JPS60210542A - 石英ガラスを基材とする光学導波管ベ−ス材料のゲルマニウムド−ピング方法 - Google Patents
石英ガラスを基材とする光学導波管ベ−ス材料のゲルマニウムド−ピング方法Info
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- JPS60210542A JPS60210542A JP59215292A JP21529284A JPS60210542A JP S60210542 A JPS60210542 A JP S60210542A JP 59215292 A JP59215292 A JP 59215292A JP 21529284 A JP21529284 A JP 21529284A JP S60210542 A JPS60210542 A JP S60210542A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/045—Silica-containing oxide glass compositions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、酸化されて２酸化ケイ素を形成するガスを四
塩化ゲルマニウムの存在下で酸素または反応条件下で酸
素を放出するガスと反応させることによる石英ガラスを
基材とする光学的導波管ペース材料のゲルマニウムドー
ピング方法に関する。
塩化ゲルマニウムの存在下で酸素または反応条件下で酸
素を放出するガスと反応させることによる石英ガラスを
基材とする光学的導波管ペース材料のゲルマニウムドー
ピング方法に関する。
光学的導波管テクノロジーにおいて、ゲルマニウムによ
るドーピングによって石英ガラスの屈折率を高めること
は公知である。このために通常の方法では、石英ガラス
形成体の四塩化ケイ素と酸素の反応と同時Ｋ、一定量の
四塩化ゲルマニウムが反応し、これによってゲルマニウ
ムでドーピングされた石英ガラスが結局得られる。
るドーピングによって石英ガラスの屈折率を高めること
は公知である。このために通常の方法では、石英ガラス
形成体の四塩化ケイ素と酸素の反応と同時Ｋ、一定量の
四塩化ゲルマニウムが反応し、これによってゲルマニウ
ムでドーピングされた石英ガラスが結局得られる。
しかし、例えばいわゆるＭＣＶＤ法（改良化学蒸着法）
Ｋよって１４６０℃以上の反応温度において光学的導波
管ペース材料を製造する間に、使用される四塩化ゲルマ
ニウムの約２０％のみが実際に反応してＧｅＯ２を形成
するにすぎず、残りの約８０％は反応しないで反応帯か
ら除去される。
Ｋよって１４６０℃以上の反応温度において光学的導波
管ペース材料を製造する間に、使用される四塩化ゲルマ
ニウムの約２０％のみが実際に反応してＧｅＯ２を形成
するにすぎず、残りの約８０％は反応しないで反応帯か
ら除去される。
第９回光通信ヨーロツノソ会議報告集の中の論文ＣＭ、
Ｐ、Ｂｏｈｒｅｒ＋ Ｊ、Ａ、Ａｍｅｌｓｅ、 Ｐ、Ｌ
、 Ｎａｒａｓｉｍｈａｍ。
Ｐ、Ｂｏｈｒｅｒ＋ Ｊ、Ａ、Ａｍｅｌｓｅ、 Ｐ、Ｌ
、 Ｎａｒａｓｉｍｈａｍ。
明細書の浄書（内容に変更なし）
Ｂ、に、 Ｔａ ｒ ｉｙａ ］、 Ｊ、Ｍ、 Ｔｕｒ
ｎ ｉ ｐｓｅｅｄ及びＲ，Ｆ。
ｎ ｉ ｐｓｅｅｄ及びＲ，Ｆ。
Ｇ１１１氏のもの１編集者Ｈ，ＭｅｌｃｈｉｏｒとＡ。
Ｓｏｌｂｅｒｇｅｒ、出版社北オランダ所在のＥｌ ５
ｅｖｉｅｒＳｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ Ｂ
、Ｖ、、６６５〜３６８頁（１９８３年）〕及び同報告
集の幾つかの研究に説明されているように、この原因は
反応の平衡が望ましくない状態であることに１、 ＧｅＣ１２＋０２ （：！ ＧｅＯ２＋ ２Ｃ１２例え
ば四塩化ケイ素から塩素によって、塩素濃度が高くなる
結果として、揮発性ＧｅＣｌ４形成方向の左へ反応が移
動する。さらに１反応してＧｅＯ２７ｉ−形成した揮発
性ＧｅＣｌ４の３０〜４０％のみがいわゆる「すす」と
して実際に蒸着して、ドー・セントとして作用すること
ができるにすぎない。ＧｅＣ１１４のコストが高いこと
を考えると、このように大きい損失を経済的に容認する
ことはできない。
ｅｖｉｅｒＳｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ Ｂ
、Ｖ、、６６５〜３６８頁（１９８３年）〕及び同報告
集の幾つかの研究に説明されているように、この原因は
反応の平衡が望ましくない状態であることに１、 ＧｅＣ１２＋０２ （：！ ＧｅＯ２＋ ２Ｃ１２例え
ば四塩化ケイ素から塩素によって、塩素濃度が高くなる
結果として、揮発性ＧｅＣｌ４形成方向の左へ反応が移
動する。さらに１反応してＧｅＯ２７ｉ−形成した揮発
性ＧｅＣｌ４の３０〜４０％のみがいわゆる「すす」と
して実際に蒸着して、ドー・セントとして作用すること
ができるにすぎない。ＧｅＣ１１４のコストが高いこと
を考えると、このように大きい損失を経済的に容認する
ことはできない。
上述の論文に実際に述べられている方法によると、使用
されなかったゲルマニウムの大部分は排気流から回収さ
れ、再処理後に再使用されている。
されなかったゲルマニウムの大部分は排気流から回収さ
れ、再処理後に再使用されている。
１！ｒｒｆ；ｉｉ”ＨＧＯ−２１０５４２（２）しかし
、この方法ではＧｅＯ２を形成するためのＧｅＣｌ４の
実際の反応が不充分な収蓋で行われるという事実は変ら
ないの１、かな９少蛍のドーパントを得るために、高価
なＧｅＣ１４を多量に供給することがまだ必要である。
、この方法ではＧｅＯ２を形成するためのＧｅＣｌ４の
実際の反応が不充分な収蓋で行われるという事実は変ら
ないの１、かな９少蛍のドーパントを得るために、高価
なＧｅＣ１４を多量に供給することがまだ必要である。
本発明の課題は石英ガラスの効果的なゲルマニウムドー
ピングを可能にする方法を提供すること＼ フある。
ピングを可能にする方法を提供すること＼ フある。
この課題は、酸化されて２酸化ケイ素を形成するガスと
して一般式５ｉｎＣ７２ｎｒ２（式中、ｎは２〜６であ
る）で表わされる塩化ケイ素を用いることを特徴とする
方法によって解決される。
して一般式５ｉｎＣ７２ｎｒ２（式中、ｎは２〜６であ
る）で表わされる塩化ケイ素を用いることを特徴とする
方法によって解決される。
Ｓ ｉ ２Ｃ１６と酸素との反応による高純度の高分散
性２酸化ケイ素の製造に関するソ連％許出願第８８７４
６３号明細省（出願人Ｗ、 Ｆ、 Ｋｏｔｓｃｈｕｂｅ
ｊ等、１９８１年１２月７日公開）も生成する５ｉ０２
を光学線維の製造に用いる可能性を主張している。
性２酸化ケイ素の製造に関するソ連％許出願第８８７４
６３号明細省（出願人Ｗ、 Ｆ、 Ｋｏｔｓｃｈｕｂｅ
ｊ等、１９８１年１２月７日公開）も生成する５ｉ０２
を光学線維の製造に用いる可能性を主張している。
しかし、この方法１は５ｉ０２はドーピングされない形
態で生じ、記載されている種々な条件下では効果的にド
ーピングされることはｔきないので、ドーピングされた
石英ガラスの製造法として考えることはできない。
態で生じ、記載されている種々な条件下では効果的にド
ーピングされることはｔきないので、ドーピングされた
石英ガラスの製造法として考えることはできない。
本発明によるドーピング法はゲルマニウムドーピングさ
れた、石英ガラスを基材とする光学導波管ペース材料の
製造に通常用いられる、当業者に公知のあらゆる方法に
原則として用いられるもので６５、この方法１は四塩化
ゲルマニウムの気相反応によってドーピングが行われる
。このような方法は、例えば、いわゆるＭＣＶＤ法（改
良化学蒸着法）、ＩＶＰＯ法（気相内酸化法）、０ＶＰ
Ｄ法（気相外酸化法）またはＶＡＤ法（＄１］方向蒸着
法）である。
れた、石英ガラスを基材とする光学導波管ペース材料の
製造に通常用いられる、当業者に公知のあらゆる方法に
原則として用いられるもので６５、この方法１は四塩化
ゲルマニウムの気相反応によってドーピングが行われる
。このような方法は、例えば、いわゆるＭＣＶＤ法（改
良化学蒸着法）、ＩＶＰＯ法（気相内酸化法）、０ＶＰ
Ｄ法（気相外酸化法）またはＶＡＤ法（＄１］方向蒸着
法）である。
本発明の方法によってゲルマニウムドーピングのみを行
い、他のドーパント（例えばホウ素またはリン）による
ドーピングには、例えばそれぞれ選択したドー／Ｒント
化合物の存在下での四塩化ケイ素と酸素との反応のよう
な１通常の方法を用いることによって１種々のドーパン
トによってドーピングされた光学導波管ペース材料を製
造することも可能である。
い、他のドーパント（例えばホウ素またはリン）による
ドーピングには、例えばそれぞれ選択したドー／Ｒント
化合物の存在下での四塩化ケイ素と酸素との反応のよう
な１通常の方法を用いることによって１種々のドーパン
トによってドーピングされた光学導波管ペース材料を製
造することも可能である。
適当な塩化ケイ素の選択には、特に２つの要点を注目す
べきである。１つには、塩化ケイ素から石英が形成され
る際に放出される塩素が少なければ少ないほど、予期さ
れるゲルマニウム損失が低い。従って、なるべくケイ素
含量の多い塩化ケイ素、例えば５ｉ４ＣＪｌ！１ｇ 、
５ｉ５Ｃ１１２または５ｉ６（Ｊ１４を用いることが
望ましい。しかし、このようなハロゲン化物を気相に転
化することはかなり困難であるので、このようなハロゲ
ン化物の使用は実験費用を高めることになり、例えば真
空の使用が必要になる。このような方法は例えば、１〜
１０トールにおける５ｓｃｉ４／酸素の反応に関する西
ドイツ特許第２４４４１００号明細書に述べられており
、ケイ素含量の多い塩化ケイ素にも適用可能である。
べきである。１つには、塩化ケイ素から石英が形成され
る際に放出される塩素が少なければ少ないほど、予期さ
れるゲルマニウム損失が低い。従って、なるべくケイ素
含量の多い塩化ケイ素、例えば５ｉ４ＣＪｌ！１ｇ 、
５ｉ５Ｃ１１２または５ｉ６（Ｊ１４を用いることが
望ましい。しかし、このようなハロゲン化物を気相に転
化することはかなり困難であるので、このようなハロゲ
ン化物の使用は実験費用を高めることになり、例えば真
空の使用が必要になる。このような方法は例えば、１〜
１０トールにおける５ｓｃｉ４／酸素の反応に関する西
ドイツ特許第２４４４１００号明細書に述べられており
、ケイ素含量の多い塩化ケイ素にも適用可能である。
しかし、本発明による方法では、へ塩化三ケイ素または
特に六塩化二ケイ素を用いるのが望ましい、この塩化ケ
イ素は両方ともが反応時にかなり多量の塩素を発生させ
るにも拘らず、沸点が有利であるために、容易に気相に
転化されるので、この製造工程はあまり費用のかからな
いものとなる。
特に六塩化二ケイ素を用いるのが望ましい、この塩化ケ
イ素は両方ともが反応時にかなり多量の塩素を発生させ
るにも拘らず、沸点が有利であるために、容易に気相に
転化されるので、この製造工程はあまり費用のかからな
いものとなる。
例えば、加熱された基体上での三塩化ケイ素の分解によ
る高純度ケイ素の製造中または四塩化ケイ素から三塩化
ケイ素への転化中に排気ガス中に副生成物として、塩化
ケイ素Ｓｉ１．Ｃｌ２ｎ＋２（式中、ｎは２〜６である
）、特に六塩化二ケイ素が生じ、これを例えば凝縮によ
って排気ガスから分離し、次に蒸留によって処理して単
離することができる。
る高純度ケイ素の製造中または四塩化ケイ素から三塩化
ケイ素への転化中に排気ガス中に副生成物として、塩化
ケイ素Ｓｉ１．Ｃｌ２ｎ＋２（式中、ｎは２〜６である
）、特に六塩化二ケイ素が生じ、これを例えば凝縮によ
って排気ガスから分離し、次に蒸留によって処理して単
離することができる。
この方法の利点は、今までは使用できなかった廃物の利
用の他に、高純度の塩化ケイ素が得られる点にある。こ
の理由から、例えばケイ化物からのような、他の方法に
よって得られた塩化ケイ素よりも、高純度ケイ素の製造
中に生ずる塩化ケイ素を用いることが一般に望ましい。
用の他に、高純度の塩化ケイ素が得られる点にある。こ
の理由から、例えばケイ化物からのような、他の方法に
よって得られた塩化ケイ素よりも、高純度ケイ素の製造
中に生ずる塩化ケイ素を用いることが一般に望ましい。
ケイ素量またはケイ素：ゲルマニウムα比の正確な調整
を可能にするために２選択した特定の塩化ケイ素をでき
るだけ純粋な形で、すなわち可能ならば他の塩化ケイ素
を加えることなく、用いることが望ましい。また、水素
を含む分画も除去するように特に注意を払うべきである
。
を可能にするために２選択した特定の塩化ケイ素をでき
るだけ純粋な形で、すなわち可能ならば他の塩化ケイ素
を加えることなく、用いることが望ましい。また、水素
を含む分画も除去するように特に注意を払うべきである
。
望ましくドーピングされた石英ガラスが塩化ケイ素、塩
化ゲルマニウム及び酸素の反応によって形成されるガラ
ス形成反応中は、１１００〜１６００℃の範囲内の温度
を維持することが望ましい。このような温度は選択した
製造方法の規模に応じて、例えばバーナー、プラズマ加
熱法または抵抗加熱法を用いることによって調節するこ
とができる。
化ゲルマニウム及び酸素の反応によって形成されるガラ
ス形成反応中は、１１００〜１６００℃の範囲内の温度
を維持することが望ましい。このような温度は選択した
製造方法の規模に応じて、例えばバーナー、プラズマ加
熱法または抵抗加熱法を用いることによって調節するこ
とができる。
反応に必要な酸素は、すでに任意に反応物を含んだ一つ
またはそれ以上の酸素ガス流として、反応帯に運ぶこと
ができる。また、例えば酸化第一窒素、−酸化窒素また
は二酸化炭素のような、反応条件下で酸素を放出するガ
スによって、酸素を部分的にまたは完全に置換すること
も可能である。
またはそれ以上の酸素ガス流として、反応帯に運ぶこと
ができる。また、例えば酸化第一窒素、−酸化窒素また
は二酸化炭素のような、反応条件下で酸素を放出するガ
スによって、酸素を部分的にまたは完全に置換すること
も可能である。
さらに１例えば窒素またはアルザンのような不活性ガス
を加えて、流量及び濃度比に影響を与えることも可能で
ある。
を加えて、流量及び濃度比に影響を与えることも可能で
ある。
これに関連して、西ドイツ特許出願第Ｐ３３３８７１４
．１号明細書に従って使用する補助ガスをＤ２０で前処
理することが有利だと判っている。伺故ならばこのよう
にすると特にＯＨ基含量の低い石英ガラスが得られるか
らである。
．１号明細書に従って使用する補助ガスをＤ２０で前処
理することが有利だと判っている。伺故ならばこのよう
にすると特にＯＨ基含量の低い石英ガラスが得られるか
らである。
ドーピングされた石英ガラスを本発明の方法によって製
造する場合には、四塩化ケイ素に基づく慣習的な方法に
関して公知である処置法を用いることが可能である。５
ｉＣ１４０代りに選択した塩化ケイ素、特に六塩化二ケ
イ素を供給することで、一般に充分である。このことは
、キャリヤガス（例えば酸素）に塩化ケイ素を負荷する
ために備えた蒸発器に５ｉＣ１４の代りに、５ｉ２ＣＡ
！６または５ｉ５Ｃ１！６を供給し１選択した塩化ケイ
素の望ましい蒸気圧に相当する温度に自動的に温度調節
しながら加熱することによって、簡単に達成される。こ
の場合に、一般に別のガス流として反応帯に運ばれる四
塩化ゲルマニウムの割合は石英ガラス中の望ましいゲル
マニウム濃度に適合させなければならない。
造する場合には、四塩化ケイ素に基づく慣習的な方法に
関して公知である処置法を用いることが可能である。５
ｉＣ１４０代りに選択した塩化ケイ素、特に六塩化二ケ
イ素を供給することで、一般に充分である。このことは
、キャリヤガス（例えば酸素）に塩化ケイ素を負荷する
ために備えた蒸発器に５ｉＣ１４の代りに、５ｉ２ＣＡ
！６または５ｉ５Ｃ１！６を供給し１選択した塩化ケイ
素の望ましい蒸気圧に相当する温度に自動的に温度調節
しながら加熱することによって、簡単に達成される。こ
の場合に、一般に別のガス流として反応帯に運ばれる四
塩化ゲルマニウムの割合は石英ガラス中の望ましいゲル
マニウム濃度に適合させなければならない。
本発明によって塩化ケイ素５ｉｎＣ１２ｎ＋２（式中、
ｎは２〜６である）、特に六塩化二ケイ素を用いること
によって、ゲルマニウムドーピングされた石英ガラスの
製造時にドーノクントとして使用される、四塩化ケイ素
に比べて高価な四塩化ゲルマニウムの利用効率が、装置
費用を太き（増大させることなく明らかに高められる。
ｎは２〜６である）、特に六塩化二ケイ素を用いること
によって、ゲルマニウムドーピングされた石英ガラスの
製造時にドーノクントとして使用される、四塩化ケイ素
に比べて高価な四塩化ゲルマニウムの利用効率が、装置
費用を太き（増大させることなく明らかに高められる。
実施例
加熱した基体上でのトリクロロシランの分解による高純
度の元素状ケイ素の製造間に生ずる排ガス混合物から、
凝縮及び次に蒸留を行うことによって分離した六塩化二
ケイ素を蒸発器に装入した。
度の元素状ケイ素の製造間に生ずる排ガス混合物から、
凝縮及び次に蒸留を行うことによって分離した六塩化二
ケイ素を蒸発器に装入した。
８０℃に予め熱した酸素流を、１６０°Ｃに維持した液
体を通してパゾルさせた。５ｉ２Ｃ１１６で飽和されて
生ずる酸素流中に、同様にして四塩化ゲルマニウムで飽
和された酸素流を供給する。成分の縮合を防止するため
に、複合ガス流を自動的に温度調節されながら加熱され
た管路な介して反応帯に供給し、これらのガス流を、管
状炉によって１５００℃に加熱された石英ガラス管内に
ノズルから吹き入れた。この反応によってゲルマニウム
でドーピングされた石英ガラス「スス」が生じ、収集容
器中に収集された。
体を通してパゾルさせた。５ｉ２Ｃ１１６で飽和されて
生ずる酸素流中に、同様にして四塩化ゲルマニウムで飽
和された酸素流を供給する。成分の縮合を防止するため
に、複合ガス流を自動的に温度調節されながら加熱され
た管路な介して反応帯に供給し、これらのガス流を、管
状炉によって１５００℃に加熱された石英ガラス管内に
ノズルから吹き入れた。この反応によってゲルマニウム
でドーピングされた石英ガラス「スス」が生じ、収集容
器中に収集された。
この反応過程間に、１；０．７７のモル比に相当する５
ｉ２Ｃ１６１５０ｍｌとＧｅＣｌ４８０ ｍｌｌの全体
量が約２倍過剰な酸素と反応した。ＧｅＯ２９，９モル
％を含み、焼結されてガラス粒子を形成する粉状物質１
２６ＩＩ（ＧｅＯ２２２ｇと５ｉ０２１０４ ＆の混合
物に相当）が単離された。従って、５ｉ０２の収率は使
用したＳ ｉ２Ｑ！６に基づいて９８．２％であり、Ｇ
ｅＯ２の収率は使用したＧｅＣｌ４に基づいて２７．９
％であった。
ｉ２Ｃ１６１５０ｍｌとＧｅＣｌ４８０ ｍｌｌの全体
量が約２倍過剰な酸素と反応した。ＧｅＯ２９，９モル
％を含み、焼結されてガラス粒子を形成する粉状物質１
２６ＩＩ（ＧｅＯ２２２ｇと５ｉ０２１０４ ＆の混合
物に相当）が単離された。従って、５ｉ０２の収率は使
用したＳ ｉ２Ｑ！６に基づいて９８．２％であり、Ｇ
ｅＯ２の収率は使用したＧｅＣｌ４に基づいて２７．９
％であった。
対照テストでは、同じモル比（モル比２：０．７７）を
有する四塩化ケイ素と四塩化ゲルマニウムの混合物を、
他の点では同じ条件下で、約２倍過剰な酸素と反応させ
た。生成物は７．２モル％のＧｅ ０２含量を有した。
有する四塩化ケイ素と四塩化ゲルマニウムの混合物を、
他の点では同じ条件下で、約２倍過剰な酸素と反応させ
た。生成物は７．２モル％のＧｅ ０２含量を有した。
５ｉ０２の収率は使用した５ｉＣ４に基づいて９６．０
％であり、 ＧｅＯ２の収率は使用したＧｅＣｌ４に基
づいてわずか１９．５％であった。
％であり、 ＧｅＯ２の収率は使用したＧｅＣｌ４に基
づいてわずか１９．５％であった。
第１頁の続き
０発 明 者 ルードルフ・シュタウ
ディゲル
ｏ発明者 ハンス・ヘルマン
ドイツ連邦共和国 プルクハウゼン、エリザベス シュ
トラーセ １４ ドイツ連邦共和国 プルクハウゼン、リンデンヴ工−り
３゜手続補正書嶋式） 昭和６０年１月３１日 特許庁長官殿 （特許庁審査官 殿） １、事件の表示 昭和５９年特許願第２１５２９２ 号 小件との関係 特許出願人 （明細書の浄書、内容に変更なし）。
トラーセ １４ ドイツ連邦共和国 プルクハウゼン、リンデンヴ工−り
３゜手続補正書嶋式） 昭和６０年１月３１日 特許庁長官殿 （特許庁審査官 殿） １、事件の表示 昭和５９年特許願第２１５２９２ 号 小件との関係 特許出願人 （明細書の浄書、内容に変更なし）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）四塩化ゲルマニウムの存在下″１％酸素または反応
条件下′１％酸素を放出するガスと反応させることによ
る、石英ガラスを基材とする光学導波管ペース材料のゲ
ルマニウムドーピング方法において、酸化されて２誠化
クイ累を形成するガスとして一般式５ｉｎＣ１２１＋２
（式中、ｎは２〜６である）マ表わされる塩化ケイ素
を用いることを特徴とする方法。 ２）酸化されて２酸化ケイ素を形成するガスとして六塩
化二ケイ累を用いることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の方法。 り１１００〜１６００Ｃの反応温度を維持することを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の方法
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19843402318 DE3402318A1 (de) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | Verfahren zur dotierung von lichtwellenleitergrundmaterial auf quarzglasbasis mit germanium |
| DE3402318.6 | 1984-01-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60210542A true JPS60210542A (ja) | 1985-10-23 |
| JPH0218295B2 JPH0218295B2 (ja) | 1990-04-25 |
Family
ID=6225750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59215292A Granted JPS60210542A (ja) | 1984-01-24 | 1984-10-16 | 石英ガラスを基材とする光学導波管ベ−ス材料のゲルマニウムド−ピング方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0150069B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60210542A (ja) |
| AT (1) | ATE38508T1 (ja) |
| AU (1) | AU3802385A (ja) |
| CA (1) | CA1240569A (ja) |
| DE (2) | DE3402318A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3518620A1 (de) * | 1985-05-23 | 1986-11-27 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur herstellung von lichtwellenleitergrundmaterial auf quarzglasbasis |
| DE102006034061A1 (de) * | 2006-07-20 | 2008-01-24 | REV Renewable Energy Ventures, Inc., Aloha | Polysilanverarbeitung und Verwendung |
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