JPS60198039A - 撮像管 - Google Patents
撮像管Info
- Publication number
- JPS60198039A JPS60198039A JP5214884A JP5214884A JPS60198039A JP S60198039 A JPS60198039 A JP S60198039A JP 5214884 A JP5214884 A JP 5214884A JP 5214884 A JP5214884 A JP 5214884A JP S60198039 A JPS60198039 A JP S60198039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- reflected
- photoconductive film
- film target
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/58—Arrangements for focusing or reflecting ray or beam
- H01J29/60—Mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/84—Traps for removing or diverting unwanted particles, e.g. negative ions, fringing electrons; Arrangements for velocity or mass selection
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は静電集束形撮像管に関り1、特に戻りビームに
よる偽信号発生を抑えた撮像管に関する。
よる偽信号発生を抑えた撮像管に関する。
従来の静電集束形撮像管においては、集束レンズによっ
て細くしぼりこんだ電子ビームで光導電膜ターゲットを
走査することにより光信号を電気信号に変換して読み出
している。従来のこのような撮像管の構造は、基本的に
は2つに分けることができる。すなわち(1)電子ビー
ム発生部と、(2)電子、ビーム集束レンズ部(主レン
ズ部)である、第1図は、特開昭58−103751に
示された電子ビーム集束レンズを用いた撮像管の断面図
である。
て細くしぼりこんだ電子ビームで光導電膜ターゲットを
走査することにより光信号を電気信号に変換して読み出
している。従来のこのような撮像管の構造は、基本的に
は2つに分けることができる。すなわち(1)電子ビー
ム発生部と、(2)電子、ビーム集束レンズ部(主レン
ズ部)である、第1図は、特開昭58−103751に
示された電子ビーム集束レンズを用いた撮像管の断面図
である。
1は真空容器、Kは陰極、G1は第1電極、02″ は
第2電極で、K’= Gt −Gtで電子ビーム発生部
である3極部2を構成しており、G3.G4は電子ビー
ム集束レンズ(主レンズ)を形成するそれぞれ第3.第
4電極で、GBはメツシュ電極で、電11G3e G4
t Gsで主レンズ部3を構成している。4は光導電
膜ターゲットであり、5は撮像管外部に配置された偏向
コイルである。陰極により出た電子ビームは3極部2で
形成されるレンズで集束し、一度クロスオーバーをつく
った後、第2電極G2に設けもれたビーム制限孔6を通
過し、G 3 t G 4で形成される集束レンズ(主
レンズ)で集束され、同時に外部に設けた偏向コイル5
の磁場により偏向され光導電膜ターゲット4を走査する
。電tlA G 4とメツシュ電極G5とで形成される
コリメーションレンズにより一向した電子ビームを光導
電膜ターゲット4へ垂直にランディングするようにして
いる。通常このような撮像管では、陰極Kに対する各電
極の電圧値は、電極G1が約−40v程度、電極G2が
300 V、電極G3が約80V程度、電極G4が60
0V、メツシュ電極G5が1400Vテある。
第2電極で、K’= Gt −Gtで電子ビーム発生部
である3極部2を構成しており、G3.G4は電子ビー
ム集束レンズ(主レンズ)を形成するそれぞれ第3.第
4電極で、GBはメツシュ電極で、電11G3e G4
t Gsで主レンズ部3を構成している。4は光導電
膜ターゲットであり、5は撮像管外部に配置された偏向
コイルである。陰極により出た電子ビームは3極部2で
形成されるレンズで集束し、一度クロスオーバーをつく
った後、第2電極G2に設けもれたビーム制限孔6を通
過し、G 3 t G 4で形成される集束レンズ(主
レンズ)で集束され、同時に外部に設けた偏向コイル5
の磁場により偏向され光導電膜ターゲット4を走査する
。電tlA G 4とメツシュ電極G5とで形成される
コリメーションレンズにより一向した電子ビームを光導
電膜ターゲット4へ垂直にランディングするようにして
いる。通常このような撮像管では、陰極Kに対する各電
極の電圧値は、電極G1が約−40v程度、電極G2が
300 V、電極G3が約80V程度、電極G4が60
0V、メツシュ電極G5が1400Vテある。
従来、上述した構造の撮像管では、戻りビームにより出
力信号中に偽信号が入り、特に低照度の撮像時にカメラ
の感度を上げた場合顕著となり画質を低下させるという
欠点がある。
力信号中に偽信号が入り、特に低照度の撮像時にカメラ
の感度を上げた場合顕著となり画質を低下させるという
欠点がある。
この原因は、メツシュ電極あるいは光導電膜ターゲット
でおし返された戻りビームが電極G2で反射して再び光
導電膜ターゲットへ向かう反射ビームとなり、この反射
ビームが光導電膜ターゲットに到達し、正規のイ目号以
外の偽信号を発生ずるためと考えられる。すなわち、第
1図においてビーム制限孔6から出た電子ビーム(1次
ビー11)7は光導電膜ターゲット4を走査するが、そ
の一部はメツユ電極あるいは光導電膜ターゲットでおし
返される戻りビーム8となり¥A極に側へ向かう。
でおし返された戻りビームが電極G2で反射して再び光
導電膜ターゲットへ向かう反射ビームとなり、この反射
ビームが光導電膜ターゲットに到達し、正規のイ目号以
外の偽信号を発生ずるためと考えられる。すなわち、第
1図においてビーム制限孔6から出た電子ビーム(1次
ビー11)7は光導電膜ターゲット4を走査するが、そ
の一部はメツユ電極あるいは光導電膜ターゲットでおし
返される戻りビーム8となり¥A極に側へ向かう。
この戻りビームは最終的に電tlii G 7上のビー
1z制限孔6の周りに衝突し、光導電膜ターゲラ1−へ
到達することになる。この時、特定の走査時間に発生す
る反射ビームは光導電膜ターゲットJ二の非走査領域B
(走査領ifj、Aの外の領域)に到達する。
1z制限孔6の周りに衝突し、光導電膜ターゲラ1−へ
到達することになる。この時、特定の走査時間に発生す
る反射ビームは光導電膜ターゲットJ二の非走査領域B
(走査領ifj、Aの外の領域)に到達する。
領域Bは1次ビーム7による走査をうけず、その面電位
は、ターゲット印加電圧にほぼ等しく、数10vの高い
電圧となっており、反射ビーム9の入射により偽信号を
発生する。この偽信号により、画面中央部に画面の約3
分の1の大きさで画面に相似な黒い偽像が発生する。
は、ターゲット印加電圧にほぼ等しく、数10vの高い
電圧となっており、反射ビーム9の入射により偽信号を
発生する。この偽信号により、画面中央部に画面の約3
分の1の大きさで画面に相似な黒い偽像が発生する。
本発明の目的は、このような戻りビームにより生ずる偽
信号像を取り除した静電隼束型撮伶管を提供することに
ある。
信号像を取り除した静電隼束型撮伶管を提供することに
ある。
〔発明の概要〕 ・
本発明は、静電レンズを構成する円筒状電極内部に戻り
ビームを反射する円板状電極を設け、」二記円板状電極
で反射した電子ビームをさらに内部に設けた円筒電極に
反射するよう構成し、反射した電子ビームがすべて光導
電膜ターゲット上の走査領域に到達するようになし1反
射ビームが非走査領域に入射するため発生する偽信号の
発生を阻止しようとするものである。
ビームを反射する円板状電極を設け、」二記円板状電極
で反射した電子ビームをさらに内部に設けた円筒電極に
反射するよう構成し、反射した電子ビームがすべて光導
電膜ターゲット上の走査領域に到達するようになし1反
射ビームが非走査領域に入射するため発生する偽信号の
発生を阻止しようとするものである。
以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。第2
図および第3図は本発明の一実施例を示す図で、第1図
と同じ部分には同・−記号を付している。第2図におい
てメツシュit tm a r、あるいは光導電膜ター
ゲット4でおし返された戻すビー118は、電極G 4
y G fiで形成されるコリメーションレンズの作
用で中心軸lOを横切り、電極G。
図および第3図は本発明の一実施例を示す図で、第1図
と同じ部分には同・−記号を付している。第2図におい
てメツシュit tm a r、あるいは光導電膜ター
ゲット4でおし返された戻すビー118は、電極G 4
y G fiで形成されるコリメーションレンズの作
用で中心軸lOを横切り、電極G。
に設けた円板状電極11に衝突する。上記円板状電極1
1はG3t G4で形成される集束レンズ(主レンズ)
の作用を乱さない位置に置かれる。
1はG3t G4で形成される集束レンズ(主レンズ)
の作用を乱さない位置に置かれる。
上記円板状電41ttを挿入することにより、第1図に
おける反射ビーム9のごとく走査領域の外の領域Bへ向
かう軌道を生みだす戻りビーム8の軌道を途中で遮断し
反射させて13で示したごとくG3電極に髄射させた後
−04電極の内壁へ向がわせる。円板状電極11で反射
してもG3電極に当たらない電子ビームは全て走査領域
A内へ向かうことが分っている。G4電極には円筒電極
12が設けられ、電子ビーム13をここで反射させるよ
うにしている。円筒電極12で反射した電子ビームは全
て走査領域A内へ向がう。もし、上記円筒型4@12が
ない場合、円板状電極11で反射した電子ビーA13は
14で示したごとく電極04で反射して走査領域の外の
領域Bへ向かい、偽信号を発生してしまうことになる。
おける反射ビーム9のごとく走査領域の外の領域Bへ向
かう軌道を生みだす戻りビーム8の軌道を途中で遮断し
反射させて13で示したごとくG3電極に髄射させた後
−04電極の内壁へ向がわせる。円板状電極11で反射
してもG3電極に当たらない電子ビームは全て走査領域
A内へ向かうことが分っている。G4電極には円筒電極
12が設けられ、電子ビーム13をここで反射させるよ
うにしている。円筒電極12で反射した電子ビームは全
て走査領域A内へ向がう。もし、上記円筒型4@12が
ない場合、円板状電極11で反射した電子ビーA13は
14で示したごとく電極04で反射して走査領域の外の
領域Bへ向かい、偽信号を発生してしまうことになる。
上述のように本実施例では、円板状電極11および円筒
電極12により反射した電子ビームを全て走査領域A内
へ向かわせ、領域Bに反射ビームが入射することによる
偽信号の発生を抑えている。
電極12により反射した電子ビームを全て走査領域A内
へ向かわせ、領域Bに反射ビームが入射することによる
偽信号の発生を抑えている。
また、G4電極に円筒電極を設けず、第3図の実施例に
示したごと<G4111極の途中の内径を部分的に小さ
くしても同様の効果が得られることは明らかである。
示したごと<G4111極の途中の内径を部分的に小さ
くしても同様の効果が得られることは明らかである。
以上説明したごとく本発明によれば、第3電極G3に円
板状電極を置は戻りビームを反射させ、さらに上記第3
ffi@に続く少なくとも一つの電極の内側に設けた円
筒重積に反射させ、走査領域の外へ飛び込むことを防ぎ
、反射ビームが走査領域外へ当たることによる余計な偽
信号をなくすことができ、撮像管の画質を大幅に向上す
ることができる。
板状電極を置は戻りビームを反射させ、さらに上記第3
ffi@に続く少なくとも一つの電極の内側に設けた円
筒重積に反射させ、走査領域の外へ飛び込むことを防ぎ
、反射ビームが走査領域外へ当たることによる余計な偽
信号をなくすことができ、撮像管の画質を大幅に向上す
ることができる。
なお、本発明はここで示した2つの電極で構成される焦
束レンズを用いた撮像管に限らず、一般に良く知られた
3つ以トの円n電極で構成された集束レンズを用いた撮
像管に適用できることは言うまでもない。
束レンズを用いた撮像管に限らず、一般に良く知られた
3つ以トの円n電極で構成された集束レンズを用いた撮
像管に適用できることは言うまでもない。
第1図は従来の静電推束型撮像管の断面図、第2図およ
び第3図は本発明による撮像管の実施例を示す電極断面
図である。 ■・・・真空容器、2・・・3極部、3・・・主しンス
部、4・・光導電膜ターゲット、5・・・偏向コイル、
6・・ビーム制限孔、7・・・走査電子ビーム軌道、8
・・・戻りビーム軌道、9,13,1./l・・・反射
ビーム軌道、10・・・中心軸、11・・・円板状電極
、12・・・円筒電極、A・・・正規走査領域、B・・
・走査外領域、l(・・・陰極、G、・・・第1電極、
G2・・・第2電極、G3・・・第第1頁の続き @発明者船木 利春 茂原市早野335@地の2 日立デバイスエンジニアリ
ング株式会社内
び第3図は本発明による撮像管の実施例を示す電極断面
図である。 ■・・・真空容器、2・・・3極部、3・・・主しンス
部、4・・光導電膜ターゲット、5・・・偏向コイル、
6・・ビーム制限孔、7・・・走査電子ビーム軌道、8
・・・戻りビーム軌道、9,13,1./l・・・反射
ビーム軌道、10・・・中心軸、11・・・円板状電極
、12・・・円筒電極、A・・・正規走査領域、B・・
・走査外領域、l(・・・陰極、G、・・・第1電極、
G2・・・第2電極、G3・・・第第1頁の続き @発明者船木 利春 茂原市早野335@地の2 日立デバイスエンジニアリ
ング株式会社内
Claims (1)
- 1、陰極と第1電極とビーム電流を制限するビーム制限
孔をその上に設けた第2WL極とを有する電子ビーム発
生部と、第3電極に続く複数個の電極により形成される
電子ビーム集束レンズ部と、メツシュ電極と光導電膜タ
ーゲットを有し、 □光導電膜ターゲット側より陰極へ
向かう戻りビームが上記第3電極に設けた円板状電極に
反射し、その反射ビームが上記第3電極からメツシュ電
極までの間の少なくとも−・つの電極の内側に設けた円
筒電極に反射して、光導電膜ターゲット上の走査領域内
に向かうよう構成したことを特徴とする撮像管、。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5214884A JPS60198039A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 撮像管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5214884A JPS60198039A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 撮像管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60198039A true JPS60198039A (ja) | 1985-10-07 |
Family
ID=12906785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5214884A Pending JPS60198039A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 撮像管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60198039A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0458179A2 (en) * | 1990-05-23 | 1991-11-27 | Hitachi, Ltd. | Image pickup tube and its operating method |
-
1984
- 1984-03-21 JP JP5214884A patent/JPS60198039A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0458179A2 (en) * | 1990-05-23 | 1991-11-27 | Hitachi, Ltd. | Image pickup tube and its operating method |
US5384597A (en) * | 1990-05-23 | 1995-01-24 | Hitachi, Ltd. | Image pickup tube utilizing third electrode and its operating method |
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