JPS60206319A - Circuit and method for reset at power-on time - Google Patents
Circuit and method for reset at power-on timeInfo
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- JPS60206319A JPS60206319A JP6278484A JP6278484A JPS60206319A JP S60206319 A JPS60206319 A JP S60206319A JP 6278484 A JP6278484 A JP 6278484A JP 6278484 A JP6278484 A JP 6278484A JP S60206319 A JPS60206319 A JP S60206319A
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- H03K17/223—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は電源線を介して供給される電力により動作する
被供給回路(チップ上の内部回路で例えばMOS FE
T 等で構成される論理回路)を電源オン時にリセット
するリセット回路およびリセット方法に関するもので、
特にMO8型集積回路等に組込まれて使用されるもので
ある。Detailed Description of the Invention [Technical Field] The present invention relates to a supplied circuit (an internal circuit on a chip, such as a MOS FE
This relates to a reset circuit and a reset method for resetting a logic circuit (consisting of T, etc.) when the power is turned on.
In particular, it is used by being incorporated into an MO8 type integrated circuit.
電源オイ時にチップの内部回路をリセットする電源オン
時リセット回路の従来例としては、例えば特開昭56−
1222251C示されるものが知られている。添付図
面の第1図乃至第3図を参照して従来装置を説明する。As a conventional example of a power-on reset circuit that resets the internal circuit of the chip when the power is turned on, for example,
1222251C is known. A conventional device will be described with reference to FIGS. 1 to 3 of the accompanying drawings.
なお、以下の図面の説明において、同一要素は同一・符
号で示−1−6第1図は特開昭56−122225に示
されたリセット回路の回路図である。端子1側に図示し
ない電源を接続した電源線2の端子3側には、この電源
によって動作する被供給回路(チップ内部回路)が接続
されている。電源線2とアースとの間にはPチャンネル
MO8FET(以下rl’−FETJ という)4,5
と数pFの容置のキャパシタ6が11列接続されている
。また、P−FET 4 、5と並列にP−FET 7
が接続され、キャパシタ6の一端は信号線8を介してイ
ンバータ90入力端子に接続されている。そして、イン
バータ9の出力端子はP−FET7のゲート端子に接続
されると共に、インバータ10の入力端子に接続される
。インバータ10の出力端子は信号線Oを介して被供給
回路のリセット信号入力用の端子に接続される。In the following description of the drawings, the same elements are designated by the same reference numerals.-1-6 FIG. 1 is a circuit diagram of a reset circuit disclosed in Japanese Patent Application Laid-open No. 56-122225. A power source line 2 (not shown) is connected to the terminal 1 side, and a supplied circuit (chip internal circuit) operated by this power source is connected to the terminal 3 side. P-channel MO8FET (hereinafter referred to as rl'-FETJ) 4, 5 is connected between the power supply line 2 and the ground.
Eleven columns of capacitors 6 having a capacitance of several pF are connected. In addition, P-FET 7 is connected in parallel with P-FETs 4 and 5.
is connected, and one end of the capacitor 6 is connected to an input terminal of an inverter 90 via a signal line 8. The output terminal of the inverter 9 is connected to the gate terminal of the P-FET 7 and also to the input terminal of the inverter 10. An output terminal of the inverter 10 is connected via a signal line O to a terminal for inputting a reset signal of the supplied circuit.
第2図は第1図の構成例の電源オン後の動作説明図であ
り、横軸に時間をとり縦軸に電圧をとっている。なお、
V2. V8はそれぞれ電源線2と信号線8の電位を示
している。t=toにおいて電源がオンにされると、電
源線2の電位v2は急激に上昇し、1=11 において
P−FET 4.5がオンになると電源線2からキャパ
シタ6に電流が通じる。信号ffM8の電位■8はキャ
パシタ6の充電につれて上昇する。このとき、P−FE
T 4.5のオン時の合成抵抗をR1、キャパシタ6の
容量をCとすると、電位■8の上昇は時定数R1Cに従
うことになる。i位■8がインバータ9のしきい値電圧
を越えるまで(時刻12〜t3)はインバータ9の出力
はハイレベル(以下l1l(I+という)なので、イン
バーター0からリセット信号が発せられる。またP−F
ET 7のゲートにはインバータ9の出力が与えられて
いるのでオフになっている。FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of the configuration example shown in FIG. 1 after the power is turned on, and the horizontal axis represents time and the vertical axis represents voltage. In addition,
V2. V8 indicates the potential of the power supply line 2 and the signal line 8, respectively. When the power is turned on at t=to, the potential v2 of the power line 2 rises rapidly, and when the P-FET 4.5 is turned on at 1=11, current flows from the power line 2 to the capacitor 6. The potential 8 of the signal ffM8 increases as the capacitor 6 is charged. At this time, P-FE
If the combined resistance of T4.5 when it is on is R1, and the capacitance of capacitor 6 is C, then the rise in potential 8 follows the time constant R1C. Since the output of the inverter 9 is at a high level (hereinafter referred to as l1l (I+)) until the i-th position ■8 exceeds the threshold voltage of the inverter 9 (time 12 to t3), a reset signal is issued from the inverter 0. F
Since the output of the inverter 9 is applied to the gate of the ET 7, it is turned off.
1=1 において電位■8がインバータ9のしきい値に
達すると、インバータ9の出力は反転してリセット信号
の送出は停止される。それと同時にP−FET 7がオ
ンになってP−FET 7を介して iキャパシタ6が
充電される。ここで、P−FET 7の抵抗をR2とす
ると、電位■8の上昇は時定数R1R2C/(R1+1
2) K従うことになるので、時刻1、、−18に比べ
て素早く上列する。1=1, when the potential ■8 reaches the threshold value of the inverter 9, the output of the inverter 9 is inverted and the sending of the reset signal is stopped. At the same time, P-FET 7 is turned on and i-capacitor 6 is charged via P-FET 7. Here, if the resistance of P-FET 7 is R2, the rise in potential ■8 is due to the time constant R1R2C/(R1+1
2) Since it follows K, it quickly moves up the line compared to times 1, -18.
上記の如〈従来装置によれば、電源オン時のりセットを
的確に行うことができるが− リセット完了後に電源線
の電位に急激な変動があったときは、それにつれて内部
の電位が変動l−で動作の破綻が生じることがある。As mentioned above, (according to the conventional device, the reset can be performed accurately when the power is turned on), but if there is a sudden change in the potential of the power line after the reset is completed, the internal potential will change accordingly. Operation failure may occur.
上記の事情を第2図を参照して説明する。t−13の後
は比較的高抵抗のP−FET 4 、5も、比較的低抵
抗の1)−FET7も共にオンになっている。The above situation will be explained with reference to FIG. After t-13, both relatively high resistance P-FETs 4 and 5 and relatively low resistance 1)-FET 7 are turned on.
1=1 において電位■2が急激に低下すると、P−F
ET 4.5.7は共にオンになっているためキャパシ
タ6の電荷はこれらを介して電源線2に流出し、電位■
8も急激に低下する。When the potential ■2 suddenly decreases when 1=1, P-F
Since ET 4, 5, and 7 are both on, the charge in the capacitor 6 flows through them to the power supply line 2, and the potential ■
8 also decreases rapidly.
キャパシタ6の容量を大きくすれば、電源線2の電圧降
下をある程度は防止することができるが、放電された電
荷は端子1fc−介して容量の大きい外部回路に流出し
てしまうので、小さな電位変動以外のものには無力であ
る。また、外部回路への放電に耐えられる程度の大容量
のキヤ、4シタな半導体基板上に形成するのはスペース
的に難しく、キャパシタを外付けするのはコスト等の点
で好ましくない。If the capacitance of the capacitor 6 is increased, the voltage drop in the power supply line 2 can be prevented to some extent, but the discharged charge will flow through the terminal 1fc- to an external circuit with a large capacitance, so small potential fluctuations will occur. It is powerless against anything else. Furthermore, it is difficult to form a capacitor with a large capacity large enough to withstand discharge to an external circuit on a four-capacity semiconductor substrate due to space constraints, and externally attaching a capacitor is not preferable in terms of cost and the like.
また、第3図に示す如く、第1図の回路のP−FET
4 、5 、7をnチャンネルMO8FET(以下1’
−n−FETJという)4’ 、5’ 、7’で置換し
、インバータ9を非反転バッファ9′で置換した回路で
は、キャパシタ6による電圧安定化の作用は全く期待で
きない。なぜなら、電源線2に事故等があって電位V2
が急激に低下したとぎには、n−FET 7 ’はオフ
になるのでキャパシタ6の電荷が電源線2に放出されな
いからである。Moreover, as shown in FIG. 3, the P-FET of the circuit of FIG.
4, 5, and 7 are n-channel MO8FETs (hereinafter 1'
-n-FETJ) 4', 5', and 7', and in which the inverter 9 is replaced by a non-inverting buffer 9', the voltage stabilizing effect of the capacitor 6 cannot be expected at all. This is because there is an accident in the power line 2 and the potential V2
This is because when the voltage suddenly decreases, the n-FET 7' is turned off and the charge in the capacitor 6 is not released to the power supply line 2.
本発明は上記の従来技術の欠点を克服するためになされ
たもので、電源電圧の瞬間的変動が発生しても、この電
源電圧により動作する被供給回路の動作に破綻が生じる
ことのないようにした電源オン時リセット回路および電
源オン時リセット方法を提供することを目的とする。The present invention has been made to overcome the above-mentioned drawbacks of the prior art, and is designed to prevent the operation of a supplied circuit operated by this power supply voltage from being disrupted even if instantaneous fluctuations occur in the power supply voltage. An object of the present invention is to provide a power-on reset circuit and a power-on reset method.
上記の目的を達成するため本発明は、電源線を介して供
給される電力により動作する被供給回路に電源が投入さ
れると充電を開始するキャパシタと、リセット終了後に
電源電圧が変動したときはキャパシタの電荷を被供給回
路に放!するFET等の放電手段と、この放電電荷が電
源線を介して外部回路に流出するのを阻止するためのダ
イオード等の阻止手段等とを備えた電源オン時リセット
回路およびその方法を提供するものである。In order to achieve the above object, the present invention provides a capacitor that starts charging when power is turned on to a supplied circuit that operates with power supplied via a power line, and a capacitor that starts charging when the power supply voltage fluctuates after reset is completed. Release the charge of the capacitor to the supplied circuit! To provide a power-on reset circuit and a method thereof, which includes a discharging means such as a FET, and a blocking means such as a diode to prevent the discharged charge from flowing out to an external circuit via a power supply line. It is.
以下、添付図面の第4図乃至第8図を参照して本発明の
いくつかの実施例を説明する。第4図は一実施例の回路
図である。端子1を介して図示しない外部の電源回路に
接続された外部電源線2aと、端子3を介して図示しな
い被供給回路に接続された内部電源線2bとの間には、
端子1側をアノードにしたダイオード11を設け、キャ
パシタ6の放電電荷が外部回路に流出するのを阻止する
ように−jる。内部電源線2bとキャパシタ6の一端(
信号線8)との間には抵抗12とn−FET13を並列
に接続し、n−FET13のゲート端子はキャパシタ6
の一端(信号線8)に接続する。ここで抵抗12はキャ
パシタ6への充電電流を制限するもので、比較的高抵抗
のものである。また、n−FET 13it。Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 8 of the accompanying drawings. FIG. 4 is a circuit diagram of one embodiment. Between an external power supply line 2a connected to an external power supply circuit (not shown) via terminal 1 and an internal power supply line 2b connected to a supplied circuit (not shown) via terminal 3,
A diode 11 with the terminal 1 side as an anode is provided to prevent the discharged charge of the capacitor 6 from flowing out to an external circuit. Internal power supply line 2b and one end of capacitor 6 (
A resistor 12 and an n-FET 13 are connected in parallel to the signal line 8), and the gate terminal of the n-FET 13 is connected to the capacitor 6.
Connect to one end (signal line 8) of Here, the resistor 12 limits the charging current to the capacitor 6, and has a relatively high resistance. Also, n-FET 13it.
電源電圧変動時にキャパシタ6の電荷を内部電源線2b
から被供給回路に放電するためのものであり、電源電圧
変動時に素早くオンするようにするためしきい値は小さ
くしておくことが望ましい。When the power supply voltage fluctuates, the charge in the capacitor 6 is transferred to the internal power supply line 2b.
It is for discharging from the source to the supplied circuit, and it is desirable to keep the threshold value small so that it can be turned on quickly when the power supply voltage fluctuates.
信号線8の一端はn −FET 15 、16のゲート
に接続されており、このエンハンスメント型のn−FE
T15とディプレッション型のn−FET17に、Jl
lンバータが構成される。このインバータの出力は端子
18を介して、リセット信号として図示しない被供給回
路に送出されろ。One end of the signal line 8 is connected to the gates of n-FETs 15 and 16, and this enhancement type n-FE
T15 and depression type n-FET17, Jl
1 inverter is configured. The output of this inverter is sent via terminal 18 as a reset signal to a supplied circuit (not shown).
第5図は第4図のキャパシタ6を半導体チップ」二に形
成する説明図である。半導体チン121上に第4図の回
路および被供給回路を形成して、余ったスペース22〜
25にMOSキャパシタを形成し、これを第4図のキャ
パシタ6とする。ここで、瞬間的な電源電圧変動に対し
電源安定化に寄与しうる最低のキャパシタ容量について
考察する。ここで言う「瞬間−1として、システムの時
間に関する最小単位であろ1クロツク時間(≧l0−7
sec )を考える。近年のnチャンネルMO8FET
では少くとも50 mA (VDD = 5 V )程
度の電流消費があるので、その内部電源線21〕から見
た抵抗は約100Ωである。1クロツクの間外部回路か
らの電圧が供給されないとし、キャパシタ6の電荷が無
抵抗に内部電源線2bに流れるとすると、その間にキャ
パシタ6の端子電圧が元の電圧値の60%以下にならな
いようにするため(被供給回路の動作を支えるため)に
は、キャパシタ6の容量は1nF以上でなければならな
い。FIG. 5 is an explanatory diagram of forming the capacitor 6 of FIG. 4 on a semiconductor chip. The circuit shown in FIG. 4 and the supplied circuit are formed on the semiconductor chip 121, and the remaining space 22~
A MOS capacitor is formed at 25, and this is designated as capacitor 6 in FIG. Here, we will consider the minimum capacitor capacity that can contribute to stabilizing the power supply against instantaneous power supply voltage fluctuations. Here, ``instant-1'' is the minimum unit of time in the system, which is 1 clock time (≧l0-7
sec). Recent n-channel MO8FET
Since the current consumption is at least about 50 mA (VDD = 5 V), the resistance seen from the internal power supply line 21 is about 100Ω. Assuming that no voltage is supplied from the external circuit for one clock and the charge in the capacitor 6 flows to the internal power supply line 2b without resistance, the voltage at the terminals of the capacitor 6 should not fall below 60% of the original voltage value during that period. In order to achieve this (to support the operation of the supplied circuit), the capacitance of the capacitor 6 must be 1 nF or more.
第6図は第4図および第5図に示す実施例の電源オン時
の動作説明図である。i=i、、において電源が投入さ
れると、外部電源線2aからダイオード11を介して電
力が供給され、内sI!源線2bの電位■2は急激に上
昇する。このとき、n −F ET13Fiオフしてい
るため抵抗12を介してキャパシタ6が充電されるので
、信号線8の電位■8は1=11からゆっくりと上昇す
る。ここで、抵抗12の抵抗値をR3とし、キャパシタ
6の容量をCとすると、電位v8は時定数R3Cに従っ
て上昇することになる。FIG. 6 is an explanatory diagram of the operation of the embodiment shown in FIGS. 4 and 5 when the power is turned on. When the power is turned on at i=i, , power is supplied from the external power line 2a through the diode 11, and the internal sI! The potential 2 of the source line 2b rises rapidly. At this time, since the n-FET 13Fi is off, the capacitor 6 is charged via the resistor 12, so the potential 8 of the signal line 8 slowly rises from 1=11. Here, if the resistance value of the resistor 12 is R3 and the capacitance of the capacitor 6 is C, the potential v8 will rise according to the time constant R3C.
1=1 において電位V8がn −FET 15 、1
7で構成されるインバータのしきい値を越えると、端子
18はIILllになってリセットが終了し、図示しな
い被供給回路は動作状態になる。なお、n−FET13
はオフのままである。1=1, the potential V8 is n −FET 15 , 1
When the threshold value of the inverter constituted by 7 is exceeded, the terminal 18 becomes IILll, the reset is completed, and the supplied circuit (not shown) becomes operational. In addition, n-FET13
remains off.
1 = 14 において端子lに接続された図示しない
電源回路に事故等が発生し、電源電圧に瞬間的な電圧低
下が生じたとする。このとぎには、電位■2は急激に低
下するが、n−FET13はオフしており抵抗12は高
抵抗であるため、キャパシタ6の電荷は少ししか放電さ
れない。そのため、電位■8の低下は少く抑えられる。1 = 14, an accident or the like occurs in a power supply circuit (not shown) connected to terminal l, and an instantaneous voltage drop occurs in the power supply voltage. At this point, the potential (2) drops rapidly, but since the n-FET 13 is off and the resistor 12 has a high resistance, the charge in the capacitor 6 is only slightly discharged. Therefore, the drop in potential (18) can be suppressed to a small extent.
1=1. においてV2と■8 の電位差がn−FET
13のしきい値VTI(に達すると、n−FET13
がオンになってキャパシタ6の電荷が内部電源線2bを
介して被供給回路に放出される。(ダイオード11のた
め放電電荷が容量の大きい外部回路に流出することはな
い)。このため電位■2の低下ハ図中の実線の如く抑え
られる(キャパシタ6からの放電がないと図中の破線の
如く大幅に低下する)。1=1. The potential difference between V2 and ■8 is n-FET
When the threshold VTI of 13 is reached, n-FET13
is turned on, and the charge in the capacitor 6 is released to the supplied circuit via the internal power supply line 2b. (Due to the diode 11, the discharged charge does not flow out to an external circuit with a large capacity). Therefore, the drop in the potential (2) is suppressed as shown by the solid line in the figure (if there is no discharge from the capacitor 6, the potential decreases significantly as shown by the broken line in the figure).
1=16において電源電圧の変動(低下)が回復し、電
位■2と■8の差がn−FET13のしきい値VTR’
e下回ると、n−FF、T]3はオフになってキャパシ
タ6の放電は止められる。At 1=16, the fluctuation (decrease) in the power supply voltage recovers, and the difference between potentials ■2 and ■8 becomes the threshold value VTR' of n-FET13.
When the voltage drops below e, the n-FF, T]3 is turned off and the discharge of the capacitor 6 is stopped.
上記の如く第4図の実施例によれは、電源電圧の急激な
低下があっても、内部電源線2bおよび信号線8の電圧
低下を少く抑えることができる。As described above, according to the embodiment shown in FIG. 4, even if there is a sudden drop in the power supply voltage, the voltage drop in the internal power supply line 2b and the signal line 8 can be suppressed to a small level.
また、被供給回路が早くリセットしたときには、その要
請圧よりリセットを終了させることができる。Furthermore, when the supplied circuit is reset early, the reset can be completed based on the requested pressure.
なお、第4図の実施例において、n−FWT 13は内
部電源線2b側をカソードとするダイオードに置換して
もよい。また、SO8基板を用いる場合には基板に対す
る漏れ電流を無く丁ことができるので、第7図に示すよ
うにキャパシタ6を充電するための抵抗を省略して放電
用のn−FETをダイオード31 、32で置換するこ
ともできる。また、抵抗12は拡散抵抗によって構成す
ることもでき、MOS FET により構成することも
できる。In the embodiment shown in FIG. 4, the n-FWT 13 may be replaced with a diode whose cathode is on the internal power supply line 2b side. Furthermore, when using an SO8 substrate, leakage current to the substrate can be eliminated, so the resistor for charging the capacitor 6 is omitted and the n-FET for discharging is replaced by a diode 31, It can also be replaced with 32. Further, the resistor 12 can be formed of a diffused resistor or a MOS FET.
第8図は本発明の他の実施例の回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention.
キャパシタ充電用の抵抗12、キャパシタ放電用のn−
FET13に並列にキャパシタ充電用のn−FET41
を設け、n −FET 15 、16は互いに並列接続
にする。また、図示しない被供給回路から送出される制
御信号は端子42および非反転バッファ43を介してn
−FET 41. 、16のゲートに与えられるよう
にする。なお、n −FET 15 、16 、17は
NOR回路を構成している。ダイオード11は半導体基
板外に設けでもよい。Resistor 12 for capacitor charging, n- for capacitor discharge
n-FET41 for capacitor charging in parallel with FET13
are provided, and the n-FETs 15 and 16 are connected in parallel to each other. Further, a control signal sent from a supplied circuit (not shown) is transmitted via a terminal 42 and a non-inverting buffer 43.
-FET 41. , 16 gates. Note that the n-FETs 15, 16, and 17 constitute a NOR circuit. The diode 11 may be provided outside the semiconductor substrate.
第9図は第8図の実施例電源オン時の動作説明図である
。を二t。において電源が投入されると、ダイオード1
1を介して電力が供給されて内部電源 ′線2bの電位
■2は急激に上昇する。このとき、n−FET 13
、41は共にオフになっているため抵抗12を介してキ
ャパシタ6が充電されるので%信号線8の電位V8は1
=11 からゆっくりと上昇する。ここで、抵抗12の
抵抗値をR3とし、キャパシタ6の容量をCとすると、
電位■8は時定数R3Cに従って上昇することになる。FIG. 9 is an explanatory diagram of the operation of the embodiment shown in FIG. 8 when the power is turned on. Two tons. When the power is turned on at
Power is supplied through the internal power supply line 2b, and the potential 2 of the internal power supply line 2b rises rapidly. At this time, n-FET 13
, 41 are both off, so the capacitor 6 is charged via the resistor 12, so the potential V8 of the % signal line 8 is 1.
It rises slowly from =11. Here, if the resistance value of the resistor 12 is R3 and the capacitance of the capacitor 6 is C, then
The potential (18) will rise according to the time constant R3C.
1=1 において電位V8がn −FET 15 、1
6 。1=1, the potential V8 is n −FET 15 , 1
6.
17で構成されるNOR回路のしきい値を越えると、端
子18は・’L” Kなってリセットが終了し、図示し
ない被供給回路は動作状態になる。このとき被供給回路
はII HI+の制御信号を発し、これが端子42を介
して非反転バッファ43に与えられるようにすると、n
−FET41のゲートが11)(IIになってオンにな
る。このため、キャパシタ6の電荷はn−FET41を
介して放電される。n−FET41のオン時抵抗をR4
とすると、電位■8は時定数1(3R4C/(R3十R
4)に従って上昇するので、素早く電位■2に近づくこ
とになる。従って、NOR回路のしきい値電圧近傍での
電源電圧変動によって回路の動作(特にn−FET 1
5 、16 、17等)が不安定になることが少くなる
(第4図の回路では、時定数R,Cは大きく■8はゆっ
くり上昇するため、V3の微小変動でインバータが反転
しやすい)。When the threshold value of the NOR circuit composed of 17 is exceeded, the terminal 18 goes to ``L''K, the reset is completed, and the supplied circuit (not shown) becomes in the operating state.At this time, the supplied circuit becomes the II HI+ When a control signal is generated and applied to the non-inverting buffer 43 via the terminal 42, n
- The gate of FET 41 becomes 11) (II and turns on. Therefore, the charge of capacitor 6 is discharged through n-FET 41. When the on-state resistance of n-FET 41 is set to R4
Then, the potential ■8 has a time constant of 1 (3R4C/(R30R
4), it quickly approaches potential 2. Therefore, the circuit operation (especially n-FET 1
5, 16, 17, etc.) are less likely to become unstable (in the circuit shown in Figure 4, the time constants R and C are large and ■8 rises slowly, so the inverter is likely to reverse due to a small fluctuation in V3). .
1=14において電源電圧に瞬間的な電圧低下が生じた
とぎには、第4図および第6図で説明した場合と同様V
Cn −FET 13がオンになって内部電源11!!
2bおよび信号線8の電圧低下は抑えられろ。When a momentary voltage drop occurs in the power supply voltage at 1=14, V
Cn-FET 13 turns on and internal power supply 11! !
2b and signal line 8 should be suppressed.
1=17において電源電1圧に瞬間的な電圧上昇が生じ
たとぎは、n−FET 13 、41は共にオフになっ
ているので、電位■2は急上昇するが、電位v8は少し
しか上昇しない。When an instantaneous voltage rise occurs in the power supply voltage 1 at 1=17, both n-FETs 13 and 41 are off, so the potential 2 rises rapidly, but the potential v8 rises only a little. .
1=18において電位■2.v8の差がn−FET41
のしきい値電圧V’THを越えると、n−FET41の
ゲートには非反転バッファ43からII)(11が与え
られているので、オフ状態からオン状態に反転する。Potential ■2 at 1=18. The difference in v8 is n-FET41
When the threshold voltage V'TH is exceeded, the gate of the n-FET 41 is inverted from the off state to the on state because II) (11 is applied from the non-inverting buffer 43).
このため、n−FET41を介して内部電源線2bから
キャパシタ6vC電荷が流れ込み、電位■2の上昇が抑
えられる。Therefore, a charge of 6 VC flows into the capacitor from the internal power supply line 2b via the n-FET 41, and the rise in the potential 2 is suppressed.
1=1.において電圧変動がおさまり、電位v2.■8
)差力n−FET 41ノL キイ値電圧V’THを下
回ると、n−FET41はオン状態からオフ状態に反転
する。1=1. The voltage fluctuation subsides at voltage v2. ■8
) Differential power n-FET 41 no L When the voltage falls below the key value voltage V'TH, the n-FET 41 is inverted from the on state to the off state.
上記の如く第8図の実施例によれば、電源変動が電圧上
昇の方向に生じたときでも、有効に電源安定化を図るこ
とができる、
なお、第8図においで内部電源線2bとアースとの間に
、アース側をn型とするダイオードを8個程度直列接続
するか、あるいはその逆に1個接続するかすると、外部
電源線2aの電圧上昇に対し確実な保護を図ることがで
きる。As described above, according to the embodiment shown in FIG. 8, even when power fluctuation occurs in the direction of voltage increase, it is possible to effectively stabilize the power supply. In addition, in FIG. By connecting about 8 diodes in series with the ground side being n-type, or vice versa, connecting one diode in series between the external power supply line 2a will provide reliable protection against voltage increases on the external power supply line 2a. .
上記の如く本発明によれば、電源電圧に変動が生じたと
きには、キャパシタの′@′1荷を電源電圧により動作
する被供給回路にのみ放出し、外部の回路には流出する
ことがないようにしたので、電源電圧に瞬間的な電圧変
動があった場合でも動作が破綻してしまうことがないよ
うにした電源オン時リセット回路およびリセット方法が
得られる。また、被供給回路のリセット終了後に導通し
て電源線からキャパシタに充電電荷を供給する充電手段
を設けることによって、■n−FETで構成されるNA
NI)回路等のしきい値電圧近傍での電源変動により、
回路の動作が不安定になることを少くすることができ、
■リセット終了を被供給回路の要請で決定することがで
き、■電源電圧変動が電圧上昇の方向に生じたときにも
電源安定化を図ることができる。As described above, according to the present invention, when a fluctuation occurs in the power supply voltage, the load of the capacitor is released only to the supplied circuit operated by the power supply voltage, and does not leak to the external circuit. Therefore, it is possible to obtain a power-on reset circuit and a reset method that prevents the operation from failing even if there is an instantaneous voltage fluctuation in the power supply voltage. In addition, by providing a charging means that becomes conductive after the reset of the supplied circuit and supplies charge from the power supply line to the capacitor, it is possible to
NI) Due to power fluctuations near the threshold voltage of the circuit, etc.
This can reduce instability in circuit operation,
(2) The end of the reset can be determined at the request of the supplied circuit, and (2) the power supply can be stabilized even when the power supply voltage fluctuates in the direction of voltage rise.
第1図は従来装置の一構成例の回路図、第2図は第1図
に示す構成例の電源オン時の動作説明図。
第3図は従来装置の他の構成例の回路図、第4図は本発
明の一実施例の回路図、第5図は第4図に示すキャパシ
タ6を半導体チップ上に形成する説明図、第6図は第4
図および第5図に示す実施例の電源オン時の動作説明図
−第7図は本発明の他の実施例の回路図、第8図は本発
明の更に他の実施例の回路図、第9図は第8図に示す実
施例の電源オン時の動作説明図である。
2・・・電源線、2a・・・外部電源線、2b・・・内
部電源線、4,5.7・・・PチャンネルMO8FET
。
6・・・キャパシタ、9,10・・・インバータ、4′
。
5’ 、 7’ 、13,15,16,17.41・・
・11チャンネルMO8FET0
出願人代理人 猪 股 清FIG. 1 is a circuit diagram of one configuration example of a conventional device, and FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of the configuration example shown in FIG. 1 when the power is turned on. 3 is a circuit diagram of another configuration example of the conventional device, FIG. 4 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is an explanatory diagram of forming the capacitor 6 shown in FIG. 4 on a semiconductor chip. Figure 6 is the 4th
7 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention, FIG. 8 is a circuit diagram of still another embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 9 is an explanatory diagram of the operation of the embodiment shown in FIG. 8 when the power is turned on. 2...Power line, 2a...External power line, 2b...Internal power line, 4,5.7...P channel MO8FET
. 6... Capacitor, 9, 10... Inverter, 4'
. 5', 7', 13, 15, 16, 17.41...
・11 channel MO8FET0 Applicant's agent Kiyoshi Inomata
Claims (1)
給回路に電源が投入されるとこの電源線17)電圧によ
り充電されるキャパシタと、このキャパシタの充電電圧
が所定値に達するまで前記被供給回路にリセット信号を
送出するリセット信号送出手段と、前記被供給回路のリ
セット終了後に前記電源線の電圧変動が生じたとぎは前
記キャパシタの電荷を前記被供給回路に放電する放電手
段と、前記キャパシタの放電電荷が前記電源線に流出す
るのを阻止する阻止手段とを備える電源オン時リセット
回路。 2、電源線を介して供給される電力により動作する被供
給回路の電源オン時リセット回路において、 前記被供給回路の電荷容量に比較して十分な容量を有す
るキャパシタと、電源オン時に前記電源線から前記キャ
パシタに供給される充電用電荷の流れを制限する抵抗回
路と、このキャパシタの充電電圧が所定値に達するまで
前記被供給回路にリセット信号を送出するリセット信号
送出手段と、前記抵抗回路に並列接続され前記被供給回
路のリセット終了後に前記電源線の電圧変動が生じたと
ぎは前記キャパシタの電荷を前記被供給回路に放電する
放電手段と、前記キャハシタの放電電荷が前記電源線に
流出するのを阻止jる阻止手段とを備える電源オン時リ
セット回路。 3、前記リセット信号送出手段は前記キャパシタの端子
電圧を入力するインバータを有する%許請求の範囲第2
項記載の電源オン時リセット回路。 4、前記放電手段は前記キャパシタの端子電圧をゲート
に入力するFETを有する特許請求の範囲第2項もしく
は第3項記載の電源オン時リセ(2) ット回路。 5.前記阻止手段は前記被供給回路、抵抗回路および放
電手段の共通接続点と前記電源線との間に挿入されたダ
イオードである特許請求の範囲第2項乃至第4項のいず
れかに記載の電源オン時リセット回路。 6、電源線を介して供給される電力により動作する被供
給回路の電源オン時リセット回路において、 前記被供給回路の電荷容量に比して十分な容量を有する
キャパシタと、電源オン時に前記電源線から前記キャパ
シタに供給さ扛る光電用電荷の流れを制限する抵抗回路
と、このキャパシタの充電電圧が所定値に達するまで前
記被供給回路にリセット信号を送出するリセット信号送
出手段と、前記抵抗回路に並列接続され前記被供給回路
のリセット終了後に導通して前記電源線から前記キャパ
シタに光電電荷を供給する充電手段と、前記抵抗回路に
並列接続され、前記被供給回路のリセット終了後に前記
電源線の電圧変動が生じたときは前記キャパシタの電荷
を前記被供給回路に放電する放電手段と、前記キャパシ
タの放電電荷が前記電源線に流出するのを阻止する阻止
手段とを備える電源オン時リセット回路。 7、前記リセット信号送出手段は前記キャパシタの端子
電圧を入力するインバータを有する特許請求の範囲箱6
項記載の電源オン時リセット回路。 8、前記放電手段は前記キャパシタの端子電圧をゲート
に入力するFETを有する特許請求の範囲第6項もしく
は第7項記載の電源オン時リセット回路。 9、前記阻止手段は前記被供給回路、抵抗回路および放
電手段の共通接続点と前記電源線との間に挿入されたダ
イオードである特許請求の範囲第6項乃至第8項のいず
れかに記載の電源オン時リセット回路。 10、前記光電手段はリセット終了時に前記被供給回路
から送出されるリセット終了信号をゲートに入力するF
ETを有する特許請求の範囲第6項乃至第9項のいずれ
かに記載の電源オン時リセット回路。 11、電源線を介して供給される電力により動作する被
供給回路の電源オン時リセット方法において、 電源オンの後には抵抗回路を介して前記電源線の電圧に
よりキャパシタを充電し、前記被供給回路のリセット終
了後に前記電源線に電圧変動が生じたときは前記キャパ
シタの電荷を前記被供給回路に放電すると共にこのキャ
パシタの電荷が前記電源線に流出することを阻止する電
源オン時リセット方法。 12、電源線を介して供給される電力により動作する被
供給回路の電源オン時リセット方法において、 電源オンの後には抵抗回路を介して前記電源線の電圧に
よりキャパシタを光電し、前記被供給回路のリセット終
了後には前記抵抗回路に並列接続された充電手段を導通
させて前記電源線の電圧により前記キャパシタを充電し
、前記被供給回路のリセット終了後に前記電源線に電圧
変動が生じたときは前記キャパシタの電荷を前記被供給
回路に放電すると共にこのキャパシタの電荷が前記電源
線に流出することを阻止する電源オン時リセット方法。[Scope of Claims] 1. When power is supplied to a circuit to be supplied which is operated by power supplied via a power supply line, a capacitor is charged by the voltage of the power supply line 17), and the charging voltage of this capacitor is set to a predetermined voltage. a reset signal sending means for sending a reset signal to the supplied circuit until a reset signal reaches the supplied circuit; and when a voltage fluctuation of the power supply line occurs after the reset of the supplied circuit is completed, the charge of the capacitor is discharged to the supplied circuit. A power-on reset circuit comprising a discharging means for discharging the capacitor, and a blocking means for preventing the discharged charge of the capacitor from flowing out to the power supply line. 2. In a power-on reset circuit for a supplied circuit that operates with power supplied via a power supply line, a capacitor having a sufficient capacity compared to the charge capacity of the supplied circuit; a resistance circuit for restricting the flow of charging charge supplied from the capacitor to the capacitor; a reset signal sending means for sending a reset signal to the supplied circuit until the charging voltage of the capacitor reaches a predetermined value; Discharging means for discharging the charge of the capacitor to the supplied circuit when a voltage fluctuation occurs in the power supply line after the reset of the supplied circuit connected in parallel, and the discharged charge of the capacitor flowing out to the power supply line. and a power-on reset circuit. 3. The reset signal sending means includes an inverter that inputs the terminal voltage of the capacitor.
The power-on reset circuit described in section. 4. The power-on reset circuit according to claim 2 or 3, wherein the discharge means includes an FET that inputs the terminal voltage of the capacitor to its gate. 5. The power supply according to any one of claims 2 to 4, wherein the blocking means is a diode inserted between the power supply line and a common connection point of the supplied circuit, the resistance circuit, and the discharge means. On-state reset circuit. 6. In a power-on reset circuit for a supplied circuit that operates with power supplied via a power supply line, a capacitor having a sufficient capacity compared to the charge capacity of the supplied circuit; a resistor circuit for restricting the flow of photoelectric charge supplied from the capacitor to the capacitor; a reset signal sending means for sending a reset signal to the supplied circuit until the charging voltage of the capacitor reaches a predetermined value; and the resistor circuit. a charging means that is connected in parallel to the resistor circuit and becomes conductive after the reset of the supplied circuit is completed to supply photoelectric charge from the power supply line to the capacitor; a power-on reset circuit comprising a discharging means for discharging the charge of the capacitor to the supplied circuit when a voltage fluctuation occurs; and a blocking means for preventing the discharged charge of the capacitor from flowing out to the power supply line. . 7. Claim box 6, wherein the reset signal sending means includes an inverter that inputs the terminal voltage of the capacitor.
The power-on reset circuit described in section. 8. The power-on reset circuit according to claim 6 or 7, wherein the discharging means includes an FET that inputs the terminal voltage of the capacitor to its gate. 9. According to any one of claims 6 to 8, the blocking means is a diode inserted between the power supply line and a common connection point of the supplied circuit, the resistance circuit, and the discharge means. Power-on reset circuit. 10. The photoelectric means inputs into a gate a reset end signal sent from the supplied circuit at the end of reset.
A power-on reset circuit according to any one of claims 6 to 9, comprising an ET. 11. In a power-on reset method for a supplied circuit operated by power supplied via a power supply line, after the power is turned on, a capacitor is charged by the voltage of the power supply line via a resistor circuit, and the supplied circuit A power-on reset method for discharging the charge of the capacitor to the supplied circuit when a voltage fluctuation occurs in the power supply line after the completion of the reset, and preventing the charge of the capacitor from flowing out to the power supply line. 12. In a power-on reset method for a supplied circuit operated by power supplied via a power supply line, after the power is turned on, a capacitor is photoelectrically charged by the voltage of the power supply line via a resistor circuit, and the supplied circuit After the reset is completed, a charging means connected in parallel to the resistor circuit is made conductive to charge the capacitor with the voltage of the power supply line, and when a voltage fluctuation occurs in the power supply line after the reset of the supplied circuit is completed, A power-on reset method that discharges the charge in the capacitor to the supplied circuit and prevents the charge in the capacitor from flowing out to the power supply line.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6278484A JPS60206319A (en) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | Circuit and method for reset at power-on time |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6278484A JPS60206319A (en) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | Circuit and method for reset at power-on time |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60206319A true JPS60206319A (en) | 1985-10-17 |
Family
ID=13210321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6278484A Pending JPS60206319A (en) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | Circuit and method for reset at power-on time |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60206319A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0351157A2 (en) * | 1988-07-12 | 1990-01-17 | Sony Corporation | Semiconductor integrated circuits |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP6278484A patent/JPS60206319A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0351157A2 (en) * | 1988-07-12 | 1990-01-17 | Sony Corporation | Semiconductor integrated circuits |
US5381551A (en) * | 1988-07-12 | 1995-01-10 | Sony Corporation | Semiconductor integrated circuit including an arbitrate circuit for giving priority to a plurality of request signals |
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