JPS60235433A - 半導体評価装置 - Google Patents
半導体評価装置Info
- Publication number
- JPS60235433A JPS60235433A JP59093474A JP9347484A JPS60235433A JP S60235433 A JPS60235433 A JP S60235433A JP 59093474 A JP59093474 A JP 59093474A JP 9347484 A JP9347484 A JP 9347484A JP S60235433 A JPS60235433 A JP S60235433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- observation position
- semiconductor element
- semiconductor
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体評価装置の改良、特に二次電子顕微
鏡(SEM)などの半導体素子の位置合わせの改良に関
するものである。
鏡(SEM)などの半導体素子の位置合わせの改良に関
するものである。
従来のこの種の半導体評価装置を第1図によって説明す
る。
る。
第1図において、1はフィラメント、2は7バーチヤ、
3はコンデンサレンズ、4はウェハな吸着するホルダ、
5は前記ホルタ4上に吸着された半導体素子、例えばウ
ェハである。6は前記フィラメント1から放出された電
子ビーム、Tは前記ウェハ5に照射された電子ビーム6
の二次電子ビーム10を受けるディテクタ、8は前記デ
ィテクタTからの゛電子強度に比例した画像を写し出す
モニタTV、9は駆動機構で、例えば手動で回動する手
動ノブである。
3はコンデンサレンズ、4はウェハな吸着するホルダ、
5は前記ホルタ4上に吸着された半導体素子、例えばウ
ェハである。6は前記フィラメント1から放出された電
子ビーム、Tは前記ウェハ5に照射された電子ビーム6
の二次電子ビーム10を受けるディテクタ、8は前記デ
ィテクタTからの゛電子強度に比例した画像を写し出す
モニタTV、9は駆動機構で、例えば手動で回動する手
動ノブである。
次に動作について説明する。
フィラメント1から放出された電子ビーム6は、アパー
チャ2.コンデンサレンズ3によってビーム形成・偏向
された後、ホルダ4上のウェハ5に当たり、そこから放
出される二次電子ビーム1゜をディテクタ1で受け、そ
の電子強度に比例した画像をモニタTv8に写し出し観
察している。観察位置の移動には、モニタTV8を見な
がら手動ノア9を回すことによって、平面を決定するX
。
チャ2.コンデンサレンズ3によってビーム形成・偏向
された後、ホルダ4上のウェハ5に当たり、そこから放
出される二次電子ビーム1゜をディテクタ1で受け、そ
の電子強度に比例した画像をモニタTv8に写し出し観
察している。観察位置の移動には、モニタTV8を見な
がら手動ノア9を回すことによって、平面を決定するX
。
y方向ならびにこの平面からの傾きであるθ方向を決定
している。
している。
従来の半導体評価装置は以上のように構成されているの
で、観察位置の確認にはモニタTV8を目視しながら、
手動ノブ9によって位置探しなせねばならず、観察位置
を見失ったり、また、観察ポイントを探すのに長時間必
要であり、効率よく観察できない等の欠点があった。
で、観察位置の確認にはモニタTV8を目視しながら、
手動ノブ9によって位置探しなせねばならず、観察位置
を見失ったり、また、観察ポイントを探すのに長時間必
要であり、効率よく観察できない等の欠点があった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、観察位置探しおよびその移動に
、半導体素子のパターン、すなわち観察ポイントの座標
を入力してCPU等の制御装置で制御することにより、
半導体素子の観察位置の探索に気を使う必要がなく、短
時間で、多数の場所を効率よく観察できる半導体評価装
置を提供するものである。以下この発明の一実施例を図
図について説明する。
ためになされたもので、観察位置探しおよびその移動に
、半導体素子のパターン、すなわち観察ポイントの座標
を入力してCPU等の制御装置で制御することにより、
半導体素子の観察位置の探索に気を使う必要がなく、短
時間で、多数の場所を効率よく観察できる半導体評価装
置を提供するものである。以下この発明の一実施例を図
図について説明する。
第2図はこの発明の一実施例を示す半導体評価装置の構
成図で、第1図と同一符号は同一部分を示す。11はこ
の発明の駆動機構を示し、この駆動機構11は、ホルダ
4を移動制御する駆動装置、例えばインデックス・スキ
ャン等の機能を備えた移動用のジョイスティック12.
このジョイスティック12を制御するCPUその他の制
御装置13゜この制御装置13にウェハ5の評価要領の
パターンを入力する入力装置14がら構成され【いる。
成図で、第1図と同一符号は同一部分を示す。11はこ
の発明の駆動機構を示し、この駆動機構11は、ホルダ
4を移動制御する駆動装置、例えばインデックス・スキ
ャン等の機能を備えた移動用のジョイスティック12.
このジョイスティック12を制御するCPUその他の制
御装置13゜この制御装置13にウェハ5の評価要領の
パターンを入力する入力装置14がら構成され【いる。
次にこのように構成された半導体評価装置の動作につい
て説明する。
て説明する。
まず、ウェハ5をホルタ4上にセットするが、セットす
るウェハ5のパターン回路図面を入力装置14により制
御装置13に入力し、これを記憶しておくと、観察位置
を入力時に任意の基点を設けることによって、x、yお
よびθ方向の平行および回転移動により見出せることを
特徴としている。また、ウェハサイズ等の値を入力させ
ておくことKより、ジョイスティック12のスキャン・
インデックス機能により任意の位置合わせも可能である
。なお、その他の動作は第1図と同じである。
るウェハ5のパターン回路図面を入力装置14により制
御装置13に入力し、これを記憶しておくと、観察位置
を入力時に任意の基点を設けることによって、x、yお
よびθ方向の平行および回転移動により見出せることを
特徴としている。また、ウェハサイズ等の値を入力させ
ておくことKより、ジョイスティック12のスキャン・
インデックス機能により任意の位置合わせも可能である
。なお、その他の動作は第1図と同じである。
なお、上記実施例では、評価する半導体素子として主に
ウェハの例をあげて説明したが、チップ片でもよい。ま
た、上記実施例では、駆動装置としてジョイスティック
12について説明したが、他の駆動装置であってもよく
、上記実施例と同様の効果を奏する。
ウェハの例をあげて説明したが、チップ片でもよい。ま
た、上記実施例では、駆動装置としてジョイスティック
12について説明したが、他の駆動装置であってもよく
、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上説明したように、この発明は半導体素子の観察を、
半導体素子が吸着されるホルダを移動制御する駆動装置
、この駆動装置を制御する制御装置、この制御装置に半
導体素子の各種評価要領のパターンを入力する入力装置
とからなる駆動機構を備えた半導体評価装置によって行
うようにしたので、観察位置の確認に時間がかからず、
わずかの時間で大量の観察が行える効果がある。
半導体素子が吸着されるホルダを移動制御する駆動装置
、この駆動装置を制御する制御装置、この制御装置に半
導体素子の各種評価要領のパターンを入力する入力装置
とからなる駆動機構を備えた半導体評価装置によって行
うようにしたので、観察位置の確認に時間がかからず、
わずかの時間で大量の観察が行える効果がある。
第1図は従来の半導体評価装置の構成図、第2図はこの
発明の一実施例を示す半導体評価装置の構成図である。 図中、1はフィラメント、2はアパーチャ、3はコンデ
ンサレンズ、4はホルダ、5はウェハ、6は電子ビーム
、1はディテクタ、8はモニタTV、11は駆動機構、
12はジョイスティック、13は制御装置、14は入力
装置である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示j。 代理人 大岩増雄 (外2名)
発明の一実施例を示す半導体評価装置の構成図である。 図中、1はフィラメント、2はアパーチャ、3はコンデ
ンサレンズ、4はホルダ、5はウェハ、6は電子ビーム
、1はディテクタ、8はモニタTV、11は駆動機構、
12はジョイスティック、13は制御装置、14は入力
装置である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示j。 代理人 大岩増雄 (外2名)
Claims (1)
- ホルダ上に吸着された半導体素子に駆動機構により前記
半導体素子の観察位置を順次移動させて電子ビームを照
射し、前記半導体素子から反射するそれぞれの二次電子
線の強度に比例した画像をモニタTVで観察する半導体
評価装置において、前記駆動機構を、前記ホルタを移動
制御せしめる駆動装置、この駆動装置を制御する制御装
置、この制御装置に前記半導体素子の各種評価要領のパ
ターンを入力する入力装置とKより構成したことを特徴
とする半導体評価装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59093474A JPS60235433A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 半導体評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59093474A JPS60235433A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 半導体評価装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60235433A true JPS60235433A (ja) | 1985-11-22 |
Family
ID=14083336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59093474A Pending JPS60235433A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 半導体評価装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60235433A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04155846A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-28 | Hitachi Ltd | 電子デバイスの加工方法及びその装置 |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP59093474A patent/JPS60235433A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04155846A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-28 | Hitachi Ltd | 電子デバイスの加工方法及びその装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20040038674A (ko) | 엑스레이 형광투시 장치 | |
TWI655664B (zh) | Charged particle beam device | |
US6888137B1 (en) | Instrument and method for observing selected stored images acquired from a scanning charged-particle beam | |
JPS60235433A (ja) | 半導体評価装置 | |
US5153441A (en) | Electron-beam exposure apparatus | |
US11061378B2 (en) | Processing apparatus and method of controlling processing apparatus using a touch-screen displaying an image-captured workpiece | |
JPS6196644A (ja) | 外観検査装置 | |
JP4795146B2 (ja) | 電子ビーム装置,プローブ制御方法及びプログラム | |
US6215588B1 (en) | Infrared microscope | |
JP2022149685A (ja) | 加工装置 | |
JPH04106853A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
JP3122395B2 (ja) | 蛍光x線分析方法および装置 | |
JPH0224949A (ja) | 集束イオンビームによるデバイス加工位置合せ装置 | |
JPH08267257A (ja) | 微細被加工物の作業装置及び作業方法 | |
GB2346755A (en) | Aperture setting for infrared microscope using virtual aperture superimposed on sample image | |
JP3470726B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
TW202435348A (zh) | 加工裝置以及登錄方法 | |
JP2001084941A (ja) | 荷電粒子装置 | |
JP2023013518A (ja) | 試料加工装置および試料加工方法 | |
JPH0527938B2 (ja) | ||
JPH0464245A (ja) | 光学顕微鏡付電子顕微鏡およびそれを用いた外観検査装置 | |
JPH08262329A (ja) | レーザトラッピング装置 | |
WO2003041159A1 (fr) | Appareil et procede de designation de la position d'observation d'une plaquette | |
JPH04282545A (ja) | 集束イオンビーム加工方法 | |
JPS59123149A (ja) | 電子線装置における試料移動装置 |