JPS6019618B2 - 消毒及び類似目的のための冷陰極電子ビ−ム照射方法及び装置 - Google Patents
消毒及び類似目的のための冷陰極電子ビ−ム照射方法及び装置Info
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- JPS6019618B2 JPS6019618B2 JP54142703A JP14270379A JPS6019618B2 JP S6019618 B2 JPS6019618 B2 JP S6019618B2 JP 54142703 A JP54142703 A JP 54142703A JP 14270379 A JP14270379 A JP 14270379A JP S6019618 B2 JPS6019618 B2 JP S6019618B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61L—METHODS OR APPARATUS FOR STERILISING MATERIALS OR OBJECTS IN GENERAL; DISINFECTION, STERILISATION OR DEODORISATION OF AIR; CHEMICAL ASPECTS OF BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES; MATERIALS FOR BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES
- A61L2/00—Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor
- A61L2/02—Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor using physical phenomena
- A61L2/08—Radiation
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- Veterinary Medicine (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Apparatus For Disinfection Or Sterilisation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は消毒及びその他表面、材料及び種々の作業部品
の照射のための電子ビーム発生プロセス及びその装置に
関し、特に比較的小ェネルギ電子(50一450kev
程度)の冷陰極パルス式電子ビームの、高度に信頼性の
ある発生に関する。
の照射のための電子ビーム発生プロセス及びその装置に
関し、特に比較的小ェネルギ電子(50一450kev
程度)の冷陰極パルス式電子ビームの、高度に信頼性の
ある発生に関する。
表面の消毒及び容器その他の物品、材料又は作業部品の
表面処理の用途に、例えば米国特許第3,780.30
8号に記載されているように、比較的低ェネルギの電子
ビームが好結果をもって使用されて来た。
表面処理の用途に、例えば米国特許第3,780.30
8号に記載されているように、比較的低ェネルギの電子
ビームが好結果をもって使用されて来た。
ばらでの電子消毒技術は米国特許第3,779,796
号で開示されている。包装材料の消毒のような用途には
「電子カーテン」の商標で市場に出ているような直流ビ
ーム発生器が用いられてきた。このような低ェネルギの
電子ビームの発生は、例えば米国特許第3,702.4
12号、第3,745,396号及び第3,769,6
0び号‘こ記載されている。冷陰極電子発生源の助けに
より、また以前高ェネルギの物理的システムに長く応用
されたマークス型蓄電器火花放電発生器、を含めた他の
型のパルス発生器において使用されたような蓄電器放電
型パルス技術によって、前記のような比較的低ェネルギ
の電子ビームの反復パルス発生技術を使用することには
、前記特許文献で指摘されたような或る種の用途におい
て利益がある。
号で開示されている。包装材料の消毒のような用途には
「電子カーテン」の商標で市場に出ているような直流ビ
ーム発生器が用いられてきた。このような低ェネルギの
電子ビームの発生は、例えば米国特許第3,702.4
12号、第3,745,396号及び第3,769,6
0び号‘こ記載されている。冷陰極電子発生源の助けに
より、また以前高ェネルギの物理的システムに長く応用
されたマークス型蓄電器火花放電発生器、を含めた他の
型のパルス発生器において使用されたような蓄電器放電
型パルス技術によって、前記のような比較的低ェネルギ
の電子ビームの反復パルス発生技術を使用することには
、前記特許文献で指摘されたような或る種の用途におい
て利益がある。
パルス発生器の最近のものの中には“ThysicsT
oday”1975年4月号(またE.Ault等の“
lEEE J.Qnant「E1eで1碇蓋、P.62
4,197よ王)に記載されているようなレーザのパル
ス作用がある。併しなから、このような技術を本発明の
問題に応用しようとする考えの中には、短時間でもパル
スの誤動作又は欠除という容易ならぬ重大性があり、そ
れは例えば製造ラインの消毒応用面で起ったとき、全く
消毒ぬきという潜在的に危険な結果になるか、又はビー
ムの貧弱な均一性、指向性等の結果として作業部品を不
適当に消毒することになる。
oday”1975年4月号(またE.Ault等の“
lEEE J.Qnant「E1eで1碇蓋、P.62
4,197よ王)に記載されているようなレーザのパル
ス作用がある。併しなから、このような技術を本発明の
問題に応用しようとする考えの中には、短時間でもパル
スの誤動作又は欠除という容易ならぬ重大性があり、そ
れは例えば製造ラインの消毒応用面で起ったとき、全く
消毒ぬきという潜在的に危険な結果になるか、又はビー
ムの貧弱な均一性、指向性等の結果として作業部品を不
適当に消毒することになる。
よってこのパルス技術の他の用途での従来のような使用
に勝る新しいレベルの信頼性が、本発明の目的として要
求された。更に、このような技術を使用する従来のシス
テムはいよいよ研究室及び実駆的用途に向けられ、それ
は生産ライン上の消毒その他の商業上の要求条件のもと
にある動作の永続性や工業的信頼性を要求しないもので
あつた。この種の従来のパルス技術の非信頼性に対する
(本宮的のための)1つの鍵は、火花放電間隙のトリガ
範囲が充分広くないことであることが判った。
に勝る新しいレベルの信頼性が、本発明の目的として要
求された。更に、このような技術を使用する従来のシス
テムはいよいよ研究室及び実駆的用途に向けられ、それ
は生産ライン上の消毒その他の商業上の要求条件のもと
にある動作の永続性や工業的信頼性を要求しないもので
あつた。この種の従来のパルス技術の非信頼性に対する
(本宮的のための)1つの鍵は、火花放電間隙のトリガ
範囲が充分広くないことであることが判った。
従来、固定間隙トリガ発生器は自己破壊電圧より約15
%低い比較的狭いトリガ範囲で動作し、或いは人手によ
る間隙の調整又は多重トリガ間隙による範囲の変化が要
求される場合は生産ラインでの操作は明らかに不適当で
あった。トリガ範囲の上限近くでは不時の誤放電が出力
電圧の低下を起こし、トリガ範囲の下限近くでは不時の
無放電が起る。本発明によれば他方においてトリガ範囲
の能力が上方に約30%広がり、これは長い工業的サー
ビス時間にとって必要な動作であることが判った。本発
明の新規なパルス回路特徴の中に、蓄電器の横車ねに沿
って薮他部との浮遊容量を大きくするため、効果的に改
良され調整された導電シールド構造、及び新規なトリガ
位置とトリガ作用を備えた「レール」形の広い面積の火
花間隙がある。
%低い比較的狭いトリガ範囲で動作し、或いは人手によ
る間隙の調整又は多重トリガ間隙による範囲の変化が要
求される場合は生産ラインでの操作は明らかに不適当で
あった。トリガ範囲の上限近くでは不時の誤放電が出力
電圧の低下を起こし、トリガ範囲の下限近くでは不時の
無放電が起る。本発明によれば他方においてトリガ範囲
の能力が上方に約30%広がり、これは長い工業的サー
ビス時間にとって必要な動作であることが判った。本発
明の新規なパルス回路特徴の中に、蓄電器の横車ねに沿
って薮他部との浮遊容量を大きくするため、効果的に改
良され調整された導電シールド構造、及び新規なトリガ
位置とトリガ作用を備えた「レール」形の広い面積の火
花間隙がある。
更に本発明には、新規な実質的に直線性の線量−深さ間
の特性曲線、およびパルス発生中起り得る電圧変化に対
する電子ビームィンパルスの影響を驚くほど効果的に少
なくするような、特性曲線上の中間の動作領域を得るた
めの技術の発見があり、このようにして、装置を通過す
る表面や作業部品(本文では時として総称的「製品」と
記載)の実質的均一な照射を助けた。よって本発明の目
的は、前記の制限及び欠点がなく、消毒のような多くの
工業的用途に対して要求される高い信頼性を有し、且つ
効果的に増加したトリガ範囲及び発生したビームの比較
的低い勾配の線量−深さの特性曲線の最も好ましい領域
での動作によって大きく蓮せられた、比較的低い電圧の
強力電子ビームインパルスを発生する新しい改善された
プロセス及び装置を提供することである。
の特性曲線、およびパルス発生中起り得る電圧変化に対
する電子ビームィンパルスの影響を驚くほど効果的に少
なくするような、特性曲線上の中間の動作領域を得るた
めの技術の発見があり、このようにして、装置を通過す
る表面や作業部品(本文では時として総称的「製品」と
記載)の実質的均一な照射を助けた。よって本発明の目
的は、前記の制限及び欠点がなく、消毒のような多くの
工業的用途に対して要求される高い信頼性を有し、且つ
効果的に増加したトリガ範囲及び発生したビームの比較
的低い勾配の線量−深さの特性曲線の最も好ましい領域
での動作によって大きく蓮せられた、比較的低い電圧の
強力電子ビームインパルスを発生する新しい改善された
プロセス及び装置を提供することである。
本発明の他の目的は、システムの動作がその中で可能な
電圧変化範囲の大きな増加を許容し、付随的に信頼性が
増加した新しく且つ改善されたパルス発生蓄電器列の構
造を提供することである。
電圧変化範囲の大きな増加を許容し、付随的に信頼性が
増加した新しく且つ改善されたパルス発生蓄電器列の構
造を提供することである。
本発明の更に他の目的は以下記載し且つ前述の特許請求
の範囲において特に詳細に叙述してある。併しながら、
要約すれば本発明は強力な電子により物体を照射するた
めのプロセスと装置を意図し、そこでパルス発生の信頼
性が大きく向上されてこのような技術が広範囲の商業的
用途に利用できる程になった。
の範囲において特に詳細に叙述してある。併しながら、
要約すれば本発明は強力な電子により物体を照射するた
めのプロセスと装置を意図し、そこでパルス発生の信頼
性が大きく向上されてこのような技術が広範囲の商業的
用途に利用できる程になった。
その重要な点の1つにおいて、本発明は生産ライン上の
消毒及び類似目的のため電子ビームェネルギの反復した
ィンパルス発生の信頼性を確保する方法を具体化したも
のである。それは、繰返して発生する放電パルス、反復
してパルスを加えて電子通過窓手段に向け且つそれを通
して冷陰極から電子ビームィンパルスを引出すこと、電
子ピース照射を行なうべき製品が沿って通過する領域の
1部に隣接して窓陽極を配置したこと、袷陰極窓陽極に
よって現われるインピーダンスをパルス発生段によって
現われるインピーダンスに調整して特性曲線の1′機泉
量領域に近い領域内で比較的低い勾配の実質的に直線状
の電子ビームの線量対浸透深さ特性曲線をつくり、それ
により前記領域に沿って通過する製品の実質的に均一な
照射を確保するためにパルス発生中あり得る電圧変化に
対する電子ビームィンパルスの感度を低下させることを
包含したものである。好ましい詳細を后述する。本発明
を添附図を参照しつつ以下に説明する。
消毒及び類似目的のため電子ビームェネルギの反復した
ィンパルス発生の信頼性を確保する方法を具体化したも
のである。それは、繰返して発生する放電パルス、反復
してパルスを加えて電子通過窓手段に向け且つそれを通
して冷陰極から電子ビームィンパルスを引出すこと、電
子ピース照射を行なうべき製品が沿って通過する領域の
1部に隣接して窓陽極を配置したこと、袷陰極窓陽極に
よって現われるインピーダンスをパルス発生段によって
現われるインピーダンスに調整して特性曲線の1′機泉
量領域に近い領域内で比較的低い勾配の実質的に直線状
の電子ビームの線量対浸透深さ特性曲線をつくり、それ
により前記領域に沿って通過する製品の実質的に均一な
照射を確保するためにパルス発生中あり得る電圧変化に
対する電子ビームィンパルスの感度を低下させることを
包含したものである。好ましい詳細を后述する。本発明
を添附図を参照しつつ以下に説明する。
実施した装置及び操作技術を論ずる前に袷陰極の発生ビ
ームのむしろきわどし、動作形態の前記発見、及び実施
例の実質的直線状の線量−深さのプロフィル特性に向か
っての調整について説明するのが順序である。この特性
曲線はそれに沿った非常に有利な中間動作領域を有しこ
れがパルス発生中のあり得る電圧変化に対する感度を4
・さくして実質的に均一なビーム照射を確保する。第1
図を参照して、(製品前表面の百分率として縦座標でプ
ロットした放射線量、及び横座標に燐/地としてプロッ
トした製品又はその他の表面への浸透範囲又は深さを示
す)すぐれた直線性の、比較的ゆるい適度な煩斜の「オ
プチマム」と称する曲線(その下方即ち右端でのみ意味
のある曲率をもつ)は、本発明の新規な冷陰極操作によ
って達し得る線量−深さのプロフィル特性を表わし、こ
れは例えば前記米国特許第3,780,308号(詳細
はその特許の第1図を参照)で論じているような従来の
技術で到達し得るものとの差違が明らかである。
ームのむしろきわどし、動作形態の前記発見、及び実施
例の実質的直線状の線量−深さのプロフィル特性に向か
っての調整について説明するのが順序である。この特性
曲線はそれに沿った非常に有利な中間動作領域を有しこ
れがパルス発生中のあり得る電圧変化に対する感度を4
・さくして実質的に均一なビーム照射を確保する。第1
図を参照して、(製品前表面の百分率として縦座標でプ
ロットした放射線量、及び横座標に燐/地としてプロッ
トした製品又はその他の表面への浸透範囲又は深さを示
す)すぐれた直線性の、比較的ゆるい適度な煩斜の「オ
プチマム」と称する曲線(その下方即ち右端でのみ意味
のある曲率をもつ)は、本発明の新規な冷陰極操作によ
って達し得る線量−深さのプロフィル特性を表わし、こ
れは例えば前記米国特許第3,780,308号(詳細
はその特許の第1図を参照)で論じているような従来の
技術で到達し得るものとの差違が明らかである。
急勾配の非直線性のダッシュ線の「ロー」曲線や急勾配
の非直線性の鎖線の「ハィ」曲線として示したように、
この最適状態の上方又は下方の調整によってはこの特性
は得られない。第1図のむしろ急峻な非直線性曲線「D
.c」によって操作を行なう前述の「電子カーテン」型
D.c.発生機のような機械によってもこれは達するこ
とはできない。中間の線量点(約1/2前後の点)Pで
可能な限り低勾配で(第1図の従釆形特性の、殆んど9
00に近い勾配を含む急角度傾斜と異なるような450
前後の傾斜程度)操作することによって、このような最
適な直線性深さ−線量特性は、パルス発生中広範囲に及
ぶ電圧変動まで実質的に低い感度で、実質的に一定な電
子ビームィンパルスの発生が可能なことが発見され、こ
のようにこの装置によって通過する製品の実質的均一な
照射が大きく保証された。前に述べたように、このよう
な低い感度は第1図において「ローハ「/・ィ」及び「
DC」で示したような従来の方法の急峻な勾配の非直線
プロフィルについてはなく、実に曲線勾配は電圧変化に
対する感度割合を表わす。
の非直線性の鎖線の「ハィ」曲線として示したように、
この最適状態の上方又は下方の調整によってはこの特性
は得られない。第1図のむしろ急峻な非直線性曲線「D
.c」によって操作を行なう前述の「電子カーテン」型
D.c.発生機のような機械によってもこれは達するこ
とはできない。中間の線量点(約1/2前後の点)Pで
可能な限り低勾配で(第1図の従釆形特性の、殆んど9
00に近い勾配を含む急角度傾斜と異なるような450
前後の傾斜程度)操作することによって、このような最
適な直線性深さ−線量特性は、パルス発生中広範囲に及
ぶ電圧変動まで実質的に低い感度で、実質的に一定な電
子ビームィンパルスの発生が可能なことが発見され、こ
のようにこの装置によって通過する製品の実質的均一な
照射が大きく保証された。前に述べたように、このよう
な低い感度は第1図において「ローハ「/・ィ」及び「
DC」で示したような従来の方法の急峻な勾配の非直線
プロフィルについてはなく、実に曲線勾配は電圧変化に
対する感度割合を表わす。
このような急な(又非直線形の)プロフィルを避けるこ
とにより、前述のように本発明は電圧変化に対する低い
感度が可能になる。中間の1/2の線量のP点近くまで
の操作で所要深さの消毒(即ち第1図の20−25のo
/鮒程度、又は紙壁等での8一10シルの浸透)ができ
る。即ち、電子ビーム窓から最も遠い照射浸透製品の表
面が1/滋宴量に近く処理される。パルス式冷陰極操作
の使用はそれが適切である場合、熱陰極操作とは異なっ
て、簡単化されたエレクトロニクス、低い絶縁性の要求
、パルス対圧を考えてのサイズの低下、信頼できる操作
に対する真空要求度の減少、及び装置の費用の実質的低
下等を更に結果する。
とにより、前述のように本発明は電圧変化に対する低い
感度が可能になる。中間の1/2の線量のP点近くまで
の操作で所要深さの消毒(即ち第1図の20−25のo
/鮒程度、又は紙壁等での8一10シルの浸透)ができ
る。即ち、電子ビーム窓から最も遠い照射浸透製品の表
面が1/滋宴量に近く処理される。パルス式冷陰極操作
の使用はそれが適切である場合、熱陰極操作とは異なっ
て、簡単化されたエレクトロニクス、低い絶縁性の要求
、パルス対圧を考えてのサイズの低下、信頼できる操作
に対する真空要求度の減少、及び装置の費用の実質的低
下等を更に結果する。
静電火花間隙のプレフアィャ等の有害作用を避けるよう
に多重パルスのオーバラップを更に使用することにより
、このような装置は本発明の製造ラインでの結果となる
新たな信頼性と均一な性能を提供する。第2図の結合的
システムを参照して、1対直線形冷陰極電子ビーム発生
器2及び2′を、そのそれぞれの電子通過窓1及び1′
がそこで保持するウェブW及び(又は)品物を窓1及び
1′から発射する矢列により概略表示したようにゥェブ
Wが図の平面に向かって連続的に(例えば前記特許で論
じているように普通の窒素又は他のガス入り室又は領域
を通して)通過する状態で照射されるように、全体的に
対向させて取付けたものを示してある。
に多重パルスのオーバラップを更に使用することにより
、このような装置は本発明の製造ラインでの結果となる
新たな信頼性と均一な性能を提供する。第2図の結合的
システムを参照して、1対直線形冷陰極電子ビーム発生
器2及び2′を、そのそれぞれの電子通過窓1及び1′
がそこで保持するウェブW及び(又は)品物を窓1及び
1′から発射する矢列により概略表示したようにゥェブ
Wが図の平面に向かって連続的に(例えば前記特許で論
じているように普通の窒素又は他のガス入り室又は領域
を通して)通過する状態で照射されるように、全体的に
対向させて取付けたものを示してある。
後述の1列積重ね形蓄電器火花間隙のマークス型発生器
素子が冷陰極ビーム発生器を駆動するために、上方の与
圧した容器M内に配置されている。真空状態のビーム発
生器室2及び2′のために真空ポンプVを備え、冷陰極
ダイオード構造に周期的パルスを与えるパルス供給導体
セクションF、及び熱交換器日、ポンプP′及び液体貯
蔵器Rを含む冷却装置を備えている。次に照射用ビーム
発生器2及び2′の詳細については、装置のこのセクシ
ョンは第3図で第2図よりも大きい寸法で縦断面で示し
てある。
素子が冷陰極ビーム発生器を駆動するために、上方の与
圧した容器M内に配置されている。真空状態のビーム発
生器室2及び2′のために真空ポンプVを備え、冷陰極
ダイオード構造に周期的パルスを与えるパルス供給導体
セクションF、及び熱交換器日、ポンプP′及び液体貯
蔵器Rを含む冷却装置を備えている。次に照射用ビーム
発生器2及び2′の詳細については、装置のこのセクシ
ョンは第3図で第2図よりも大きい寸法で縦断面で示し
てある。
上方の与圧された容器M内のマーク発生器から駆動パル
スは、内部導体3と外側の接地された器壁間に与えられ
真空室F内の垂直延長導体3′を介してそれぞれの冷陰
極取付構造を支持する1対の水平導体支持部4及び4′
に供給される。その収付台5は真空室2の中に示してあ
る(真空室2′の中にも同様な構造が設けてあることが
判る)。この取付台5は縦方向の電子通過窓1に面して
縦に延長した電界始動型冷陰極電子銃6(例えば銅、グ
ラフアィト、又は第グラフアィ合成体の縦方向に平行な
箔片の)を支持している。真空室2′内の電子銃陰極が
上方の窓1′の方に面していることは判るであろう。真
空室2及び2′の接地された導体外壁の窓はそれによっ
てできた冷陰極ダイオード電子銃の陽極を構成する。有
益な電界始動型冷陰極電子銃の形態は例えば文献「レー
ザ放電持続器用パルス視冷陰極電子銃」Physics
lntematimaICo,DNA 2777F,1
972年5月、PIFR−326、でローダとテハート
(核防衛庁)(HQ Defence Nuelear
Agency)が述べている。頂部の両側で導体3一
3′を支持している円錐形絶縁ブッシング7は、電子ビ
ーム発生器の真空セクションF−2−2′から火花間隙
駆動回路のガス与圧容器Mを密封し、そのうえ最も好都
合な高圧ブッシングを提供している。
スは、内部導体3と外側の接地された器壁間に与えられ
真空室F内の垂直延長導体3′を介してそれぞれの冷陰
極取付構造を支持する1対の水平導体支持部4及び4′
に供給される。その収付台5は真空室2の中に示してあ
る(真空室2′の中にも同様な構造が設けてあることが
判る)。この取付台5は縦方向の電子通過窓1に面して
縦に延長した電界始動型冷陰極電子銃6(例えば銅、グ
ラフアィト、又は第グラフアィ合成体の縦方向に平行な
箔片の)を支持している。真空室2′内の電子銃陰極が
上方の窓1′の方に面していることは判るであろう。真
空室2及び2′の接地された導体外壁の窓はそれによっ
てできた冷陰極ダイオード電子銃の陽極を構成する。有
益な電界始動型冷陰極電子銃の形態は例えば文献「レー
ザ放電持続器用パルス視冷陰極電子銃」Physics
lntematimaICo,DNA 2777F,1
972年5月、PIFR−326、でローダとテハート
(核防衛庁)(HQ Defence Nuelear
Agency)が述べている。頂部の両側で導体3一
3′を支持している円錐形絶縁ブッシング7は、電子ビ
ーム発生器の真空セクションF−2−2′から火花間隙
駆動回路のガス与圧容器Mを密封し、そのうえ最も好都
合な高圧ブッシングを提供している。
本発明によれば、電子ビーム発生器2及び2′の窓1及
び1′は全体的に相対向してはいるがそれらは相互に僅
か回転しているので、そこにあるビームはたとえ部分的
には重なっている(即ち1っのビーム幅程度)としても
くし、違い又は段違いになって、相互に対する直接の衝
撃又は他のビーム干渉を避け、且つ消毒用の用途におい
てはその間を通過するゥヱブの一方の面から他の面への
有機体の転移の可能性をなくする。
び1′は全体的に相対向してはいるがそれらは相互に僅
か回転しているので、そこにあるビームはたとえ部分的
には重なっている(即ち1っのビーム幅程度)としても
くし、違い又は段違いになって、相互に対する直接の衝
撃又は他のビーム干渉を避け、且つ消毒用の用途におい
てはその間を通過するゥヱブの一方の面から他の面への
有機体の転移の可能性をなくする。
更に、冷陰極電子銃と駆動回路間で意味をもつインピー
ダンス整合と、結果的電子ビームかち得られる線量−深
さのプロフィル特性とそのパルススベクトラムの双方の
性質との間に、最も重要且つ決定的な関係又はつながり
があることが発見された。
ダンス整合と、結果的電子ビームかち得られる線量−深
さのプロフィル特性とそのパルススベクトラムの双方の
性質との間に、最も重要且つ決定的な関係又はつながり
があることが発見された。
もし冷陰極ダイオード電子銃のインピーダンスが低過ぎ
ると、電子スベクトラムが低ェネルギ電子によって支配
されて線量−深さのフ。。フィルは第1図の「ロー」で
示すように前記「オプチマム」のプロフィルから離れる
のに対し、もし電子銃のインピーダンスが高過ぎると「
低ェネルギ及び高ェネルギ双方の電子が過剰になり線量
−深さのブロフィル曲線が低い1/沫塚量の点を示すが
(第1図「/・ィ」で示すように)、その後大きな浸透
力とェネルギ消費を示す。プラズマ陰極6と陽極壁の適
切な間隔及び陰極箔片の数及び寸法によって所望の「オ
プチマム」のフ。。フィル特性を得るように整合調整を
行ない、そしてパルス反復率の調整で前述の新規な結果
を生む操作に達することができる。次に第4図で簡単な
略図を示した蓄電器火花間隙の駆動回路の細部説明を行
なう。
ると、電子スベクトラムが低ェネルギ電子によって支配
されて線量−深さのフ。。フィルは第1図の「ロー」で
示すように前記「オプチマム」のプロフィルから離れる
のに対し、もし電子銃のインピーダンスが高過ぎると「
低ェネルギ及び高ェネルギ双方の電子が過剰になり線量
−深さのブロフィル曲線が低い1/沫塚量の点を示すが
(第1図「/・ィ」で示すように)、その後大きな浸透
力とェネルギ消費を示す。プラズマ陰極6と陽極壁の適
切な間隔及び陰極箔片の数及び寸法によって所望の「オ
プチマム」のフ。。フィル特性を得るように整合調整を
行ない、そしてパルス反復率の調整で前述の新規な結果
を生む操作に達することができる。次に第4図で簡単な
略図を示した蓄電器火花間隙の駆動回路の細部説明を行
なう。
関連の火花間隙S,一S2−S3等と共にマークス型発
生器を形成する蓄電器列C,一C2−ETC(等)は、
充電抵抗器で入力の半ば以上を失なう通例のDC充電機
構に反し、整流器回路網32によって整流された線路電
流で直接動作する高周波ィンバータ30から充寵される
。高周波ィンバータ3川ま高圧変圧器のAC出力電圧(
10‐20KHzの1耶V皿s)によって反対樋性の1
対の普通の電圧倍増回路36を駆動し、双方の極性が比
較的小さい直列蓄電器38(10岬F程度)を通して同
時に充電され、それが絶縁抵抗器R,を経てもっと大き
い蓄電器C,,C2等を充電昇圧させる。ィンバータの
出力変圧器の標遊容量及び漏れリアクタンスはィンバー
タの自己同調作用に使用される。蓄電器バンクは接地点
に対して平衡状態に正万向と負方向双方に同時に充電さ
れるように配列してある。このような平衡充電はDC電
圧に対する絶縁要求条件を1/2に減ずる。ィンバータ
30の出力(変圧器)はこのように小容量の昇圧蓄電器
38の負荷おみに接続され、これを介して双方向に電荷
を押流す。併しながら蓄電器38の各々はダイオードを
通してバンクの蓄電器C,等に接続されているので蓄電
器バンクは只1方向にだけ充電される。従ってィンバー
夕はパンクに向かってゼ。ボルトで動作する。なぜなら
ィンバータの出力電流は小容量の蓄電器のリアクタンス
で制限されるからである。感知抵抗器42は蓄電器バン
クの電圧を測定してプリセットした基準値と比較するた
めにトリガ発生器44に信号を帰還する。
生器を形成する蓄電器列C,一C2−ETC(等)は、
充電抵抗器で入力の半ば以上を失なう通例のDC充電機
構に反し、整流器回路網32によって整流された線路電
流で直接動作する高周波ィンバータ30から充寵される
。高周波ィンバータ3川ま高圧変圧器のAC出力電圧(
10‐20KHzの1耶V皿s)によって反対樋性の1
対の普通の電圧倍増回路36を駆動し、双方の極性が比
較的小さい直列蓄電器38(10岬F程度)を通して同
時に充電され、それが絶縁抵抗器R,を経てもっと大き
い蓄電器C,,C2等を充電昇圧させる。ィンバータの
出力変圧器の標遊容量及び漏れリアクタンスはィンバー
タの自己同調作用に使用される。蓄電器バンクは接地点
に対して平衡状態に正万向と負方向双方に同時に充電さ
れるように配列してある。このような平衡充電はDC電
圧に対する絶縁要求条件を1/2に減ずる。ィンバータ
30の出力(変圧器)はこのように小容量の昇圧蓄電器
38の負荷おみに接続され、これを介して双方向に電荷
を押流す。併しながら蓄電器38の各々はダイオードを
通してバンクの蓄電器C,等に接続されているので蓄電
器バンクは只1方向にだけ充電される。従ってィンバー
夕はパンクに向かってゼ。ボルトで動作する。なぜなら
ィンバータの出力電流は小容量の蓄電器のリアクタンス
で制限されるからである。感知抵抗器42は蓄電器バン
クの電圧を測定してプリセットした基準値と比較するた
めにトリガ発生器44に信号を帰還する。
電荷感知信号がプリセットしたレベルに達したとき、ト
リガ発生器44は共通的に50kvの範囲の出力パルス
をつくってトリガピン46に与えるこのトリガピン46
は本発明によれば第1全間隙又はパルス発生器システム
の第2ステージS2内に置かれている。前述の引用例で
記載した発生器において普通であるような第1ステージ
S,以外でトリガを行なうことによって、システムの有
効トリガ範囲の実質的増加が得られることが発見され、
その利益については既に述べた。第1間隙S,は大きく
過電圧がかかっているため間隙S2の後破壊放電し次い
でマークスシステムは軸線を下行放電し、蓄電器C2等
を介して間隙S3に過電圧がかかり同様にして遂に最後
の駆動パルスが、冷陰極電子銃ダイオードを略式に示し
た負荷RLOADに与えられる。実施例の構造が第5図
に、またその横断面が第6図に示してあり、バンクの蓄
電器C,,C2等は垂直の柱20‘こよってその交互に
反対の又は互い違いの側面に(ステージ間結合を減ずる
ように)支持され、放電間隙S,,S2,S3等は垂直
な柱の間で充電抵抗器R2等の柱により側面に配置され
ている。
リガ発生器44は共通的に50kvの範囲の出力パルス
をつくってトリガピン46に与えるこのトリガピン46
は本発明によれば第1全間隙又はパルス発生器システム
の第2ステージS2内に置かれている。前述の引用例で
記載した発生器において普通であるような第1ステージ
S,以外でトリガを行なうことによって、システムの有
効トリガ範囲の実質的増加が得られることが発見され、
その利益については既に述べた。第1間隙S,は大きく
過電圧がかかっているため間隙S2の後破壊放電し次い
でマークスシステムは軸線を下行放電し、蓄電器C2等
を介して間隙S3に過電圧がかかり同様にして遂に最後
の駆動パルスが、冷陰極電子銃ダイオードを略式に示し
た負荷RLOADに与えられる。実施例の構造が第5図
に、またその横断面が第6図に示してあり、バンクの蓄
電器C,,C2等は垂直の柱20‘こよってその交互に
反対の又は互い違いの側面に(ステージ間結合を減ずる
ように)支持され、放電間隙S,,S2,S3等は垂直
な柱の間で充電抵抗器R2等の柱により側面に配置され
ている。
トリガピン46は既に述べたように第2間隙S2と関連
している。更に、この組立構造は下方外方に末広がり円
錐形導体又はシールドS(実際は8角形断面、第6図)
によって囲まれ、それはシールド配置が密であればある
程絶縁破壊問題ないこ設けられ、且つパルス発生中にで
きる磁界が占める容積が材料的に減少し、このようにし
てィンダクダンスを相当に減じ且つ接地部に対する望ま
しい容量増加が得られることが判った。このような形状
は既に論じたようにトリガ範囲の増加を助けることが明
らかになった。この型の実地の装置においては、22球
Vのピーク電圧及び2000Aのピーク電流の毎秒20
パルスの反復割合で発生する75nsのパルス(最大振
幅の半分での全幅)によって生産ラインでの極めて好結
果の消毒を行なうことができた。
している。更に、この組立構造は下方外方に末広がり円
錐形導体又はシールドS(実際は8角形断面、第6図)
によって囲まれ、それはシールド配置が密であればある
程絶縁破壊問題ないこ設けられ、且つパルス発生中にで
きる磁界が占める容積が材料的に減少し、このようにし
てィンダクダンスを相当に減じ且つ接地部に対する望ま
しい容量増加が得られることが判った。このような形状
は既に論じたようにトリガ範囲の増加を助けることが明
らかになった。この型の実地の装置においては、22球
Vのピーク電圧及び2000Aのピーク電流の毎秒20
パルスの反復割合で発生する75nsのパルス(最大振
幅の半分での全幅)によって生産ラインでの極めて好結
果の消毒を行なうことができた。
窓1及び1′の電子ビーム幅は約4.0肌であった。ウ
ェブWのライン速度と反復パルスの同期及び線量−深さ
の調整は、5メカラドの線量に対しウェブWのライン速
度を約3.05メートル/分(10フィート/分)に調
整し、且つ円筒状電子銃発生量(ビーム発生器)2及び
2′の窓1及び1′を相互の対向面から約150の片よ
りで傾けるようにして行なった。このような状態のもと
で、第1図の「オープチマム」で示したものに近い線量
−深さの直線的プロフィルが得られ、且つそれは少なく
とも約10パルスのオーバラツプを行なったことにより
、システムの信頼性が非常に高かったとはいえ、無消毒
を結果する火花間隙の誤放電又はパルス欠除がまれに起
ることさえも避けた。1例として、耐放射線性胞子のB
−pmmj船が効果的に殺された(DIOの値が250
キロラド、即ち20クogの処理)。
ェブWのライン速度と反復パルスの同期及び線量−深さ
の調整は、5メカラドの線量に対しウェブWのライン速
度を約3.05メートル/分(10フィート/分)に調
整し、且つ円筒状電子銃発生量(ビーム発生器)2及び
2′の窓1及び1′を相互の対向面から約150の片よ
りで傾けるようにして行なった。このような状態のもと
で、第1図の「オープチマム」で示したものに近い線量
−深さの直線的プロフィルが得られ、且つそれは少なく
とも約10パルスのオーバラツプを行なったことにより
、システムの信頼性が非常に高かったとはいえ、無消毒
を結果する火花間隙の誤放電又はパルス欠除がまれに起
ることさえも避けた。1例として、耐放射線性胞子のB
−pmmj船が効果的に殺された(DIOの値が250
キロラド、即ち20クogの処理)。
200土50k〉の電圧パルス範囲で、80±2仇s程
度のパルス幅(前記と同じ測定による)をもち、且つ毎
秒20土10の反復周波数のパルスが本発明の或る消毒
目的に対して最も有益であることが発見された。
度のパルス幅(前記と同じ測定による)をもち、且つ毎
秒20土10の反復周波数のパルスが本発明の或る消毒
目的に対して最も有益であることが発見された。
もっと高いライン速度で(毎秒約25肌のゥヱブ速度)
送られる製品を含むユニットは毎秒100パルス程度の
反復周波数で操作できる。既に述べたように50ないし
450keV程度の低ェネルギ電子は本発明の目的に対
して有益であり100なし、し500kV程度の放電パ
ルスによって発生し、且つ最大値の半分で50ないし1
5仇Sのパルス幅と、毎秒20なし、し100パルス程
度の反復周波数を有する。以上本発明を冷陰極ビームに
よる消毒への重要な用途に関して記載したが、本発明の
特性は同様な利益を望む他の用途に使用してもよく、且
つ回路及び構造の細部の新規な点も所望の場所に使用可
能であり、更に当業者間で起る変形は本発明の精神及び
特許請求の範囲に包含されるものとみなされる。
送られる製品を含むユニットは毎秒100パルス程度の
反復周波数で操作できる。既に述べたように50ないし
450keV程度の低ェネルギ電子は本発明の目的に対
して有益であり100なし、し500kV程度の放電パ
ルスによって発生し、且つ最大値の半分で50ないし1
5仇Sのパルス幅と、毎秒20なし、し100パルス程
度の反復周波数を有する。以上本発明を冷陰極ビームに
よる消毒への重要な用途に関して記載したが、本発明の
特性は同様な利益を望む他の用途に使用してもよく、且
つ回路及び構造の細部の新規な点も所望の場所に使用可
能であり、更に当業者間で起る変形は本発明の精神及び
特許請求の範囲に包含されるものとみなされる。
第1図は本発明によって得た線量−深さのプロフィル特
性と従来の特性とを比較したグラフである、第2図は本
発明の基本となるプロセスを使用した実施例による装置
構造の側面図である、第3図は第2図の下方右側部分を
拡大して、且つ部分的に縦断面として、冷陰極電子ビー
ム発生器の細部を示す図である、第4図は第3図のビー
ム発生器を駆動するための好ましいマークス型パルス発
生器の回路の概略図である、第5図は第2図のマークス
型パルス発生器の上部及び第4図の回路形式の蓄電器火
花間隙の拡大縦断面である、第6図は第5図の線6−6
に沿って矢印方向に見た横断面である。 1,1′・・・・・・窓陽極、6・・・・・・冷陰極、
W・・・・・・製品、第4図右半分・・・・・・パルス
発生段階、第1図のP・・・・・・特性曲線の1/2頚
城。 fiG.1 FiG.Z rIG.3 ‘・10.4 riG.S FIG.6
性と従来の特性とを比較したグラフである、第2図は本
発明の基本となるプロセスを使用した実施例による装置
構造の側面図である、第3図は第2図の下方右側部分を
拡大して、且つ部分的に縦断面として、冷陰極電子ビー
ム発生器の細部を示す図である、第4図は第3図のビー
ム発生器を駆動するための好ましいマークス型パルス発
生器の回路の概略図である、第5図は第2図のマークス
型パルス発生器の上部及び第4図の回路形式の蓄電器火
花間隙の拡大縦断面である、第6図は第5図の線6−6
に沿って矢印方向に見た横断面である。 1,1′・・・・・・窓陽極、6・・・・・・冷陰極、
W・・・・・・製品、第4図右半分・・・・・・パルス
発生段階、第1図のP・・・・・・特性曲線の1/2頚
城。 fiG.1 FiG.Z rIG.3 ‘・10.4 riG.S FIG.6
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 放電パルスを反復して発生すること;電子が通過す
る窓陽極に向け且つそれを通して冷陰極から電子ビーム
インパルスを引出すように反復して前記パルスを与える
こと;電子ビームで照射すべき製品がそれに沿つて通過
する領域の1部に隣接して窓陽極を配置すること;冷陰
極−窓陽極によつて表われるインピーダンスをパルス発
生段によつて表わされるインピーダンスに調整して特性
曲線の1/2線量領域に近い領域での比較的低い勾配の
実質的に直線状の電子ビーム線量対浸透深さの特性曲線
をつくり、それにより前記領域に沿つて通過する製品の
実質的に均一な照射を確保するために、あり得る電圧変
化に対する電子ビームインパルスの感度をパルス発生段
階で減少させること;とからなる生産ラインでの消毒及
び類似目的のための冷陰極電子ビーム照射方法。 2 縦方向に延長した冷陰極から周期的直線性ビームと
して電子ビームインパルスが引出される、特許請求の範
囲第1項記載の方法。 3 前記電気放電パルスは実質的に同時に与えられ、第
1に掲げた窓陽極に隣接して配置した第2電子通過窓陽
極に向けてそれを通して、第1に掲げた窓陽極と第2窓
陽極に現われるビーム間の干渉を防ぐために第1に掲げ
た部分に隣接した前記領域の異なる部分の方に向けて第
2冷陰極から第2セツトの電子ビームインパルスを引出
す、特許請求の範囲第2項記載の方法。 4 第1に掲げた窓陽極と第2窓陽極を通してそれぞれ
電子ビームを照射する前記領域の部分と部分が部分的に
オーバラツプした、特許請求の範囲第3項記載の方法。 5 照射すべき製品が前記領域を通過する速度に対して
前記反復周波数を調整して、放電パルスの相次ぐ発生中
の静電的誤動作の影響を防ぐように充分な数のオーバラ
ツプした電子ビームインパルスを得るようにした、特許
請求の範囲第4項記載の方法。6 少なくとも約10の
オーバラツプした電子ビームインパルスが得られる特許
請求の範囲第5項記載の方法。 7 前記放電パルスの発生がマークス型多数放電間隙列
によつて行なわれ、前記列のトリガ作用が列の第2間隙
によつて起こる、特許請求の範囲第1項記載の方法。8
放電間隙列に沿つて、列を囲んで順次増大する導電表
面によつてシールドを施した特許請求の範囲第7項記載
の方法。 9 発生した放電パルスが100ないし500kvの、
最大値の1/2で50ないし150nsのパルス幅の、
毎秒20ないし100パルス程度の反復周波数のもので
ある、特許請求の範囲第1項記載の方法。 10 放電式反復パルス発生装置と、 冷陰極、及び、窓陽極に向け且つそれを通して冷陰極
から電子ビームインパルスを反復して引出すようパルス
発生装置に接続した電子通過式窓陽極を含む電子銃と、
電子ビームで照射すべき製品が沿つて通過する領域の
部分に隣接して窓陽極を配置するための装置と、及び
前記パルス発生装置及び電子銃の相対的インピーダンス
を調整して電子ビーム線量浸透深さの実質的直線形特性
曲線をつくる装置との組合せからなる、消毒及び類似目
的のための冷陰極電子ビーム照射装置。 11 製品の表面処理が前記窓陽極から最も離れて起つ
て前記特性曲線の1/2線量の領域付近にあるように、
パルス発生装置のパルス反復周波数を記製品に対して調
整する反復周波数調整装置を備えた、特許請求の範囲第
10項記載の装置。 12 前記パルス発生装置に結合されてその窓陽極を通
して第2セツトの電子ビームインパルスを実質的同時に
現わす第1のそれと同様な第2電子銃を備え、第1に掲
げた窓陽極に隣接して、但し第1に掲げた窓陽極と第2
窓陽極に現われるビーム間の干渉を防ぐために第1に掲
げた部分に近い前記領域の異なる部分の方に向けた第2
電子銃の窓陽極を配置する装置を備えた、特許請求の範
囲第11項記載の装置。 13 第1に掲げた窓陽極と第2窓陽極を通して反復し
て電子ビームを照射する前記領域の部分と部分が部分的
にオーバラツプした、特許請求の範囲第12項記載の装
置。 14 照射すべき製品の前記領域通過速度に関連して反
復周波数を発生するように前記反復周波数調整装置をセ
ツトして、相次ぐ放電パルスの発生中の静電的誤動作の
影響を防ぐように充分な数のオーバラツプ電子ビームイ
ンパルスを備えた、特許請求の範囲第10項記載の装置
。 15 前記反復周波数が少なくとも約10のオーバラツ
プ電子ビームインパルスに対してセツトされた、特許請
求の範囲第14項記載の装置。 16 前記放電反復パルス発生装置が、対応する蓄電器
の交互配列した同一広がりの列と結合した放電間隙の重
なつた列を有するマークス型発生装置を含み、それの最
後放電が前記電子銃の冷陰極と窓陽極の間に与えられた
、特許請求の範囲第10項記載の装置。 17 線路電流で動作しまた蓄電器と接続され、線路電
流に接続した整流装置、ACの高電圧出力をつくり出す
ために整流装置に接続した高周波インバータ、及び前記
出力を受けるように接続した電圧倍増回路を包含した充
電回路を備えた、特許請求の範囲第16項記載の装置。 18 前記電圧倍増回路が注入蓄電器とバンク電蓄器を
含み、前者の蓄電器はバンク蓄電器の容量に比し小さい
容量のものであり、また後者の蓄電器は前記蓄電器列の
蓄電器として働く、特許請求の範囲第17項記載の装置
。19 前記パルス発生装置が更に反復トリガパルスを
発生する装置を含み、且つ第2の放電間隙と関連しまた
トリガパルス発生装置に接続されたトリガ電極を備えた
、特許請求の範囲第16項記載の装置。 20 放電間隙及び蓄電器の前記列を取巻き且つ前記列
に沿つて連続増加するテーパつき導電シールド装置を備
えた、特許請求の範囲第16項記載の装置。 21 放電間隙及び対応した蓄電器の列が与圧されたハ
ウジング内に配置され、また前記電子銃が排気された、
特許請求の範囲第16項記載の装置。 22 前記冷陰極が実質的に直線状の細長い陰極片を含
む、特許請求の範囲第16項記載の装置。 23 前記放電間隙列が実質的に平行な離間して重なつ
た軸方向の1対のレールを含む、特許請求の範囲第16
項記載の装置。 24 与圧したハウジングと排気した電子銃の間の密封
用として高圧絶縁ブツシングを備え、このブツシングも
パルス発生装置と前記電子銃の冷陰極間の電気結合を支
持した、特許請求の範囲第21項記載の装置。 25 対応した蓄電器の互い違いの同一広がりの列と結
合した放電間隙の重なつた列を有し且つ与圧した容器内
に配置された電気的にトリガされる反復パルス発生装置
と、電子通過用窓を備えた排気した電気銃と、パルス発
生装置を電子銃に電気接続してそこからパルス発生装置
によつて発生したパルスに応じて窓に現われる電子ビー
ムを引出す装置と、及び 前記与圧された容器を前記排
気された電子銃から隔て且つ前記電気接続を支持する高
圧絶縁装置、との組合せからなる、消毒及び類似目的の
ための冷陰極電子ビーム照射装置。 26 対応する蓄電器の互い違いの同一広がりの列と結
合した放電間隙の重なつた列を有するマークス型発生装
置及び前記第1放電間隙以外を初めにトリガしてパルス
の発生を起こす装置を含む放電反復パルス発生装置と、
軸方向に延長する電子通過窓を備えた縦方向に延長した
電子銃と、 パルス発生装置を電子銃に電気接続してそ
こからパルス発生装置によつて発生したパルスに応じて
窓に現われる縦方向のストリツプ状電子ビームを引出す
ための装置とを組合せてなる、消毒及び類似目的のため
の冷陰極電子ビーム照射装置。 27 放電間隙と蓄電器の前記列を取巻き且つ前記列に
沿つて連続的に増大するテーパを施した導電シールドを
備えた、特許請求の範囲第26項記載の装置。 28 放電間隙及び対応蓄電器列が与圧されたハウジン
グ内に配置され、且つ前記電子銃が排気された、特許請
求の範囲第26項記載の装置。 29 線路電流に接続された整流装置、ACの高電圧出
力をつくるため整流装置に接続された高周波インバータ
、及び前記出力を受けるように接続された倍電圧回路を
包含し、線路電流で動作し且つ蓄電器と接続された充電
回路を備えた、特許請求の範囲第26項記載の装置。 30 前記倍電圧回路が注入蓄電器とバンク蓄電器を含
み、前者の蓄電器がバンク蓄電器の容量に比べて小さい
容量のものであり、且つ後者の蓄電器が前記蓄電器列の
蓄電器として働く、特許請求の範囲第26項記載の装置
。 31 前記パルス発生装置が更に反復トリガパルスを発
生する装置を含み、また第2放電間隙と関連と且つトリ
ガ用パルス発生装置に接続されたトリガ電極を備えた、
特許請求の範囲第26項記載の装置。 32 前記放電間隙列が実質的に平行な離間して重なつ
た軸方向の1対のレールを含む、特許請求の範囲第26
項記載の装置。 33 前記電子銃が、それぞれのその窓を前記窓によつ
て引かれて照射すべき製品の異なる部分に向けて配置さ
れた1対の電子銃を含む、特許請求の範囲第26項記載
の装置。 34 前記1対の電子銃が、それぞれのその窓に現われ
るビームが部分的にオーバラツプするように調整された
、特許請求の範囲第33項記載の装置。 35 前記ビームが全体的に前記照射すべき製品の両面
に向けられた、特許請求の範囲第33項記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/957,483 US4305000A (en) | 1978-11-03 | 1978-11-03 | Process of and apparatus for cold-cathode electron-beam generation for sterilization of surfaces and similar applications |
US957483 | 1978-11-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55120872A JPS55120872A (en) | 1980-09-17 |
JPS6019618B2 true JPS6019618B2 (ja) | 1985-05-17 |
Family
ID=25499627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54142703A Expired JPS6019618B2 (ja) | 1978-11-03 | 1979-11-02 | 消毒及び類似目的のための冷陰極電子ビ−ム照射方法及び装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4305000A (ja) |
EP (2) | EP0054016B1 (ja) |
JP (1) | JPS6019618B2 (ja) |
AU (1) | AU530337B2 (ja) |
CA (1) | CA1118180A (ja) |
DK (1) | DK464379A (ja) |
ES (2) | ES8100845A1 (ja) |
RU (1) | RU2052224C1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4382186A (en) * | 1981-01-12 | 1983-05-03 | Energy Sciences Inc. | Process and apparatus for converged fine line electron beam treatment of objects |
US4496881A (en) | 1982-09-29 | 1985-01-29 | Tetra Pak Developpement Sa | Method of cold cathode replenishment in electron beam apparatus and replenishable cold cathode assembly |
US4592799A (en) * | 1983-05-09 | 1986-06-03 | Sony Corporation | Method of recrystallizing a polycrystalline, amorphous or small grain material |
US4703256A (en) * | 1983-05-09 | 1987-10-27 | Sony Corporation | Faraday cups |
US4652763A (en) * | 1985-03-29 | 1987-03-24 | Energy Sciences, Inc. | Electron-beam irradiation sterilization process |
DE3627746A1 (de) * | 1986-08-16 | 1988-02-18 | Henkel Kgaa | Verfahren zur dauerhaften haarverformung |
US5096553A (en) * | 1986-09-11 | 1992-03-17 | Ionizing Energy Company Of Canada Limited | Treatment of raw animal hides and skins |
SE9202933D0 (sv) * | 1992-10-07 | 1992-10-07 | Tetra Alfa Holdings | Saett vid sterilisering av insidesskiktet hos ett foerpackningsmaterial |
SE9301428D0 (sv) * | 1993-04-28 | 1993-04-28 | Tetra Laval Holdings & Finance Sa | Elektronaccelerator foer sterilisering av foerpackningsmaterial i en aseptisk foerpackningsmaskin |
CA2126251A1 (en) | 1994-02-18 | 1995-08-19 | Ronald Sinclair Nohr | Process of enhanced chemical bonding by electron beam radiation |
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