐管の１方の上方に向
う分岐は配管１１に接続され、他方の下方に向う分岐は
配管１０を経て、液溜１２、開閉バルブ１３、配管１０
を経て、配管１０の開放端Ｔはバブラー容器１に（必ず
しも液中である必要はない。）開放されている。
デンサ７の下端Ｑに設けられた分岐管の１方の上方に向
う分岐は配管１１に接続され、他方の下方に向う分岐は
配管１０を経て、液溜１２、開閉バルブ１３、配管１０
を経て、配管１０の開放端Ｔはバブラー容器１に（必ず
しも液中である必要はない。）開放されている。
第３図のものは配管１０の部分でのみ第２図のものと相
異し、その他の部分は同一である。従って第３図の実施
例では、コンデンサ７内の巻管９及び配管１１で凝縮さ
れた原料液はそれぞれ巻管９内及び直管１１内を流下し
、分岐管を経由して配管１０を通じてバブラー容器１へ
戻される代りに、配管１０の中途に設けられだ液溜１２
に回収される。回収された原料液はバブラー容器に原料
液を供給していない時に開閉弁１３を開いて液溜１２の
原料液をバブラー容器へ戻すものである。
異し、その他の部分は同一である。従って第３図の実施
例では、コンデンサ７内の巻管９及び配管１１で凝縮さ
れた原料液はそれぞれ巻管９内及び直管１１内を流下し
、分岐管を経由して配管１０を通じてバブラー容器１へ
戻される代りに、配管１０の中途に設けられだ液溜１２
に回収される。回収された原料液はバブラー容器に原料
液を供給していない時に開閉弁１３を開いて液溜１２の
原料液をバブラー容器へ戻すものである。
第３図に示すものは原料液回収用の配管１０を通じてバ
ブラー容器１から混合ガスあるいは原料液がコンデンサ
の方へ逆流することは全くない。
ブラー容器１から混合ガスあるいは原料液がコンデンサ
の方へ逆流することは全くない。
第４図は本発明によるバブリング装置の他の実施例の概
略構成図である。第２図に示す流側のものではコンデン
サ内の巻管９を流れる混合ガスの流速が速い場合、コン
デンサ内の巻管９の下端Ｑの分岐管において混合ガスと
凝縮液のミストが完全に分離されずに、配管１１、配管
８の混合ガスに凝縮液が混入することが起る。
略構成図である。第２図に示す流側のものではコンデン
サ内の巻管９を流れる混合ガスの流速が速い場合、コン
デンサ内の巻管９の下端Ｑの分岐管において混合ガスと
凝縮液のミストが完全に分離されずに、配管１１、配管
８の混合ガスに凝縮液が混入することが起る。
第４図に示すものは、このよう々場合にも混合ガスと凝
縮液を完全に分離できるバブリング装置である。第４図
に示すものはコンデンサ７の巻管の下端Ｑの２分岐管が
ガス溜１４になっていて、ガス溜１４から配管１１が配
管８に連通され、ガス溜１４から他の配管１０が分岐さ
れて、凝縮された原料液をバブラー容器１へ戻す構成に
なっているガス溜１４にじゃま板１５が設けである。第
４図に示す装置において、速い流速の混合ガスと凝縮液
が巻管９の下端のガス溜に流入すると、流速が下り、凝
縮液と混合ガスが分離される。またじゃま板に凝縮液が
ぶつかると混合ガスと凝縮液の分離性が更によくなる。
縮液を完全に分離できるバブリング装置である。第４図
に示すものはコンデンサ７の巻管の下端Ｑの２分岐管が
ガス溜１４になっていて、ガス溜１４から配管１１が配
管８に連通され、ガス溜１４から他の配管１０が分岐さ
れて、凝縮された原料液をバブラー容器１へ戻す構成に
なっているガス溜１４にじゃま板１５が設けである。第
４図に示す装置において、速い流速の混合ガスと凝縮液
が巻管９の下端のガス溜に流入すると、流速が下り、凝
縮液と混合ガスが分離される。またじゃま板に凝縮液が
ぶつかると混合ガスと凝縮液の分離性が更によくなる。
じゃま板で分離された原料液は配管１ｏを通ってバブラ
ー容器へ戻如、混合ガスは配管１１゜８を通って反応容
器へ送給される。もちろん、第４図に示すじゃ１板１５
を有するガス溜１４で第３図の２分岐管を構成すること
ができる。
ー容器へ戻如、混合ガスは配管１１゜８を通って反応容
器へ送給される。もちろん、第４図に示すじゃ１板１５
を有するガス溜１４で第３図の２分岐管を構成すること
ができる。
第２図ないし第４図に示す本発明のバブリング装置にお
ける配管６はコンデンサ７の中を直管で進み、巻管９の
上端Ｒで巻管に連結されているため、混合ガスが配管６
のコンデンサ７の中の直管部を通る際原料ガスが凝縮し
て配管６に治って流下するが、大流量の混合ガスを流す
際、この部分での凝縮液の逆行を避けたい場合には、加
熱されている配管６をコンデンサ７の上端までコンデン
サの外１；配管して、上端でコンデンサへ導入すればよ
い。
ける配管６はコンデンサ７の中を直管で進み、巻管９の
上端Ｒで巻管に連結されているため、混合ガスが配管６
のコンデンサ７の中の直管部を通る際原料ガスが凝縮し
て配管６に治って流下するが、大流量の混合ガスを流す
際、この部分での凝縮液の逆行を避けたい場合には、加
熱されている配管６をコンデンサ７の上端までコンデン
サの外１；配管して、上端でコンデンサへ導入すればよ
い。
本発明によるバブリング装置の有効性を示す実験例を以
下に示す。バブ２−容器１に原料液２として四塩化珪素
Ｓ ｉ ＣＬ＜が保たれ、ヒータ３によ如原料液温度を
５０℃に保ち、かかるバブラー容器１に流量計で精密測
定されたＨｅガスのキャリアガスを供給し、混合ガスを
作シ、４４℃に保った従来型のコンデンサと本発明のコ
ンデンサ７に送給した場合について比較実験を行った。
下に示す。バブ２−容器１に原料液２として四塩化珪素
Ｓ ｉ ＣＬ＜が保たれ、ヒータ３によ如原料液温度を
５０℃に保ち、かかるバブラー容器１に流量計で精密測
定されたＨｅガスのキャリアガスを供給し、混合ガスを
作シ、４４℃に保った従来型のコンデンサと本発明のコ
ンデンサ７に送給した場合について比較実験を行った。
従来型のバブリング装置の場合、コンデンサの巻管径は
１０ｍであるが、Ｈｅ流量を４００ω／分として１３分
Ｈｅガスをコンデンサ７に流し続けた処、コンデンサ巻
管９内で原料液の滞留を起し、安定な原料ガスの反応容
器への供給ができなくなった。第２図に示す本発明のも
のの場合、コンデンサの巻管径は７．５酎であるが、Ｈ
ｅガス流量を８００頷／分にして１時間Ｈｅガスを連続
して流してもコンデンサ内での原料液の滞留が起らなか
った。
１０ｍであるが、Ｈｅ流量を４００ω／分として１３分
Ｈｅガスをコンデンサ７に流し続けた処、コンデンサ巻
管９内で原料液の滞留を起し、安定な原料ガスの反応容
器への供給ができなくなった。第２図に示す本発明のも
のの場合、コンデンサの巻管径は７．５酎であるが、Ｈ
ｅガス流量を８００頷／分にして１時間Ｈｅガスを連続
して流してもコンデンサ内での原料液の滞留が起らなか
った。
〈発明の効果〉
本発明によるバブリング装置によれば、コンデンサの巻
管に混合ガスを上端から下端に向はテ送給し、コンデン
サ内で凝縮された原料液を巻管の下端に設けられた分岐
管を経て収集できるようにしたため、コンデンサ内で凝
縮した原料液の流下方向と混合ガスの送給方向が一致し
、原料濃度が一定の大量の原料ガスを安定して反応容器
へ送ることを可能にした。
管に混合ガスを上端から下端に向はテ送給し、コンデン
サ内で凝縮された原料液を巻管の下端に設けられた分岐
管を経て収集できるようにしたため、コンデンサ内で凝
縮した原料液の流下方向と混合ガスの送給方向が一致し
、原料濃度が一定の大量の原料ガスを安定して反応容器
へ送ることを可能にした。
第１図は従来のバブリング装置の構成図、第２図は本発
明によるバブリング装置の１実施例の構成図、第３図は
本発明の他の実施例の構成図、第４図は本発明のさらに
他の実施例の構成図である。 図面中、 １はバブラー容器、２は原料液、３はヒータ、４．６，
８，１０．１１は配管、５はガス流量計、７はコンデン
サ、９は巻管、１２は液溜、１３は開閉弁、１４はガス
溜、１５はじゃま板である。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人 弁理士 光石士部（他１名） １９− 第３図 第４図 手続補正書 昭和６０年１月１８日 特許庁長官殿 １事件の表示 昭和５９年特許願第１０３７１２号 ２発明の名称 バブリング装置 ３補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪府大阪市東区北浜５丁目１５番地 （２１３）住友電気工業株式会社 ４代 理 人 郵便番号１０７ 東京都港区赤坂−丁目９番１５号 日本短波放送会館 ６補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」、「発明の詳細な説明」の
各欄。 ？、補正の内容 （１）明細書の「特許請求の範囲」の欄の記載を、添付
別紙の「補正特許請求の範囲」の通りに補正する。 （２）明細書の第３ページ６行目、同ページ１１行目、
第７ページ１７〜１８行目、第８ページ７行目、同ペー
ジ９行目、同ページ１３行目、第１８ページ１７〜１８
行目にそれぞれ記載した「反応容器」を「反応装置」と
補正する。 （３）明細書の第７ページ６行目、同ページ７行目にそ
れぞれ記載した「巻管９の径」を「巻管９の内径」と補
正する。 （４）明細書の第１８ページ１行目、同ページ６行目に
それぞれ記載した「巻管径」を「巻管内径」と補正する
。 ８添付書類の目録 （１）補正特許請求の範囲 １ 過 補正特許請求の範囲 （１）バブラー容器に保たれた液体の原料をキャリアガ
スでバブリングしてキャリアガスと原料ガスの混合ガス
を作り、該混合ガスを一定温度に保たれたコンデンサの
巻管を通過させて、該混合ガスをコンデンサの上記温度
における原料ガスの飽和蒸気として反応装置に導くバブ
リング装置において、上記バブラー容器から反応装置に
上記混合ガスを供給する配管が、上記バブラー容器の液
体上部の空間から導出され、上記コンデンサの巻管の上
端から下端を経て、さらに下端に設けられた２分岐管の
一方の上方に向う分岐を経て上記反応装置に導かれ、上
記分岐管の他方の下方に向う分岐は上記バブラー容器の
液体中に開放されていることを特徴とするバブリング装
置。 （２）上記２分岐管がじゃま板を有したガス溜で構成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
バブリング装置。 （３）バブラー容器に保たれた原料の液体をキャリアガ
スでバブリングしてキャリアガスと原料ガスの混合ガス
を作り、該混合ガスを一定温度に保たれたコンデンサの
巻管を通過させて、該混合ガスを上記コンデンサの温度
における原料ガスの飽和蒸気として反応装置に導くバブ
リング装置において、上記バブラー容器から反応装置に
上記混合ガスを供給する配管が、上記バブラー容器の液
体上部空間から導出され、上記コンデンサの巻管の上端
から下端を経、下端に設けられた２分岐管の一方の上方
に向う分岐を経て上記反応Ｕへ導かれ、上記分岐管の他
方の下方に向う分岐は液溜に導かれ、該液溜の下端には
開閉弁を経て上記バブラー容器に開放された配管が導出
されていることを特徴とするバブリング装置。 （４）上記２分岐管がじゃま板を有したガス溜で構成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
バブリング装置。
明によるバブリング装置の１実施例の構成図、第３図は
本発明の他の実施例の構成図、第４図は本発明のさらに
他の実施例の構成図である。 図面中、 １はバブラー容器、２は原料液、３はヒータ、４．６，
８，１０．１１は配管、５はガス流量計、７はコンデン
サ、９は巻管、１２は液溜、１３は開閉弁、１４はガス
溜、１５はじゃま板である。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人 弁理士 光石士部（他１名） １９− 第３図 第４図 手続補正書 昭和６０年１月１８日 特許庁長官殿 １事件の表示 昭和５９年特許願第１０３７１２号 ２発明の名称 バブリング装置 ３補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪府大阪市東区北浜５丁目１５番地 （２１３）住友電気工業株式会社 ４代 理 人 郵便番号１０７ 東京都港区赤坂−丁目９番１５号 日本短波放送会館 ６補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」、「発明の詳細な説明」の
各欄。 ？、補正の内容 （１）明細書の「特許請求の範囲」の欄の記載を、添付
別紙の「補正特許請求の範囲」の通りに補正する。 （２）明細書の第３ページ６行目、同ページ１１行目、
第７ページ１７〜１８行目、第８ページ７行目、同ペー
ジ９行目、同ページ１３行目、第１８ページ１７〜１８
行目にそれぞれ記載した「反応容器」を「反応装置」と
補正する。 （３）明細書の第７ページ６行目、同ページ７行目にそ
れぞれ記載した「巻管９の径」を「巻管９の内径」と補
正する。 （４）明細書の第１８ページ１行目、同ページ６行目に
それぞれ記載した「巻管径」を「巻管内径」と補正する
。 ８添付書類の目録 （１）補正特許請求の範囲 １ 過 補正特許請求の範囲 （１）バブラー容器に保たれた液体の原料をキャリアガ
スでバブリングしてキャリアガスと原料ガスの混合ガス
を作り、該混合ガスを一定温度に保たれたコンデンサの
巻管を通過させて、該混合ガスをコンデンサの上記温度
における原料ガスの飽和蒸気として反応装置に導くバブ
リング装置において、上記バブラー容器から反応装置に
上記混合ガスを供給する配管が、上記バブラー容器の液
体上部の空間から導出され、上記コンデンサの巻管の上
端から下端を経て、さらに下端に設けられた２分岐管の
一方の上方に向う分岐を経て上記反応装置に導かれ、上
記分岐管の他方の下方に向う分岐は上記バブラー容器の
液体中に開放されていることを特徴とするバブリング装
置。 （２）上記２分岐管がじゃま板を有したガス溜で構成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
バブリング装置。 （３）バブラー容器に保たれた原料の液体をキャリアガ
スでバブリングしてキャリアガスと原料ガスの混合ガス
を作り、該混合ガスを一定温度に保たれたコンデンサの
巻管を通過させて、該混合ガスを上記コンデンサの温度
における原料ガスの飽和蒸気として反応装置に導くバブ
リング装置において、上記バブラー容器から反応装置に
上記混合ガスを供給する配管が、上記バブラー容器の液
体上部空間から導出され、上記コンデンサの巻管の上端
から下端を経、下端に設けられた２分岐管の一方の上方
に向う分岐を経て上記反応Ｕへ導かれ、上記分岐管の他
方の下方に向う分岐は液溜に導かれ、該液溜の下端には
開閉弁を経て上記バブラー容器に開放された配管が導出
されていることを特徴とするバブリング装置。 （４）上記２分岐管がじゃま板を有したガス溜で構成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
バブリング装置。
Claims (4)
- （１）バブラー容器に保たれた液体の原料をキャリアガ
スでバブリングしてキャリアガスと原料ガスの混合ガス
を作り、該混合ガスを一定温度に保たれたコンデンサの
巻管を通過させて、該混合ガスをコンデンサの上記温度
における原料ガスの飽和蒸気として反応容器に導くバブ
リング装置において、上記バブラー容器から反応容器に
上記混合ガスを供給する配管が、上記バブラー容器の液
体上部の空間から導出され、上記コンデンサの巻管の上
端から下端を経て、さらに下端に設けられた２分岐管の
一方の上方に向う分岐を経て上記反応容器に導かれ、上
記分岐管の他方の下方に向う分岐は上記バブラー容器の
液体中に開放されていることを特徴とするバブリング装
置。 - （２）上記２分岐管がじゃま板を有したガス溜で構成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
バブリング装置。 - （３）バブラー容器に保たれた＋す嘴原料の液体をキャ
リアガスでバブリングしてキャリアガスと原料ガスの混
合ガスを作シ、該混合ガスを一定温度に保たれたコンデ
ンサの巻管を通過させて、該混合ガスを上記コンデンサ
の温度における原料ガスの飽和蒸気として反応容器に導
くバブリング装置において、上記バブラー容器から反応
容器に上記混合ガスを供給する配管が、上記バブラー容
器の液体上部空間から導出され、上記コンデンサの巻管
の上端から下端を経、下。 端に設けられた２分岐管の一方の上方に向う分岐を経て
上記反応容器へ導かれ、上記分岐管の他方の下方に向う
分岐は液溜に導かれ、該液溜の下端には開閉弁を経て上
記バブラー容器に開放された配管が導出されていること
を特徴とするバブリング装置。 - （４）上記２分岐管がじゃま板を有したガス溜で構成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
バブリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10371284A JPS60248228A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | バブリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10371284A JPS60248228A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | バブリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60248228A true JPS60248228A (ja) | 1985-12-07 |
| JPH0142739B2 JPH0142739B2 (ja) | 1989-09-14 |
Family
ID=14361329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10371284A Granted JPS60248228A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | バブリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60248228A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61257232A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-14 | Nippon Tairan Kk | 液体材料ガス発生方法 |
| JPH0621740U (ja) * | 1992-08-21 | 1994-03-22 | 徳山曹達株式会社 | 混合ガスモノマー供給装置 |
| EP0696472A1 (en) | 1994-08-05 | 1996-02-14 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method and apparatus for supply of liquid raw material gas |
| US5776255A (en) * | 1992-12-24 | 1998-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition apparatus |
| EP0951052A2 (en) * | 1998-03-27 | 1999-10-20 | Kosho Komiya | Bubbler apparatus and condenser for use with the bubbler apparatus |
| KR100990792B1 (ko) * | 2003-05-02 | 2010-10-29 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 다공질 유리 모재 원료 가스의 공급 장치 |
-
1984
- 1984-05-24 JP JP10371284A patent/JPS60248228A/ja active Granted
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61257232A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-14 | Nippon Tairan Kk | 液体材料ガス発生方法 |
| JPH0536097B2 (ja) * | 1985-05-08 | 1993-05-28 | Nippon Tylan Kk | |
| JPH0621740U (ja) * | 1992-08-21 | 1994-03-22 | 徳山曹達株式会社 | 混合ガスモノマー供給装置 |
| US5776255A (en) * | 1992-12-24 | 1998-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition apparatus |
| EP0605205B1 (en) * | 1992-12-24 | 1999-08-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for chemical vapor deposition and apparatus therefor |
| EP0696472A1 (en) | 1994-08-05 | 1996-02-14 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method and apparatus for supply of liquid raw material gas |
| EP0951052A2 (en) * | 1998-03-27 | 1999-10-20 | Kosho Komiya | Bubbler apparatus and condenser for use with the bubbler apparatus |
| EP0951052A3 (en) * | 1998-03-27 | 2003-03-05 | Kosho Komiya | Bubbler apparatus and condenser for use with the bubbler apparatus |
| KR100990792B1 (ko) * | 2003-05-02 | 2010-10-29 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 다공질 유리 모재 원료 가스의 공급 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0142739B2 (ja) | 1989-09-14 |
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