JPS60234320A - フオトマスクの欠陥修正方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はフォトマスクのノソターンの欠落欠陥修正方法
とその装置に関するものである。

〔発明の背景〕

ＬＳＩのフォトマスクの欠陥として、　残留欠陥と欠落
欠陥とがある。これら欠陥の修正の良否は、ＬＳＩの歩
留シな大きく左右すると共に、　この修正に８袂な工程
と所要時間の短縮は、生産コストに大きく影響する。

従ってＬＳＩの生産性を高めるためには、上記欠陥の修
正を短時間でかつ確実に行なうことが要求される。

フォトマスクのパターンに生ずる欠陥のうち、残留欠陥
についてはレーザを用いた修正法（特公昭５２−９５０
８）によシ大巾な工数低減が達成されている。

然しなから、パターンの一部が欠落した欠陥（欠落欠陥
）については、以下述べるような多くの工程と時間を費
やす技術を用いて修正しているのが実情である。

以下従来の欠落欠陥の修正法について説明する。

先ず代表的なものとして、リフトオフ法が採用されてい
る。このリフトオフ法による欠落欠陥の修正を工程順に
記載すると次の通シである。

（１）欠落欠陥を有するフォトマスク全面にポジ型のフ
ォトレジストを塗布する。

（２）欠落欠陥部のみに部分露光を行い、その後現像処
理を行って欠落欠陥部を露出させる。

（３）　真空蒸着技術により欠落欠陥部とその周辺のレ
ジスト上、あるいはフォトマスク全面のレジスト上に金
属膜を形成する。

（４）　レジスト除去を行い、同時にレジスト上の金属
膜も除去する。

このように、リフトオフ法は大別すると４工程に分けら
れ、その工程のほとんどが長時間を要する。そして、数
μｍ程度の微細／Ｊパターン修正は困難であるという欠
点を有する。

又これ以外に欠落欠陥部以外の金属膜やフォトレジスト
の完全な除去が難しく、新たな残留欠陥を発生する可能
性が高いという欠点もある。

上記リフトオフ法以外の方法として電解メッキを用いた
方法が知られている。

この電解メッキ法は、先ず修正すべきフォトマスクが第
２図（ａｔ図に示すように、ガラス基板１全面に透明導
電膜２が形成され、その上にＣｒなどによシバターン３
が形成された構造の場合は、第２図に示す方法で修正す
る。これは、 （１）欠落欠陥５を有するフォトマスク４全面にポジ型
フォトレジスト６を塗布する（ｂ図）。

（２）欠落欠陥部５のフオトレジス）６．に部分露光を
行った後、現像処理を行って欠落欠陥部５を露出させる
。（０図）。

（３）上記フォトマスク４の透明導電膜２を負極に接続
し、Ｃｒ等の金属板８を正極に接続した後、硫酸クロム
水溶液などからなるメッキ液７に浸漬して電解メッキを
行う（ｄ図）。

（４）　メッキされた金属９の膜厚あるいは遮光性が十
分得られたら、メッキ液７よシ取シ出して水洗を行うＣ
ｅ図）。

（５）　フォトレジスト膜６を除去する（ｆ図）。

などの工程によって行なわれる。

また、ガラス基板１にパターン３が直接形成されたフォ
トマスク４を修正する場合は、第３図に示す方法を用い
ている。この方法は、 （１）　欠落欠陥５を有するフォトマスク４の全面に透
明導電膜２を形成する。（ａ図）。

（２）　その上にポジ型フォトレジスト６を塗布する（
ｂ図）。

（３）欠落欠陥部５に部分露光を行った後、現像処理を
行い欠落欠陥部５を露出させる（０図）。

（４）　透明導電膜２を負極に接続し、第２図同様メッ
キ液７に浸漬して電解メッキを行う（ｄ図）。

（５）　メッキされた金属９の膜厚あるいは遮光性が十
分得られたらメッキ液７より取り出し、水洗を行う（ｅ
図）。

（６）　フォトレジスト膜６を除去する（ｆ図）。

などの工程からなって訃シ、透明導電膜２形成後の作業
は第２図と同じである。

これら電解メッキによる修正の欠点としては、（１）リ
フトオフ法の真空蒸着作業が電解メッキ作業に代わった
程度であるため、工程数はほとんど変わらず、時間もさ
ほど短縮されない。

（２）　フォトレジスト膜６を完全に除去できず、新た
な残留欠陥を生じ易い。

（３）　第３図の方法において、透明導電膜２を形成す
る際に、異物を一緒に付着し新たな残留欠陥を生じ易い
。

などがある。

〔発明の目的〕

本発明は、上記従来の欠点を解決し、少ない工程数で、
かつ短時間に欠落欠陥を修正すると共に、微細・ぐター
ンの修正も可能とし、かつ残留欠陥を生じさせないフォ
トマスクの欠落欠陥の修正方法及びその装置を提供せん
とするものである。

〔発明の櫃要〕

即ち、本発明は、従来のようにフォトレジスト膜を使用
するのではなく、欠落欠陥部にレーザ光を集光ｌ−照射
しながら、電解メッキあるいは無電解メッキによって、
欠落欠陥部に直接膜を析出させるようにしたものであっ
て、その方法としては、波長が１．３μｍ以下のレーザ
光を欠落欠陥部に集光・照射しながら電解メッキあるい
は無電解メッキを行ない、欠落欠陥部のメッキ速度を高
めて、欠落欠陥部のみに膜を析出させ、フォトマスクの
欠落欠陥を修正するようにしたものである。

この方法を実施するための装置として、先ずレーザ光を
発生する手段を備え、被修正フォトマスクを密閉状態で
装着することができ、且つ前記レーザ光を透過する窓及
び電解メッキのための電極を備えた修正容器を設け、前
記レーザ光発生手段よシ発生したレーザ光を前記被修正
フォトマスクの欠落欠陥部分に集光・照射し、これを観
察するためのレーザ照射・観察光学系、前記修正容器内
部に空気を供給排出する手段、メッキ液を貯蔵する手段
、洗浄液を貯蔵する手段、これら貯蔵部から前記修正容
器内へメッキ液又は洗浄液を供給・排出する手段、廃液
を貯蔵する手段、及び前記修正容器の廃液を前記廃液を
貯蔵する部分に排出する手段を付設し、前記電極に電圧
を印加するための電源を設けたことを特徴とする。

〔発明の実施例〕

以下本発明の一実施例について詳細に説明する。

先ず、第１図において、フォトマスクの欠落欠陥部にレ
ーザ光を集光・照射しながら、電解メッキを行ない、修
正する方法を示す。

この方法で修正可能なフォトマスクは（ａ１図に示すよ
うにガラス基板１とパターン３との間あるいはパターン
３の上にＩ　ｎ２０１や５ｎ０２等の透明導電膜２がフ
ォトマスク４全面に形成された導電性マスクである。こ
のようなフォトマスク４の透明導電膜２を負極に接続し
、レーザ光１２を透過する構造をもつ容器１０に入れら
れたメッキ液７に浸漬する。そして、正極に接続した電
極板８との間に直流あるいは直流に交流を重畳させた電
圧を印加すると共に、レーザ発振器１１よシレーザ光工
２を発振し、対物レンズ１３で欠落欠陥部５に集光・照
射する（ｂ図）。これによシ、レーザ照射部（欠落欠陥
部５）は他の部分よ９１０２〜１０３倍の早さでメッキ
が進み、欠落欠陥を修正することができる。

遮光性が十分に得られたら、電圧の印加およびレーザ光
１２の照射を停止し、メッキ液７よ）取り出し、水など
によシ洗浄を行なう１０図）。

ここで使用されるメッキ液は、通常のメッキ液でよく、
例えば、Ｎｉを析出させて修正する場合Ｕ、水ＩＡ＋に
スルファミン酸ニッケル２７０ｇ〜４５０ｇ１塩化ニツ
ケルＯ〜３０ｇ、ホウ酸３０〜４０ｇを溶かした液、Ｃ
ｒを折用する場合は、水１１にクロム酸２５０ｇ　、硫
酸０．７〜１．５ｇ、ケイフッ化ナトリウム５〜１０ｇ
を溶かした液等がある。

電極板８の材質としては、メッキ液７より析出する金属
と同じものかＰｔあるいはＴｉ等の金属単体、あるいは
石英板等にｒｎ２０３やＳｎ　０２を形成したものを用
いる。レーザ発振器Ｉｆとしては、波長１、３μＴｒＬ
Ｊ−１下のレーザ光を発振するもの、例えばＡｒレーザ
、ＹＡＧレーザ、各種レーデ励起色素レーザ等が好適で
ある。波長１．３μｍ以下とした理由は、フォトマスク
４のノ千ターン３の寸法が微細なことから、対物レンズ
１３による集光スポット径を微小にしなげればならない
ためと、波長が数μｍと長くなるとフォトマスク４のガ
ラス基板１やメッキ液７にレーザ光１２が吸収されるた
めである。

尚、第１図（ｂｌではレーザ照射を容器１０卦よびメッ
キ液７を介してフォトマスク４のガラス基板１側よシ行
っているが、フォトマスク４を容器］０の窓として、容
器１０およびメッキ液７を介さずにフォトマスク４のガ
ラス基板１側よシレーザ照射を行っても良い。または、
電極板８をリング状あるいはメツシュ状等の形状にし、
電極板８側よシレーザ照射を行っても良い（電極板８が
上述の石英板等の透明体Ｉｎ２Ｏ３や５ｎ０２を形成し
たものは、このような形状にしなくて良い）。

さらに、？ンプあるいは、かく拌翼等を用いてメッキ液
７を循環させながらメッキを行った方が良好な析出膜が
得られる。

なお、レーザ照射部は、他の部分よりも１０’−１０’
倍の速さでメッキされることから、フォトマスク４の透
過部分に透過を妨げる厚さの金属が析出する前に修正を
行なうことができるが、万一透過を妨げる程度までメッ
キを行なった場合は、透明導電膜２及び金属板８の極性
を逆にして電圧を印加する（この時１寸レーザ照射は行
なわない）ことによシ、余分にメッキされた金属を除去
することができる。

次に第４図に示した方法について説明する。これは、欠
落欠陥部にレーザ照射しながら無電解メッキ（化学メッ
キ）を行ってフォトマスクを修正する方法である。この
方法では第１図（ａｌに示す導電性マスクの他に、第４
図（ａｌに示す非導電性マスク（透明導電膜のないフォ
トマスク）の修正も可能である。これらのフォトマスク
４に感応性付与（Ｓｅｎｓｌｔｉｚｊｎｇ　）および活
性化（Ａｃｔｉｖａｔｉｎｇ）を行った後、レーザ光１
２を透過する構造をもつ容器１０に入れられた無電解メ
ッキ液７に浸漬し、レーデ発振器１１よシレーデ光１２
を発振１〜、対物レンズ１３で欠落欠陥部５に集光・照
射するｃｂ図）。これによシ、レーザ照射部（欠落欠陥
部５）は他の部分よ９１０２〜１０３倍の早さでメッキ
が進み、欠落欠陥を修正することができる。メッキされ
た金属９の膜厚あるいは遮光性が十分に得られたらレー
ザ光１２の照射を停止し、メッキ液７より取り出して水
などで洗浄を行う（６図）。

ここで用いるメッキ液７は通常の無電解メッキ液で良く
、例えばＣｒを析出させて欠落欠陥５を修正する場合は
、水１１に対してフッ化りロム加ｇ、塩化クロムＩｇ、
次亜リン酸ソーダ８．８　、、　。

氷酢酸１０ｍ１＋苛性ソーダ（２０％溶液）１０ｍｌを
溶かしたもの、Ｎｉを析出する場合には、水１１に対し
塩化ニッケルまたは硫酸ニッケル３０ｇ、次亜リン酸ソ
ーダ１０〜２４ｇ、酢酸ソーダ１０〜１６　ｇを溶かし
たもの、等がある。感応性付与は、水１Ｚに塩化第−ス
ズ１０ｇ、塩酸４０ｍ１を溶かした液、　あるいは上記
の無電解メッキ液がアルカリ性であれば、水１１に塩化
第−スズ１００ｇ、苛性ソーダ１５０ｇ、ロッシェル塩
１７５ｇを溶かした液、等に浸して行う。活性化は、水
４．５１に塩化ｉ８ラジウム１ｇ、塩酸１．０　ｍｌｌ
を溶かした液、あるいは水１１に塩化金１ｇ、塩酸２ｍ
ｌを溶かした液、等に浸して行う。

尚、感応性付与液と活性化液を混合して用いてもよく、
これにより作業工程および時間は更に短縮される。又、
上記感応性付与と活性化処理に代えて、第５図に示すよ
うに、フォトマスク４のノ４り゛−ン３側全面あるいは
欠落欠陥５とその周辺に、ＰｄあるいけＡｕあるいはそ
れらの合金等をス・ぐツタリング法あるいは蒸着法又は
イオンデポジション法等の気相成長法により膜７２を形
成してもよくＣｂ図）、メッキによる析出膜の付着強度
を考えるとこの方法が有利である。

そして上記気相成長法で形成した膜７２の厚さがフォト
マスク４の光透過部分（）やターン３の無い部分）の透
過特性に悪影響を与える程度であれば、無電解メッキお
よび洗浄を行なった後（０図）、無電解メッキにより欠
落欠陥部５に形成されたＣｒ等の膜９をエツチングせず
上記気相成長法で形成した膜７２のみをエツチングする
液あるいはガスに浸漬する。これにより、上記のＣｒ等
の膜９は、エツチングに対しマスクの働きをし、欠落欠
陥部５以外のＰｄ等の膜は除去される（ｄ図）。然し、
膜７２が透過特性に悪影響を与えない程度に非常に薄い
厚膜の場合には、エツチング処理は不要であシ、第５図
（Ｃ１に示した状態でウェハ等への露光に使用できる。

なお、透明導電膜のないフォトマスク４に上記の気相成
長法で金属膜７２を形成することにより、電解メッキで
も修正可能である。その際、金属膜７２は、電気抵抗を
低くする必要があることから、フォトマスク４の光透過
部分の透過特性が悪くなる程度の膜厚で形成されるため
、上記エツチング処理を省くことはできない。

レーザ発振器］１は第１図の実施例で述べたように波長
１，３μｍ以下のものが好適である。また、レーザ照射
の方向も第４図（ｂｌに示すようにフォトマスク４のガ
ラス基板１側から（実線で図示）でも、パターン３側か
ら（破線で図示）でも良い。さらに、フォトマスク４を
容器１０の窓として用いても良く、メッキ液７は循環さ
せた方が良好な析出が得られることも同様である。

尚、前述した如く、レーザ照射部は他の部分より１σ〜
１０３倍の早さでメッキされることから、フォトマスク
４の透過部分に透過を妨げる厚さの金属が析出する前に
修正することができるが、万一透過を妨げる程度までメ
ッキを行った場合は、エツチング液に浸すことによシ余
分な金属を除去できる。そのエツチング液としては、メ
ッキされた金属がＣｒの場合は、水１１にフェリシアン
化カリウム３００ｇ　、苛性ソーダ５０ｇを溶かした液
、水１１に硝酸第２セリウムアンモン２００ｇを溶かし
た液等があり、Ｎｉの場合には３０％の硝酸水溶液や硝
酸と酢酸とア七トンを同容量に混合した液等がある。

次に本発明における装置の一実施例を第６図により説明
する。

図において、１０は修正容器である。４は、この修正容
器１０に取シ付けられた欠落欠陥を有するフォトマスク
、８は、フォトマスク４と同程度の寸法の電極である。

又この修正容器１０には、・ぐルブβ、タンク加、ポン
プ２１．ノぐルブ２２から成る循環回路と、バルブ２６
．ボンデ５．タンク２４　、　／々ルブ部から成る循環
回路と、バルブ公、ポンプ四、洗浄液タンク艶から成る
洗浄系と、・クルリプ３１．廃液タンク３２から成る廃
液系と、ノクルプ３３を備えた空気の出入口が付設され
ている。

又レーザ発振器１１より発振されたレーザ光１２はシャ
ッタ１５を介してグイクロイックミラー１４で反射され
対物レンズ１３で集光されてフォトマスク４の欠落欠陥
部に照射できる構造となっておシ、照明光学系１６、ハ
ーフミラ−１７、接眼レンズ１８から成る観察光学系を
備えている。１９は、ノマルブｎ。

２３　、２６　、２７　、２８　、３１　、３３の開閉
、ポンプ２１　、２５　。

四のＯＮ、ＯＦＦ、シャッタ１５の開閉、およびフォト
マスク４と電極８の間に印加する電圧を制御する制御装
置である。

第８図によυ、修正容器１０の詳細を更に詳しく説明す
る。図において、修正容器１０は、上部容器１０ａと下
部容器１０ｂに分れており、駆動装置刃により、上部容
器１０ａが上下して密閉状態あるいは開放状態とするこ
とができる。この駆動装置間は、制御装置１９によシ制
御される。父上部容器１０ａと下部容器］、Ｏｂの密封
性をよくするために、バッキング又はＯリング４９が設
けられている。上部容器１０ａには窓および真空吸着用
の溝４４が設けられていてフォトマスク４自身が窓材と
なる様に真空ポンプ４５で固定される。この時、フォト
マスク４はパターン３面が修正容器１０の内側を向く様
に固定され、レーザ光１２けマスク基板１を透過して欠
落欠陥部に照射される。真空ポンプ４５は制御装置１９
によりＯＮ　、　ＯＦＦ制御される。そして真空吸着さ
れたフォトマスク４の透明導電膜２には電解メッキの際
に電圧を印加するための電極４６が接触される。電極４
６は、制御装置１９のメッキ用電源の負極に接続されて
オシ、駆動装置４７によシ透明導電膜２に接触したシ離
れたシする。この制御も制御装置１９によシ行われる。

絶縁体４８は電極４６と上部容器１０ａとの短絡および
メッキ液のもれを防ぐためのものである。さらに上部容
器１０ａには、ノクルプおが配管によυ接続されている
。下部容器１０ｂにはバルブ路を介してタンク３Ｑ、ｉ
４）レブ２６　、２７を介してタンクｕ１パルプ２２　
、２３を介してタンク加、バルブ３】を介してタンク３
２へ配管により接続される。また底部には電解メッキの
際の電極８が絶縁体５１により固定され、制御装置１９
のメッキ用電源の正極に接続されている。

尚、修正容器１０の内部の構造は、第８図に示した断面
図の如く、少くともフォトマスク４の面をメッキ液が均
一に流れる（層流）ようにすると共に、気泡がフォトマ
スク４の面にとどまらないようにすると良質な膜が得ら
れやすい。

第９図の実施例は、第８図の実施例の一部を変え、欠落
欠陥部へのレーザ照射直後のフォトマスク４からのレー
ザ光１２の透過光量と析出時のレーザ光１２の透過光量
から析出膜の遮光性（透過率）をモニタし、その遮光性
に応じてレーザ照射および電解メッキ時の印加電圧を制
御するようにしたものである。

第８図の実施例と異る点は、下部容器１０ｂの底部にレ
ーザ光１２を透過する窓（フォトマスク４のガラス基板
１やレーザ光１２の波長およびその付近の波長のみを透
過する干渉フィルタ等を用いる）５２を設けたこと、レ
ーザ照射光学系と常に同一光軸となるよう修正容器１０
の下にレーザ光１２の光量に応じた電圧あるいは電流を
発生する光量検出器５３を設は制御装置１９に接続した
こと、電極８の形状をメツシュ状あるいはリング状（メ
ツシュ状の方が電解メッキ時の電解分布の均一性から好
適）にしてフォトマスク４を透過したレーザ光１２をで
きるだけ遮らないようにしたこと（絶縁体５１も同様に
、電極８の周縁部あるいは角部のみで固定できるように
する）、さらに、制御装置１９内に演算機能と記憶機能
と比較判定機能を新たに付加したことである。尚、電極
８に第１図で述べた様に、透明体にＩｎ２Ｏ３や５ｎ０
２等の透明導電膜を形成した場合には形状を変える必要
はなく、窓５２として用いることが可能である。また、
光量検出器５３と窓５２の間にレーザ光１２の波長およ
びその付近のみを透過する干渉フィルタを設けることに
より、第６図に示した照明光学系１６や参照光光源４１
カ・らの光の影響を除くことができる（窓５２に干渉フ
ィルタを用いている場合は不要）。さらに、光量検出器
５３を制御装置１９内に設け、第９図の光量検出器５３
の位置に集光レンズを設け、両者を光ファイ／々を用い
て接続してもよ（〜０ 以上のように構成した本実施例の作用につ℃・て以下説
明する。先ず第８図に示した修正容器を用いた場合につ
いて説明する。第６図及び第８図において、フォトマス
ク４の欠落欠陥を電解メッキで修正する場合には、バル
ブが、２７とボンｆ２５とタンク冴は不要となり、制御
装置１９の）Ｚルブが。

υの開閉、ポンプ５のＯＮ　、　ＯＦＦを制御する機能
も不要となる。そしてタンク２０には電解メッキ液を入
れる。一方、無電解メッキ液で修正する場合は、電極８
および制御装置１９のフォトマスク４と電極８の間に電
圧を印加する機能は不用となる。

そしてタンク頷には無電解メッキ液、タンクＵには感応
性付与液と活性化液の混合溶液（前処理液）を入れる。

次に、この装置による修正手順を説明する。

まず、電解メッキによる修正手順を述べる。

全てのバルブが閉じられ、電解メッキ液および洗浄水が
それぞれのタンク２０および３０に納められた状態で、
欠落欠陥を有するフォトマスク４を修正容器１０に取り
付け、容器１０内を密閉状態にする。

そこでバルブ２２　、２３を開け、ポンプ２１により電
解メッキ液を修正容器１０内に満たした後、バルブ３３
を閉じ、バルブｎを開けてメッキ液を循環させる。

その状態で観察光学系および対物レンズ１３によｐフォ
トマスク４のノぐターンを観察しながら、レーザ光１２
の集光点と欠落欠陥の位置合せを行う。この位置合一＠
：は、修正容器１０を図示省略のＸ−Ｙテーブル上に載
置するか、光学系全体をＸ−Ｙに移動させる等、通常の
手段で行うことができる。その後、フォトマスク４と電
極８の間に電圧を印加しながら、シャッタ１５を開いて
レーザ光１２を欠陥部に照射し、一定時間後シャツタ１
５を閉じると共に電圧の印加も停止する。この電圧印加
（を解メッキ）およびレーザ照射によシ欠落欠陥部には
電解メッキ液からの析出金属が堆積して欠落欠陥を埋め
る。同一のフォトマスク４内に欠落欠陥が他にも有る場
合には上記の位置合せ以降の動作を繰シ返して修正を行
う。修正が終えたならば、ポンプ２１をＯＦＦにし、バ
ルブｎを閉じ、バルブ３３を開けてメッキ液をタンク加
に戻したらバルブＺ３を閉じる。そしてバルブ路を開け
、ポンプ四によシャッタ３０から水などの洗浄液を修正
容器１０内に満たした後バルブ３３を閉じ、バルブ３１
を開けて洗浄液を流しまだ修正容器１０内およびフォト
マスク４に付着している電解メッキ液を洗い流す。洗浄
が終えたらポンプ四をＯＦＦにし、バルブあを閉じ、バ
ルブ３３を開けて洗浄液を廃液タンク３２に入れる。

その後、フォトマスク４を取り外し、バルブ３】。

３３を閉じて修正作業を完了する。

次に、無電解メッキによる修正手順を説明する。

全てのバルブが閉じられ、無電解メッキ液、前処理液お
よび洗浄液がそれぞれのタンク加、２４および（９）に
納められた状態で、欠落欠陥を有するフォトマスク４を
修正容器１０に取り付け、容器１０内を密閉状態にする
。そこでバルブ２６　、３３を開け、ポンプ部によυ前
処理液を修正容器１０内に満たした後、バルブ３３を閉
じてバルブ２７を開けて前処理液を循環させる。前処理
液を１〜３分循環させたうｓ９ンプ謳をＯＦＦ、バルブ
２６を閉じ、バルブ３３を開けて前処理液をタンク別に
戻す、。戻し終えたらバルブ２７を閉じ、バルブあを開
げて一ンプ２９により水などの洗浄液を修正容器１０内
に満たした後バルブ３３を閉じ、バルブ３１を開けて洗
浄液を流しまだ修正容器１０内やフォトマスク４に付着
している前処理液を洗い流す。洗浄後、ポンプ四を０Ｆ
Ｆ１バルブ公を閉じ、バルブ３３を開けて洗浄液を廃液
タンク３２に入れる。次に観察光学系および対物レンズ
１３によりフォトマスク４のパターンを観察しながら、
レーザ光１２の集光点と欠落欠陥の位置合せを行う。こ
れは上記した様に、修正容器１０あるいは光学系全体を
Ｘ−Ｙ方向に移動して行う。その後、バルブ３１を閉じ
、バルブ２２を開けてポンプ２１によシ無電解メッキ液
を修正容器１０内に満たした後、バルブ３３を閉じ、バ
ルブ田を開けて循環させる。その状態でシャッタ１５を
開いてレーザ光１２を欠落欠陥部に照射し、一定時間後
シャッタ１５を閉じる。これにより欠落欠陥部には無電
解メッキ液から析出した金属が堆積して欠陥部を埋める
。

同一のフォトマスク４内に欠落欠陥が他にも有る場合に
は上記位置合せ以降の動作を繰り返して修正する。修正
が終えたら、ポンプ２１をＯＦＦ　、バルブ２２を閉じ
、バルブ３３を開けて無電解メッキ液をタンク加に戻し
、バルブｎを閉じる。そしてバルブ路を開け、ポンプ四
によりタンク加から洗浄液を修正容器１０内に満たした
後バルブ３３を閉じ、バルブ３１を開けて洗浄液を流し
、まだ修正容器１０内およびフォトマスク４に付着して
いる無電解メッキ液を洗い流す。洗浄が終えた後にポン
ｆ２９をＯＦＦ、バルブ路を閉じ、バルブ３３を開けて
洗浄液を廃液タンク３２に入れる。その後フォトマスク
４を取り外し、バルブ３１　、３３を閉じて修正作業を
完了する。

次に、第９図に示した修正容器を用いた修正方法につい
て述べる。まず、欠落欠陥部の修正後の目標透過率Ｔｏ
を設定し、制御装置１９内の比較判定部に手入力などで
入れておき、同様の手順でフォトマスク４の取シ伺け、
欠落欠陥の位置出しおよびメッキ液の循環を行う。そし
てシャッタ１５を開いてレーザ光１２を欠落欠陥部に照
射する。制御装置１９はそこからの透過光量ＰＯを光量
検出器５３で検知し、その値Ｐｏを記憶部に取シ入れた
後、本修正方式が電解メッキ方式ならば、電極８とフォ
トマスク４間に電圧を印加して（無電解メッキ方式の場
合は電圧印加は不要）メッキを行い、欠層欠陥部に膜を
析出させる。そして、欠落欠陥部の析出膜から透過して
くるレーザ光１２の光量Ｐ、を随時あるいは一定間隔（
例えば０．２秒おき）で検知し、その値Ｐ、を演算部に
取り入れると共に、上記のレーザ照射初期の透過光量Ｐ
ｏを記憶部から取９人れ透過率Ｔ　（＝　ｐｔ／　Ｐｏ
）を計算する。その値Ｔを比較判定部で目標透過率Ｔ。

と比較し、Ｔｏ＜Ｔならば、さらにレーザ照射および電
圧印加を続け、Ｔ。

≧Ｔならば、シャッタ１５を閉じてレーザ照射を停止す
ると共に、電圧の印加を停止する。その後、同様の手順
によシ、洗浄訃よびフォトマスク４の取シ外しを行って
修正を完了する。尚　他の場所にも欠落欠陥がある場合
、目標透過率Ｔｏを設定し直す必要はなく（目標透過率
Ｔ。を固定して比較判定部に入れておいても良い）、欠
落欠陥の位置出しから比較判定までを行えば良い。また
、本実施例ではレーザ光１２のみの透過光量を検出して
行っているが、参照光光源４１や照明光光源１６が安定
した光量を発するならば、これらの光の透過光量を検出
して行っても良い。その際には窓５２を干渉フィルタに
する必要はなく、窓５２と光量検出器５３の間に干渉フ
ィルタを設ける必要もない。

本実施例によれば。欠落欠陥の形態に関係なく、均一な
遮光性の析出膜が得られる。

第７図は、第６図におけるレーザ照射光学系の別の実施
例を示す。

即ち、レーザ発振器１１から発振されたレーザ光１２は
ビームエキスパンダ４０によりビーム径を拡げられ、参
照光光源４１．干渉フィルタ４２による特定波長の参照
光４３と結合光学系調によシ同−光軸に結合されて、矩
形開口スリット３５に照射される。シャッタ１５を閉じ
た状態で、作業者が対物レンズ１３゜グイクロイックミ
ラー３６．ハーフミラ−３７，照明光学系１６．レーザ
光カットフィルタ関、プリズム３９、接眼レンズ１８を
介して修正容器１０に取り付けられたフォトマスク４を
観察しながら、参照光４３による矩形開口スリット３５
の像を、欠落欠陥位置および大きさを合せる。この時、
矩形間ロスリットア、対物レンズ１３．フォトマスク４
は、対物レンズの倍率をＭとして、矩形間ロスリツ）３
５の像が１７Ｍの大きさにフォトマスク４上に結像され
る位置関係に配置される。しかる後にシャッタ１５を一
定時間だけ開くことによシ、欠落欠陥の大きさおよび位
置に合せられた参照光４３による矩形開口スリット３５
像と全く同じ大きさ、同じ位置にレーザ光１２が照射さ
れ、レーザが照射された部分のみに金属が析出して、欠
落欠陥を修正することができる。ここで、参照光４３は
、レーザ光１２の波長と対物レンズ１３による色収差が
出す、かつ結合光学系３４で結合できる程度に異なる様
に干渉フィルタ４２で選択される。またダイロイツクミ
ラー３６は、レーザ光１２の波長に対しては十分高い反
射率を持ち、参照光４３に対し−ては５０％程度の反射
率を持ち、他の波長に対しては十分高い透過率を持つも
のが望ましい。

あるいは、レーザ光１２が直線偏光の場合には、結合光
学系３４として、偏光ビームスプリッタを用い、結合さ
れた後のレーザ光１２と参照光４３は、波長が全く同じ
で偏光方向のみ直交させて使用することもできる。この
場合には、グイクロイックミラー３６として、レーザ光
１２の偏光方向の光を十分高（反射し、それと直交する
偏光成分に対しては反射率５０％に近いものを、レーザ
光カットフィルタ襲として、レーザ光１２の偏光方向の
光を反射。

あるいは吸収する特性のものを使用することにより、レ
ーザ光１２と参照光４３の色収差を全く無視して修正を
行うこンができる。

以上、説明して来た様に、第７図に示した光学系を使用
することによシ、任意の大きさの矩形領域に金属を析出
することができ（第６図に示した光学系では円形領域に
析出する）、高精度な修正ができる。

次に別の実施例について第１０図に示す。

ｘ−ｙ方向に移動可能（図でｕｘ−ｙ移動機構は省略し
ている）でかつ下方が開放状態のステージ郭に組み込ま
れた絶縁体口上にマスク押え６１、ネジ６２によシフオ
ドマスク４がパターン面が下向きに固定されている。そ
して、ステージ団には絶縁体（イ）を介して電解メッキ
用の電極５９が固定されていて、電極５９の一端はフォ
トマスク４の透明導電膜２に接触しておシ、もう一端は
制御装置１９内の電解メッキ用電源の負極に接続されて
いる。ステージ５８の下方には駆動機構５５によシ上下
方向（２方向）に移動可能な修正容器馴が設けられ、駆
動機構５５によシ修正容器５４が上に移動し、フォトマ
スク４に押し付けられ０−リング５７によシ密閉状態と
なる。修正容器Ｍ内には先端に電解メッキ用の中空形状
の電極５６を取り付けた絶縁物からなるノズル７１が設
けられておシ、電極５６は制御装置ｊ９内の電解メッキ
用電源の正極に接続されている。この接続方法としては
図に示すように、修正容器５４の一部に穴を開け、そこ
に電線を通して絶縁体６３で穴を封止する等がある。尚
、修正容器５４が絶縁物からなる場合はノズル７】を金
属で製作して電解メッキ用電極としても良い。修正容器
５４からは、パルプ３３を介して大気に、ポンプ６４、
三方向パルプ６５　、６７　、７０　、パルプ２２　、
２３を介してメッキ液タンクかに、ポンプ６４．三方向
バルブ６５　、６６゜６７．７０、パルプ２６　、２７
を介して前処理液タンク冴に、ポンプ６４．三方向バル
ブ６５，６６、バルブ公を介して洗浄液タンク加に、三
方向バルブ７０．パルプ３１を介して廃液タンク３２に
配管されておシ、各ポンプや三方向バルブおよびパルプ
は全て制御装置１９によ多制御される。

以上の構成において、フォトマスク４の欠落欠陥を電解
メッキとレーザ照射の組み合せで修正する場合には、三
方向バルブ６６　、６７、パルプ２６　、２７、前処理
液タンク２４（破線で囲んだ部分）は不要である。一方
、無電解メッキとレーザ照射の組み合せで修正する場合
には、電極５６　、５９、絶縁体５９゜６３、および制
御装置１９内のメッキ用電源は不要である。

修正手順は次の通りである。フォトマスク４をステー−
７５８に取シ付け、第６図あるいは第７図に示した光学
系によシ、欠落欠陥とレーザ照射位置が一致する様、ス
テージ５８によシ位置合せを行った後、修正容器５４を
フォトマスク４に押し付ける。

そして、欠落欠陥を電解メッキで修正する場合には、パ
ルプ２２　、２３を開き、三方向バルブ６５　、７０を
メッキ液タンク加と修正容器５４が通じる様に開いて、
ポンプ６４によシメツキ液をノズル７】から噴出させて
フォトマスク４の欠落欠陥部とその周辺に供給する。こ
の状態で、レーザ光１２を欠落欠陥部に照射すると同時
に、制御装置１９内のメッキ用電源をＯＮにしてフォト
マスク４と電極５６の間に電圧を印加する。一定時間後
、レーザ照射と電圧印加を停止し、ポンプ６４を停止、
パルプｎを閉じ、パルプ３３を開けてメッキ液をメッキ
液タンク加に戻す。次いで、バルブ器、３３を閉じ、バ
ルブ公。

３】を開げ、三方向バルブ６５　、７０をそれぞれ、修
正容器具と洗浄液タンクＩ、修正容器５４と廃液タンク
３２とが通じる様に開き、ポンプ６４によシ水などの洗
浄液をノズル７１および電極５６から噴出させてフォト
マスク４の欠落欠陥修正部とその周辺に付着したメッキ
液を洗い流す。一定時間洗浄した後、ポンプ６４を停止
、バルブ四を閉じ、パルプ３３を開けて洗浄液を廃液タ
ンク３２に回収し、パルプ３］。

３３を閉じる。そして、修正容器５４を下げ、同一のフ
ォトマスク４内の他の場所にも欠落欠陥がある場合には
、上述の位置合せ以後の動作を行って修正する。全ての
欠落欠陥の修正が終えたらステージ５８よシフオドマス
ク４を取υ外して終える。

一方、無電解メッキで修正する場合には、上述した如く
フォトマスク４の取シ付げ、欠落欠陥の位置合せおよび
修正容器５４の押し付けを行った後、パルプ５，２７を
開き、三方向バルブ６５　、６６　、６７　。

７０を修正容器別と前処理液タンクＵとが通じる様に開
け、ポンプ６４により前処理液をノズル７１から噴出さ
せ、フォトマスク４の欠落欠陥部とその周辺に一定時間
供給する。次にポンプ６４を停止し、バルブ２６を閉じ
、バルブ３３を開けて前処理液を前処理液タンク冴に戻
した後、バルブ２７　、３３を閉じ、バルブ路、３］を
開け、三方向バルブ６５　、６６　、７０を修正容器５
４と洗浄液タンク（９）、修正容器５４と廃液タンク３
２が通じるように開け、ボンｆ６４によシ洗浄液をノズ
ル７１から噴出させて、欠落欠陥部とその周辺に付着ば
ている前処理液を洗い流す。次に一定時間後、ポンゾロ
４を停止、バルブ路を閉じ、バルブ３】を開けて洗浄液
を廃液タンク３２に回収後、バルブ３］　、　３３を閉
じる。

次にバルブρ、ｎを開け、三方向バルブ６５　、６７　
。

７０を修正容器５４とメッキ液タンク加が通ずる様に開
ける。そしてポンゾロ４によシメツキ液をノズル７１か
ら噴出させてフォトマスク４の欠落欠陥部に供給すると
同時にレーザ光１２を欠落欠陥部に一定時間照射する。

その後、レーザ照射およびポンプ６４を停止し、バルブ
ｎを閉じ、バルブ３３を開けてメッキ液をメッキ液タン
ク加に回収した稜、バルブ２３．３３ヲ閉じ、バルブ路
、３１を開け、三方向バルブ６５　、６６　、７０を修
正容器聞と洗浄液タンク（９）、修正容器５４と廃液タ
ンク３２が通ずる様に開ける。

そして、ボンデ６４により水などの洗浄液をノズル７１
から噴出させてフォトマスク４の欠落欠陥修正部とその
周辺に付着しているメッキ液を洗い流す。

一定時間洗浄を行った後、ポンプ６４を停止、バルブ路
を閉じ、バルブ３３を開けて洗浄液を廃液タンク３２に
回収した後、バルブ３１　、３３を閉じる。そして修正
容器５４を下げ、同一のフォトマスク４内の他の場所に
も欠落欠陥がある場合には、上述の位置合せ以後の動作
を行って修正する。全ての欠落欠陥を修正し終えたなら
ステージ関よりフォトマスク４を取シ外す。

本実施例ではノズル７】からメッキ液等をノズル７】か
ら噴出させたが、ノズル７１を使用せず修正容器５４を
メッキ液等で満たして修正することも可能である。また
、ノズル７１内あるいはノズル７１の周囲に光ファイバ
を装着し、その一方を第９図に示すような光量検出器５
３に接続することによシ第９図の実施例の如く、修正時
の透過率をモニタ可能となる。

以上、本発明の実施例について図によシ説明して来たが
、本発明はこれらの図で示した構成に限られるものでは
ない。

〔発明の効果〕

以上詳述した通り、本発明によるフォトマスクの欠落欠
陥修正法によれば、欠落欠陥部にレーザ光を集光・照射
しながら、電解メッキ又は無電解メッキを行ない、被照
射部のメッキ速度を高めたので、欠落欠陥部のみに膜を
形成することができると共に、修正工程を大巾に減らす
ことができ、かつ、微細パターンの欠落欠陥も確実に修
正できると共に所要時間が大巾に減少し、生産性の向上
及び品質の向上ができた。

又欠落欠陥を有するフォトマスクを密閉状態で装着し、
且つレーザ光を透過する窓及び電解メッキのための電極
を備えた修正容器を設け、電解メッキ及び無電解メッキ
のための手段を付設し、レーザ光源よシ欠落欠陥部にレ
ーデ光を集光・照射しながら電解メッキ又は無電解メッ
キができるようにしたので、欠落欠陥部に正確に直接に
膜を形成することができ、修正のための工程数及び所要
時間を大巾に減少することができた。また、修正時の透
過率をモニタすることによシ、欠落欠陥の形態に関係な
く均一な遮光性の修正膜が得られさらに修正作業を一つ
の装置で一貫して行うため、ハンドリング時による損傷
や汚染を低減できる。

さらに無電解メッキ前の処理にスパッタ蒸着等を用いる
ことによシ、ガラス基板への付着強度を著るしく向上さ
せることができるなど多大の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の修正方法の一実施例を示す図であり
、（ａ）はフォトマスクの縦断面図、（ｂ）は修正を行
なっている状態を示す側面図、（Ｃ）は、修正完了のフ
ォトマスクの縦断面図である。 第２図及び第３図のｒａｔ〜（ｆ１図は従来の修正方法
を工程順に示した縦断面図である。 第４図乃至第１０図は本発明の一実施例であシ、第４図
（ａｔはフォトマスクの縦断面図、（ｂ）は修正をして
いる状態を示す側面図、（Ｃ）は修正完了のフォトマス
クの縦断面図である。第５図（＆ｌ〜（ｄｌは、修正の
工程を順に示した縦断面図である。第６図は、修正装置
の全体を示す概略構成図である。第７図は、光学系の概
略構成図である。第８図は、修正容器の縦断面図、第９
図は、他の修正容器の縦断面図である。第１０図は、他
の修正装置の全体を示す概略構成図である。 ４・・・フォトマスク、１１・・・レーザ発振器、１２
・・・レーザ光、１３・・・対物レンズ、８　、４６　
、５６　、５９・・・メッキ用電極、１０　、５４・・
・修正容器、１５・・・シャッタ、］９・・・制御装置
、頷・・・メッキ液タンク、々・・・前処理液タンク、
凹・・・洗浄液タン’？、３２・・・廃液タンク、２２
゜２３　、２６　、２７　、２８　、３１　、３３・・
・パルプ、２１，２５．２９・劇・・・ポンプ、６５　
、６６　、’６７　、７０・・・三方向バルブ。 代理人弁理士　秋　本　正　実 第１図 ２１ 第２図 第３図 竿　４図 ５ 第５図 第６図 第７図 ８

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　パターンの一部が欠落した欠陥を有するフォトマ
   スクの欠陥修正方法において、波長１．３μｍ以下のレ
   ーザ光を欠落欠陥部に集光・照射しながら電解メッキあ
   るいけ無電解メッキを行い、被照射部のメッキ速度を高
   めて選択的に膜を析出させて修正することを特徴とする
   フォトマスクの欠陥修正方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載のフォトマスクの欠陥修
   正方法において、フォトマスクの欠落欠陥部の透過率を
   モニタしながら修正することを特徴とするフォトマスク
   の欠陥修正方法。 ３、　％許請求の範囲第１項記載のフォトマスクの欠陥
   修正方法において、少なくともフォトマスクの欠落欠陥
   部にＰｄあるいはＡｕあるいはそれらの合金等を気相成
   長法によシ膜状に形成した後、上記欠落欠陥部にレーザ
   照射しながらメッキを行なうことを特徴とするフォトマ
   スクの欠陥修正方法。 ４、　レーザ光を発生する手段と、被修正フォトマスク
   を密閉状態で装着することができ、且つ前記レーザ光を
   透過する窓および電解メッキのだめの電極を備えた修正
   容器と、前記レーザ光発生手段よ多発生したレーザ光を
   前記被修正フォトマスクの欠落欠陥部分に集光し、且つ
   これを観察できるレーザ照射・観察光学系と、前記修正
   容器内部に空気を供給・排出する手段と、メッキ液を貯
   蔵する手段と、洗浄液を貯蔵する手段と、これらの貯蔵
   手段から前記修正容器内へ液を供給・排出する手段と、
   廃液を貯蔵する手段と、この貯蔵手段に前記修正容器か
   ら液を排出する手段と、前記電極に電圧を印加するため
   の電源とを有することを特徴とするフォトマスクの欠陥
   修正装置。 ５、　特許請求の範囲第４項記載のフォトマスクの欠陥
   修正装置において、修正容器から電解メッキ用の電極と
   、電解メッキ用電源とを除き、前処理液を貯蔵する手段
   と、この前処理液を前記修正容器内へ供給排出する手段
   とを加えたことを特徴とするフォトマスクの欠陥修正装
   置。 ６、　修正容器を、その窓に、パターン面が容器内側に
   向くようにして被修正フォトマスクを着脱可能にしたも
   のであることを特徴とする特許請求の範囲第４項または
   第５項記載のフォトマスクの欠陥修正装置。 ７、修正容器を駆動して、その窓を、被修正フォトマス
   クのパターン面へ装着することができる駆動装置を設け
   るようにしたものである特許請求の範囲第４項または第
   ５項記載のフォトマスク欠陥修正装置。 ８、　レーザ照射・観察光学系を、対物レンズとレーザ
   発生手段との間に、矩形開口部の寸法を変えることがで
   きる可変矩形開口スリットを具備せしめ、被修正フォト
   マスクのパターン面と、対物レンズ倍率の逆数の大きさ
   に縮小した前記矩形開口部の実像面とが一致するように
   前記対物レンズ。 可変矩形開口スリットを配設することにょシ、前記レー
   ザ発生手段から発生したレーザ光を前記パターン面の欠
   落欠陥部分に集光させるようにしたものである特許請求
   の範囲第４項まだは第５項記載の７オトマヌク欠陥修正
   装置。 ９、　フォトマスクの欠落欠陥部からの透過光量を検出
   する手段と、その透過光量から被修正部の透過率をめ、
   且つ被修正部の良否を判定する手段とを備えたことを特
   徴とする特許請求の範囲第４項または第５項記載のフォ
   トマスクの欠陥修正装置。