JPS60186844A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS60186844A JPS60186844A JP59041328A JP4132884A JPS60186844A JP S60186844 A JPS60186844 A JP S60186844A JP 59041328 A JP59041328 A JP 59041328A JP 4132884 A JP4132884 A JP 4132884A JP S60186844 A JPS60186844 A JP S60186844A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- alignment
- wafers
- mask
- detected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本冗明は、ステップアントリピー1・方式によるウニ・
・結党装置^″、に関するものである。
・結党装置^″、に関するものである。
昨今のLSI製造技術の進歩は目ざましく、回路パター
ンは高集積化のために微iMIIになる一方である。こ
のだめ回路パターンを露光する装置d、も改良され、ス
テップアンドリピート式の投影型露光装置が主流を占め
るようになってきた。この露光装置は次の様な利点を持
っている。
ンは高集積化のために微iMIIになる一方である。こ
のだめ回路パターンを露光する装置d、も改良され、ス
テップアンドリピート式の投影型露光装置が主流を占め
るようになってきた。この露光装置は次の様な利点を持
っている。
(1) ステップ露光により縮小結像系がお容され、よ
り解像力の高い投影系が設旧し易い。
り解像力の高い投影系が設旧し易い。
(2)投影系がAli小系になるとその分マスク側の塵
埃による回路パターンへの影響が少なくなる。
埃による回路パターンへの影響が少なくなる。
(3) ウェハの部分をステップアンドリピートして露
光してゆくウェハの歪をその部分子jjに補正する事が
可能になる等である。
光してゆくウェハの歪をその部分子jjに補正する事が
可能になる等である。
このステップアンドリピート方式の露光装置は、マスク
とウェハの位置合わせの方式によってOFF・AXIS
方式と’f’ T L方式に大別される。OF’li”
−AXIS方式はあらかじめウエノ・位置検出機構を用
いて投影系との相対位置を検出しておき、その位置情報
に基づいてウェハ位置決めを行なう方法である。
とウェハの位置合わせの方式によってOFF・AXIS
方式と’f’ T L方式に大別される。OF’li”
−AXIS方式はあらかじめウエノ・位置検出機構を用
いて投影系との相対位置を検出しておき、その位置情報
に基づいてウェハ位置決めを行なう方法である。
これによって位II((合わせされた後は、ウェハーは
ノ91定のステップ、1−、+たけ位置移動するだけで
あり、改めて位置合わせをしない。ステップ昂はレーザ
ー干渉占1によって6111定するので高精度であるが
、製】θプロセスで発生ずるウェハーのあるいは別の露
光I1.′jに他の露光装置6を併用した場合の露光装
置間の71も性のバラツギの影響を受け、ステップ鼠と
ウェハのパターンとが対応せず、正確な位置合わ欧がで
きないという欠点かある。
ノ91定のステップ、1−、+たけ位置移動するだけで
あり、改めて位置合わせをしない。ステップ昂はレーザ
ー干渉占1によって6111定するので高精度であるが
、製】θプロセスで発生ずるウェハーのあるいは別の露
光I1.′jに他の露光装置6を併用した場合の露光装
置間の71も性のバラツギの影響を受け、ステップ鼠と
ウェハのパターンとが対応せず、正確な位置合わ欧がで
きないという欠点かある。
一方のTTL方式はマスクとウェハのアライメントマー
クの・116合状態を投影系を介して観測し、位1iJ
+r1わせを1jなう方法である。この方法によれば前
記0FF−AXIS 方式の欠点に、克服出来るが、ス
テソゲ毎に位置合わせを要するので、時間当りの処理;
(iが少なくなる欠点がある。
クの・116合状態を投影系を介して観測し、位1iJ
+r1わせを1jなう方法である。この方法によれば前
記0FF−AXIS 方式の欠点に、克服出来るが、ス
テソゲ毎に位置合わせを要するので、時間当りの処理;
(iが少なくなる欠点がある。
そこで現在では、0FF−AXIS方式を混用し、力い
の欠点を補う方式の露光装置が開発されるようになって
いる。しかし、0FF−AXIS、TTL混用方式のス
テップアントリピー1・式露光装置においても、次の欠
点からは免れていない。
の欠点を補う方式の露光装置が開発されるようになって
いる。しかし、0FF−AXIS、TTL混用方式のス
テップアントリピー1・式露光装置においても、次の欠
点からは免れていない。
(1) この方式では一定のステップ数毎にTTL系で
位置合わせを行なうものであるから、TTL式の位置合
わせを行なうステップでウェハ上のアライメントマーク
に欠陥があると、そのステップでの位置合わせの精度に
支障を来たすだけではなく、次のT T L式の位置合
わせを行なうステップまでの間のステップでの位置合わ
せの精度も劣化する。
位置合わせを行なうものであるから、TTL式の位置合
わせを行なうステップでウェハ上のアライメントマーク
に欠陥があると、そのステップでの位置合わせの精度に
支障を来たすだけではなく、次のT T L式の位置合
わせを行なうステップまでの間のステップでの位置合わ
せの精度も劣化する。
(2)時間当りの処J!1目、;を多くする意味でTT
L式の位置合わせを(−tなうステップを少なくすると
、0FF−AX、IS方式と同様にLSI製造プロセス
で発生するウエノ・の歪、他の露光装置を併用した場合
の露光装置の特1/J4のバラツキにより位置合わせ精
度が劣化する。
L式の位置合わせを(−tなうステップを少なくすると
、0FF−AX、IS方式と同様にLSI製造プロセス
で発生するウエノ・の歪、他の露光装置を併用した場合
の露光装置の特1/J4のバラツキにより位置合わせ精
度が劣化する。
(3)経年および温度等の影響により0FF−AXIS
式のウェハ位置検出機41jと投影系との相対的位置に
変化が生じている場合において、0FF−AXIS式の
ウェハ位置決めを行なってから、TTL式の位置合わせ
を行なうステップ捷で位置合わせを行なわないステップ
があると、0FF−AXIS式のウェハ位置検出機構と
投影系との相対的位置の変化があるとTTL式の位置合
わせを行なうステップまでの間のステップでの位置合わ
せ精度が劣化する。
式のウェハ位置検出機41jと投影系との相対的位置に
変化が生じている場合において、0FF−AXIS式の
ウェハ位置決めを行なってから、TTL式の位置合わせ
を行なうステップ捷で位置合わせを行なわないステップ
があると、0FF−AXIS式のウェハ位置検出機構と
投影系との相対的位置の変化があるとTTL式の位置合
わせを行なうステップまでの間のステップでの位置合わ
せ精度が劣化する。
(4)位置合わせ精度を上げる。を味で、T’l’L式
の位置合わせを行なうステップを増しても、ウェハに歪
がある場合、位置合わせに時間を要し、時間当りの処理
路、が少なくなる。
の位置合わせを行なうステップを増しても、ウェハに歪
がある場合、位置合わせに時間を要し、時間当りの処理
路、が少なくなる。
(5) ステージの移動に固有のクセがある場合、前記
(2)のウェハに歪がある場合と同様に位置合わせ精度
が劣化する。
(2)のウェハに歪がある場合と同様に位置合わせ精度
が劣化する。
本発明は上記の点、特に(3)項の点に鑑み提案された
ものであり、予めウェハ位置検出機構と露光位INとの
間隔変化等による位置ズレ−を検出し、この量を考慮し
て位置合わせを可能とする露光装置の提供を目的とする
。
ものであり、予めウェハ位置検出機構と露光位INとの
間隔変化等による位置ズレ−を検出し、この量を考慮し
て位置合わせを可能とする露光装置の提供を目的とする
。
次に本発明の実施例に係る露光装置を図面を参照しなが
ら説明する。第1図は、ウェハあるいはステージ同右の
クセ、歪を検出およびマスクとウェハの位置合わせに使
用されるアライメントマークであり、第1図(a)がマ
スクアライメントマーク■、第1図(b)がウェハアラ
イメントマーク2の上面図である。第2図t」、本発明
の実施例に係るマスク°ウェハアライメントマーク相対
位置ずれ検出機構片側の概略構成図である。レーザー光
源1゜から発せられるレーザー光tの光路に沿って順次
にコンデンサレンズIJ、光源を走査するだめのポリゴ
ン鏡12.f・θ特性レンズ13.ハーフミラー14.
対物レンズ15.前記アライメントマーク1を廂するマ
スク16.投影光学系J7.前記アライメントマーク2
を有するウェハ18が配列されている。レーザー光d、
マスク16およびウェハ18によつ−C反射され、その
反射光はハーフミラ−14,コンデンサレンズ19を介
して光′it変換累子20により受光される。光電変換
素子2゜の信号出力は所定の演謄=式により演藷、処理
回路21で演算された後、外部へ出力するようになって
いる。
ら説明する。第1図は、ウェハあるいはステージ同右の
クセ、歪を検出およびマスクとウェハの位置合わせに使
用されるアライメントマークであり、第1図(a)がマ
スクアライメントマーク■、第1図(b)がウェハアラ
イメントマーク2の上面図である。第2図t」、本発明
の実施例に係るマスク°ウェハアライメントマーク相対
位置ずれ検出機構片側の概略構成図である。レーザー光
源1゜から発せられるレーザー光tの光路に沿って順次
にコンデンサレンズIJ、光源を走査するだめのポリゴ
ン鏡12.f・θ特性レンズ13.ハーフミラー14.
対物レンズ15.前記アライメントマーク1を廂するマ
スク16.投影光学系J7.前記アライメントマーク2
を有するウェハ18が配列されている。レーザー光d、
マスク16およびウェハ18によつ−C反射され、その
反射光はハーフミラ−14,コンデンサレンズ19を介
して光′it変換累子20により受光される。光電変換
素子2゜の信号出力は所定の演謄=式により演藷、処理
回路21で演算された後、外部へ出力するようになって
いる。
第3図はアライメントマークの配置例を示す図であり、
(a)はマスク土のアライメントマークの配置を示す」
二面図、(b)はチップ周辺に設けられたつエバーアラ
イメントマークの配置を示す上面図である。
(a)はマスク土のアライメントマークの配置を示す」
二面図、(b)はチップ周辺に設けられたつエバーアラ
イメントマークの配置を示す上面図である。
次に実施例に係る露光装置の位置合わせ動作の概略につ
いて説明する。
いて説明する。
レーザー光源10から発せらノ′シたレーザー光tは、
ポリゴン鏡12によって走査され、ノ・−7ミラー14
を通過後マスク16等に向かう。マスクJ6のアライメ
ントマークJとウエノ・−18のアライメントマーク1
とウエノ′−−18のアライメントマーク−2とは投影
光学系17を介してレーザー光tによって走査される。
ポリゴン鏡12によって走査され、ノ・−7ミラー14
を通過後マスク16等に向かう。マスクJ6のアライメ
ントマークJとウエノ・−18のアライメントマーク1
とウエノ′−−18のアライメントマーク−2とは投影
光学系17を介してレーザー光tによって走査される。
走査によって得られるマスク1(j、ウエノ・18の反
射光および散乱光は11うびハーフミラ−14に達し、
ここで一部は光電変換素子20の方向に反射される。第
:う図で示すアライメントマーク1および2は投影光学
系を介してみると第4図(a)のように配置されており
、従って光′電変換系子20で得られる信号は第4図(
b)で示すように時系列の信号ノシルスとなる。上側の
fij号列は第4図(a)の矢印Aで示すレーザー走査
。
射光および散乱光は11うびハーフミラ−14に達し、
ここで一部は光電変換素子20の方向に反射される。第
:う図で示すアライメントマーク1および2は投影光学
系を介してみると第4図(a)のように配置されており
、従って光′電変換系子20で得られる信号は第4図(
b)で示すように時系列の信号ノシルスとなる。上側の
fij号列は第4図(a)の矢印Aで示すレーザー走査
。
−FllllIの信号列は矢印13で示すレーザー走査
によるものである。
によるものである。
Wl、 1 、 Wl、2. =−Wn 4. Wn
5ハA/レス信号の間隔であり、この時間間隔を測定す
ることによりマスク16とウエノ・18の相対的な位1
イずれがめられる。即ち、第4図(a)のX方向のずれ
をΔX、Y方向のずれをΔY1回転方向のずれをΔθと
すると、+(Wl目−WR2) −(W+毫4−Wb5
)JΔY−責(−(Wl、 1−WL 2) −(WL
4−WL 5)+(W10−WI犬2) −(WR4
−W1口川用θ・二B−(Wb l−W I+ 2)
+ (VV’L 4−Wl、 5)+(W1ローW11
2) + (wn 4−w+t 5) jとなる。ここ
で式中のしは、第4図(a)に74eされた左右1対の
アライメントマーク間の1市肉1の16分である。
5ハA/レス信号の間隔であり、この時間間隔を測定す
ることによりマスク16とウエノ・18の相対的な位1
イずれがめられる。即ち、第4図(a)のX方向のずれ
をΔX、Y方向のずれをΔY1回転方向のずれをΔθと
すると、+(Wl目−WR2) −(W+毫4−Wb5
)JΔY−責(−(Wl、 1−WL 2) −(WL
4−WL 5)+(W10−WI犬2) −(WR4
−W1口川用θ・二B−(Wb l−W I+ 2)
+ (VV’L 4−Wl、 5)+(W1ローW11
2) + (wn 4−w+t 5) jとなる。ここ
で式中のしは、第4図(a)に74eされた左右1対の
アライメントマーク間の1市肉1の16分である。
以上のΔX、ΔY、Δθが演算処理回路21で演算され
る。
る。
第5図は、TTLアライメントを実施例するだめの演算
処理系、制御系および駆動系の装置をψmえた露光装置
の概略構成図であるO ] 6 (rJ’、前記アライメントマークJを有する
マスク、17は投影光学系18はアライメントマーク′
2を有するウェハ、 3 (+は第2図で示す10〜1
5゜19の光学系、光電変換素子20.演算処理回路2
1よりなるマスク・ウェハ相対信置ずれ検出機構である
○;う1はマスク16の駆動機構:32を制御する回路
であり、位置ずれ検出機構30から出力されるマスク・
ウェハの相対位置ずれ量の分だけマスク駆動機4iQ
:’p 2を駆動させる機能を持つ・;3;3は(j)
−置づれ(炙出機構:30から出力されるマスク・ウェ
ハの相対位置ずれ計を記憶する装置である0 この相対f!冒dずれ:6とは特定のショットのTTL
アライメント及び終了後、次のショットに移行したとき
のマスク・ウエノ・の相対位置ずれ)1のことをいう。
処理系、制御系および駆動系の装置をψmえた露光装置
の概略構成図であるO ] 6 (rJ’、前記アライメントマークJを有する
マスク、17は投影光学系18はアライメントマーク′
2を有するウェハ、 3 (+は第2図で示す10〜1
5゜19の光学系、光電変換素子20.演算処理回路2
1よりなるマスク・ウェハ相対信置ずれ検出機構である
○;う1はマスク16の駆動機構:32を制御する回路
であり、位置ずれ検出機構30から出力されるマスク・
ウェハの相対位置ずれ量の分だけマスク駆動機4iQ
:’p 2を駆動させる機能を持つ・;3;3は(j)
−置づれ(炙出機構:30から出力されるマスク・ウェ
ハの相対位置ずれ計を記憶する装置である0 この相対f!冒dずれ:6とは特定のショットのTTL
アライメント及び終了後、次のショットに移行したとき
のマスク・ウエノ・の相対位置ずれ)1のことをいう。
この41対位置ずれ搦こそが、ウエノ・の歪あるいは装
置%’、 4%性のバラツキ等によるものである。
置%’、 4%性のバラツキ等によるものである。
各ショット間の相対位置ずれ量は逐次記憶装置3:3に
記憶される。また、数枚のウエノ・についての相ダ・J
位置ずれ量も記憶される。34は演算処理回路であり、
各7ヨツト間の相対位置ずれ量を数枚のウェハについて
平均演算する機能を有する。35は相対位置ずれ量検出
機構30の出力または演算処理回路34の出力に基づい
てウェハ駆動ステージ36を駆動制御する回路である。
記憶される。また、数枚のウエノ・についての相ダ・J
位置ずれ量も記憶される。34は演算処理回路であり、
各7ヨツト間の相対位置ずれ量を数枚のウェハについて
平均演算する機能を有する。35は相対位置ずれ量検出
機構30の出力または演算処理回路34の出力に基づい
てウェハ駆動ステージ36を駆動制御する回路である。
すなわち最初の1枚または数枚のウェハについては位置
ずれ検出機構30の出力に従い各ショット毎にTTLア
ライメントを行ない、同一ロットの残りのウェハについ
ては既に行われたウェハの位置合わせ時にめた相対位置
ずれ畦、すなわち演算処理回路34の出力に従い各ンヨ
ット毎にアライメントを行なう。
ずれ検出機構30の出力に従い各ショット毎にTTLア
ライメントを行ない、同一ロットの残りのウェハについ
ては既に行われたウェハの位置合わせ時にめた相対位置
ずれ畦、すなわち演算処理回路34の出力に従い各ンヨ
ット毎にアライメントを行なう。
このように本機構を有する露光装置によれば、ウェハの
歪やその装置1り特有のクセがあつでも適正なアライメ
ントが0丁能であるとともに、アライメント時間が短縮
できる。
歪やその装置1り特有のクセがあつでも適正なアライメ
ントが0丁能であるとともに、アライメント時間が短縮
できる。
またT T Lアライメントマークに欠陥がありTTL
アライメントができないときも、位置合わせができる。
アライメントができないときも、位置合わせができる。
なお、残シのウェハのアライメントのいくつかのンヨノ
ト、例えば第17ヨノトおよびショツト数の多い列の中
央においてTTL−アライメントを行ない、ウェハ間の
歪のバラツキを考す、′d、シ/ζ処理をすることも勿
論1.IJ能である。
ト、例えば第17ヨノトおよびショツト数の多い列の中
央においてTTL−アライメントを行ない、ウェハ間の
歪のバラツキを考す、′d、シ/ζ処理をすることも勿
論1.IJ能である。
第Gl′:J、lはOFF’−AXIS方式を併用する
本発明の実施例に係る露光装置の概略構成図であり、図
において第5図と同じ番号は同じものを示している。
本発明の実施例に係る露光装置の概略構成図であり、図
において第5図と同じ番号は同じものを示している。
40はウェハ位置検出機構であり、ウェハ18を投影光
学系17の下の露光位置に運ぶ前にウェハの位置を予め
検出する。位置検出機構40と投影光学系17との相対
的位置関係は装置によって予め定められている。従って
ウェハ位置検出機構40によりウェハの位置を検出し、
この検出量と設定された相対的位置量係搦に基づいてウ
ェハを移動ずれは投影光系17において自動的に位置合
わせできるはずである。しかし、相対的位置量関係−ト
dは、装置が熱や外力によって伸縮するだめ経U:;変
化する。
学系17の下の露光位置に運ぶ前にウェハの位置を予め
検出する。位置検出機構40と投影光学系17との相対
的位置関係は装置によって予め定められている。従って
ウェハ位置検出機構40によりウェハの位置を検出し、
この検出量と設定された相対的位置量係搦に基づいてウ
ェハを移動ずれは投影光系17において自動的に位置合
わせできるはずである。しかし、相対的位置量関係−ト
dは、装置が熱や外力によって伸縮するだめ経U:;変
化する。
本発明の実施例によれば、最初のウエノ・もしくは初め
の数枚のウェハの最初のショツト時にTTL方式によっ
てアライメントをイ)なうとともに、そのときのもしく
は・1ノ均したマスク・ウエノ・の相対的位置ずれh;
を記憶装jlf33に記憶しておく。ステージ制御回路
;35はこの相対的位置ずれ量に基づいて位置検出機4
:’j 40から投影光学系への移動−h先を補正して
ステージ36を駆動ずれは、相対的位置関係h1の変動
とステージの移動性向は除去される。
の数枚のウェハの最初のショツト時にTTL方式によっ
てアライメントをイ)なうとともに、そのときのもしく
は・1ノ均したマスク・ウエノ・の相対的位置ずれh;
を記憶装jlf33に記憶しておく。ステージ制御回路
;35はこの相対的位置ずれ量に基づいて位置検出機4
:’j 40から投影光学系への移動−h先を補正して
ステージ36を駆動ずれは、相対的位置関係h1の変動
とステージの移動性向は除去される。
このように実施例によれば、装置等の歪等による相対的
位置関係jf、が補正されて適正かつ迅速なアライメン
トが可能となる。
位置関係jf、が補正されて適正かつ迅速なアライメン
トが可能となる。
以上説明したように本発明によれば多数のウェハ、特に
同一ロットのウェハ位14合わせ処理において、ウェハ
の1訃や位置検出機構と投影露光装置間の相対的(1’
l’、 f44ずれか生じても袖正によって適止な位置
合わぜが3り能であるとともに、記憶された補正量に、
!+(いて位置合わせを行なうので露光処Jj1時間の
大幅な君l縮を図ることができる。
同一ロットのウェハ位14合わせ処理において、ウェハ
の1訃や位置検出機構と投影露光装置間の相対的(1’
l’、 f44ずれか生じても袖正によって適止な位置
合わぜが3り能であるとともに、記憶された補正量に、
!+(いて位置合わせを行なうので露光処Jj1時間の
大幅な君l縮を図ることができる。
第1図はマスクとウエノ・の位置合わせに使用されるア
ライメン]・マークの上面図、第2図は本発明の実施例
に係るマスク・ウエノ・アライメントマークの相対位置
ずれ検出機構の概略構成図、第3図はマスクまたはウエ
ノ・」二のアライメントマークの配置図、第4図(a)
は投影光学系を介してみたアライメントマークの配置図
、第4図(b)は第4図(a)のアライメントマークを
レーザー走査したとき得られる信号図、第5図は本発明
の実施例に係る演算処理系、制御系および駆動系の装置
を備えだb”h光装置の概略(1ケ成図、第6図はO]
−” l!”・AX I S )j isとTTL方式
を91用する本発明の実施例に係るirK光装置の概略
構成図である。 1.2・・アライメントマーク 10 レーザー光源 11 コンデンサレンズ 】2・・ポリゴン鏡 j;う f・θレンズ 14・ハーフミラ− 16・・マスク 17・・投影光学系 20・・光電変換素子 21 、 :う 4 ・・・演檜処」11月1」1路3
0・マスク・ウエノ・相対位置ずれ検出イ・幾構32・
・・マスク駆動(幾構 33 ・・・ B己lea ;’f、了;35・・−ス
テージ駆動制御回路 36・ウェハステージ 40・ ウエノ・位if”l’検出機構。 q゛、デJ1出Il+11人 キャノン株式会社((1
) (b) 第1図 第2図 (G) (b) 第3図 第4図 第5図
ライメン]・マークの上面図、第2図は本発明の実施例
に係るマスク・ウエノ・アライメントマークの相対位置
ずれ検出機構の概略構成図、第3図はマスクまたはウエ
ノ・」二のアライメントマークの配置図、第4図(a)
は投影光学系を介してみたアライメントマークの配置図
、第4図(b)は第4図(a)のアライメントマークを
レーザー走査したとき得られる信号図、第5図は本発明
の実施例に係る演算処理系、制御系および駆動系の装置
を備えだb”h光装置の概略(1ケ成図、第6図はO]
−” l!”・AX I S )j isとTTL方式
を91用する本発明の実施例に係るirK光装置の概略
構成図である。 1.2・・アライメントマーク 10 レーザー光源 11 コンデンサレンズ 】2・・ポリゴン鏡 j;う f・θレンズ 14・ハーフミラ− 16・・マスク 17・・投影光学系 20・・光電変換素子 21 、 :う 4 ・・・演檜処」11月1」1路3
0・マスク・ウエノ・相対位置ずれ検出イ・幾構32・
・・マスク駆動(幾構 33 ・・・ B己lea ;’f、了;35・・−ス
テージ駆動制御回路 36・ウェハステージ 40・ ウエノ・位if”l’検出機構。 q゛、デJ1出Il+11人 キャノン株式会社((1
) (b) 第1図 第2図 (G) (b) 第3図 第4図 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 露光位置と異なる検出位置で予めウェハの位置を検出す
る検出手段と、 該ウェハを4光位置へ搬送し、位16設定する位1a設
定手段と、 露光位置の該ウェハとマスクとの相対面位16関係を検
出する第2検出手段と、 第2検出手段の検出18号を記憶する記憶手段と、同一
処理をイ〕う別のウェハを露光位置へ位置合わせする際
に前記記憶手段の出力に応じて前記位置設定する手段の
駆動を制御する制御手段を有する露光装jt 0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59041328A JPS60186844A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59041328A JPS60186844A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60186844A true JPS60186844A (ja) | 1985-09-24 |
Family
ID=12605448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59041328A Pending JPS60186844A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60186844A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5821023A (en) * | 1996-05-27 | 1998-10-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Developer of electrostatic latent image, carrier therefor, method for forming image and image forming apparatus thereby |
US5849448A (en) * | 1996-04-01 | 1998-12-15 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Carrier for developer of electrostatic latent image, method for making said carrier |
US6001527A (en) * | 1996-12-26 | 1999-12-14 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrostatic charge image developer, image formation method and image forming device |
US6242146B1 (en) | 1999-02-09 | 2001-06-05 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Carrier for electrostatic-charged image developer, developer and image forming process using the same, and carrier core material reproducing process |
US6500595B1 (en) | 1999-10-20 | 2002-12-31 | Ricoh Company, Ltd. | Carrier for electrophotographic developer, method for manufacturing the carrier, and coating liquid for the method |
US6866978B2 (en) | 2001-04-18 | 2005-03-15 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Toner for developing an electrostatic latent image, developer, developer unit, and method for forming an image |
EP2607956A1 (en) | 2011-12-19 | 2013-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd | Magnetic carrier, two-component developer, replenishing developer, and method of forming image |
-
1984
- 1984-03-06 JP JP59041328A patent/JPS60186844A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5849448A (en) * | 1996-04-01 | 1998-12-15 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Carrier for developer of electrostatic latent image, method for making said carrier |
US5821023A (en) * | 1996-05-27 | 1998-10-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Developer of electrostatic latent image, carrier therefor, method for forming image and image forming apparatus thereby |
US6001527A (en) * | 1996-12-26 | 1999-12-14 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrostatic charge image developer, image formation method and image forming device |
US6242146B1 (en) | 1999-02-09 | 2001-06-05 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Carrier for electrostatic-charged image developer, developer and image forming process using the same, and carrier core material reproducing process |
US6500595B1 (en) | 1999-10-20 | 2002-12-31 | Ricoh Company, Ltd. | Carrier for electrophotographic developer, method for manufacturing the carrier, and coating liquid for the method |
US6866978B2 (en) | 2001-04-18 | 2005-03-15 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Toner for developing an electrostatic latent image, developer, developer unit, and method for forming an image |
US6921617B2 (en) | 2001-04-18 | 2005-07-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Toner for developing an electrostatic latent image, developer, developer unit, and method for forming an image |
EP2607956A1 (en) | 2011-12-19 | 2013-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd | Magnetic carrier, two-component developer, replenishing developer, and method of forming image |
KR20130071371A (ko) | 2011-12-19 | 2013-06-28 | 삼성전자주식회사 | 자성 캐리어, 이성분계 현상제, 보급용 현상제 및 화상 형성 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5440138A (en) | Exposure method | |
JPH0244137B2 (ja) | ||
JPS61174717A (ja) | 位置合わせ装置 | |
JPH0864518A (ja) | 露光方法 | |
US6268902B1 (en) | Exposure apparatus, and manufacturing method for devices using same | |
JP2002196476A (ja) | 露光用マスクおよびこれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
JPS60186844A (ja) | 露光装置 | |
JP2001093813A (ja) | ステッパ式露光方法 | |
JPH051610B2 (ja) | ||
JP2962273B2 (ja) | 露光描画装置、露光描画方法及び露光描画処理プログラムを記録した記録媒体 | |
JPH0982610A (ja) | 露光方法及び装置 | |
JP3569962B2 (ja) | 位置合わせ装置及び位置合わせ方法、それを用いた露光装置及び露光方法 | |
JPH01194322A (ja) | 半導体焼付装置 | |
JPH08316122A (ja) | 露光方法 | |
JP2868548B2 (ja) | アライメント装置 | |
JPS59161815A (ja) | 投影露光装置 | |
JPH027511A (ja) | 露光装置 | |
JP2829649B2 (ja) | アライメント装置 | |
JP2785141B2 (ja) | アライメント装置 | |
JP3919689B2 (ja) | 露光方法、素子の製造方法および露光装置 | |
JP2000353899A (ja) | 電子部品の実装方法 | |
JP2003037038A (ja) | 投影露光方法 | |
JP2924635B2 (ja) | 半導体素子製造用レチクルおよび露光装置の製造誤差の補正方法 | |
JPS60186843A (ja) | 露光装置 | |
JPH0282510A (ja) | 位置合わせ方法 |