JPS60247641A - 第４級アミンの回収方法 - Google Patents
第４級アミンの回収方法Info
- Publication number
- JPS60247641A JPS60247641A JP59103862A JP10386284A JPS60247641A JP S60247641 A JPS60247641 A JP S60247641A JP 59103862 A JP59103862 A JP 59103862A JP 10386284 A JP10386284 A JP 10386284A JP S60247641 A JPS60247641 A JP S60247641A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waste water
- quaternary ammonium
- concentrating
- concentrate
- wastewater
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3092—Recovery of material; Waste processing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は現像液として例えば、テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド（以下（１）／ＩＡＨＪと称する
）を使用する半導体製造における現像工程等から排出さ
れる第４級アミンの回収方法に関する。
ムハイドロオキサイド（以下（１）／ＩＡＨＪと称する
）を使用する半導体製造における現像工程等から排出さ
れる第４級アミンの回収方法に関する。
半導体製造における現像工程では光分解形ホトレジスト
としてキノンジアジドとフェノールノボラック樹脂の混
合もしくは縮合物、光合成形ホトレジストとしては環化
ゴム系もしくはポリケイ酸系を主成分とするもの等非常
に多種多様なものが使用されている。又、現像液として
は苛性ソーダ及びＴＭＡ）（を主成分としたもの等のア
ルカリ及び塩酸、硫酸等の酸もしくは有機溶剤等が使用
されているが、近年パターン微細化にともなってＴＭＡ
Ｈの使用頻度が増大している。
としてキノンジアジドとフェノールノボラック樹脂の混
合もしくは縮合物、光合成形ホトレジストとしては環化
ゴム系もしくはポリケイ酸系を主成分とするもの等非常
に多種多様なものが使用されている。又、現像液として
は苛性ソーダ及びＴＭＡ）（を主成分としたもの等のア
ルカリ及び塩酸、硫酸等の酸もしくは有機溶剤等が使用
されているが、近年パターン微細化にともなってＴＭＡ
Ｈの使用頻度が増大している。
ところで、上記の工程に使用された廃水については従来
これを中和、又は生物処理後放流するかあるいは燃焼処
理し、排水中に含まれるアルカリ等の有価物は廃棄され
ていた。しかし、ＴＭＡＨを含有する排水の場合にＴＭ
ＡＲは生物分解が不可能といわれているため生物処理の
有効性そのものがはなはだ疑問である。
これを中和、又は生物処理後放流するかあるいは燃焼処
理し、排水中に含まれるアルカリ等の有価物は廃棄され
ていた。しかし、ＴＭＡＨを含有する排水の場合にＴＭ
ＡＲは生物分解が不可能といわれているため生物処理の
有効性そのものがはなはだ疑問である。
一方、燃焼処理に関してもＮＯｘ、ＳＯＸ等の有害排ガ
スの発生を伴なう等、処理そのものに種々の問題が残さ
れている。
スの発生を伴なう等、処理そのものに種々の問題が残さ
れている。
本発明は半導体製造における現像工程等から排出される
レジストと第４級アミンとを含む排゛水から第４級アン
そニウムアルカリを回収する事を目的とするものである
。
レジストと第４級アミンとを含む排゛水から第４級アン
そニウムアルカリを回収する事を目的とするものである
。
本発明は第４級アンモニウムイオンを含有する排水を濃
縮して得られる濃縮水を電気分解し、濃縮水中の第４級
アンモニウムイオンを第４級アンそニウムアルカリとし
て回収することを特徴とする第４級アミンの回収方法で
ある。
縮して得られる濃縮水を電気分解し、濃縮水中の第４級
アンモニウムイオンを第４級アンそニウムアルカリとし
て回収することを特徴とする第４級アミンの回収方法で
ある。
第１図は本発明方法に用いる装置の基本的な構成を示す
。すなわち、排水ｌｃＬを濃縮する濃縮装置２と、該濃
縮装置２の濃縮水１Ｇを電気分解し、該濃縮水ＩＣ中の
第４級アンモニウム塩を第４級アンモニウムアルカリと
して回収する電気分解装置３とにより構成されているも
のである。
。すなわち、排水ｌｃＬを濃縮する濃縮装置２と、該濃
縮装置２の濃縮水１Ｇを電気分解し、該濃縮水ＩＣ中の
第４級アンモニウム塩を第４級アンモニウムアルカリと
して回収する電気分解装置３とにより構成されているも
のである。
本発明はまず、排水１αを濃縮装置２によって濃縮し、
排水中の塩濃度を上昇させる。濃縮装置２としては逆浸
透法が適当である。塩濃度を上昇させる目的は、通常排
水中の塩濃度は０．０１１以上０．１チ以下のように低
いため、電気分解装置３における原液ＩＣの塩濃度を電
気分解操作に適合する濃度排水中に含まれるレジスト材
料は、塩と同様に濃縮水ＩＣ側に分離される。なお、１
ｂは濃縮装置における透過水である。
排水中の塩濃度を上昇させる。濃縮装置２としては逆浸
透法が適当である。塩濃度を上昇させる目的は、通常排
水中の塩濃度は０．０１１以上０．１チ以下のように低
いため、電気分解装置３における原液ＩＣの塩濃度を電
気分解操作に適合する濃度排水中に含まれるレジスト材
料は、塩と同様に濃縮水ＩＣ側に分離される。なお、１
ｂは濃縮装置における透過水である。
ここで、塩の濃縮を受けた排水ｌｃを電気分解装置３に
よって電気分解処理すると、陽極側では酸が、陰極側で
はアルカリが生成し、排水中の第４級アミンを第４級ア
ンモニウムアルカリとして回収する事が出来る。
よって電気分解処理すると、陽極側では酸が、陰極側で
はアルカリが生成し、排水中の第４級アミンを第４級ア
ンモニウムアルカリとして回収する事が出来る。
電流密度、種形状、イオン交換膜の使用等、電気分解操
作条件を適確に設定する事にょシ、効率良く、かつ高純
度の第４級アンモニウムアルカリを回収出来、工程での
再利用もしくは工業用原料としての再利用が可能となる
。
作条件を適確に設定する事にょシ、効率良く、かつ高純
度の第４級アンモニウムアルカリを回収出来、工程での
再利用もしくは工業用原料としての再利用が可能となる
。
以下本発明の実験実施例について詳細に説明する一
本実験実施例において対象とした排水は、光分解形レジ
ストを使用する現像工程排水であり、レジスト材料とし
てはベースポリマーにフェノールノボラック樹脂、感光
剤にキノンジアジドをエステル化反応させたものを使用
し、現像液としては東京応化工業製、ＴＭＡＲを主成分
とする商品名ＮＭＤ−３を使用した工程排水である。排
水性状はｊ）Ｈが１１．４、全有機炭素が４ｏＯｑｌ
ＴＭＡＨ濃度は５．２ＸＩＯ−３Ｎであった。当該排水
を２ｏｏｏｌ採取し実験対象排水とした。当該排水を逆
浸透濾過濃縮し、得られた濃縮水について定電圧電気分
解を実施し、ＴＭＡＨの回収を試みた。逆浸透膜は東し
■製５Ｐ−１１０を用いて２００倍濃縮を行ない原排水
２０００ノから濃縮水ｌＯノを得た。原排水、濃縮水、
透過水の性状を第１表に示す。ＴＭＡＲ、レジスト材料
は共に濃縮水中へ濃縮された。
ストを使用する現像工程排水であり、レジスト材料とし
てはベースポリマーにフェノールノボラック樹脂、感光
剤にキノンジアジドをエステル化反応させたものを使用
し、現像液としては東京応化工業製、ＴＭＡＲを主成分
とする商品名ＮＭＤ−３を使用した工程排水である。排
水性状はｊ）Ｈが１１．４、全有機炭素が４ｏＯｑｌ
ＴＭＡＨ濃度は５．２ＸＩＯ−３Ｎであった。当該排水
を２ｏｏｏｌ採取し実験対象排水とした。当該排水を逆
浸透濾過濃縮し、得られた濃縮水について定電圧電気分
解を実施し、ＴＭＡＨの回収を試みた。逆浸透膜は東し
■製５Ｐ−１１０を用いて２００倍濃縮を行ない原排水
２０００ノから濃縮水ｌＯノを得た。原排水、濃縮水、
透過水の性状を第１表に示す。ＴＭＡＲ、レジスト材料
は共に濃縮水中へ濃縮された。
第 １ 表
第２図は電気分解実験装置を示すものである。
第２図中、４は電解セルであり、隔膜５及び６によりセ
ル４内を陽極室７、中間室８、陰極室９、の３室に分離
した。図中ＩＯは陽極、■は陰極である。隔膜５，６に
は親水処理した多孔質テフロン膜を使用した。図中１２
、１３ 、１４は各々陽極室液循環槽、中間室液循環
槽、陰極室液循環槽であシ、各々の槽内の液をポンプ１
５ 、１６ 、１７により一定流量で循環させた。液量
は全て５ノとした。中間室８には逆浸透濾過で得られｆ
ｃｓ度ＩＮの濃縮液を、陽極室７には０．ＩＮ硫酸を、
陰極室９には０．ＩＮＴＭＡＨを入れ、ｌＯｖ定電圧電
気分解を開始し、極室の酸及びアルカリ濃度及び電流値
を測定した。
ル４内を陽極室７、中間室８、陰極室９、の３室に分離
した。図中ＩＯは陽極、■は陰極である。隔膜５，６に
は親水処理した多孔質テフロン膜を使用した。図中１２
、１３ 、１４は各々陽極室液循環槽、中間室液循環
槽、陰極室液循環槽であシ、各々の槽内の液をポンプ１
５ 、１６ 、１７により一定流量で循環させた。液量
は全て５ノとした。中間室８には逆浸透濾過で得られｆ
ｃｓ度ＩＮの濃縮液を、陽極室７には０．ＩＮ硫酸を、
陰極室９には０．ＩＮＴＭＡＨを入れ、ｌＯｖ定電圧電
気分解を開始し、極室の酸及びアルカリ濃度及び電流値
を測定した。
その実験結果を第３図に示す。又１０時間後の各室の液
組成を第２表に示す。
組成を第２表に示す。
第 ２ 表
第３図において１８は電流値、Ａは陽極室硫酸濃度、Ｈ
は陰極室ＴＭＡＨ１１１度、α、は硫酸に対する電流効
率、〜はＴＭＡＨに対する電流効率を各々示す。
は陰極室ＴＭＡＨ１１１度、α、は硫酸に対する電流効
率、〜はＴＭＡＨに対する電流効率を各々示す。
以上の様に隔膜を用いた簡単な本実験実施例においても
ＴＭＡＲに関して電流効率８０チ程度で０．６７Ｎ、純
度９４チの回収を行なう事が出来た。イオン交換膜を使
用し、電流密度及びセル形状等の諸条件を適当に設定す
る事により効果的なアルカリ及び酸の回収が期待出来る
。
ＴＭＡＲに関して電流効率８０チ程度で０．６７Ｎ、純
度９４チの回収を行なう事が出来た。イオン交換膜を使
用し、電流密度及びセル形状等の諸条件を適当に設定す
る事により効果的なアルカリ及び酸の回収が期待出来る
。
以上のように本発明は半導体製造における現像工程で使
用され、従来は廃棄されていた高価、かつ毒性の高い第
４級アンモニウムアルカリを上記現像工程の排水中より
、工業用原料として再利用可能な純度で回収する事を可
能としたもので、半導体製造コストの大巾な低減化をも
たらすものである。又、濃縮操作として逆浸透法を採用
する場合には、濃縮操作の副生成物として排出される透
過水中の有機物、イオン濃度共に極めて低く、従来放流
されていた排水をも純水として回収できる
用され、従来は廃棄されていた高価、かつ毒性の高い第
４級アンモニウムアルカリを上記現像工程の排水中より
、工業用原料として再利用可能な純度で回収する事を可
能としたもので、半導体製造コストの大巾な低減化をも
たらすものである。又、濃縮操作として逆浸透法を採用
する場合には、濃縮操作の副生成物として排出される透
過水中の有機物、イオン濃度共に極めて低く、従来放流
されていた排水をも純水として回収できる
第１図は本発明方法に用いる基本的構成を示すブロック
図、第２図は電気分解装置の構成図、第３図は電気分解
結果のグラフを示す図である。 １α・・・排水、１ｂ−・・透過水、ＩＣ・・・濃縮水
、２・・・濃縮装置、３・・・電気分解装置 特許出願人 日本電気株式会社 第１図 ｂ 第２園 第３図 ト ー−）（ｙ ″
図、第２図は電気分解装置の構成図、第３図は電気分解
結果のグラフを示す図である。 １α・・・排水、１ｂ−・・透過水、ＩＣ・・・濃縮水
、２・・・濃縮装置、３・・・電気分解装置 特許出願人 日本電気株式会社 第１図 ｂ 第２園 第３図 ト ー−）（ｙ ″
Claims (1)
- （１）第４級アンモニウムイオンを含有する排水を濃縮
して得られる濃縮水を電気分解し、濃縮水中の第４級ア
ンモニウムイオンを第４級アンモニウムアルカリとして
回収する事を特徴とする第４級アミンの回収方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103862A JPS60247641A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 第４級アミンの回収方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103862A JPS60247641A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 第４級アミンの回収方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60247641A true JPS60247641A (ja) | 1985-12-07 |
Family
ID=14365256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59103862A Pending JPS60247641A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 第４級アミンの回収方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60247641A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5439564A (en) * | 1992-11-10 | 1995-08-08 | Tama Chemicals Co. Ltd. | Method of processing organic quaternary ammonium hydroxide-containing waste liquid |
| EP1056686A1 (en) * | 1998-01-20 | 2000-12-06 | Sachem, Inc. | Process for recovering onium hydroxides from solutions containing onium compounds |
| JP2012079830A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Toppan Printing Co Ltd | アルカリ剥離液の再生装置および方法 |
-
1984
- 1984-05-23 JP JP59103862A patent/JPS60247641A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5439564A (en) * | 1992-11-10 | 1995-08-08 | Tama Chemicals Co. Ltd. | Method of processing organic quaternary ammonium hydroxide-containing waste liquid |
| US5545309A (en) * | 1992-11-10 | 1996-08-13 | Tama Chemicals Co., Ltd. | Method of processing organic quaternary ammonium hydroxide-containing waste liquid |
| EP1056686A1 (en) * | 1998-01-20 | 2000-12-06 | Sachem, Inc. | Process for recovering onium hydroxides from solutions containing onium compounds |
| EP1056686A4 (en) * | 1998-01-20 | 2001-11-14 | Sachem Inc | PROCESS FOR RECOVERING ONIUM HYDROXIDES IN SOLUTIONS CONTAINING ONIUM COMPOUNDS |
| JP2012079830A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Toppan Printing Co Ltd | アルカリ剥離液の再生装置および方法 |
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