JPS60193323A - 半導体気相成長装置 - Google Patents
半導体気相成長装置Info
- Publication number
- JPS60193323A JPS60193323A JP4983684A JP4983684A JPS60193323A JP S60193323 A JPS60193323 A JP S60193323A JP 4983684 A JP4983684 A JP 4983684A JP 4983684 A JP4983684 A JP 4983684A JP S60193323 A JPS60193323 A JP S60193323A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- tube
- inner tube
- gas
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体の気相成長装置に関し、特に鏡面性の極
めて優れた成長層な得る気相成長装置に係るものである
。
めて優れた成長層な得る気相成長装置に係るものである
。
半導体の気相成長は、各種デバイスの作成上極めて重要
なプロセスであり、成長層の品質に対する要求はますま
す高度になシつつある。その中で、成長表面が優れた鏡
面性を持っていることは最も基本的で重要なことは明ら
かである。従来の気相成長装置とその問題点について、
ハロゲン輸送法によるＧａＡｎの気相成長装置を例にと
って説明する。第１図は装置の基板設置台付近と、それ
より下流部分とを示す模式図である。主反応管１内の上
流側から送られた成長用ガス２が、基板３上で反応して
ＧａＡａ結晶が成長し、基板３を通過したガスは矢印５
の方向を流れて排気ロアよシ流出する。このとき、基板
設置台４の下流部分の反応管内壁には多量の反応副生成
物６が付着する。これらの副生成物６は、Ｇ３Ａ３結晶
成長反応により生じたガスあるいは未反応の成長用ガス
がよシ低温の下流領域で反応することによって生じたＧ
ＧＡｓ ｔＡ’４ ｅ ＧａＣ１Ｈなどよシなる。この
ような副生成物６が反応管内壁にあると、基板３の主反
応管１内ヘの出し入れの時、その付着物の中を通過する
ためにこれら付着物が落下したり、付着物から発生する
ガスで基板３が汚染され、成長層の表面状態を著るしく
悪くする。特に、成長前の基板設置時には、たとえ肉眼
では認められな−す程度の微少な付着物であっても、こ
れを核とする異常成長のために成長後の表面は非常に荒
れた面となることが多い。
なプロセスであり、成長層の品質に対する要求はますま
す高度になシつつある。その中で、成長表面が優れた鏡
面性を持っていることは最も基本的で重要なことは明ら
かである。従来の気相成長装置とその問題点について、
ハロゲン輸送法によるＧａＡｎの気相成長装置を例にと
って説明する。第１図は装置の基板設置台付近と、それ
より下流部分とを示す模式図である。主反応管１内の上
流側から送られた成長用ガス２が、基板３上で反応して
ＧａＡａ結晶が成長し、基板３を通過したガスは矢印５
の方向を流れて排気ロアよシ流出する。このとき、基板
設置台４の下流部分の反応管内壁には多量の反応副生成
物６が付着する。これらの副生成物６は、Ｇ３Ａ３結晶
成長反応により生じたガスあるいは未反応の成長用ガス
がよシ低温の下流領域で反応することによって生じたＧ
ＧＡｓ ｔＡ’４ ｅ ＧａＣ１Ｈなどよシなる。この
ような副生成物６が反応管内壁にあると、基板３の主反
応管１内ヘの出し入れの時、その付着物の中を通過する
ためにこれら付着物が落下したり、付着物から発生する
ガスで基板３が汚染され、成長層の表面状態を著るしく
悪くする。特に、成長前の基板設置時には、たとえ肉眼
では認められな−す程度の微少な付着物であっても、こ
れを核とする異常成長のために成長後の表面は非常に荒
れた面となることが多い。
この問題点を解決する方法として第２図のように、基板
設置領域より下流の部分を内外二重管構造とし、付着物
がすべて内管８の内部につくようにした構造がある。基
板３を設置する場合はこの内管８を取り除いた状態で行
ない、しかるのちに内管８を置き、逆に基板３を取り出
す場合には、まず付着物のついた内管８を先に主反応管
１外へ出すようにする。このようにすれば基板３は付着
物の中を通過することがないので先に述べた問題がなく
なり、良好な鏡面成長は可能となるが次のような新たな
問題点がある。すなわち第一に、成長のたびに内管を取
り出さなければならないので、操作が面倒である。この
ことは装置が大型の場合は特に重大な問題となる。第二
に、伺着物は先の−にも示したように、一般に、人体に
対し有害な物質であることが多く、成長のたびにこれを
外部にとり出すことは安全性の点からも問題がある。
設置領域より下流の部分を内外二重管構造とし、付着物
がすべて内管８の内部につくようにした構造がある。基
板３を設置する場合はこの内管８を取り除いた状態で行
ない、しかるのちに内管８を置き、逆に基板３を取り出
す場合には、まず付着物のついた内管８を先に主反応管
１外へ出すようにする。このようにすれば基板３は付着
物の中を通過することがないので先に述べた問題がなく
なり、良好な鏡面成長は可能となるが次のような新たな
問題点がある。すなわち第一に、成長のたびに内管を取
り出さなければならないので、操作が面倒である。この
ことは装置が大型の場合は特に重大な問題となる。第二
に、伺着物は先の−にも示したように、一般に、人体に
対し有害な物質であることが多く、成長のたびにこれを
外部にとり出すことは安全性の点からも問題がある。
本発明は上述の従来の装置における欠点を除去せしめて
操作性や作業者の安全性を全く損うことなく、管壁付着
物による影響をなくし、優れた鏡面成長が可能な半導体
気相成長装置を提供すること全目的とする。
操作性や作業者の安全性を全く損うことなく、管壁付着
物による影響をなくし、優れた鏡面成長が可能な半導体
気相成長装置を提供すること全目的とする。
本発明は半導体の気相成長装置において、基板設置領域
より下流の部分を少くとも内外二重管構造とし、基板の
みあるいは基板と基板設置台とを、内管の中を通して反
応管内へ出し入れ可能に挿入し、前記内管内および内外
管間に形成される隙間にそれぞれ気相成長中宮にパージ
用ガスを下流（ＩＩＩから上流側に向けて送り込む第１
の流路と、基板部分を通過した成長用ガスとともに前記
第１の流路の開口部で反転した前記パージ用ガスを受け
入れて反応管外へ排出させる第２の流路とを別個に設け
たことを特徴とする半導体気相成長装置である。 ・− 〔構成の詳細な説明〕 本発明は、上述の構成をとることによシ従来技術の問題
点を解決した。すなわち、基板部を通過したガスはすべ
て二重管構造の隙間を通して排出されるから、反応副生
成物はすべてこの隙間に付着する。一方、基板あるいは
基板と基板設置台はパージ用ガスによシ保護され、付着
物の全くない、内側の管の中を通して反応管内へ出し入
れされるから基板の付着物にもとづく汚染は発生しない
。
より下流の部分を少くとも内外二重管構造とし、基板の
みあるいは基板と基板設置台とを、内管の中を通して反
応管内へ出し入れ可能に挿入し、前記内管内および内外
管間に形成される隙間にそれぞれ気相成長中宮にパージ
用ガスを下流（ＩＩＩから上流側に向けて送り込む第１
の流路と、基板部分を通過した成長用ガスとともに前記
第１の流路の開口部で反転した前記パージ用ガスを受け
入れて反応管外へ排出させる第２の流路とを別個に設け
たことを特徴とする半導体気相成長装置である。 ・− 〔構成の詳細な説明〕 本発明は、上述の構成をとることによシ従来技術の問題
点を解決した。すなわち、基板部を通過したガスはすべ
て二重管構造の隙間を通して排出されるから、反応副生
成物はすべてこの隙間に付着する。一方、基板あるいは
基板と基板設置台はパージ用ガスによシ保護され、付着
物の全くない、内側の管の中を通して反応管内へ出し入
れされるから基板の付着物にもとづく汚染は発生しない
。
さらにこの内側の管を成長ごとに取りはずす必要もない
から、操作性や、安全性の点は極めて高いものとなる。
から、操作性や、安全性の点は極めて高いものとなる。
以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する・ （実施例１） 第３図は本発明の第１の実施例を示すもので、第１図に
示したハロゲン輸送法によるＧａｐｇの気相成長装置に
本発明を適用したものである。基板 ・３は反応管１内
に出し入れ可能に挿入された基板設置台４上にのせられ
てお夛、成長用ガス２の反応によってＧａｐｓ結晶が基
板３の上に成長すＡ。
する・ （実施例１） 第３図は本発明の第１の実施例を示すもので、第１図に
示したハロゲン輸送法によるＧａｐｇの気相成長装置に
本発明を適用したものである。基板 ・３は反応管１内
に出し入れ可能に挿入された基板設置台４上にのせられ
てお夛、成長用ガス２の反応によってＧａｐｓ結晶が基
板３の上に成長すＡ。
基板部分を通過したガス５は下流へ向かって流れていく
が、この時、基板部分よシ下流の部分の反応管１内に内
管８を挿入して二重管構造とし、かつこの内管８内には
、下流側から送入したパージ用ガスの流路９とし、該ガ
スが上流に向けて常に流れるようにする。基板部分を通
過したガス５はパージ用ガスと合流し、外側の反応管１
と内管８との隙間に形成される流路１０を通して流れ、
排気ロアよシ流出する。したがって、付着物はこの隙間
に生じ、内管８の内部には付着物が全く生じない、なお
、第３図に示した基板設置台４には、内管８の内径よシ
やや小さな円板４αを設けている。
が、この時、基板部分よシ下流の部分の反応管１内に内
管８を挿入して二重管構造とし、かつこの内管８内には
、下流側から送入したパージ用ガスの流路９とし、該ガ
スが上流に向けて常に流れるようにする。基板部分を通
過したガス５はパージ用ガスと合流し、外側の反応管１
と内管８との隙間に形成される流路１０を通して流れ、
排気ロアよシ流出する。したがって、付着物はこの隙間
に生じ、内管８の内部には付着物が全く生じない、なお
、第３図に示した基板設置台４には、内管８の内径よシ
やや小さな円板４αを設けている。
この円板拓は内管８の内部で、上流側の端の部分に周ｉ
ＩＣ隙間を残して配置するもので、これは小量のパージ
用ガス９で、基板部を通過したガス５の一部が内管８の
内部に侵入するのを防止するだめのものである。
ＩＣ隙間を残して配置するもので、これは小量のパージ
用ガス９で、基板部を通過したガス５の一部が内管８の
内部に侵入するのを防止するだめのものである。
（実施例２）
第４図は本発明の第２の実施例を示す図である。
本実施例は縦型の気相成長装置に適用した例である。本
実施例においては反応管１の内壁へ直接付着物がつくの
を防止するために、基板領域より下流の部分を三重管構
造としている。すなわち、本発明を構成する基本要素で
ある内管８の役割は実施例１の場合と全く同様であるが
、この内管８と主反応管１との間に、さらに反応管への
付着物防止用の中管１１を設けたものである。
実施例においては反応管１の内壁へ直接付着物がつくの
を防止するために、基板領域より下流の部分を三重管構
造としている。すなわち、本発明を構成する基本要素で
ある内管８の役割は実施例１の場合と全く同様であるが
、この内管８と主反応管１との間に、さらに反応管への
付着物防止用の中管１１を設けたものである。
本実施例では反応管と中管１１との隙間に形成される流
路１２にさらにパージ用ガスを流してこれを中管１１と
内管８との間を通し、排気ロアより外部へ流出させる。
路１２にさらにパージ用ガスを流してこれを中管１１と
内管８との間を通し、排気ロアより外部へ流出させる。
以上のように本発明の装置によれば、基板を出し入れす
る通路となる部分には全く付着物が生ぜず、このため基
板の表面が落下した付着物や、付着物から発生するガス
などで汚染されることがなくなシ、常に優れた鏡面成長
が可能となる。また、成長ごとに内側の管を取シはずす
必要がないため、操作性、安全性を向上できる効果を有
するものである。
る通路となる部分には全く付着物が生ぜず、このため基
板の表面が落下した付着物や、付着物から発生するガス
などで汚染されることがなくなシ、常に優れた鏡面成長
が可能となる。また、成長ごとに内側の管を取シはずす
必要がないため、操作性、安全性を向上できる効果を有
するものである。
第１図、第２図は従来の気相成長装置の基板部分より下
流部分の反応管断面模式図、第３図、第４図はそれぞれ
本発明の第１および第２の実施例を示す断面模式層であ
る。 図において、１は反応管、２は上流からの成長用ガス、
３は基板、４は基板設置台、５は基板部分を通過したガ
スの流れ、６は反応副生成物、７は排気口、８は内管、
９はパージ用ガス流路、１０は基板部分を通過しパージ
用ガスと合流したガスの流路、１１は反応管と内管の間
に設けられた反応管への付着物防止用中管、１２はパー
ジ用ガス流路である。
流部分の反応管断面模式図、第３図、第４図はそれぞれ
本発明の第１および第２の実施例を示す断面模式層であ
る。 図において、１は反応管、２は上流からの成長用ガス、
３は基板、４は基板設置台、５は基板部分を通過したガ
スの流れ、６は反応副生成物、７は排気口、８は内管、
９はパージ用ガス流路、１０は基板部分を通過しパージ
用ガスと合流したガスの流路、１１は反応管と内管の間
に設けられた反応管への付着物防止用中管、１２はパー
ジ用ガス流路である。
Claims (1)
- （１）半導体の気相成長装置において、基板設置領域よ
シ下流の部分を少くとも内外二重管構造とし、基板のみ
あるいは基板と基板設置台とを、内管の中を通して反応
管内へ出し入れ可能に挿入し、前記内管内および内外管
間に形成される隙間にそれぞれ気相成長中宮にパージ用
ガスを下流側から上流側に向けて送シ込む第１の流路と
、基板部分を通過した成長用ガスとともに前記第１０流
路の開口部で反転した前記パージ用ガスを受け入れて反
応管外へ排出させる第２の流路とを別個に設けたことを
特徴とする半導体気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4983684A JPS60193323A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4983684A JPS60193323A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60193323A true JPS60193323A (ja) | 1985-10-01 |
Family
ID=12842164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4983684A Pending JPS60193323A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60193323A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121734U (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-31 | ||
| JPS62293610A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体薄膜気相成長装置 |
| JPS63151016A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Toshiba Corp | 横型気相成長装置 |
| JPH0281033U (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-22 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5263669A (en) * | 1975-11-20 | 1977-05-26 | Sony Corp | Device for production of semiconductors |
| JPS57162326A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-06 | Fujitsu Ltd | Vapor phase growing device |
-
1984
- 1984-03-15 JP JP4983684A patent/JPS60193323A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5263669A (en) * | 1975-11-20 | 1977-05-26 | Sony Corp | Device for production of semiconductors |
| JPS57162326A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-06 | Fujitsu Ltd | Vapor phase growing device |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121734U (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-31 | ||
| JPH0539624Y2 (ja) * | 1985-01-18 | 1993-10-07 | ||
| JPS62293610A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体薄膜気相成長装置 |
| JPS63151016A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Toshiba Corp | 横型気相成長装置 |
| JPH0556854B2 (ja) * | 1986-12-16 | 1993-08-20 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPH0281033U (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5207836A (en) | Cleaning process for removal of deposits from the susceptor of a chemical vapor deposition apparatus | |
| EP0537854B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device whereby a layer of material is deposited on the surface of a semiconductor wafer from a process gas | |
| EP0254651A1 (en) | Method and apparatus for chemical vapor deposition | |
| US20050250347A1 (en) | Method and apparatus for maintaining by-product volatility in deposition process | |
| JPH06295872A (ja) | 孔付きポンピングプレートを用いる堆積装置 | |
| US6187101B1 (en) | Substrate processing device | |
| CN1157496C (zh) | 气体分配系统 | |
| KR20140138289A (ko) | 트랩 장치 및 성막 장치 | |
| US6572924B1 (en) | Exhaust system for vapor deposition reactor and method of using the same | |
| JPH07111244A (ja) | 気相結晶成長装置 | |
| JPS60193323A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JP2005277302A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3112520B2 (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| JP2008114139A (ja) | 排ガス浄化システム、半導体製造装置、化合物半導体結晶の気相成長方法、および化合物半導体結晶 | |
| JP3609329B2 (ja) | 窒化膜形成方法 | |
| US20040112290A1 (en) | Apparatus for forming film in semiconductor process and method for feeding gas into the same apparatus | |
| JP4913947B2 (ja) | 保護ガスシールド装置 | |
| JPH01318231A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| KR950006969B1 (ko) | 반도체 제조용 튜브장치 | |
| JPH04163912A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0424921A (ja) | 気相成長法による薄膜の形成方法 | |
| JP2019009303A (ja) | 処理システム及び処理方法 | |
| JP2005072314A (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
| JPH1167668A (ja) | エピタキシャルウェハの製造方法およびその製造装置 | |
| TWI386513B (zh) | 於沉積製程中維持副產物揮發性之方法及裝置 |