JPS60182651A - イオンマイクロアナライザ - Google Patents
イオンマイクロアナライザInfo
- Publication number
- JPS60182651A JPS60182651A JP59039004A JP3900484A JPS60182651A JP S60182651 A JPS60182651 A JP S60182651A JP 59039004 A JP59039004 A JP 59039004A JP 3900484 A JP3900484 A JP 3900484A JP S60182651 A JPS60182651 A JP S60182651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- primary
- ions
- ion
- ion source
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/252—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、−次イオンを試料に照射して、試料から放出
する二次イオンを分析するイオンマイクロアナライザに
関するものである。
する二次イオンを分析するイオンマイクロアナライザに
関するものである。
第１図は従来のイオンマイクロアナライザ（以下ＩＭＡ
と称する）の構成を示すもので、１′はデュオプラズマ
トロン型の一次イオン源、２は収束レンズ系、３は試料
、４は質量分析計を示している。そして、このＩＭＡに
おいて、−次イオン源１′で発生した一次イオン５は、
収束レンズ系２で所定のビーム径に絞られ、試料３に照
射される。この−次イオン５の照射によって試料３から
放出する二次イオン６を質量分析計４で分析することに
よって試料３の組成を知ることができる。
と称する）の構成を示すもので、１′はデュオプラズマ
トロン型の一次イオン源、２は収束レンズ系、３は試料
、４は質量分析計を示している。そして、このＩＭＡに
おいて、−次イオン源１′で発生した一次イオン５は、
収束レンズ系２で所定のビーム径に絞られ、試料３に照
射される。この−次イオン５の照射によって試料３から
放出する二次イオン６を質量分析計４で分析することに
よって試料３の組成を知ることができる。
この−次イオンｍ、１′の大きさは約０．１〜０．２
ｍφで、試料３のμオーダの範囲を分析することができ
る。
ｍφで、試料３のμオーダの範囲を分析することができ
る。
このように、ＩＭＡでは試料に一次イオン全照射してス
パッタされる二次イオンを検出しているが、試料中に含
まれる特定元素ｍの二次イオン量１、、は、・ Ｉｍ”ＩＩ ＆ ＋７ ”Ｋｚｍ ｌ Ｃｍ ・Ｓｒｓ
・・・（１）ここで、■１ ニー次イオン１を流 η ；装置の二次イオン収率 に、二元素ｍの二次イオン化率 Ｃ４二元素ｍの濃度 ８ｍ＝元素ｍのスパッタリング率 であるので、１１ｔ η、Ｃｍが一足の場合には、工、
は［ｔｎ、３ｍに依存する。このに−，８ｍはどちらも
元素特有の値を有し、Ｋｍの櫃が大きい程検出限界は低
くなる。
パッタされる二次イオンを検出しているが、試料中に含
まれる特定元素ｍの二次イオン量１、、は、・ Ｉｍ”ＩＩ ＆ ＋７ ”Ｋｚｍ ｌ Ｃｍ ・Ｓｒｓ
・・・（１）ここで、■１ ニー次イオン１を流 η ；装置の二次イオン収率 に、二元素ｍの二次イオン化率 Ｃ４二元素ｍの濃度 ８ｍ＝元素ｍのスパッタリング率 であるので、１１ｔ η、Ｃｍが一足の場合には、工、
は［ｔｎ、３ｍに依存する。このに−，８ｍはどちらも
元素特有の値を有し、Ｋｍの櫃が大きい程検出限界は低
くなる。
第２図は、種々の元素に１＆５ＫｅＶの０−一次イオン
を照射した時の正の二次イオンの相対二次イオン濃度強
藏比紮示すものである（Ｈ，Ａ。
を照射した時の正の二次イオンの相対二次イオン濃度強
藏比紮示すものである（Ｈ，Ａ。
Ｓｔｏｒｍｓ ｅｔ ａｌ Ａｎａｌ 、Ｃｈｅｍ、
２０２３．１９７７）。この図の横軸には原子着号、縦
軸には相対二次イオン強度比がとっであるが、この図か
ら、Ｍｇ、Ａｔ、Ｃａ、Ｔｉ、ＶＩ Ｏｒ、Ｒｕ、Ｉｎ
。
２０２３．１９７７）。この図の横軸には原子着号、縦
軸には相対二次イオン強度比がとっであるが、この図か
ら、Ｍｇ、Ａｔ、Ｃａ、Ｔｉ、ＶＩ Ｏｒ、Ｒｕ、Ｉｎ
。
ＢａなどはＩＭＡにおいて検出感度が高く、Ｃ１Ｎ＋
Ｓｒ Ａｓ、Ｓｅ、Ｃｄ、Ｔｅ、Ｐｔ、Ａｕ。
Ｓｒ Ａｓ、Ｓｅ、Ｃｄ、Ｔｅ、Ｐｔ、Ａｕ。
ＨｇなどはＩＭＡにおいて検出感度が低い元素であるこ
とがわかる。すなわち、この図の示すように、Ｏ−一次
イオンを用いる場合には、元素間の感度差は１０’〜１
０５桁もあり、分析結果からの定量を困難としているの
みならず、元素によっては検出感度が低くなるという欠
点を有している。
とがわかる。すなわち、この図の示すように、Ｏ−一次
イオンを用いる場合には、元素間の感度差は１０’〜１
０５桁もあり、分析結果からの定量を困難としているの
みならず、元素によっては検出感度が低くなるという欠
点を有している。
この問題を解決するために、ＣＳイオンガンを用いる方
法が提案されている。これはＣＳ １，１ザーバ中の金
属Ｃ５を一定温度に加熱し、蒸発したＣ８を高温に保っ
である多孔質Ｗを通過させイオン化したものを試料に照
射するので、これによってに、の値を大きくして検出感
度を上げている。
法が提案されている。これはＣＳ １，１ザーバ中の金
属Ｃ５を一定温度に加熱し、蒸発したＣ８を高温に保っ
である多孔質Ｗを通過させイオン化したものを試料に照
射するので、これによってに、の値を大きくして検出感
度を上げている。
しかし、このＣＳイオンガンはソースが、例えば約２ｍ
φの大きさ金有し、試料の照射範囲は数１０μに達する
ため、μ程度の微少部の分析を行なうことはできなかっ
た。従ってこれｔ元素間の感度差を少くしたＩＭＡとし
て使用することはできなかった。
φの大きさ金有し、試料の照射範囲は数１０μに達する
ため、μ程度の微少部の分析を行なうことはできなかっ
た。従ってこれｔ元素間の感度差を少くしたＩＭＡとし
て使用することはできなかった。
本発明は、これらの問題点を除去し、元素間の感度差を
少な、＜シたＩＭＡを提供可能とすることを目的とする
もので多る。
少な、＜シたＩＭＡを提供可能とすることを目的とする
もので多る。
本発明は、試料に一次イオン？照射して二次イオンｆス
パッターさせるデュオプラズマトロン型の第１の一次イ
オン源と、前記二次イオンの分析手段と、周期律表の第
ｌ属及び第■属に属する少なくとも１種の元系のイオン
ケ放出し、前記第１の一次イオン源からの一次イオンと
ともに前記試料の分析部に重畳照射してイオン化率を牧
舎する第２の一次イオン源とを有していることを特徴と
するものでるる。
パッターさせるデュオプラズマトロン型の第１の一次イ
オン源と、前記二次イオンの分析手段と、周期律表の第
ｌ属及び第■属に属する少なくとも１種の元系のイオン
ケ放出し、前記第１の一次イオン源からの一次イオンと
ともに前記試料の分析部に重畳照射してイオン化率を牧
舎する第２の一次イオン源とを有していることを特徴と
するものでるる。
本発明は第２図における元素間の感度差が４〜５悄ある
のは、前述の如くイオン化率に、とスパッタリング率Ｓ
、によるものである点と、スパッタリング率Ｓ、は背進
１〜１０ ａｔｏｍｓ／ ｉｏｎである点から、この５
桁に及び感度差がイオン化率Ｋｍによる点に層目し、イ
オン化率に、、を改善して元糸間の感度差ｒ少なくする
ために、イオン化率を牧舎する第２の一次イオン源を併
設し、デュオプラズマトロン型の第１の一次イオン源と
この第２の一次イオン源とを同時に動作させることによ
って、所期の目的の達成を可能にしたものである。
のは、前述の如くイオン化率に、とスパッタリング率Ｓ
、によるものである点と、スパッタリング率Ｓ、は背進
１〜１０ ａｔｏｍｓ／ ｉｏｎである点から、この５
桁に及び感度差がイオン化率Ｋｍによる点に層目し、イ
オン化率に、、を改善して元糸間の感度差ｒ少なくする
ために、イオン化率を牧舎する第２の一次イオン源を併
設し、デュオプラズマトロン型の第１の一次イオン源と
この第２の一次イオン源とを同時に動作させることによ
って、所期の目的の達成を可能にしたものである。
第３図は一実施例の説明図で、第１図と同一の部分には
同一の符号が付して必る。この図で、１はデュオプラズ
マトロン型の第１の一次イオン源。
同一の符号が付して必る。この図で、１はデュオプラズ
マトロン型の第１の一次イオン源。
７は質量分析計４の加速電源、８は第２の一次イオン源
、９は第２のイオン源８のフィラメント。
、９は第２のイオン源８のフィラメント。
１０は電流源、１１はイオン加速電源、１２は第２のイ
オン源８からの一次イオンを示している。
オン源８からの一次イオンを示している。
そしてこのイオン加速電源１１は第１の一次イオン源１
よシ発生する一次イオン５全数ｋｅｙ以上の高エネルギ
ーとし、第２の一次イオン源よシ発生する一次イオン１
２をこれよりも低エネルギーとなるように選ばれる。
よシ発生する一次イオン５全数ｋｅｙ以上の高エネルギ
ーとし、第２の一次イオン源よシ発生する一次イオン１
２をこれよりも低エネルギーとなるように選ばれる。
この第２の一次イオン源８はフィラメント形の表面電離
イオン源でフィラメント９の上に塗布された元素が、電
流源１０によるフィラメント加熱電流によシ加、ｌＡさ
れてイオン化して一次・ｆオン１２を放出する。この−
次イオン１２は試料３の収束−次イオンビーム５が照射
される位置に重畳射されるようになっている。
イオン源でフィラメント９の上に塗布された元素が、電
流源１０によるフィラメント加熱電流によシ加、ｌＡさ
れてイオン化して一次・ｆオン１２を放出する。この−
次イオン１２は試料３の収束−次イオンビーム５が照射
される位置に重畳射されるようになっている。
この実施例においては、試料３とフィラメント９との間
に接続されているイオン加速電源１１が、試料３に対し
フィラメント９が正電位になるようになっている場合に
は、正の一次イオンが重畳照射され、負電位になるよう
になっている場合には、負の一次イオンが重畳照射され
る。−次イオン源１から発生する一次イオンには、一般
に０−１０２” ＋ Ａｒ＋などのガス棟イオンが用い
られ、試料３のスパッタリングが行なわれる。そして第
２の電入イオン源８から放出され、−次イオン５に重畳
照射される一次イオン１２はイオン化率に、の増大に用
いられる。この第２の電入イオン源８から放出される一
次イオンにはハロゲン１０７フ次に、第２の電入イオン
源８より放出される一次イオン１２の種類とイオン化率
Ｋｍとの関係について説明する。
に接続されているイオン加速電源１１が、試料３に対し
フィラメント９が正電位になるようになっている場合に
は、正の一次イオンが重畳照射され、負電位になるよう
になっている場合には、負の一次イオンが重畳照射され
る。−次イオン源１から発生する一次イオンには、一般
に０−１０２” ＋ Ａｒ＋などのガス棟イオンが用い
られ、試料３のスパッタリングが行なわれる。そして第
２の電入イオン源８から放出され、−次イオン５に重畳
照射される一次イオン１２はイオン化率に、の増大に用
いられる。この第２の電入イオン源８から放出される一
次イオンにはハロゲン１０７フ次に、第２の電入イオン
源８より放出される一次イオン１２の種類とイオン化率
Ｋｍとの関係について説明する。
未知試料Ｍｘに一次イオンを照射すると、次式で示す状
態になる。
態になる。
Ｍ．。＝ Ｍｘ” ＋ ｅ””（２）
ここで、ＭＸ′は中性原子
Ｍ＋は正イオン
ｅは電子
試料原子が衝突を繰返して表面から放出される過程で、
未知試料の正イオンＭＸ＋が再び電子ｅを補足すると未
知試料の正イオンＭＸ＋は中性原子ＭＺとなる。従って
、もしも、試料上に７・ロゲン元素が存在すると、（２
）式の電子ｅはノ・ロゲン元素に吸収され未知試料の正
イオンＭｘ＋の中性化の確率が減少する。つまジノ・ロ
ゲン元索の存在により、正の二次イオンイールドが増加
する。また未知試料上にアルカリ金属が存在する場合に
は、ノ・ロゲン元累の場合とは逆に、自分自身が電子を
放出し正イオンになる性質を肩するので、電子親和力の
大きい元素の負の二次イオンイールドを増加させる。
未知試料の正イオンＭＸ＋が再び電子ｅを補足すると未
知試料の正イオンＭＸ＋は中性原子ＭＺとなる。従って
、もしも、試料上に７・ロゲン元素が存在すると、（２
）式の電子ｅはノ・ロゲン元素に吸収され未知試料の正
イオンＭｘ＋の中性化の確率が減少する。つまジノ・ロ
ゲン元索の存在により、正の二次イオンイールドが増加
する。また未知試料上にアルカリ金属が存在する場合に
は、ノ・ロゲン元累の場合とは逆に、自分自身が電子を
放出し正イオンになる性質を肩するので、電子親和力の
大きい元素の負の二次イオンイールドを増加させる。
例えば、第２の電入．イオン源にｃｓｃｔを用いた場合
には、フィラメントの加熱によυ Ｃ３ＣＩ−＋Ｃｓ＋＋Ｃ１− ・・−・・（３）で示す
如く正負のイオンを発生する。従って、前述の如く、未
知試料の電位がフィラメントに対して正の時には（３）
式のＣｔ−が未知試料に照射され正の二次イオンイール
ドを瑠〃ｌさせ、未知試料の電位がフィラメントに対し
て負の時にはＣ８９が未知試料に照射され負の二次イオ
ンイールドを増力口させる。
には、フィラメントの加熱によυ Ｃ３ＣＩ−＋Ｃｓ＋＋Ｃ１− ・・−・・（３）で示す
如く正負のイオンを発生する。従って、前述の如く、未
知試料の電位がフィラメントに対して正の時には（３）
式のＣｔ−が未知試料に照射され正の二次イオンイール
ドを瑠〃ｌさせ、未知試料の電位がフィラメントに対し
て負の時にはＣ８９が未知試料に照射され負の二次イオ
ンイールドを増力口させる。
第４図は二次イオンイールドの改善効果を示すもので、
横軸には原子番号，縦軸には二次イオンイールドの増力
日本がとっである。この図と第２図との比軟より明らか
なｙｎ ＜ 、第２図において相対二次イオン強度比の
低いＣｔ Ｓｔ Ａｓ， Ｓｅ。
横軸には原子番号，縦軸には二次イオンイールドの増力
日本がとっである。この図と第２図との比軟より明らか
なｙｎ ＜ 、第２図において相対二次イオン強度比の
低いＣｔ Ｓｔ Ａｓ， Ｓｅ。
Ｔｅ，Ａｕ，Ｐｔの二次イオンイールドが著しく増加し
ている。従って、第２の電入イオ／源から二次イオンイ
ールドを改善するイオン種を低エネルギーで照射するこ
とによって、従来のＩＭＡでは挾出できないか、または
低感度の二次イオ／イールドが改善可能で、これによっ
て元素間の感度差を少なくすることが可能となる。
ている。従って、第２の電入イオ／源から二次イオンイ
ールドを改善するイオン種を低エネルギーで照射するこ
とによって、従来のＩＭＡでは挾出できないか、または
低感度の二次イオ／イールドが改善可能で、これによっ
て元素間の感度差を少なくすることが可能となる。
そして、とのＩＭＡでは第１の一次イオン源にデュオプ
ラズマトロン型のイオン源を用いているため一次イオン
によ石試料の照射範囲はμオーダにすることができ，第
２の一次イオン源からの一次イオンで、第１の一次イオ
ン源からの一次イオンめによる試料の照射範囲の一次イ
オンのイオン化率を大きくすることができるので、その
結果試料の微少部を二次イオンイールドの高い状態で分
析することを可能とすることができる。
ラズマトロン型のイオン源を用いているため一次イオン
によ石試料の照射範囲はμオーダにすることができ，第
２の一次イオン源からの一次イオンで、第１の一次イオ
ン源からの一次イオンめによる試料の照射範囲の一次イ
オンのイオン化率を大きくすることができるので、その
結果試料の微少部を二次イオンイールドの高い状態で分
析することを可能とすることができる。
なお、前述の実施例では、第２の一次イオン源としてフ
ィラメント形の表面電離形イオン銃を用いたが、他の形
のイオン銃を用いることもできる。
ィラメント形の表面電離形イオン銃を用いたが、他の形
のイオン銃を用いることもできる。
しかしフィラメント形の次面ｉｔ 離形イオン銃を用い
る場合にはフィラメントにイオン化物質を塗付して正及
び負の一次イオンを発生するモードと熱゛電子を放出す
るモートを兼ねさせることができ、フィラメントの加熱
による放出熱電子を絶縁物の分析時の帯電中和用として
用いることもできる。
る場合にはフィラメントにイオン化物質を塗付して正及
び負の一次イオンを発生するモードと熱゛電子を放出す
るモートを兼ねさせることができ、フィラメントの加熱
による放出熱電子を絶縁物の分析時の帯電中和用として
用いることもできる。
本発明は、元素間の感度差を少なくしたＩＭＡを提供可
能とするもので、産業上の効果の大なるものである。
能とするもので、産業上の効果の大なるものである。
第１１は従来のイオンマイクロアナラ・イザの説明図、
第２図は従来のイオンマイクロアナライザを用いた場合
の原子番号と相対二次イオン強度比との関係を示す線図
、第３図は本発明のイオンマイクロアナライザの一夾剣
例の説明図、第４図は同じく効果を示す原子番号と二次
イオンイールドの増加率との関係を示す線図である。 ■・・・（デュオプラズマトロン型の）第１の一次イオ
ン源、２・・・収束レンズ系、３・・・試料、４・・・
質量分析針、５・・・１次イオン、６・・・２次イオン
、８・・・（第２の）−次イオン源、９・・・フィラメ
ント、１０・・・ｌ１１ｉ流源、１１・・・イオン加速
電源、１２・・・（第２の一次イオン源からの）−次イ
オン。 代理人 弁理士 長崎博男 （ほか１名） 弔１図 弔２ワ 一虎率番号 光３図 高ｔ＋図 −一席１蚤場
第２図は従来のイオンマイクロアナライザを用いた場合
の原子番号と相対二次イオン強度比との関係を示す線図
、第３図は本発明のイオンマイクロアナライザの一夾剣
例の説明図、第４図は同じく効果を示す原子番号と二次
イオンイールドの増加率との関係を示す線図である。 ■・・・（デュオプラズマトロン型の）第１の一次イオ
ン源、２・・・収束レンズ系、３・・・試料、４・・・
質量分析針、５・・・１次イオン、６・・・２次イオン
、８・・・（第２の）−次イオン源、９・・・フィラメ
ント、１０・・・ｌ１１ｉ流源、１１・・・イオン加速
電源、１２・・・（第２の一次イオン源からの）−次イ
オン。 代理人 弁理士 長崎博男 （ほか１名） 弔１図 弔２ワ 一虎率番号 光３図 高ｔ＋図 −一席１蚤場
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、試料に一次イオンを照射して二次イオンをスパッタ
ーきせるデュオプラズマトロン型の第１の一次イオン源
と、前記二次イオンの分析手段と、周期律表の第■属及
び第■属に属する少なくとも１種の元素のイオンを放射
し、前記第１の一次イオン源からの一次イオンとともに
前記試料の分析部に重畳照射してイオン化率を改善する
第２の一矢イオン源とｅａｒｌ、ていることを特徴とす
るイオンマイクロアナライザ。 ２、前記第２の一次イオン源がフィラメント形の表面電
離形イオン絖よシなる特許請求の範囲第１項記載のイオ
ンマイクロアナライザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59039004A JPS60182651A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | イオンマイクロアナライザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59039004A JPS60182651A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | イオンマイクロアナライザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182651A true JPS60182651A (ja) | 1985-09-18 |
| JPH0363174B2 JPH0363174B2 (ja) | 1991-09-30 |
Family
ID=12540971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59039004A Granted JPS60182651A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | イオンマイクロアナライザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60182651A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55133740A (en) * | 1979-04-03 | 1980-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Secondary ion mass spectrometer |
| JPS5760571A (en) * | 1980-09-29 | 1982-04-12 | Canon Inc | Magnetic card reader |
| JPS60101850A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-05 | Jeol Ltd | イオンビ−ム装置 |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP59039004A patent/JPS60182651A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55133740A (en) * | 1979-04-03 | 1980-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Secondary ion mass spectrometer |
| JPS5760571A (en) * | 1980-09-29 | 1982-04-12 | Canon Inc | Magnetic card reader |
| JPS60101850A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-05 | Jeol Ltd | イオンビ−ム装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0363174B2 (ja) | 1991-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Castro et al. | Cesium ion desorption ionization with Fourier transform mass spectrometry (FTMS) | |
| JP3616714B2 (ja) | 分析機器内の絶縁試料上を所定表面電位にするための装置 | |
| JP3570393B2 (ja) | 四重極質量分析装置 | |
| JP2017532744A (ja) | 二次イオン質量分析計のためのセシウム一次イオン源 | |
| Nottingham | Electrical and luminescent properties of willemite under electron bombardment | |
| Amirav et al. | Improved electron ionization ion source for the detection of supersonic molecular beams | |
| US5850084A (en) | Ion lens assembly for gas analysis system | |
| Dinger et al. | Ion distribution in laser produced plasma on tantalum surfaces at low irradiances | |
| US3732426A (en) | X-ray source for generating an x-ray beam having selectable sectional shapes | |
| Weiner et al. | Gas phase reactions between carbon tetrachloride and mass analyzed ions of nitrogen between 3 and 200 eV | |
| JPS60182651A (ja) | イオンマイクロアナライザ | |
| JPS5812978B2 (ja) | イオン線装置 | |
| Kashihira et al. | Source for negative halogen ions | |
| US3392280A (en) | Mass spectrometer utilizing an ion beam for ionizing the gas to be analyzed | |
| Blain et al. | Clusters as projectiles for SIMS | |
| Gaines et al. | An improved annular-shaped electron gun for an X-ray generator | |
| Ershov et al. | Saturation Effect of Secondary Emission Coefficient in MCP-based Multipliers | |
| JPS5774957A (en) | Ionizing device of mass spectrometer | |
| US3790793A (en) | Molecular scanner | |
| JPS63271855A (ja) | 質量分析装置 | |
| JPS6345735Y2 (ja) | ||
| JPH03155029A (ja) | Ｘ線銃 | |
| JPH0475622B2 (ja) | ||
| WEINSTEIN | High current ion emission in electrohydrodynamic spraying[Ph. D. Thesis] | |
| JPH04138647A (ja) | ビームアナリシス装置およびビームアナリシス方法 |