JPS6020435B2 - ガソリンの製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はフアウジャサイト含有触媒の存在下で炭化水素
を転化することによってガソリンを製造する方法に関す
るものである。

本発明は軽油原料及び軽油の転化操作によって得られる
もののような通常ガス状の炭化水素生成物、すなわちＣ
３及びＣ４に富んだ炭化水素ガス状物質を改質（ｕｐ母
ａ礎）するために“Ｙ”フアウジャサィト結晶性アルミ
ノシリケート転化触媒の活性及び選択性を充分に活用す
る方法に関するものである。

Ｃ３−Ｃ４物質は他の精製原料から得られるものでも良
い。軽油沸点範囲の炭化水素原料は残油またはその水素
化生成物でも良い。本発明の流動化したフアウジャサィ
ト含有クラッキング触媒を使用してクラツキング条件下
で軽油をラィザ一転化することによってガソリンを製造
する方法は、前記触媒を軽油クラッキング条件とは違っ
た膝件下で同時に使用して別個に独自に導入されるＣ３
炭化水素又はＣ４ 炭化水素又はそれら両者（以下、
及び／又と記載する）炭化水素を有する原料をラィザー
転化し、両方の前記ラィザー転化生成物を単一の流れと
して取出すことを特徴とする。

別個に独自に導入される原料は主としてイソプチレンを
含有し、前記触媒は希土類交換したゼオライトＹから成
る。好ましい実施態様として、軽油の転化並びにＣ３及
び／又はＣ４炭化水素原の転化の両方の転化は単一のラ
ィザ−内で行われ、そこでＣ３及び／又はＣ４炭化水素
原料はラィザーの底部において新しく再生された触媒と
接触し、軽油はラィザーの下流側に供Ｖ給される。

この実施態様において軽油は触媒と触媒／油比を４〜１
０にして５１０〜５９３ｑｏ（９５０〜１１０００Ｆ）
の温度で接触し、Ｃ３及び／又はＣ４炭化水素原料６７
７０（１２５００Ｆ）の温度で滞留時間を０．１〜２秒
にして触媒と接触する。別の実施態様としては転化を別
々のラィザー中において行い、ラィザーからその触媒を
適宜分離器によって共通の触媒沈降区域に回収する。

両方のラィザーに、新しく再生された触媒を供Ｖ給して
も良く、あるいは一方の軽油を転化するラィザーは新し
く再生した触媒を供給し、他方のＣ３及び／又はＣ４炭
化水素を転化するラィザーには前記触媒沈降区域から引
出した触媒を供給しても良い。軽油は好ましくは少くと
も５１０午○（９５びＦ）の温度で残留時間を２〜１０
秒にして転化され、Ｃ３及び／又はＣ４原料の転化は好
ましくは３７１〜５９３℃（７００〜１１０００Ｆ）の
温度で触媒／原料比を５〜１０にして滞留時間を１〜１
の職こして行われる。この実施態様の変化としてＣ３及
び／又はＣ４原料を転化するライザーはその全体を、下
部が前記沈降区域になっている容器に入れ、前記沈降区
域から取出される触媒をそのライザーに利用する。本発
明の好ましい実施態様によれば、Ｃ３〜Ｃ４に富んだ炭
化水素混合物またはィソブチレンに富んだ流れは、ラィ
ザーの最初の部分において軽油沸点範囲の原料と接触す
る前に、あるいは軽油原料と最初に接触した後に“Ｙ”
フアウジャサィト転化触媒と接触される。軽油の転化は
触媒／炭化水素原料比を４〜約１０にし、炭化水素原料
の温度をサスベンジョンを形成するのに充分な約５１０
〜約５９ぞ○（約９５０〜約１１０ぴＦ）にして行われ
る。一方、Ｃ３〜Ｃ４に富んだ炭化水素原料の転化は軽
油クラッキングの温度より高いかあるいは軽油の転化温
度より低い温度で行われる。従ってラィザーに餅総合さ
れて再生区域の最も高い温度で再生触媒と接するＣ３〜
Ｃ４炭化水素に富んだ原料はそのサスベンジョンがラィ
ザー中の軽油と接触する前に約６７７０（約１２５０Ｔ
）の温度で転化される。従って軽油と接触させる前の高
温条件におけるＣ３〜Ｃ４炭化水素に富んだ原料の滞留
時間は１〜２秒または数分の１秒たとえば１′１塊紗で
も良いが、低温条件における接触時間は軽油の転化操作
で使用される時間と同じまたはそれ以上で良い。いずれ
にせよ転化区域はサスベンジョンを分離する前に炭化水
素の滞留時間が１〜約ｌａ砂であるような条件に保たれ
る。これは原料のいずれか一方を下流部分に間隔を直し
、て設けられたラィザー転化区域に導入することによっ
てなされる。この組合わせの転化が操作中“Ｙ”フアウ
ジャサイト触媒は水素移動活性及び濠化選択性を付与し
、導入されたまたは生成したＣ３〜Ｑ．炭化水素を芳香
族、アルキル芳香族及び若干の低沸点ガス状物質に転化
する。Ｃ３〜Ｃ４に富んだ炭化水素原料またはィソブチ
レンに富んだ原料は別々に炉または他の適当な手段でラ
ィザー転化区域に導入するのに適当な温度にまで加熱す
る。

新しく再生された触媒に最初に接するＣ３〜Ｃ４に富ん
だ炭化水素原料の高温における滞留時間は軽油をラィザ
ー転化区域の最初の部分、中間の部分または下流の部分
のいずれに導入するかによってかなり違う。転化区域か
ら分離した触媒粒子にはストリッピングガス区域におい
て同流として流れる上述のような蒸気などのストリッピ
ングガスの上昇流によってストリツピングされる。

ストリツピングされた触媒はしかる後触媒再生区域（図
示していない）に移されて、その触媒を６２１〜８１６
午○（１１５００Ｆ〜１５０００Ｆ）または８７１℃（
１６０びＦ）の範囲の温度に加熱して燃焼させることに
よって折出した炭素物質が除去される。本発明のさらに
好ましい実施態様において、第２の別個のライザ−反応
器が備えられ、これは１個以上のサイクロン分離器のよ
うな触媒分離区域に連絡されており、そこで触媒粒子は
炭化水素蒸気から分離され、しかる後軽油ラィザー転化
操作から分離された触媒をストリツピングするのに使用
するものと同じまたは違ったストリッピング区域におい
てストリツピングされる。

この実施態様によればそれぞれのラィザー転化区域から
分離されストリツピングされた触媒は共通の再生区域に
送られ、軽油ラィザー転化区域から分離された触媒の一
部または全部は第２の別個のラィザー反応器に送られ、
そこでＣ８〜Ｃ４炭化水素に富んだガス流と接触する。
この装置において少くとも４８２℃（９０びＦ）の高温
における軽油転化工程から分離された触媒は第２の別個
のラィザー転化区域を通して上向きに流れ、通常ガス状
のＣ４以下の沸点の原料中に懸濁するら この発明にお
いてＣ３〜Ｃ４に富んだ炭化水素混合物またはィソブチ
レンに富んだ原料は、新しく再生された“Ｙ”フアウジ
ヤサイト転化触媒または軽油転化区域から分離される触
媒と、触媒／炭化水素原料比が５〜４０で炭化水素原料
の温度がサスベンジョンを形成するのに充分に高い約４
８２℃〜５９３℃（約９０００Ｆ〜約１１０びＦ）の範
囲となるような条件で一緒にされる。通常ガス状の炭化
水素一触煤サスベンジョンは、サスベンジョンを分離す
る前の炭化水素の滞留時間が１〜約１協働こなるような
条件下で第２のライザー転化区域を上向きに流れる。こ
の操作中水素移動活性及び環化選択性を有する“Ｙ”フ
アウジャサィト触媒はＣ３〜Ｃ４炭化水素を芳香族、ア
ルキル芳香族及び低沸点ガス状物質に転化する。この転
化区域から分離された触媒粒子は水蒸気などのストリッ
ピングガスの上昇流に対して向流の流れとして１個以上
のストリッピング区域を下向きに流れる。

ストリツピングされた触媒はしかる後触媒再生区域（図
示していない）に送られ、そこでの触媒を高温に加熱す
ることによって析出している炭素物質を除去する。本発
明のさらに好ましい実施態様としては、大きな容器の上
部の中に制約された比較的短かし、ラィザー反応器が設
けられ、そのライザーの出口には１個以上のサイクロン
分離器などの触媒分離装置が連絡されており、その制約
されたラィザ−は触媒の回収床内から容器の上部に上向
きに延びている。

この装置形態において高温の軽油転化区域から分離され
た触媒は通常のガス状Ｃ３〜Ｃ４炭化水素原料中にサス
ベワドされた制約されたライザー転化区域を遜って上向
きに流すのに利用できる。この発明においてはＣ３〜Ｃ
４に富んだ炭化水素混合物は高温のクラッキング温度に
おいて軽油転化区域から分離されるフアウジヤサイト転
化触媒と一緒にされて３７１００〜約８１がｏ（７００
〜約１０５０Ｔ）の範囲の高温のサスベンジョン温度に
て触媒／炭化水素原料比が５〜４０のサスベンジョンが
形成されるＣ３〜Ｃチに富んだ炭化水素原料の流れは制
約されたラィザ一転化区域に入る前に炉で２磯℃〜約４
８が○（約５５びＦ〜約９０びＦ）の範囲の高温に加熱
される。一方制約されたライザー転化区域内における触
媒／炭化水素原料比を変えるためにはＣ３〜Ｃ４炭化水
素の流れに沿って水蒸気を使用しても良い。また流れは
制約された転化区域を上向きに通してサスベンジョンを
上昇させるように使用しても良い。ここで形成されるサ
スベンジョンはサイクロン装置によってサスベンジョン
を放出及び分離させる前に炭化水素の滞留時間が１〜約
１の砂の範囲内になるような条件下で制約された短かし
・ラィザー転化区域を上向きに流れる。この操作中水素
移行活性及び環化選択性を付与するフアウジャサィト触
媒はＣ３〜Ｃ４炭化水素を芳香族、アルキル芳香族及び
低沸点ガス状物質に転化する。この転化区域から分離さ
れた触媒粒子は水蒸気などのストリッピングガスが上向
きに向流として流れるストリッピング区域を下向きに流
れる。

ストリッピングされた触媒はしかる後触媒再生区域（図
示していない）に送られ、高温で触媒を加熱することに
よって析出された炭素質物質を除去する。それぞれのラ
ィザ一転化区域から分離された触媒をストリツピングす
るためにそれぞれ独立した別個のストリツピング区域を
設け、それぞれのストリツピング操作に熱を加えても良
い。

たとえば一方または両方のストリッピング操作に高温の
再生された触媒を供給してストＩＪッピング区域の温度
を上昇させても良い。一方、単一のストリッピング区域
を使用する場合にも高温の再生された触媒の流れをスト
リッピング操作に導入することは効率を高くするために
望ましい。Ｃ３〜Ｃ４炭化水素転化工程の比較的冷えた
触媒を軽油を分離した触媒ストリツピング工程の下部に
送り、多数のストリツピングガスの入口をストリツピン
グ区域に設けても良い。第１図を参照すると触媒の流れ
を調節するバルブ６を備えた導管４によって高温の再生
された触媒が供ｖ給されるラィザー転化区域２が示され
ている。

水蒸気は１個以上の導管８及び／又は１０によってラィ
ザ−２の下部に導入され、軽油はラィザー２の下部に上
向きに突き出ている導管１２によって導入される。Ｃ３
〜Ｃ４に富んだ炭化水素留分は独立して別個にまたは導
管８によって導入される水蒸気とともにラィザー２の下
部に導入され、高温の再生された触媒と混合される。場
合によって水蒸気が存在するガス状炭化水素物資の上向
きの流れ中の触媒のサスベンジョンは最初に形成される
混合温度が少くとも５９３℃（１１００ｒ）であり、炭
化水素滞留時間が約１／１０秒から約１または２秒にな
るような速度条件で軽油導入管１２の周囲のラィザー２
の環状部分を上向きに流れる。

ラィザー２の前記環状部分で上向きに流れる技初に形成
されたサスベンジョンはしかる後ライザー２の下部で上
向きに突き出ている導管１２によって導入される軽油な
どの予備加熱された炭化水素原料と一緒にされる。少く
とも５粉℃（１００ぴＦ）の高温クラツキング温度でこ
のように形成されるサスベソジョンは炭化水素転化条件
下でラィザーの残りの部分を上向きに流れる。一方、軽
油原料はラィザーに沿って一定の間隔を置いて導管１４
及び１６によって導入される。さらに別の実施態様とし
ては技初に高温の再生された触媒は水蒸気または他の不
活性ガスとともに、導管１２によって導入される軽油原
料と接触させる前にラィザーを上向きに上昇させても良
い。追加の軽油原料はこのように形成されるサスベンジ
ョンに下向きに加えても良い。しかる後Ｃ３及びＣ４に
富んだガス状炭化水素は上向きに流れるサスベンジョン
に導管１６または下向きの導管（図示していない）によ
って導入され、低温での改費（ｕｐｇ的ｄｅ）操作にお
ける最低の滞留時間を約１秒とする。第１図の配置図に
おいて、ラィザー２におけるサスベンジョンは容器２２
の上部にあるサイクロン分離区域１８及び２０１こ送ら
れ、そこで炭化水素蒸気から触媒を分離する。触媒と分
離した炭化水素蒸気はしかる後ブレナム室（充気室）２
４に送られ導管２６によって容器から取出される。サイ
クロン分離区域１８及び２０において炭化水素と分離し
た触媒はディツプレッグ２８及び３０（流動触媒床に浸
潰した足）によって容器２２の下部にある触媒３２の流
動床に送られる。触媒３２の流動床は下方に突き出てい
るストリッピング区域３４と連結しており、この流動触
媒床は導管３６によって導入されるストリッピングガス
例えば水蒸気の上昇流に対して向流として一般に下向き
に移動する。ストリッピング区域は４８〆０〜６２１℃
（９００Ｔ〜１１５００Ｆ）の範囲の温度に保たれ、こ
の高い温度は高温の再生された触媒を適当な手段（図示
していない）でストリッピング区域における触媒に加え
ることによって保っても良い。ストリツピングされた触
媒はストリッピング区域の底から導管３８によって敬出
され、触媒再生区域（図示していない）に送られる。触
媒／炭化水素比を２０以上で約８０にもしようとするな
らば、このストリツピングされた触媒を適当な導管（図
示していない）によってラィザー入口に再循環されても
良い。ラィザー（ラィザー転化区域）２から分離した触
媒３２の流動床は高温、たとえば約４８ぞ○〜約６２ｒ
ｏ（約９００〜約１１００Ｔ）の範囲に保たれる。

前述の様に、Ｃ３〜Ｃ４炭化水素混合物などのガス状炭
化水素原料は、軽油が導管１４及び／又は１６によって
ラィザーの下部に導入される前に、導管１２及び／又は
８によって導入してラィザー２の底部で高温のサスベン
ジョンを形成させても良い。またラィザ−における触媒
／炭化水素比を調節する手段として、最初に不活性ガス
を使用して、Ｃ４以上の炭化水素及び軽油が分散される
ラィザーの底部においてサスベンジョンを形成させても
良い。こうして形成されたサスベンジョンは温度及び触
媒／炭化水素比がかなり変わり、触媒／炭化水素比は一
般に１０〜約４０となる。前述の第１図の方法及び装置
形態は本発明の概念を逸脱しないでかなり変更すること
ができる。前述の実施態様の他にラィザー２は容器２２
及びストリツピング区域３４の実質的に中央を上向きに
流れる代わりに容器の外に設けても良い。この装置形態
において、Ｃ４以下の低沸点炭化水素及び軽油を改質す
るライザ−は軽油ラィザー転化区域の下側部分に追加の
新しく再生された触媒を補給しても良い。前述の実施態
様において、Ｃ４以下の低沸点のガス状炭化水素原料成
分はファゥジャサィト型の活性な転化触媒と３７ｒｏ〜
約５９３午０（７０００Ｆ〜約１１０びＦ）の範囲の温
度で接触し、軽油原料は好ましくは３７１午○〜５９３
午○（９０００Ｆ〜１１０００Ｆ）の温度でフアウジャ
サィト触媒と接触する。さらに別の実施態様としては、
最初に軽油が、分散用水蒸気が導入される導管１２の周
囲のラィザーの底部の環状部分において高温の触媒／油
サスベンジョンを形成し、追加の軽油は導管１４によっ
てサスベンジョンに加えられ、Ｃ４に富んだ流れがしか
る後導管１６によって上向きに流れるサスベソジョンに
加えられるようなライザー系を使用しても良い。換言す
ればＣ３〜Ｃ４に富んだ流れなどの低沸点ガス状炭化水
素はラィザー転化区域の下部または上部で軽油／触媒サ
スベンジョンと接触する。第２図を参照すると、触媒の
流れを調節するバルブ６を備えた導管４によって高温の
再生された触媒が供給されたラィザ−（ラィザー転化区
域）２が示されている。

水蒸気は１個以上の導管１０によってラィザーの底部に
おけるラィザー２の底部を上向きに突き出ている軽油導
管１２の周囲に導入される。上向きに流れる軽油及び水
蒸気中の高温の新しく再生された触媒のサスベンジョン
は少くとも５１０℃（９５００Ｆ）の混合温度を有し、
炭化水素の滞留時間が２〜約１の物こなるような速度条
件でラィザー２を上向きに流れる。ラィザー２中を上向
きに流れるサスベンジョンはライザーの末端から１個以
上のサイクロン分離器を有する分離区域に送られる。一
方ラィザー２から第３図に示されているような１個以上
のサイクロン分離区域に直接にサスベンジョンを送って
炭化水素蒸気から流動触媒粒子を分離しても良い。第２
図の袋直形態においてラィザー２のサスベンジョンはラ
ィザーの出口における細長い４・さな穴を通じて流速が
減速した沈降区域すなわち容器２２に放出され、そこで
サスベンジョンの速度を実質的に減速させて触媒が炭化
水素蒸気から分離される。炭化水素の蒸気はしかる後サ
イクロン分離区域１８を通り、炭化水素蒸気がプレナム
室２４に送られる前に炭化水素蒸気中に残存する微粒子
が除去され、炭化水素はしかる後導管２６によって容器
から取出される。沈降操作及びサイクロン分離区域１８
によって炭化水素蒸気から分離された触媒は容器２２の
下部に保たれた触媒（流動触媒床）３２に送られる。触
媒３２はストリツピング区域３４と連結しており、流動
触媒床は導管３６によって導入されるストリッピングガ
スの上昇流に対して向流として下向きに流れる。ストリ
ッピングされた触媒は導管３８によってストリッピング
区域の底部から取出され、触媒再生区域（図示していな
い）に送られる。ラィザー転化区域２から分離された触
媒３２の流動床は約４２７０〜約艮斑℃（約８００〜約
１００００Ｆ）の範囲の温度に保たれる。本発明によれ
ば第２の独立した別個のラィザー転化区域２′はラィザ
ー２と平行に設けられ、ラィザー２と同様に容器２２の
上部においてサスベンジョンを放出する。ラィザ−２及
び２′の少くとも上端は好ましくは容器２２内に位置し
、触媒及び炭化水素蒸気のサスベンジョンは容器内にお
いてサイクロン分離器の入口附近で放出される。Ｃ３Ｃ
４炭化水素混合物またはＣ４に富んだ蟹分などのガス状
炭化水素原料はラィザ−２′の底部の導入管１６によっ
て導入され、導入管４′によって導入される高温の再生
された触媒と混合され３７ｒｏ〜約５９３ｑｏ（７００
〜約１１０００Ｆ）の温度の混合物またはサスベンジョ
ンを形成する。こうして形成された触媒／油比が５〜４
０のサスベンジョンは炭化水素の滞留時間が１〜約１町
砂となるような条件下でライザー２′を通じて上向きに
送られる。ラィザー２′を上向きに流れるサスベンジョ
ンは第２図に示されているようにラィザーの上端の細長
い穴を函じて容器２２の沈降区域に放出される。放出さ
れたサスベンジョンはサスベンジョンの速度が減速する
ことにより触媒が沈降することによって、またサイクロ
ン分離区域１８によって分離される。分離された触媒は
流動触媒床３２に房される。ライザー２′の放出口に１
個以上のサイクロン分離区域を取付け、そうすることに
よってラィザーを上向きに流れるサスベンジョンを、広
がった沈降区域に放出ししかる後サイクロン分離区域に
送るのではなく、直接にサイクロン分離区域に送り込ん
でも良い。前述の第２図に記載した方法及び装置は本発
明の概念を逸脱することなくかなり変更できる。

第３図はこのような変更の一美子態様である。第３図に
おいて、軽油転化ラィザー４０‘こはその底部において
導管４２によって軽油が、導管４４によって水蒸気が、
そして導管４６によって高温の新しく再生された触媒が
供給され、少くとも約１００００Ｆの高温のクラッキン
グ温度でサスベンジョンを形成する。こうして形成され
たサスベンジョンは炭化水素の滞留時間が２〜１■砂以
上となるような範囲の条件でラィザーを通り、ラィザー
からサイクロン分離器４８に直接に送り込まれる。サイ
クロン分離区域４８において炭化水素蒸気から分離され
た触媒粒子はディップレッグ５０１こよってストリッピ
ング区域の流動触媒床５２に送られる。サイクロン分離
区域４８において触媒から分離した炭化水素蒸気は容器
５６の上部にある回収区域５４すなわちプレナム室に送
られ、そこから導管５８によって取り出される。触媒床
５２は容器５６のストリッピング区域の上部に位置し、
第２の流動触媒床６川こ隣接しているが、実質的に垂直
のじやま板６２によって分離されている。じやま板６２
は上部に触媒床５２から触媒床６川こ触媒を移動させる
ための複数個の細長い穴６４を有する。触媒床５２にお
ける触媒は約４８がｏ〜５３８００（約９０００Ｆ〜１
００００Ｆ）の温度に保たれるが、高温の再生された触
媒を触媒床に直接に加えることによつてさらに高温にし
ても良い。触媒床５２は導管６６によって導入される上
向きに流れるストリツピングガスに対して向流として下
向きに流れる。ストリツピングされた触媒は８５００Ｆ
〜約１００びＦの範囲の温度に保たれ、導管６８によっ
て取り出されて第２のラィザー転化区域７０の底部に送
られる。水蒸気は導管７２によってラィザー７０の底部
に導入され、適状ガス状のＣ４以下の炭化水素は導管７
４によって導入される。ガス状の炭化水素及び水蒸気で
触媒のサスベンジョンは形成され、しかる後サスベンジ
ョンは４２７０〜約５６がｏ（８００〜約１０５００Ｆ
）の範囲の温度で炭化水素の滞留時間が５〜１９砂とな
るような速度条件でライザー転化区域７０を上向き‘こ
流れる。この装置系においてはライザー７０を通るサス
ベンジョンはサイクロン分離区域７６に直接に送られ、
そこで炭化水素蒸気は触媒粒子から分離される。炭化水
素蒸気及び水蒸気は上部からプレナム室５４に送られ、
そこで軽減クラツキングの炭化水素生成物と混合される
。サイクロン分離区域７６で分離された触媒はデイツプ
レツグ７８によって流動触媒床６０に送られる。触媒床
６０の温度は通常触媒床５２の温度より低いが、これは
じやま板６２中の細長い穴６４を通じて触媒粒子が触媒
床５２から触媒床６川こ移動するので若干緩和される。
また高温の新しく再生された触媒を触媒床６０‘こ加え
ることによって少くとも４５４ｑｏ（８５００Ｆ）の好
ましくは少くとも５１０つ○（９５００Ｆ）の所望する
高温に温度を調節しても良い。触媒床６０は導管８０‘
こよって導入される上向きに流れるストリッピングガス
に対して向流としてストリツピング区域を一般に下向き
に移動する。ストリッピングされた触媒は触媒床６０の
底部から取り出されてしかる後導管８２によって再生区
域（図示しててし、ない）に送られる。ストリッピング
生成物及びストリッピングガスは触媒床５２及び６０の
上部表面から分離されてサイクロン分離区域８４に通さ
れる。

サイクロン分離区域８４でストリツピングガス中に混入
している触媒微粒子は分離され、ストリッピングガスを
含有するガス状物質はプレナム室５４に送られる。分離
された触媒微粒子はデイツプレツグ８６によって触媒床
６０１こ窮される。サイクロン分離区域４８，７６及び
８４はそれぞれ複数個の連結した分離器から成っており
、ガス状炭化水素及びストリッピングガスから触媒粒子
を回収するに際してサイクロン分離操作が１工程以上組
込まれているように連続して配置されていることが好ま
しい。

さらに別の実施態様として、第２図または第３図のいず
れかの菱直系において、流動化ガスとして導管１０及び
４４によって軽油ラィザー転化区域の低部に導入される
水蒸気の代わりにィソブチレンまたはＣ４以下の炭化水
素の混合物などの低沸点ガス状炭化水素を使用して運用
を変更しても良い。

一方、主としてＣ３〜Ｃ４炭化水素の流れが供給される
ラィザー転化区域２′及び７０では、水蒸気は触媒／炭
化水素比を変更したり、調節することができるので水蒸
気が望ましい流動化媒体である。第４図を参照すると触
媒の流れを調節するバルブ６を備えた導管４によって高
温の再生触媒が供給されたラィザー転化区域２が示され
ている。

水蒸気はライザ−２の低部において１個以上の外部の水
蒸気導管１０から炭化水素２の低部を上向きに突き出て
いる軽油導管１２の周囲に導入される。分散流中の触媒
のサスベンジョンがこのようにしてまず形成され、この
サスベンジョンに上向きに流れる軽油が導入されて少く
とも５１０ｏｏ（９５００Ｆ）の温度の触媒−油サスベ
ンジョンまたは混合物が得られる。水蒸気も油原料と一
緒にされる。このサスベンジョンは炭化水素の滞留時間
が好ましくは２〜約１Ｍ砂となるような速度条件でライ
ザー２を上向きに流れる。ラィザー２における上向きの
サスベンジョンはラィザーの末端から細長い穴を通して
広がった触媒沈降区域に放出されて蒸気速度が減少する
。一方サスベンジョンをラィザー２から１個以上のサイ
クロン分離区域に直接に、または隣接するベルマウス孔
に直ちに放出して炭化水素ガスと触媒粒子とを分離して
も良い。第４図の装置系においてラィザ−２中のサスベ
ンジョンは広がった区域すなわち容器２２に放出され、
そこでサスベンジョンの流速が落ちることによって触媒
と炭化水素ガスとが分離する。炭化水素ガスはしかる後
サイクロン分離区域１８に送られそこでガス中に残存し
ている触媒微粒子が除去され、炭化水素ガスはプレナム
室２４に送られ、導管２６によって容器から取り出され
る。沈降させることによって、またサイクロン分離区域
１８によって炭化水素ガスから分離した触媒はディツプ
レッグ３川こよって容器２２の下部に位置する流動触媒
床３２に送られる。流動触媒床３２は下部のストリツピ
ング区域３４と連結しており、そこで流動触媒床は導管
３６によって導入されるストリッピングガスの上向きの
流れに対して同流として下向きに移動する。ストリッピ
ングされた触媒はストリツピング区域の下部から導管３
８によって取り出され、触媒再生区域（図示していない
）に送られる。触媒／油比を高くしたい場合には導管３
８によって取り出される触媒の一部はラィザー２の入口
に再循環させても良い。ラィザー転化区域２から分離さ
れた触媒３２の流動床はラィザー転化区域２の入口温度
より約１４ｑｏ〜約４２０（約２５０Ｆ〜約７５０Ｆ）
低い高温度に保たれる（短かくしたラィザー２′が無い
場合）。しかしながら本発明では、第２の短かくしたラ
ィザ一転化区域２′が容器２２の中に設けられ、このよ
うな短かくした転化区域が存在することによって特に加
えない限り触媒床の温度はさらに降下する。ライザー２
′は触媒床３２の上部表面下から容器の上部へ突き出て
おり、ラィザー２′の上端から放出される触媒及び炭化
水素ガスのサスベンジョンはサイクロン分離区域の入口
付近またはサイクロン分離区域に直接放出されるように
なっている。サイクロン分離区域１４によって分離され
た触媒はしかる後デイツプレツグ３川こよってライザー
２′の入口ではなくて触媒床３２の下部に戻される。ラ
ィザー２′の入口の周囲には触媒吸収口を取付けても良
い。Ｃ３〜Ｃ４炭化水素混合物などのガス状炭化水素原
料は適当な高温で導管１６によって流動床３２の懸濁し
ている触媒粒子とともに導入され、それとともに場合に
よっては水蒸気がラィザー２′の底部に導管３６によっ
て導入され、３７１℃〜５６が０（７０００Ｆ〜約１０
５００Ｆ）の範囲の温度で混合物またはサスベソジョン
を形成する。形成された触媒／油比が５〜４０のサスベ
ンジョンは炭化水素の滞留時間が１〜約１の抄となるよ
うな条件でラィザー２′を上向きに流れる。ラィザー２
′を上向きに流れるサスベンジョンはラィザー２′の上
端から広がった沈降容器２２の上部に位置するラィザー
の出口付近のサイクロン分離区域の付近またはサイクロ
ン分離区域に直接に放出させても良し、。放出されたサ
スベンジョンは第４図に示した如く流速が降下すること
によって触媒が沈降し、あわせて分離区域１８などのサ
イクロン分離器を使用することによって触媒が分離され
る。分離された触媒はディツプレツグによって触媒床３
２に戻される。ライザ−２及び２′の放出口は“Ｔ”字
型になってそれぞれの端が１個以上のサイクロン分離器
に連結していたライザーを上向きに流れるサスベンジョ
ンがサイクロン分離器に直接に送られるようになってい
ても良い。ライザーから放出されるサスベンジョンとこ
のように取扱うことによって炭化水素ガスと触媒粒子と
の接触時間を積極的に調節することができる。前記第４
図に示した方法及び装置は本発明の概念を逸脱しないで
かなり変更することができる。

たとえばライザー２′が独立した別個のライザーで、そ
の主要部分は、ラィザ−２が容器の外にあるように、容
器２２の外にあっても艮し、。この装置形態ではＣ４以
下の低沸点炭化水素を敬質するラィザーに高温の新しい
再生触媒あるいはストリツピングする前またはストリッ
ピングした後の軽油ラィザー転化工程から分離した触媒
を供給しても良い。他の実施態様としてはラィザ−２の
底部において新しい再生触媒をＣ３〜Ｃ４炭化水素に富
んだ混合物とまず接触させてサスベンジョンを形成させ
、しかる後そのサスベンジョンを触媒−炭化水素ガス分
離区域に放出する前に１個以上の間隔を直し、てラィザ
ーの上部に導入させる軽油原料と接触させても良い。前
記実施態様において、Ｃ４以下の低沸点炭化水素原料は
４２７０〜約５９３００（８００〜約１１０００Ｆ）の
温度でフアウジャサィト型の活性な転化触媒と接触させ
、軽油原料は４８〆○〜５９３ｑｏ（９００〜１１００
０Ｆ）の温度で前記触媒と接触させても良い。さらに別
の実施態様としては単一のラィザーを使用して軽油を高
温の新しい再生触媒とまず接触させ、Ｃ３〜Ｃ４などの
Ｃ４以下の低沸点炭化水素ガスをしかる後ラィザー転化
区域の下部または上部で軽油一触煤サスベンジョンと接
触させても良い。別の実施態様としてストリッピング区
域の上部延長部分の周囲に環状の転化区域を設け、スト
リツピングされた炭化水素は環状の転化区域を迂回させ
、ラィザー転化区域から放出される触媒の全てはストリ
ッピング区域に導入する前に環状転化区域に送られるよ
うにしても良い。この装置形態においてラィザー転化区
域及び環状転化区域に供給される原料は軽油原料または
Ｃ３〜Ｃ４炭化水素原料のいずれでも良い。実施例 イソブチレンに富んだ原料を使用して本発明の操作に沿
って所定の温度及び炭化水素滞留時間の条件下で一連の
転化操作を行った（第１図ないし第４図の何れを使用し
てもよい）。

１５％ＲＥＹを有する触媒を下記の表の条件で接触させ
て下記の様な結果を得た。

生成物を試験したところかなりの量の液状生成物の生成
にともなってかなりの量の水素が移行したことが観察さ
れた。液状生成物は主としてトルヱン、キシレン、トリ
メチルベンゼン及びナフタレンから成ることが確認され
た。転化操作は炭化水素滞留時間を広範囲に変えて５６
６℃〜４５４ｑｏ（１０５００Ｆ〜８５びＦ）の温度で
行われた。選ばれた操作条件は高温のクラッキング条件
下で軽油原料を転化するための従来の技術に低触しない
本発明の装置系の操作の応用変化の範囲内である。表 ＊液体トランプを使用しなかったｏ これらのデータからラィザ一転化鞍作において滞留時間
を短か〈すれば、イソブチレンの低分子量ガス及びコー
クスへの転化は著しく減少される。

しかしながら、全体のィソブチレンの転化率が８２．６
％、６７．８％及び９０．９％の場合、望ましくない生
成物への転化による損失は１２．２１％であり、イソブ
タン／プチレン十プロピレンの比は１．１５〜３．２５
である。高温で滞留時間を短かくして行われた操作１９
５は本発明のものを示すものであり、高温の新しい再生
触媒は独立の別個のラィザー反応器（第２図ないし第４
図）または単独のラィザ−反応器（第１図）の最初の部
分でＣ３〜Ｃ４原料とまず接触し、しかる後軽油のクラ
ツキングが行われる。

一方、操作１９６は予め使用した触媒を独立の別個の反
応器または単一の軽油ラィザー反応器の下部においてＣ
３〜Ｃ４炭化水素ガスと接触させるという本発明の一部
を示している。これらのいずれの操作形態においても“
Ｙ”型フアウジャサィト転化触媒は水素移行反応及びオ
レフィン環化反応に対して活性及び選択性を有しており
、かなりの量のィソブタン及び芳香族が製造される。本
発明の要旨は下記の通りである。

【ａ’流動化したフアウジャサィト含有クラッキング触
媒を用してクラツキング条件下で軽油をラィザー転化す
ることによってガソリンを製造する方法において、前記
触媒を軽油クラッキング条件とは違った条件下で同時に
使用して独立して別個に導入されるＣ３及び／又はＣ４
炭化水素をラィザー転化し、前記軽油並びにＣ３及び／
又はＣ４炭化水素の両方の転化生成物を単一の流れとし
て取り出すことを特徴とするガソリンの製造法。

‘ｂ｝ 前記‘ａｌ項の方法にし、おて、前記独立して
別個に導入されるＣ３及び／又はＣ４炭化水素原料がィ
ソブチレンであることを特徴とする方法。

‘ｃー 前記【ａはたは【ｂ｝項の方法において、前記
触媒が希土類交換したゼオラィトＹであることを特徴と
する方法。【ｄ｝ 前記‘ａー〜（ｃ）項の方法におい
て、前記転化が単独のラィザーで行われることを特徴と
する方法。

‘ｅー 前記‘ｄ｝項の方法において、前記Ｃ３及び／
又はＣ４炭化水素原料が前記ラィザーの底部において新
しい再生触媒と接触し、軽油がライザーの下側に供給さ
れることを特徴とする方法。‘ｆ’ 前記‘ｅ｝の方法
において、前記軽油が５１ぴ○〜５９チ０（９５０〜１
１０００Ｆ）の温度で触媒／油比が４〜１０で触媒と接
触することを特徴とする方法。（ｇ） 前記｛ｅ｝項ま
たは‘ｆ）項の方法において、前記Ｃ３及び／又はＣ４
炭化水素が約６７７０（約１２５００Ｆ）の温度で滞留
時間が０．１〜２秒で触媒と接触することを特徴とする
方法。（ｈ） 前記‘ａ｝〜【ｃ）項の方法において、
前記転化が独立した別個のラィザー中で行われ、このラ
ィザーは共通の触媒沈降区域に触媒を放出することを特
徴とする方法。

（ｉ）前記（ｈ）項の方法において、前記それぞれのラ
イザーは分離器を通じて触媒を前記触媒沈降区域に放す
ることを特徴とする方法。

（ｉ）前記（ｈ）項または（ｉ）項の方法において、両
方のラィザーに新しい再生触媒が供給されることを特徴
とする方法。（ｋ）前記（ｈ）項または（ｉ）項の方法
において、軽油が転化されるラィザーには新しい再生触
媒が供給され、Ｃ３及び／又はＣ４炭化水素が転化され
るラィザ−には前記触媒沈降区域から取出された触媒が
供給されることを特徴とする方法。

（１）前記（ｈ）〜（ｋ）項の方法において、前記軽油
は少くとも９５００Ｆの温度で滞留時間を２〜１の蛾こ
して転化されることを特徴とする方法。

（ｍ） 前記（ｈ）〜（１）項の方法において、前記Ｃ
３及び／又はＣ４原料は３７ｌｏｏ〜５９３００（７０
０〜１１０００Ｆ）の温度で触媒／原料比が５〜１０で
滞留時間を１〜１現物こして転化されることを特徴とす
る方法。

（ｎ） 前記（ｋ）〜（ｍ）項の方法において、Ｃ３及
び又は／Ｃ４原料が転化されるラィザ−は下部が前記触
媒沈降区域となっている容器の中に完全に収まり、その
ラィザーには前記触媒沈降区域から触媒が供給されるこ
とを特徴とする方法。

（ｏ）第１〜４図に記載されたガソリンの製造法。

（ｐ） 前記【ａ’〜（ｏ）の方法によって製造された
ガソリン。

【図面の簡単な説明】

第１図は単独のライザーを使用する本発明の実施態様を
示す。 ２・・・・・・ラィザー転化区域、１９，２０・・・・
・・サイクロン分離区域、３２・・・・・・流動触媒床
、３４・・・・・・ストリツピング区域。 第２図は２種の原料を転化するための独立の別個のラィ
ザーを使用し、それぞれ再生触媒が供給される本発明の
実施態様を示す。２，３０・・・・・・フィザー転化区
域、１４・・・・・・サイクロン分離区域、２２・・・
・・・流動触媒床、２４・・・・・・ストリッピング区
域。 第３図は第２図の変化形態で触媒を再生させないで第１
ラィザーから第２ラィザーへ移動させる形態を示す。 ４０，４７・・・・・・ラィザー転化区域、４８，７６
，８４……サイクロン分離器、５２，６０・・・・・・
流動触媒床。 第４図は下部が触媒沈降区域になっている容器内に第２
ラィザーを入れた本発明実施態様を示す。 ２，３０・・・・・・ラィザー転化区域、１４・・・・
・・サイクロン分離区域、２２・・・・・・流動触媒床
、２４・・・・・・ストリッピング区域。 ＦｉＧＩ ＦｉＧ２ ｒＩＧ３ ＦＩＧ，４

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 流動化したＹ型フアウジヤサイト含有クラツキング
   触媒を使用してクラツキング条件下で軽油をライザー転
   化することによつてガソリンを製造する方法において、
   前記触媒を軽油クラツキング条件とは異なる触媒／油比
   ５〜４０、温度３７１℃〜６７７℃、滞留時間０．１〜
   １５秒の条件下で同時に使用して独立して別個に導入さ
   れるＣ＿３炭化水素又はＣ＿４炭化水素又はそれら両者
   をライザー転化し、前記軽油並びにＣ＿３炭化水素又は
   Ｃ＿４炭化水素又はそれら両者をライザー転化し、前記
   軽油並びにＣ＿３炭化水素又はＣ＿４炭化水素又はそれ
   ら両者の両方の転化生成物を単一の流れとして取出すこ
   とを特徴とするガソリンの製造法。