JPS60245289A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
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- JPS60245289A JPS60245289A JP10314684A JP10314684A JPS60245289A JP S60245289 A JPS60245289 A JP S60245289A JP 10314684 A JP10314684 A JP 10314684A JP 10314684 A JP10314684 A JP 10314684A JP S60245289 A JPS60245289 A JP S60245289A
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
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- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
-
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はレーザ光の吸収の少ない窓領域を有する横モー
ドの安定した半導体レーザ素子の新しい構造に関するも
のである。
ドの安定した半導体レーザ素子の新しい構造に関するも
のである。
く従来技術〉
半導体レーザの寿命を制限する要因の１つに、光出射面
となる共振器端面の劣化があることはよく知られている
。また、半導体レーザ素子を高出力動作させた場合に、
この共振器端面ば破壊されることがある。このときの端
面破壊出力（Ｆ’ｍａｘと称す）は、従来の半導体レー
ザでは１０６Ｗ／ ｃ ｍ ’程度であった。レーザ光
を安定に高出力発振させるためにＰ ｍａｘを増大させ
、また、端面劣化を防止するために端面でのレーザ光の
吸収を少なくした窓領域を形成し、かつ、窓領域にも光
導波路を形成し、ビームウェストを接合に水平、垂直方
向共に共振器面に存在するようにした高出力レーザ素子
が提唱されている。
となる共振器端面の劣化があることはよく知られている
。また、半導体レーザ素子を高出力動作させた場合に、
この共振器端面ば破壊されることがある。このときの端
面破壊出力（Ｆ’ｍａｘと称す）は、従来の半導体レー
ザでは１０６Ｗ／ ｃ ｍ ’程度であった。レーザ光
を安定に高出力発振させるためにＰ ｍａｘを増大させ
、また、端面劣化を防止するために端面でのレーザ光の
吸収を少なくした窓領域を形成し、かつ、窓領域にも光
導波路を形成し、ビームウェストを接合に水平、垂直方
向共に共振器面に存在するようにした高出力レーザ素子
が提唱されている。
第４図には、従来の半導体レーザ素子の素子内で光伝播
する様子をレーザ素子上面より模式的に描いたものを示
す。導波路幅Ｗｇ１及び長さＬｅを有するレーザ発振動
作域１の両端位置に導波路幅Ｗｇ２及び各々の長さＬｕ
＋＋ Ｌｕ＋’を有する窓領域２゜２゛が配設され、共
振器端面３，３゛よりレーザビーム４，４゛が放射され
る。レーザ発振領域１はレーザ発振領域端面５，５゛で
その長さか限定されている。第５図（Ａ）、（Ｂ）は、
第４図におけるＸ−Ｘ及びＹ−Ｙ線方向断面図である。
する様子をレーザ素子上面より模式的に描いたものを示
す。導波路幅Ｗｇ１及び長さＬｅを有するレーザ発振動
作域１の両端位置に導波路幅Ｗｇ２及び各々の長さＬｕ
＋＋ Ｌｕ＋’を有する窓領域２゜２゛が配設され、共
振器端面３，３゛よりレーザビーム４，４゛が放射され
る。レーザ発振領域１はレーザ発振領域端面５，５゛で
その長さか限定されている。第５図（Ａ）、（Ｂ）は、
第４図におけるＸ−Ｘ及びＹ−Ｙ線方向断面図である。
即ち、第５図（Ａ）はレーザ発振動作領域１の断面図で
あり、第５図（Ｂ）は窓領域２，２゛の断面図である。
あり、第５図（Ｂ）は窓領域２，２゛の断面図である。
即ち、従来のこの種の半導体レーザ素子では、ｐ−Ｇａ
Ａｓ基板１１上に電流を遮断するためのｎ−ＧａＡｓ電
流阻止層１２が堆積され、電流阻止層１２には、ＧａＡ
ｓ基板１１に達するストライプ状の溝が加工されている
。このストライプ状の溝は、レーザ発振動作域１では断
面等脚台形状の溝１７であり、窓領域２゛では断面三角
形状の溝１８として形Ｉ＆されている。この上に、ｐ−
ＧａＡｌＡｓクラッド層１３．ＧａＡｓ又はＧａＡ ｌ
Ａｓ活性層１４゜ｎ−ＧａＡｊ２Ａｓクラッド層１’５
．ｎ ＧａＡｓキャップ層１６が順次積層されている。
Ａｓ基板１１上に電流を遮断するためのｎ−ＧａＡｓ電
流阻止層１２が堆積され、電流阻止層１２には、ＧａＡ
ｓ基板１１に達するストライプ状の溝が加工されている
。このストライプ状の溝は、レーザ発振動作域１では断
面等脚台形状の溝１７であり、窓領域２゛では断面三角
形状の溝１８として形Ｉ＆されている。この上に、ｐ−
ＧａＡｌＡｓクラッド層１３．ＧａＡｓ又はＧａＡ ｌ
Ａｓ活性層１４゜ｎ−ＧａＡｊ２Ａｓクラッド層１’５
．ｎ ＧａＡｓキャップ層１６が順次積層されている。
即ち、レーザ発振のための電流はｎ−ＧａＡｓ層１２に
よって阻止され、それぞれの幅Ｗｃ１． Ｗｃ２のチャ
ネル部１７．１８のみに流れる。これらのチャネル幅は
Ｗｃ、＞Ｗｃ２となるように形成されており、同一成長
条件で前者では活性層１４を第５図（Ａ、）に示すよう
に湾曲させ、後者では第５図（Ｂ）に示すように活性層
１４を平坦にすることができる。活性層１４が湾曲する
と屈折率先導波路が形成され、その幅Ｗｇ１はチャネル
幅Ｗｃ１よりも狭くなる。また、活性層・１４が平坦な
場合は、チャネル両端でのｎ−ＧａＡｓ層１２への光吸
収により実効屈折率が下がる原理を利用した先導波路が
形成され、その幅Ｗｇ２はチャネル幅Ｗｃ２にほぼ等し
い。
よって阻止され、それぞれの幅Ｗｃ１． Ｗｃ２のチャ
ネル部１７．１８のみに流れる。これらのチャネル幅は
Ｗｃ、＞Ｗｃ２となるように形成されており、同一成長
条件で前者では活性層１４を第５図（Ａ、）に示すよう
に湾曲させ、後者では第５図（Ｂ）に示すように活性層
１４を平坦にすることができる。活性層１４が湾曲する
と屈折率先導波路が形成され、その幅Ｗｇ１はチャネル
幅Ｗｃ１よりも狭くなる。また、活性層・１４が平坦な
場合は、チャネル両端でのｎ−ＧａＡｓ層１２への光吸
収により実効屈折率が下がる原理を利用した先導波路が
形成され、その幅Ｗｇ２はチャネル幅Ｗｃ２にほぼ等し
い。
さらに、同一成長条件でそれぞれ活性層湾曲型ＶＳＩＳ
レーザと活性層平坦型＼７ＳＩＳレーザを作製した場合
、常に前者の方が１００〜２００人だけ長波長で発振す
るということ、即ち、２１〜４２ｍｅＶだけバンドギャ
ップが狭くなるということである。したがって、端面劣
化の少ないあるいは端面破壊耐用出力Ｐ ｍａｘの大軽
い半導体レーザを作製することがでと、例えば、／１０
０ｍＷの高い光出力を得ることができる。
レーザと活性層平坦型＼７ＳＩＳレーザを作製した場合
、常に前者の方が１００〜２００人だけ長波長で発振す
るということ、即ち、２１〜４２ｍｅＶだけバンドギャ
ップが狭くなるということである。したがって、端面劣
化の少ないあるいは端面破壊耐用出力Ｐ ｍａｘの大軽
い半導体レーザを作製することがでと、例えば、／１０
０ｍＷの高い光出力を得ることができる。
しかしながら、活性層を湾曲させると、接合面に水平方
向の屈折率導波路の屈折率差が大きくなりすぎるため、
電流注入量を増大していくと高次横モードが発振し、不
安定になってしまい、これに応じて遠視野像もひずんで
しまう。この結果、光デイスクシステム等の光源として
使用することはできなかった。
向の屈折率導波路の屈折率差が大きくなりすぎるため、
電流注入量を増大していくと高次横モードが発振し、不
安定になってしまい、これに応じて遠視野像もひずんで
しまう。この結果、光デイスクシステム等の光源として
使用することはできなかった。
〈発明の目的〉
本発明は、上記従来の突形半導体レーザの欠点を克服し
た新規な構造を有する半導体レーザを提供することを目
的とするものである。
た新規な構造を有する半導体レーザを提供することを目
的とするものである。
〈発明の構成〉
このため、本発明にかかる半導体レーザ素子においては
、活性層が湾曲しているレーザ発振領域の両側に接合面
に水平方向の屈折率差を調整するための埋込み層を形成
することによって、レーザ発振領域での高次横モードを
カットオフ状態にし、高電流注入領域まで安定な横モー
ドを得ることがで外るようにしている。
、活性層が湾曲しているレーザ発振領域の両側に接合面
に水平方向の屈折率差を調整するための埋込み層を形成
することによって、レーザ発振領域での高次横モードを
カットオフ状態にし、高電流注入領域まで安定な横モー
ドを得ることがで外るようにしている。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら詳説する。
第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の実施例にかかる半導体
レーザ素子の断面構造を示す、第４図におけるＸ−Ｘ線
及びＹ−Ｙ線方向の断面図である。即ち、第１図（Ａ）
はレーザ発振動作領域１の断面であり、第１図（Ｂ）は
窓領域２，２゛の断面図である。
レーザ素子の断面構造を示す、第４図におけるＸ−Ｘ線
及びＹ−Ｙ線方向の断面図である。即ち、第１図（Ａ）
はレーザ発振動作領域１の断面であり、第１図（Ｂ）は
窓領域２，２゛の断面図である。
第１図（Ａ）、（Ｂ）と従来の第５図（Ａ）、（Ｂ）と
を夫々比較対照すれば明らかなように、本発明にかかる
半導体レーザ素子では、レーザ発振動作領域１のチャネ
ル部１７の両側部において、活性層２４の層厚分布によ
って決まる屈折率差を、導波路幅Ｗ ｇ ＋で高次横モ
ードをカットオフにするために必要な屈折率差にするた
めに、適当な屈折率をもつＧａＡｌＡｓ２７で埋込むこ
とを特徴とする。
を夫々比較対照すれば明らかなように、本発明にかかる
半導体レーザ素子では、レーザ発振動作領域１のチャネ
ル部１７の両側部において、活性層２４の層厚分布によ
って決まる屈折率差を、導波路幅Ｗ ｇ ＋で高次横モ
ードをカットオフにするために必要な屈折率差にするた
めに、適当な屈折率をもつＧａＡｌＡｓ２７で埋込むこ
とを特徴とする。
即ち、通常、活性層２４の湾曲による層厚分布によって
決まる横方向の屈折率差は１０−２以上と太すくなるた
め、電流注入と共に高次横モードが発振してしまう。高
次横モードをカットオフするために、横方向のつくりっ
けの屈折率差を３×１０−３程度にする必要がある。
決まる横方向の屈折率差は１０−２以上と太すくなるた
め、電流注入と共に高次横モードが発振してしまう。高
次横モードをカットオフするために、横方向のつくりっ
けの屈折率差を３×１０−３程度にする必要がある。
このため、レーザ発振動作領域の両側の部分を除去して
導波路幅Ｗ ｇ ＋にほぼ等しいか、あるいはそれより
狭いメサ状のストライプ２８を形成し、その両側をＧａ
Ａ／、Ａｓ層２７．２７で埋込むことによって、横方向
の屈折率差を低減することがでとる。即ち、通常の埋込
みレーザと同様に埋込み層のＧａＡｌＡｓのＡ４混晶比
を変化させることにより、埋込み層２７．２７の屈折率
を任意に変化させることができる。
導波路幅Ｗ ｇ ＋にほぼ等しいか、あるいはそれより
狭いメサ状のストライプ２８を形成し、その両側をＧａ
Ａ／、Ａｓ層２７．２７で埋込むことによって、横方向
の屈折率差を低減することがでとる。即ち、通常の埋込
みレーザと同様に埋込み層のＧａＡｌＡｓのＡ４混晶比
を変化させることにより、埋込み層２７．２７の屈折率
を任意に変化させることができる。
この結果、埋込み層２７のＡｌ混晶比を活性層２４の湾
曲の程度に応じて最適化することによって、３Ｘ１０−
３の屈折率差を再現性よくつくることがで終る。
曲の程度に応じて最適化することによって、３Ｘ１０−
３の屈折率差を再現性よくつくることがで終る。
埋込み層は、第１図（Ａ）に示すように高抵抗のｐ型Ｇ
ａＡｌＡｓ層２７としてもよく、あるいは、第２図に示
すように、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層２９とｐ−ＧａＡ／、Ａ
ｓ層３０とからなる埋込み層２７゛を用いてもよく、こ
の部分における電流を阻止できるものであればよい。
ａＡｌＡｓ層２７としてもよく、あるいは、第２図に示
すように、ｎ−ＧａＡｌＡｓ層２９とｐ−ＧａＡ／、Ａ
ｓ層３０とからなる埋込み層２７゛を用いてもよく、こ
の部分における電流を阻止できるものであればよい。
この結果、レーザ発振は湾曲部分２８で起り、かつ、高
電流注入領域まで安定な基本横モードを得ることができ
、さらに、活性層２４が平坦な部分、即ち、窓領域２，
２゛では、単にレーザ光が通過するだけとなる。
電流注入領域まで安定な基本横モードを得ることができ
、さらに、活性層２４が平坦な部分、即ち、窓領域２，
２゛では、単にレーザ光が通過するだけとなる。
従って、端面劣化の少ない、あるいは端面破壊耐用出力
Ｐ ｍａｘの犬トい、がっ、横モードで安定した大出力
用半導体レーザを製作することかでとる。
Ｐ ｍａｘの犬トい、がっ、横モードで安定した大出力
用半導体レーザを製作することかでとる。
なお、第１図（Ａ）、（Ｂ）、第２図において、２１は
ｐ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−ＧａＡｓ電流阻止層、２３
はｐ−クラッド層、２５は１１−クラッド層、２６はｎ
−キャップ層である。
ｐ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−ＧａＡｓ電流阻止層、２３
はｐ−クラッド層、２５は１１−クラッド層、２６はｎ
−キャップ層である。
〈製作例〉
第３図（Ａ）、（Ｂ）、（ＣＬ （Ｄ）は製造方法を説
明する製造工程図である。
明する製造工程図である。
まず、ｐ型ＧａＡｓ基板（Ｚｎｌ’−プ、ＩＸＩ（’Ｊ
１９ａｍ”）２１にｎ型ＧａＡｓ電流阻止層（Ｔｅドー
プ。
１９ａｍ”）２１にｎ型ＧａＡｓ電流阻止層（Ｔｅドー
プ。
６Ｘ１０１８ｃｍ−３）２２を約０．６μＩの厚さに液
相エピタキシャル成長させる。その後、１１型ＧａＡｓ
電流阻止層２２表面に第３図（Ａ）で示すような幅が変
化するストライプ状のパターンを従来のホトリソグラフ
ィ技術により形成する。レジスト上に各部の寸法がＬ＋
＝ １５０ ｔｌｍ、 Ｌ２＝ １００μｒｅ、Ｗｅ、
＝６μｍ、Ｗｃ２＝３μＩＩＩの窓が形成される。この
窓を通して硫酸系エツチング液でｎ型ＧａＡｓ電流阻止
層２２をエツチングする。なお、２、、−２．線、Ｚ、
、−Ｚ２＠方向断面形状をそれぞれ第３図（Ｂ）、（Ｃ
）に示す。
相エピタキシャル成長させる。その後、１１型ＧａＡｓ
電流阻止層２２表面に第３図（Ａ）で示すような幅が変
化するストライプ状のパターンを従来のホトリソグラフ
ィ技術により形成する。レジスト上に各部の寸法がＬ＋
＝ １５０ ｔｌｍ、 Ｌ２＝ １００μｒｅ、Ｗｅ、
＝６μｍ、Ｗｃ２＝３μＩＩＩの窓が形成される。この
窓を通して硫酸系エツチング液でｎ型ＧａＡｓ電流阻止
層２２をエツチングする。なお、２、、−２．線、Ｚ、
、−Ｚ２＠方向断面形状をそれぞれ第３図（Ｂ）、（Ｃ
）に示す。
その後再び液相エピタキシャル技術により、第１図（Ａ
）、（Ｂ）で示すようなｐ Ｇａ□、５ Ａ’０．５Ａ
ｓクラッド層２３、ｐ−Ｇａ０，８５ ＡｌＯ，１５Ａ
ｓ活性層２４、ｎ Ｇａｏ、５ Ａｊ！０．５ Ａｓク
ラッド層２５、ｎ ＧａＡｓキャップ層２６をそれぞれ
平坦部で０．１５μｍ、 ０．１μｍ、１．０μｍ、２
μｍ成長させる。
）、（Ｂ）で示すようなｐ Ｇａ□、５ Ａ’０．５Ａ
ｓクラッド層２３、ｐ−Ｇａ０，８５ ＡｌＯ，１５Ａ
ｓ活性層２４、ｎ Ｇａｏ、５ Ａｊ！０．５ Ａｓク
ラッド層２５、ｎ ＧａＡｓキャップ層２６をそれぞれ
平坦部で０．１５μｍ、 ０．１μｍ、１．０μｍ、２
μｍ成長させる。
その後、ＳｉＯ２をエピタキシャル表面に形成し、第３
図（Ｄ）に示すような窓４１をＳｉＯ２にホトリソグラ
フィ技術により形成する。寸法は長さがＬｌ”１５０μ
ｍと同じで、幅が数μｍ（２−１０μｍ程度でよい）で
ある。この５ｉｎ２の窓４１を通して反応性イオンビー
ムエツチング法でｌ！ブロッキング層までエツチングす
る。
図（Ｄ）に示すような窓４１をＳｉＯ２にホトリソグラ
フィ技術により形成する。寸法は長さがＬｌ”１５０μ
ｍと同じで、幅が数μｍ（２−１０μｍ程度でよい）で
ある。この５ｉｎ２の窓４１を通して反応性イオンビー
ムエツチング法でｌ！ブロッキング層までエツチングす
る。
その後、硫酸系のエツチング液で０．０５μｍ程度エツ
チングした後、再度エピタキシャル成長を行ない、第１
図（Ａ＞あるいは第２図に示す埋込み層２７．２７’を
形成する。
チングした後、再度エピタキシャル成長を行ない、第１
図（Ａ＞あるいは第２図に示す埋込み層２７．２７’を
形成する。
その後、Ｓｉｎ、、を除去し、基板裏面をラッピングす
ることによりウェハーの厚さを約１００μｍ。
ることによりウェハーの厚さを約１００μｍ。
とした後、ｎ−ＧａＡｓキャップ層２６表面には、Ａｕ
−Ｇｅ−Ｎｉ を、 またｐ ＧａＡｓ基板２１にはＡ
ｕ−Ｚｎを蒸着し、４５０℃に加熱して合金化すること
によりｎ側、ｐ側電極層とする。次に、■）−ＧａＡｓ
基板２１の裏面にＡｕを蒸着する。その後、長さＬｌ
をもつ窓領域の中央で襞間し、共振器を形成する。従っ
て、窓領域は素子の両側で各々５０μ印の長さを有する
ことになる。
−Ｇｅ−Ｎｉ を、 またｐ ＧａＡｓ基板２１にはＡ
ｕ−Ｚｎを蒸着し、４５０℃に加熱して合金化すること
によりｎ側、ｐ側電極層とする。次に、■）−ＧａＡｓ
基板２１の裏面にＡｕを蒸着する。その後、長さＬｌ
をもつ窓領域の中央で襞間し、共振器を形成する。従っ
て、窓領域は素子の両側で各々５０μ印の長さを有する
ことになる。
更に、端面をＡｐ、２０３でコートした後、各レーザ素
子に分離する。この埋込み構造をもつ態形レーザは、横
基本モードで、かつ、Ｐ ｍａｘが２００ｍＷ まで向
上した。さらに、この態形レーザを４０ｍＷ、５０℃で
連続動作させたところ、長時間安定に動作することが確
認できた。
子に分離する。この埋込み構造をもつ態形レーザは、横
基本モードで、かつ、Ｐ ｍａｘが２００ｍＷ まで向
上した。さらに、この態形レーザを４０ｍＷ、５０℃で
連続動作させたところ、長時間安定に動作することが確
認できた。
〈発明の効果〉
本発明によれば、レーザ発振領域での高次横モ−ドをカ
ットオフすることかでき、高電流注入領域まで安定な横
基本モードを得ることかでき、高い端面破壊耐用出力を
得ることができる。
ットオフすることかでき、高電流注入領域まで安定な横
基本モードを得ることかでき、高い端面破壊耐用出力を
得ることができる。
第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明にかかる態形レーザにお
ける各断面図であり、（Ａ）は第４図のＸ−Ｘ線方向断
面、（Ｂ）は第４図のＹ−Ｙ線方向断面を夫々表わす。 第２図は本発明にかかる態形レーザにおける断面図であ
る。 第３図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は本発明の製造
方法の一実施例を順次説明する製造工程図である。 第４図は従来の態形レーザにおける光の伝播様式を説明
する平面図で・ある。 第５図（Ａ）、（Ｂ）は従来の態形レーザの断面構成を
示す夫々第４図のＸ−Ｘ線方向、’ｌ’−Ｙ線方向断面
図である。 １・・・・・・・・・・・・レーザ発振動作領域。 ２．２゛・・・・・・窓領域。 ３．３゛・・・・・・共振器面。 ５．５゛・・・・・・レーザ発振領域端面。 ２１・・・・・・・・冒１−Ｃ；ａＡｓ基板＋２２・・
・・・・・・・ｎ −Ｃ； ａ Ａ ｓ電流阻止層。 ２３・・・・・・・・・１〕−クラッド層。 ２４・・・・・・・・・活性層。 ２５・・・・・・・・・１１−クラッド層。 ２６・・・・・・・・・１１−キャップ層。 ２７．２７’・＝−高抵抗ＧａＡｌＡｓ埋込み層。 ２８・・・・・・・・冒】−ＧａＡｌＡｓ埋込み層。 ２９・・・・・・・・・ｐ−ＧａＡ見Ａｓ埋込み層。 特許出願人 シャープ株式会社
ける各断面図であり、（Ａ）は第４図のＸ−Ｘ線方向断
面、（Ｂ）は第４図のＹ−Ｙ線方向断面を夫々表わす。 第２図は本発明にかかる態形レーザにおける断面図であ
る。 第３図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は本発明の製造
方法の一実施例を順次説明する製造工程図である。 第４図は従来の態形レーザにおける光の伝播様式を説明
する平面図で・ある。 第５図（Ａ）、（Ｂ）は従来の態形レーザの断面構成を
示す夫々第４図のＸ−Ｘ線方向、’ｌ’−Ｙ線方向断面
図である。 １・・・・・・・・・・・・レーザ発振動作領域。 ２．２゛・・・・・・窓領域。 ３．３゛・・・・・・共振器面。 ５．５゛・・・・・・レーザ発振領域端面。 ２１・・・・・・・・冒１−Ｃ；ａＡｓ基板＋２２・・
・・・・・・・ｎ −Ｃ； ａ Ａ ｓ電流阻止層。 ２３・・・・・・・・・１〕−クラッド層。 ２４・・・・・・・・・活性層。 ２５・・・・・・・・・１１−クラッド層。 ２６・・・・・・・・・１１−キャップ層。 ２７．２７’・＝−高抵抗ＧａＡｌＡｓ埋込み層。 ２８・・・・・・・・冒】−ＧａＡｌＡｓ埋込み層。 ２９・・・・・・・・・ｐ−ＧａＡ見Ａｓ埋込み層。 特許出願人 シャープ株式会社
Claims (1)
- （１）基板上に形成したストライプ状溝に対応して湾曲
した活性層を有するレーザ発振領域と共振端近値に先導
波路として働く平坦な活性層を有するレーザ光の窓領域
を形成した半導体レーザしおいて、湾曲した活性層を有
するレーザ発振領域の両側を埋込み領域としたことを特
徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10314684A JPS60245289A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体レ−ザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10314684A JPS60245289A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245289A true JPS60245289A (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=14346370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10314684A Pending JPS60245289A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245289A (ja) |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP10314684A patent/JPS60245289A/ja active Pending
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