JPS60208840A - 高密度有機薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高密度有機薄膜の製造方法に関するものであ
る。さらに詳しくは、磁気記録媒体の表面滑材や保護膜
あるいは光記録媒体、光磁気記録媒体、半導体素子の製
造等に表面保護膜やレジストとして用いる有機薄膜の製
造方法に関するものであシ、非常に薄い膜でありながら
、ピンホールが少く、膜厚均一性が良く、高密度（緻密
）である点を特徴とするものである。

従来例の構成とその問題点 従来、磁気記録媒体の製造工程等において、表面の保護
や潤滑性を得るために、保護膜コートや滑利コートが行
なわれているが、コート方法はス′プレー法やローラー
法が主であり、均一にコートしたり、薄くコートした９
、さらに薄くツー１−シた場合のピンホールを防止する
ことが非常にむつかしかった。すなわち、塗膜が均一の
厚みに形成できないと、記録、再生ヘッドと磁気記録層
とのギャプが一定せずノイズの原因となるし、塗膜の厚
みが厚い程、記録あるいは再生ヘッドの効率が悪くなる
。また、塗膜を薄くできてもピンホール等があれば極部
的に磁気記録層が酸化されたりして、やはりノイズの原
因となるし、耐久性も悪くなる等の欠点があった。

また、半導体素子の製造等において、表面保護膜やレジ
ストとして塗膜を利用する場合、現在、主としてスピナ
ー塗布法が用いられているが、設計寸法が小さくなるに
伴って、ピンホールの無いレジスト膜を薄く、しかも均
一な厚みで形成することが要望されている。つまり、高
解像度を得るためには、レジストを薄く塗布する必要が
あるが従来のスピナー塗布法では、薄く塗れば塗るほど
ピンホールが増加する傾向にあった、 発明の目的 以上述べてきた従来法の欠点に鑑み、本発明は磁気記録
媒体等の製造工程において、保護膜や滑利として利用で
き、一方、半導体素子の製造において１．保護膜やレジ
スト膜として利用できる、均一性が良く、ピンホ一ルが
無く、しかも非常に薄い高密度有機薄膜の製造方法を提
供することを目的とする。

発明の構成 本発明は、任意の基体、例えば磁気記録媒体（磁気テー
プ、磁気ディスク等）や光記録媒体や半導体基板上ヘラ
ングミュアーグロジェソト法を用いて有機超薄膜を少く
とも一層（好ましくは数層）形成し、さらにその超薄膜
をエネルギービーム（光、電子ビーム、Ｘ線、γ線等）
やプラズマにより重合させたり、あるいは、前記有機薄
膜上にさらにプラズマＣＶＤ法等で有機薄膜を形成させ
て、磁気記録媒体や光記録媒体の表面を保護したり、滑
性を持たせたり、あるいは、半導体素子製造において保
護膜として用いたシ、レジストとして用いることを特徴
とするものである実施例の説明 以下、実施例を第１図、第２図を用いて説明する。例え
ば、第１図（ａ）〜（Ｃ）に示すように、磁気記録用テ
゛イスク基板１上に、磁気記録層２が形成さｈ　たもの
の上面に、全面ラングミュア−プロジェット法（以下Ｌ
　Ｂ　７１＜、捷た、この方法により作られた有機薄膜
をＬＢ膜という）により、ω−トリコセン酸ｔ＊Ｕステ
アリン酸ビニルまたはジアセチレン訪導体のような分子
内に重合性基を有する化ツマ−を用いて、数層有機超薄
膜３（例えば１００人程度のＬＢ膜）形成する（第１図
ａ）。

このとき、重合性基が表面に出ている方がよシ好都合で
ある。すなわち、ＬＢＭ３の形成時に重合性基が表面に
出ておれば、後工程で直接この重合性基にガス反応を行
うことができる。

次に、形成膜をよシ岸くしたい場合は、エチレン、クロ
ピレン、スチレン、キシレン、メタン等の重合性ガス雰
囲気中でプラズマ処理を施すと、さらに表面にポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリスチレン・・・・・等のプ
ラズマ重合膜４を緻密に形成できる”：ｌ’：１図ｂ）
。なお、このとき、表１百ｉをよシ滑性にしたい場合は
、さらにＯＦ４やＨＦ等のフッ素を含むガスを混入して
おけば、堆積膜はフッ化カーボン系のポリマーとなり、
滑性が非常に良い高密度有機薄膜６となる、 また、ＬＢ膜３のみの厚さで十分な場合には、反応ガス
として、ＣＦ４やＨＦ等のフッ素を含むガス中でプラズ
マ処理を施してやると、ＬＢ膜表ｍがフッ化カーボン系
で非常に滑性のある高密度有機薄膜を形成できる。

さらにまた、保護膜としてのみ利用し、滑性を必要とし
ない場合には、ＬＢ膜３をＮ２やＡｒ中でプラズマ処理
するか、紫外線や′電子ビーム、γ線。

イオンビーム、Ｘｍ等のエネルギービームを照射するこ
とにより、磁気記録層上に高密度有機薄膜を形成できる
。

なお、ＬＢ法を用いて３層有機超薄Ｍ３を形成した場合
の拡大図を第１１ＺＩ（Ｃ）に示すが、図中、６はω−
１〜リコセン酸の親水性基を示し、７は疎水性基を示し
、８はビニル基（炭素炭素の２重結き）を示す。従って
、この場合、分子内に重合性基を持つ化ツマ−（ω−ト
リコセン酸）で、ｌｌ’［が基板表面に並んで形成され
ていることになり、この状態でプラズマ処理を行うと、
活性ガスを導入した場合はこの重合性基から重合が進行
していったり、この重合性是と結合が生じたり、さらに
この重合性基間での結合が生じるだめ非常に成膜状態が
良くなる。

一方、半導体素子製造用のレジストとして用いる場合に
は、第２図（ａ）に示すように半導体基板９上にＬＢ膜
３を形成し、さらに反応ガスとして、ＭＭＡ　（メクア
クリル酸メチ／Ｉ／）等を用いて、（さらに増感の為の
スズ等の有機金属化合物のガスを導入しても良い。）プ
ラズマＣＶＤ膜４を形成し、次に、第２図（ａ）に示す
ように電子ビーム１０等でパターン露光をし、さらに酸
素プラズマ中で現像することによシ微細なポジ型しシス
トバクーン１１を形成できる（第２はｌｂ）、 発明の効果 以」二連べてきた方法により、磁気記録媒体等の表面に
高密度の有機薄膜をピンホール無く、均一厚みで、非常
に薄く形成できる。従って、基体が磁気記録媒体等の場
合、記録再生ヘッドの効率が向上し、ノイズも減少でき
、効果大なるものである。すなわち、ＬＢ模膜形成法よ
り基体表面に超薄膜をプレコートすることにより、ピン
ホールフリーで均一膜厚の有機薄膜が得られ、しかも、
さらにその有機薄膜をプラズマやエネルギービームで照
射重合させることにより緻密な膜とすることができる。

さらにまた、ＬＢ膜上にプラズマＣＶＤ膜を形成するこ
とによりより強固な有機薄膜が得られると＼もにフン素
を含むガス中でプラズマ処理することにより、有機薄膜
表面に滑性を持たせることができ、ヘッドの滑り性の向
上、すなわち耐磨耗性上効果大なるものである。

以上述べてきた実施例は、基体として磁気記録媒体を用
いて説明してきたが、光ディスク、レコード等耐磨耗性
を向上したり、表面保護を目的とする全てのものに使用
できることは明らかである。

なお、ＬＢ膜の材料として、ジアセチレン系の誘導体を
用いた場合には、面方向の導電性を持たすことができ、
基体表面の帯電を防止することも可能である。

一方、ホトレジストとして用いる場合には、ピンホール
フリーのレジスト膜を緻密にしかも薄く形成できるので
、超ＬＳＩ素子の製造に効果大な　：るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　（１））は本発明の一実施例の高密度有
機ノ 薄膜の製造工程を説明するだめの工程断面図で、同図（
Ｃ）は同図（ａ）中のＡで示される部分の拡大断面図、
第２図（ａ）　、　（ｔ））は、さらに第１図で得た高
密度有機薄膜をレジストとじて用いた場合におけるパタ
ーン形成工程を示す断面図である。 １・・・・・・基板、３・・・・・ＬＢ膜、４・・・・
・・プラズマＣＶＤ膜、５・・・・・高密度４１機薄膜
。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名耶１
図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）任意の基体上にラングミュアプロジェット膜を形
   成する工程と、前記膜表面を、ガス雰囲気中でプラズマ
   処理するかあるいはエネルギービーム照射する工程を含
   むことを特徴とした高密度有機薄膜の製造方法。
2. （２）ガス雰囲気として、重合性ガスを用いプラズマＣ
   ＶＤを行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の高密度有機薄膜の製造方法。
3. （３）膜の４シ制として、分子内に重合性基を有する化
   ツマ−を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   又は第２項の記載の高密度有機薄膜の製造方法。
4. （４）膜の材料として分子内に重合性基を有する化ツマ
   −を用い、エネルギっビームを照射することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の高密度有機薄膜の製造方
   法。