JPS60208866A - 圧覚センサの製造方法 - Google Patents
圧覚センサの製造方法Info
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- JPS60208866A JPS60208866A JP59065210A JP6521084A JPS60208866A JP S60208866 A JPS60208866 A JP S60208866A JP 59065210 A JP59065210 A JP 59065210A JP 6521084 A JP6521084 A JP 6521084A JP S60208866 A JPS60208866 A JP S60208866A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の属する技術分野]
本発明は、受圧面に印加される荷重等の力を互いに直交
する3方向の分力に分解して検出する3分力検知感圧モ
ジュールを単位とし、この感圧モジュールを7レイ状に
多数個配列して分布荷重等が検出できるようにした圧覚
センサに関する。
する3方向の分力に分解して検出する3分力検知感圧モ
ジュールを単位とし、この感圧モジュールを7レイ状に
多数個配列して分布荷重等が検出できるようにした圧覚
センサに関する。
[従来技術とその問題点]
上述のような荷重等の力を基本的な直角座標系に分解し
、3方向分力として互いに分離して検出することができ
る感圧モジュールはその3分力を演算式により合成する
ことによって、力の大きさや方向をめることができ、更
には任意の方向の力をめることができるので1個の荷重
計等としても有用なことはもちろんであるが、とくにこ
れらを7レイ状に配列した圧覚センサは力の分布状態や
力の中心(重心)とそれに働く合成力をめることができ
るので比較的新規な諸用途をもっている。
、3方向分力として互いに分離して検出することができ
る感圧モジュールはその3分力を演算式により合成する
ことによって、力の大きさや方向をめることができ、更
には任意の方向の力をめることができるので1個の荷重
計等としても有用なことはもちろんであるが、とくにこ
れらを7レイ状に配列した圧覚センサは力の分布状態や
力の中心(重心)とそれに働く合成力をめることができ
るので比較的新規な諸用途をもっている。
この−例は、第1図に示すような人体の動態実験に見ら
れる。図には圧覚センサ1の上を歩行する人の足2が示
されており、図の右方の状態では足のかかとが荷重計1
に接触しているが、袋状の矢印の先で示す図の左方の状
態ではつま先が圧覚センサlに接触している。−かかる
歩行動態−の推移につれて、圧覚センサにかかる荷重の
分布状態および荷重の3分力Fx、FyおよびF2は時
間の経過とともに当然変わってくる。ふつうの体重計に
よりかかる歩行動態での荷重を測定すると、荷重全体の
時間的変動を図ることができたとしても、あまり有用な
情報が得られるわけではない。しかし、歩行動態中の荷
重の面状分布や分力の推移を正確に測定することができ
れば、歩行動態の個人差や身体上の障害の模様について
、非常に有用な知見が得られることが知られている。ま
た、この圧覚センサlをロボットの足のうらに取付けれ
ば、高級な歩行量゛御機能をロボットにもたせることが
可能となる。
れる。図には圧覚センサ1の上を歩行する人の足2が示
されており、図の右方の状態では足のかかとが荷重計1
に接触しているが、袋状の矢印の先で示す図の左方の状
態ではつま先が圧覚センサlに接触している。−かかる
歩行動態−の推移につれて、圧覚センサにかかる荷重の
分布状態および荷重の3分力Fx、FyおよびF2は時
間の経過とともに当然変わってくる。ふつうの体重計に
よりかかる歩行動態での荷重を測定すると、荷重全体の
時間的変動を図ることができたとしても、あまり有用な
情報が得られるわけではない。しかし、歩行動態中の荷
重の面状分布や分力の推移を正確に測定することができ
れば、歩行動態の個人差や身体上の障害の模様について
、非常に有用な知見が得られることが知られている。ま
た、この圧覚センサlをロボットの足のうらに取付けれ
ば、高級な歩行量゛御機能をロボットにもたせることが
可能となる。
かかる荷重分力の分布の検出の必要性は産業分野におい
ても広く存在し、第2図にロボットの圧覚センサの例を
挙げる。同図には、多関節アーム3の先端に取り付けら
れたロボットハンド4のl対のフィンガ5,5により物
体6が把持された状態が示されている。物体が多くの工
業部品のように十分な硬さと強度を有している場合はあ
まり問題がないが、物体8が柔らかな、または傷みやす
いもの、例えば果実類である場合には、強い力で把持す
ることは許されない。この種の物体を傷つけないでロボ
ットで扱うためには、把持力すなわちフィンガ5に掛る
荷重の分力とその分布をかなり精密に測定して、物体を
傷つけずしかも落とすことがない適度の力で把持しなけ
ればならない。
ても広く存在し、第2図にロボットの圧覚センサの例を
挙げる。同図には、多関節アーム3の先端に取り付けら
れたロボットハンド4のl対のフィンガ5,5により物
体6が把持された状態が示されている。物体が多くの工
業部品のように十分な硬さと強度を有している場合はあ
まり問題がないが、物体8が柔らかな、または傷みやす
いもの、例えば果実類である場合には、強い力で把持す
ることは許されない。この種の物体を傷つけないでロボ
ットで扱うためには、把持力すなわちフィンガ5に掛る
荷重の分力とその分布をかなり精密に測定して、物体を
傷つけずしかも落とすことがない適度の力で把持しなけ
ればならない。
また把持が正しくなされているかどうかを知るには荷重
分力の面状分布を知ることが有用である。例えば図示の
ような比較的細長な物体6を把持する際には、把持する
物体の部位によって荷重分力の分布が異なるから、分布
が異常な場合には把持が不適切に行われていることがわ
かる。また比較的小さな把持力で柔らかな物体を把持し
ている場合には、荷重分力の時間的推移から物体の脱落
の危険を予知することができる。
分力の面状分布を知ることが有用である。例えば図示の
ような比較的細長な物体6を把持する際には、把持する
物体の部位によって荷重分力の分布が異なるから、分布
が異常な場合には把持が不適切に行われていることがわ
かる。また比較的小さな把持力で柔らかな物体を把持し
ている場合には、荷重分力の時間的推移から物体の脱落
の危険を予知することができる。
かかる圧覚センサの構成の概要を第3図に示す。図示の
圧覚センサlには共通基板30の上に感圧モジュール1
0がx、7両方向に多数個面アレイ状に並べられており
、各感圧モジュールlOの受圧板40を介してそれぞれ
Fx、Fy、Fzなる分力を有する荷重を受け、感圧セ
ル20は受圧板40が受ける垂直方向の力Fzのほか、
横方向の力Fil 、Fyをも検知する。これによって
、例えば第1図に例示するように圧覚センサ1にかかる
人体の体重分布のほかに、後方に蹴る力Fxや歩行方向
に対して横方向に押し出す力Fyの大きさと分布とを知
ることができる。各感圧モジュールlOは図の一点鎖線
で囲んで示されているように感圧素子である感圧セル2
0と共通基板30と上部受圧板40とからなっている。
圧覚センサlには共通基板30の上に感圧モジュール1
0がx、7両方向に多数個面アレイ状に並べられており
、各感圧モジュールlOの受圧板40を介してそれぞれ
Fx、Fy、Fzなる分力を有する荷重を受け、感圧セ
ル20は受圧板40が受ける垂直方向の力Fzのほか、
横方向の力Fil 、Fyをも検知する。これによって
、例えば第1図に例示するように圧覚センサ1にかかる
人体の体重分布のほかに、後方に蹴る力Fxや歩行方向
に対して横方向に押し出す力Fyの大きさと分布とを知
ることができる。各感圧モジュールlOは図の一点鎖線
で囲んで示されているように感圧素子である感圧セル2
0と共通基板30と上部受圧板40とからなっている。
ところで、第4図および第5図に示したように、すでに
提案されている従来の感圧セル20は各々感圧セル20
毎に分離独立した感圧リング(リング状感圧部材) 2
1.21からなっていた。そのため、圧覚センサlを形
成するには、下部基板30上の平行な複数の溝31にそ
れらの複数リング21の一端側を係合させて各溝ごとに
所定個数づつ分布立設させる工程と、その溝31に沿っ
て行方向に分布立設されたリング21を列方向に整列さ
せる工程と、その溝31に係合された各リング21の一
端側を基板に固着する工程等の工程が少なくとも必要で
あり、製造・組立工数が増大するという欠点があった。
提案されている従来の感圧セル20は各々感圧セル20
毎に分離独立した感圧リング(リング状感圧部材) 2
1.21からなっていた。そのため、圧覚センサlを形
成するには、下部基板30上の平行な複数の溝31にそ
れらの複数リング21の一端側を係合させて各溝ごとに
所定個数づつ分布立設させる工程と、その溝31に沿っ
て行方向に分布立設されたリング21を列方向に整列さ
せる工程と、その溝31に係合された各リング21の一
端側を基板に固着する工程等の工程が少なくとも必要で
あり、製造・組立工数が増大するという欠点があった。
しかも、この種の圧覚センサはできるだけ寸法を極小化
して高密度集積化できることが要求される。例えば、受
圧板40の大きさは数mm角、できれば1IIII11
角以下にすることが望ましいとされている。しかしなが
ら、それらの要求寸法で上述のような各工程を正確に行
うことはリング21も極めて小さくなるので容易でなく
、ひいては歩留りの低下、信頼性の低下、製造コスト高
等をまねくおそれがあり、さらには製造組立の完全自動
化が困難となるという問題があった。
して高密度集積化できることが要求される。例えば、受
圧板40の大きさは数mm角、できれば1IIII11
角以下にすることが望ましいとされている。しかしなが
ら、それらの要求寸法で上述のような各工程を正確に行
うことはリング21も極めて小さくなるので容易でなく
、ひいては歩留りの低下、信頼性の低下、製造コスト高
等をまねくおそれがあり、さらには製造組立の完全自動
化が困難となるという問題があった。
そこで、短冊形の単結晶シリコンを用いて列方向の複数
の感圧セルを一体に作成し、この作成した短冊体を基板
上に配列して圧覚センサを形成することにより製造・組
立工数を減少し、圧覚センサの製造を容易にしようとし
た第6図〜第7図にト才ような圧覚センサが提案されて
いる。
の感圧セルを一体に作成し、この作成した短冊体を基板
上に配列して圧覚センサを形成することにより製造・組
立工数を減少し、圧覚センサの製造を容易にしようとし
た第6図〜第7図にト才ような圧覚センサが提案されて
いる。
第6図の圧覚センサは、短冊形の短結晶シリコン51の
垂直面に小形の円形穴52と大形の円形穴53とを長手
方向に沿ってほぼ等間隔に交互に複数個開口し、さらに
各小形の円形穴52の囲りに拡散形ストレンゲージ群5
4を公知の拡散技術によりそれぞれ形成して、それによ
りストレンゲージ群54の抵抗値の変化によってシリコ
ン51の受圧面40を介して受圧面51aに印加された
力を3分力に分解して検知する感圧セル55を複数個一
体に構成している。上述の小形の円形穴52はセル55
を構成する歪を与える円形穴であり、大形の円形穴53
は各セル55をそれぞれ分離する境界としての作用をす
る。
垂直面に小形の円形穴52と大形の円形穴53とを長手
方向に沿ってほぼ等間隔に交互に複数個開口し、さらに
各小形の円形穴52の囲りに拡散形ストレンゲージ群5
4を公知の拡散技術によりそれぞれ形成して、それによ
りストレンゲージ群54の抵抗値の変化によってシリコ
ン51の受圧面40を介して受圧面51aに印加された
力を3分力に分解して検知する感圧セル55を複数個一
体に構成している。上述の小形の円形穴52はセル55
を構成する歪を与える円形穴であり、大形の円形穴53
は各セル55をそれぞれ分離する境界としての作用をす
る。
第7図の圧覚センサはセル55の形状を基本のリング状
により近づけるために、ストレンゲージ群54の外周部
に複数の小形の円形穴56を追加して開口したものであ
る。
により近づけるために、ストレンゲージ群54の外周部
に複数の小形の円形穴56を追加して開口したものであ
る。
第8図の圧覚センサは、上述の大形の円形穴53の代り
に上方が開口した大形の切込み溝58を設けて各セル5
5の境界とし、各セルの隣同士の干渉を少なくしたもの
である。
に上方が開口した大形の切込み溝58を設けて各セル5
5の境界とし、各セルの隣同士の干渉を少なくしたもの
である。
このように構成した短冊体のシリコン51の下端部51
bを第4図または第5図に示すような下部基板30の谷
溝31にそれぞれ嵌合して所定位置で垂直に固着した後
、各短冊体のシリコン51の上部の受圧面51aに受圧
板40を感圧モジュール毎に固着して1個の圧覚センサ
を形成する。
bを第4図または第5図に示すような下部基板30の谷
溝31にそれぞれ嵌合して所定位置で垂直に固着した後
、各短冊体のシリコン51の上部の受圧面51aに受圧
板40を感圧モジュール毎に固着して1個の圧覚センサ
を形成する。
第6図〜第8図の圧覚センサは列方向のセル55が各列
毎に一木のシリコン51上に一体に連続して構成されて
いるので、各セル毎に基板31の溝31の所定位置に係
合整列固着するという従来の製造工程が必要でなくなり
、短冊体シリコン51毎の製造工程となるので、製造工
数が大幅に減り、ひいては、製造コストの軽減が得られ
る。さらに、取扱う感圧体の寸法が長手方向に大きくな
るので、下部基板の溝への組込みや固着等の作業も容易
となり、ひいては歩留りの向上、信頼性の向上が得られ
、製造組立の完全自動化が容易となる。
毎に一木のシリコン51上に一体に連続して構成されて
いるので、各セル毎に基板31の溝31の所定位置に係
合整列固着するという従来の製造工程が必要でなくなり
、短冊体シリコン51毎の製造工程となるので、製造工
数が大幅に減り、ひいては、製造コストの軽減が得られ
る。さらに、取扱う感圧体の寸法が長手方向に大きくな
るので、下部基板の溝への組込みや固着等の作業も容易
となり、ひいては歩留りの向上、信頼性の向上が得られ
、製造組立の完全自動化が容易となる。
しかしながら、第8図のように円形の穴53のみで複数
個のセル55を分離すれば、隣接したセルに発生する応
力が干渉となって隣のセルに歪を生じこのセルの出力に
影響を及ぼす。さらに第7図のように複数の小形の円形
穴56によって隣接したセルを分離する工夫をしても干
渉を完全になくすことができない。
個のセル55を分離すれば、隣接したセルに発生する応
力が干渉となって隣のセルに歪を生じこのセルの出力に
影響を及ぼす。さらに第7図のように複数の小形の円形
穴56によって隣接したセルを分離する工夫をしても干
渉を完全になくすことができない。
また第8図のように隣接したセルを大形の切込み溝57
によって分離すれば干渉をなくすことができるが、切込
み溝57の位置精度や寸法粘度を上述の円形穴53のそ
れと同程度まであげることは現状の加工技術では極めて
困難である。このため、セルの外周からストレンゲージ
54までの距離文9文′の精度が悪くなり、各セルから
の出力にばらつきが生じる。
によって分離すれば干渉をなくすことができるが、切込
み溝57の位置精度や寸法粘度を上述の円形穴53のそ
れと同程度まであげることは現状の加工技術では極めて
困難である。このため、セルの外周からストレンゲージ
54までの距離文9文′の精度が悪くなり、各セルから
の出力にばらつきが生じる。
[発明の目的]
本発明は、圧覚センサの製造を簡単にし、かつ隣接した
セルからの干渉をなくした圧覚センサを提供することを
目的とする。
セルからの干渉をなくした圧覚センサを提供することを
目的とする。
[発明の要点]
本発明は1位置精度および寸法精度を円形の穴によって
確保し、隣接したセルからの干渉を小形の切込み溝によ
って遮断するようにしたものである。
確保し、隣接したセルからの干渉を小形の切込み溝によ
って遮断するようにしたものである。
[発明の実施例]
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第9図(A)〜(D)は本発明の一実施例を示す。
第9図(A)に示したように、短冊形の単結晶シリコン
61にセル構成用の円形穴62と、セル分離用の円形穴
〇3および半円形状の穴6Bを交互に開け、セル構成用
の円形穴62の周りにストレンゲ−シロ4を形成してセ
ルを構成する。これらの円形穴82.E13゜66はレ
ーザおよびダイヤモンドドリル加工で高精度に作成でき
る。なお、短冊形の単結晶シリコン61にストレンゲ−
シロ4を形成してから穴82 、 fi3および66を
開けるようにしてもよい。
61にセル構成用の円形穴62と、セル分離用の円形穴
〇3および半円形状の穴6Bを交互に開け、セル構成用
の円形穴62の周りにストレンゲ−シロ4を形成してセ
ルを構成する。これらの円形穴82.E13゜66はレ
ーザおよびダイヤモンドドリル加工で高精度に作成でき
る。なお、短冊形の単結晶シリコン61にストレンゲ−
シロ4を形成してから穴82 、 fi3および66を
開けるようにしてもよい。
さらに、第8図(B)に示したように、セルが形成され
た上述の短冊形の単結晶シリコン81を受圧面を上方に
して下部基板30の溝に並べて固着し、そのシリコン6
1の上に上部受圧板40を乗せて固着した後、第9図(
C)および(D)に示したように、セル分離用穴83お
よび66を通る切込み溝67によって、受圧板40とい
っしょに隣接するセルBISを互いに分離する。ここで
、切込み溝87は薄型の砥石カッタにより作−成しても
よいし、レーザ加工により作成することもできる。
た上述の短冊形の単結晶シリコン81を受圧面を上方に
して下部基板30の溝に並べて固着し、そのシリコン6
1の上に上部受圧板40を乗せて固着した後、第9図(
C)および(D)に示したように、セル分離用穴83お
よび66を通る切込み溝67によって、受圧板40とい
っしょに隣接するセルBISを互いに分離する。ここで
、切込み溝87は薄型の砥石カッタにより作−成しても
よいし、レーザ加工により作成することもできる。
このように、ストレンゲ−シロ4に影響を与える加工は
高精度加工ができる円形穴83 、66の加工だけです
むので、高度な位置精度および寸法精度が確保できる。
高精度加工ができる円形穴83 、66の加工だけです
むので、高度な位置精度および寸法精度が確保できる。
よって、セルの外周からストレンゲージまでの距離の精
度が悪くなって、各セルからの出力のばらつきが生ずる
という問題は解消される。また、隣接したセル61Sか
らの干渉は小形の切込み溝67によって遮断される。
度が悪くなって、各セルからの出力のばらつきが生ずる
という問題は解消される。また、隣接したセル61Sか
らの干渉は小形の切込み溝67によって遮断される。
第1θ図(A)〜(D)は本発明の他の実施例を示す。
第10図(A)に示したように、短冊形の単結晶シリコ
ン61にセル構成用の円形穴B2とセル分離用の大径の
円形穴〇8とを交互に開けた後に、その大径穴88の位
置に合せて矩形のセル分離用切欠き溝69を形成してい
る。他は前述の第9図(A)〜([l)に示した実施例
と同様なのでその詳細な説明は省略する。本例では短冊
形単結晶シリコン61の端面に垂直な力の検出には若干
の誤差が生じるが、加工工数は第8図(A’)〜(D)
の実施例より少ない。
ン61にセル構成用の円形穴B2とセル分離用の大径の
円形穴〇8とを交互に開けた後に、その大径穴88の位
置に合せて矩形のセル分離用切欠き溝69を形成してい
る。他は前述の第9図(A)〜([l)に示した実施例
と同様なのでその詳細な説明は省略する。本例では短冊
形単結晶シリコン61の端面に垂直な力の検出には若干
の誤差が生じるが、加工工数は第8図(A’)〜(D)
の実施例より少ない。
第11図は第10図のストレンゲージ群64の各ストレ
ンゲージの詳細な配置例を示す。まず、受圧面81aに
受圧板40を介して三方向の荷重”+Fy、Fzがそれ
ぞれ独立にかかったとき、セル81Sに生じる応力はシ
リコン81Sが基板30と受圧板40とに固着されてい
るとして近似的に次式で表わされる。
ンゲージの詳細な配置例を示す。まず、受圧面81aに
受圧板40を介して三方向の荷重”+Fy、Fzがそれ
ぞれ独立にかかったとき、セル81Sに生じる応力はシ
リコン81Sが基板30と受圧板40とに固着されてい
るとして近似的に次式で表わされる。
8 bt3R,+r (1)
4 i (2)
ただし、σ:周方向応力、
R:セル81Sの平均円、すなわちセル61St−梁と
見たときの材料力学的な中立軸の半径、すなわち隣接す
る 2つの円形穴62と88の外縁の中間 と小円の円形穴62の中心とを結ぶ半 径、 2t:セル61Sの幅、すなわち隣接する2つの円形穴
62と68の外縁の最小 幅、 b:セル81Sの厚さ、すなわちシリコン81Sの厚さ
、 ■=セルEIISのFW力方向断面2次モーメント、 r:セル61Sの平均円Rを基準とじたセル61Sの径
方向の変数、 α:セル81S上端からとった角度変数である。
見たときの材料力学的な中立軸の半径、すなわち隣接す
る 2つの円形穴62と88の外縁の中間 と小円の円形穴62の中心とを結ぶ半 径、 2t:セル61Sの幅、すなわち隣接する2つの円形穴
62と68の外縁の最小 幅、 b:セル81Sの厚さ、すなわちシリコン81Sの厚さ
、 ■=セルEIISのFW力方向断面2次モーメント、 r:セル61Sの平均円Rを基準とじたセル61Sの径
方向の変数、 α:セル81S上端からとった角度変数である。
かかる応力に基づく歪を検出するため、第11図に示す
円形穴82の周囲の位置にストレンゲージを取り付ける
。まず荷重Fxがかかった時のことを考えると、Fx測
定用ゲージ84xt、84xcは小円形穴62の内径部
のT・−tの個所にあり、またα・38.6°の位置に
設けられるから、(1)でR> tとして、となり、ゲ
ージ84xtの個所では引張りひずみ、ゲージ84XC
の個所では圧縮ひずみが生じるが、荷ff1FX測定用
ゲージ84zt 、 84zcの個所ではα=80゜で
あるから、(1)式かられかるようにひずみは” o
”で従ってこれらのゲージから検出信号は生じない。
円形穴82の周囲の位置にストレンゲージを取り付ける
。まず荷重Fxがかかった時のことを考えると、Fx測
定用ゲージ84xt、84xcは小円形穴62の内径部
のT・−tの個所にあり、またα・38.6°の位置に
設けられるから、(1)でR> tとして、となり、ゲ
ージ84xtの個所では引張りひずみ、ゲージ84XC
の個所では圧縮ひずみが生じるが、荷ff1FX測定用
ゲージ84zt 、 84zcの個所ではα=80゜で
あるから、(1)式かられかるようにひずみは” o
”で従ってこれらのゲージから検出信号は生じない。
次に、荷111Fzが単独にかかったときには、F2測
定用ゲージ64ztJ4zcはα=90°の内外周部(
r−tまたは「−t)の位置にあるから、なお(3)式
により同様にR>tとして、 R となり、ゲージ642tは引張りひずみを、ゲージ84
zcは圧縮ひずみを検出する。このときFx検出用のゲ
ージ84xt、f14xcの位置では、α= 39.6
°で(3)式中の(2/π−5ina )の項が°“0
゛′となるから、ひずみは°0″でこれらのゲージから
検出信号は生じない。
定用ゲージ64ztJ4zcはα=90°の内外周部(
r−tまたは「−t)の位置にあるから、なお(3)式
により同様にR>tとして、 R となり、ゲージ642tは引張りひずみを、ゲージ84
zcは圧縮ひずみを検出する。このときFx検出用のゲ
ージ84xt、f14xcの位置では、α= 39.6
°で(3)式中の(2/π−5ina )の項が°“0
゛′となるから、ひずみは°0″でこれらのゲージから
検出信号は生じない。
以上のことから分力Fx測定用ゲージ84xt、84x
cと分力F2測定用ゲージfi4zt、1(4zcとは
、(4)および(5)式かられかるように約2倍の出力
信号の開きはあるが、相互に干渉がなく分力を完全に分
離して測定できることがわかる。
cと分力F2測定用ゲージfi4zt、1(4zcとは
、(4)および(5)式かられかるように約2倍の出力
信号の開きはあるが、相互に干渉がなく分力を完全に分
離して測定できることがわかる。
一方、分力F、測定用ゲージについて考えると、荷重F
yが第7図の紙面より手前の方向にかかるとしてそのひ
ずみ検出用ゲージ84yt 、 84ycを図示の・よ
うに設けることになる。これらのゲージの位置では、(
2)式で同様にα=39.6°、R>tとおいて、 σ= 0.1!3 R−Fy (6) ■ で表される応力に基づくひずみをゲージeay tでは
引張りひずみ、ゲージE14ycで圧縮ひずみの形で検
出することになり、分力Fz測定用ゲージ84zt 。
yが第7図の紙面より手前の方向にかかるとしてそのひ
ずみ検出用ゲージ84yt 、 84ycを図示の・よ
うに設けることになる。これらのゲージの位置では、(
2)式で同様にα=39.6°、R>tとおいて、 σ= 0.1!3 R−Fy (6) ■ で表される応力に基づくひずみをゲージeay tでは
引張りひずみ、ゲージE14ycで圧縮ひずみの形で検
出することになり、分力Fz測定用ゲージ84zt 。
84zcの位置ではα=90°であるからσ=0となり
、従って干渉信号は出ないが、分力Fx測定用ゲージ6
4Σt、&4xcの位置では分力Fy測定用ゲージの場
合と同じように σ= 0.19 R−FW (?) ■ なる応力に基づくひずみ検出出力が出ることになる。こ
の分布Fx測定用ゲージからの検出信号はそのまま出力
すれば、当然誤信号となるわけであるが、第12図(A
)〜(C)に示したようなブリッジ回路が正規の状態で
は誤信号をキャンセルするように組まれているので、誤
検出信号が分力Fx測定用のブリッジ回路から出力され
ることはない。
、従って干渉信号は出ないが、分力Fx測定用ゲージ6
4Σt、&4xcの位置では分力Fy測定用ゲージの場
合と同じように σ= 0.19 R−FW (?) ■ なる応力に基づくひずみ検出出力が出ることになる。こ
の分布Fx測定用ゲージからの検出信号はそのまま出力
すれば、当然誤信号となるわけであるが、第12図(A
)〜(C)に示したようなブリッジ回路が正規の状態で
は誤信号をキャンセルするように組まれているので、誤
検出信号が分力Fx測定用のブリッジ回路から出力され
ることはない。
[発明の効果コ
以上説明したように゛、本発明によれば、短冊形の単結
晶シリコンに拡散形ストレンゲージが形成され、セル構
成用円形穴と少なくとも1個のセル分離用円形穴が交互
にあけられて、これにより力を3成分に分解して検知す
るセルが複数個帯状に形成され、さらにその短冊形の単
結晶シリコンが下部基板の上に固定して組立られ、かつ
上述のセル分離用円形穴を通る切込み溝により単独のセ
ルに分離されるようにしているので、各セルからの出力
のばらつきが少なく、製造組立が容易な圧覚センサが得
られる。
晶シリコンに拡散形ストレンゲージが形成され、セル構
成用円形穴と少なくとも1個のセル分離用円形穴が交互
にあけられて、これにより力を3成分に分解して検知す
るセルが複数個帯状に形成され、さらにその短冊形の単
結晶シリコンが下部基板の上に固定して組立られ、かつ
上述のセル分離用円形穴を通る切込み溝により単独のセ
ルに分離されるようにしているので、各セルからの出力
のばらつきが少なく、製造組立が容易な圧覚センサが得
られる。
第1図は本発明の対象とする圧覚センサを人体の歩行動
態の測定に利用した例を示す説明図、第2図はその圧覚
センサをロボットハンドの制御用センサとして用いた例
を示す説明図、第3図はその圧覚センサの基本構成を示
す斜視図、 第4図および第5図は従来の圧覚センサの製造工程と構
成を示す斜視図、 第6図〜第8図は従来の短冊形の圧覚センサの要部構成
例を示す正面図・ 第8図(A)〜(C)は本発明の一実施例の要部構成例
と製造工程を示す平面図、 第8図(D)は第8図(C)の斜視図、第10図(A)
〜(C)は本発明の他の実施例の要部構成例と製造工程
を示す平面図。 第1θ図(D)は第1θ図(C)の斜視図、第11図は
その′ストレンゲージの配置を示す説明図、 第12図(A)〜(C)はそのストレンゲージの接続態
様の一例を示す回路図である。 30・・・下部共通基板、 31・・・溝、 4′0・・・上部受圧板、 51 、l(1・・・短冊形単結晶シリコン、51a、
81a ・・・受圧面、 52、F12・・・セル構成用円形穴、54.84・・
・ストレンゲージ群、 53.5B、ft3.8B、F18・・・境界用円形穴
、55 、EIIS・・・感圧セル、 57.8?・・・切込み溝、 68・・・境界用切込み溝。 特許出願人 株式会社 富士電機総合研究所代 理 人
弁理士 谷 義 − 第3図 第4図 1 第5図 第6図 第7図 51 53 56 52 第8図 54 55 引 5257 第9図(B) 第9図(C) 30 61S 61S 31 30 61 62 68 69 0 再10図(C) 615 30 第10図(D) 第11図 68 62 30 68
態の測定に利用した例を示す説明図、第2図はその圧覚
センサをロボットハンドの制御用センサとして用いた例
を示す説明図、第3図はその圧覚センサの基本構成を示
す斜視図、 第4図および第5図は従来の圧覚センサの製造工程と構
成を示す斜視図、 第6図〜第8図は従来の短冊形の圧覚センサの要部構成
例を示す正面図・ 第8図(A)〜(C)は本発明の一実施例の要部構成例
と製造工程を示す平面図、 第8図(D)は第8図(C)の斜視図、第10図(A)
〜(C)は本発明の他の実施例の要部構成例と製造工程
を示す平面図。 第1θ図(D)は第1θ図(C)の斜視図、第11図は
その′ストレンゲージの配置を示す説明図、 第12図(A)〜(C)はそのストレンゲージの接続態
様の一例を示す回路図である。 30・・・下部共通基板、 31・・・溝、 4′0・・・上部受圧板、 51 、l(1・・・短冊形単結晶シリコン、51a、
81a ・・・受圧面、 52、F12・・・セル構成用円形穴、54.84・・
・ストレンゲージ群、 53.5B、ft3.8B、F18・・・境界用円形穴
、55 、EIIS・・・感圧セル、 57.8?・・・切込み溝、 68・・・境界用切込み溝。 特許出願人 株式会社 富士電機総合研究所代 理 人
弁理士 谷 義 − 第3図 第4図 1 第5図 第6図 第7図 51 53 56 52 第8図 54 55 引 5257 第9図(B) 第9図(C) 30 61S 61S 31 30 61 62 68 69 0 再10図(C) 615 30 第10図(D) 第11図 68 62 30 68
Claims (1)
- 短冊形の単結晶シリコンに対し、該シリコン受圧面と垂
直な面の長手方向に沿って複数個の拡散形ストレンゲー
ジ群が形成され、かつ該ストレンゲージ群に対応して複
数個のセル構成用円形穴と少なくとも1個のセル分離用
円形穴とか交互に開けられ、前記セル分離用円形穴を通
る切込み溝により、前記ストレンゲージ群が抵抗値の変
化によって前記受圧面に印加された力を3分力に分解し
て検知する複数個の独立セルとして各々分離され、該セ
ルが形成された前記短冊形の単結晶シリコンが前記受圧
面を上方にして下部基板の上に7レイ状に配列して成る
ことを特徴とする圧覚センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59065210A JPS60208866A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 圧覚センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59065210A JPS60208866A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 圧覚センサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60208866A true JPS60208866A (ja) | 1985-10-21 |
JPH0473634B2 JPH0473634B2 (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=13280320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59065210A Granted JPS60208866A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 圧覚センサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60208866A (ja) |
-
1984
- 1984-04-03 JP JP59065210A patent/JPS60208866A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0473634B2 (ja) | 1992-11-24 |
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