JPS60180117A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS60180117A JPS60180117A JP3531684A JP3531684A JPS60180117A JP S60180117 A JPS60180117 A JP S60180117A JP 3531684 A JP3531684 A JP 3531684A JP 3531684 A JP3531684 A JP 3531684A JP S60180117 A JPS60180117 A JP S60180117A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、アルミス・母ツタ装置の排気能力をアップ
させかつ良質な真空が得られるようにした半導体製造装
置に関する。
させかつ良質な真空が得られるようにした半導体製造装
置に関する。
（従来技術）
従来、このような分野で使用されている半導体製造装置
に通用されるアルミスパッタ装置の排気糸はロータリポ
ンプとクライオンポンプとの組合せである。第１図に従
来のスパッタ装置の排気系模式図を示す。排気系の動作
はチャンバ内排気とクライオンポンプ再生時との二つに
分けられる。
に通用されるアルミスパッタ装置の排気糸はロータリポ
ンプとクライオンポンプとの組合せである。第１図に従
来のスパッタ装置の排気系模式図を示す。排気系の動作
はチャンバ内排気とクライオンポンプ再生時との二つに
分けられる。
次にそれぞれについて祝明する。
（１）、チャンバ内排気
シリコンウェハを装填し、電極形成用金属薄膜をスパッ
タリングにより形成するス・七ツタ装置のチャンバ１は
ほぼ１００数１０ｔの各棟を有する。
タリングにより形成するス・七ツタ装置のチャンバ１は
ほぼ１００数１０ｔの各棟を有する。
ウェハの出し入れ時は大気となり、それをスパッタリン
グのために１０ Ｔｏｒｒ （８Ｘ１０ Ｔｏｒｒ ）
台まで真空排気しなけれはならない。
グのために１０ Ｔｏｒｒ （８Ｘ１０ Ｔｏｒｒ ）
台まで真空排気しなけれはならない。
次に、この従来構造のチャンバ内の排気フローについて
述べる。チャンバ１内にウェハが装填されると、荒引き
パルプ２が開き、ロータリポンプ３でチャンバ１内を大
気からＩ Ｘ １０ ”Ｔｏｒｒまで排気する。
述べる。チャンバ１内にウェハが装填されると、荒引き
パルプ２が開き、ロータリポンプ３でチャンバ１内を大
気からＩ Ｘ １０ ”Ｔｏｒｒまで排気する。
ｆヤンパｌ内がＩ Ｘ １０−１Ｔｏｒｒになったら荒
引きパルプ２は閉じ、バイパスパルプ４が開き、これを
通してクライオポンプ５で５〜６ Ｘ １０ ”Ｔｏｒ
ｒまでチャンバ１内をパイｉ＋ス排気する。
引きパルプ２は閉じ、バイパスパルプ４が開き、これを
通してクライオポンプ５で５〜６ Ｘ １０ ”Ｔｏｒ
ｒまでチャンバ１内をパイｉ＋ス排気する。
チャンバ１内が５〜６ Ｘ １０−２Ｔｏｒｒ になっ
たらパイｉ４スバルブ４は閉じ、メインパルプ６が開き
、クライオポンｆ５でチャンバ１ 内ｋ １０−７Ｔｏ
ｒｒ（８Ｘ １０−７Ｔｏｒｒ ） 台まで排気し、ス
パッタリングに入る。
たらパイｉ４スバルブ４は閉じ、メインパルプ６が開き
、クライオポンｆ５でチャンバ１ 内ｋ １０−７Ｔｏ
ｒｒ（８Ｘ １０−７Ｔｏｒｒ ） 台まで排気し、ス
パッタリングに入る。
スパッタリング中チャンバ１内はＡｒで置換され、オリ
フィスパルプ７によシ２．５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒに
保たれる。
フィスパルプ７によシ２．５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒに
保たれる。
このオリフィスパルプはチャンバ１とクライオポンｆ５
０間に可変のすき間を作９、チャンバ１内の圧力を調整
するパルプである。つまり、Ａｒ流量を一定にしておき
、そのすき間により圧力を決める。チャンバ１内をメイ
ンパルプ６で排気するときには全開となっている。
０間に可変のすき間を作９、チャンバ１内の圧力を調整
するパルプである。つまり、Ａｒ流量を一定にしておき
、そのすき間により圧力を決める。チャンバ１内をメイ
ンパルプ６で排気するときには全開となっている。
Ａｒの流量は約数１０ｃｃ／＝、排気はオリフィスパル
プ７、メインパルプ６を介し、クライオポンｆ５で行わ
れる。スパッタリングが終了すると、メインパルプ６は
閉じ、チャンバ１内は大気に戻され、図示しないウエノ
・は交換される。
プ７、メインパルプ６を介し、クライオポンｆ５で行わ
れる。スパッタリングが終了すると、メインパルプ６は
閉じ、チャンバ１内は大気に戻され、図示しないウエノ
・は交換される。
以上で１サイクルが終了する。通常作業はこのサイクル
の繰返しとなる。
の繰返しとなる。
上記サイクルで問題となるのは、以下に列挙するごとき
である。
である。
（イ）、５〜６ Ｘ １０−２Ｔｏｒｒから１０−７Ｔ
ｏｒｒ台までの排気に時間がかが９すぎる（２０〜３０
分）。
ｏｒｒ台までの排気に時間がかが９すぎる（２０〜３０
分）。
（ａ） 、 スｔ、ｅツタリングに要するＡｒの排気（
１サイクルで数１００ＣＣ）はクライオポンプ５で行う
ため、クライオポンプ５内の活性炭へＡｒガスが多く吸
着するので劣化が早い。
１サイクルで数１００ＣＣ）はクライオポンプ５で行う
ため、クライオポンプ５内の活性炭へＡｒガスが多く吸
着するので劣化が早い。
（２）、従来構造におけるクライオポンプの再生クライ
オポンプ５内の活性炭はガスを吸着し飽和状態になると
、排気能力が低下する。こうなると、クライオポンｆ５
の内部を極低温から常温に戻Ｌ７、吸着したガスを追い
出す必要がある。すなわち、再生する必要がある。次に
、従来構造の再生フローについて説明する。
オポンプ５内の活性炭はガスを吸着し飽和状態になると
、排気能力が低下する。こうなると、クライオポンｆ５
の内部を極低温から常温に戻Ｌ７、吸着したガスを追い
出す必要がある。すなわち、再生する必要がある。次に
、従来構造の再生フローについて説明する。
クライオポンプ５を停止し、１，５時間放置し、クライ
オポンｆ５の内部を極定温から常温に戻す。
オポンｆ５の内部を極定温から常温に戻す。
次に、リークパルプ８を開け、ドライＮ２を１．５時間
はどクライオポンプ５内に吹き込む、その後、リークパ
ルプ８を閉じ、ケ゛−トバルプ９を開け、ロータリポン
プ３でクライオポンプ５内を約２０分間排気する。
はどクライオポンプ５内に吹き込む、その後、リークパ
ルプ８を閉じ、ケ゛−トバルプ９を開け、ロータリポン
プ３でクライオポンプ５内を約２０分間排気する。
クライオポンプ５内が１Ｏ−３Ｔｏｒｒ台に安定したら
、ガス出しは終了し、ダートパルプ９は閉じ、クライオ
ポンプ５が稼動し、クールダウンが開始する。
、ガス出しは終了し、ダートパルプ９は閉じ、クライオ
ポンプ５が稼動し、クールダウンが開始する。
ここでいうクールダウンとは、次のような過程をいうの
である。すなわち、クライオポンｆ５の分子吸着部であ
る活性炭は稼動時には１４〜１５゜Ｋの極低温になって
いる。再生時は常温に戻し、吸着（凍シついていた）し
た分子を追い出す。そして再生が終了し、再び１４〜１
５°Ｋに冷える過程がクールダウンである。
である。すなわち、クライオポンｆ５の分子吸着部であ
る活性炭は稼動時には１４〜１５゜Ｋの極低温になって
いる。再生時は常温に戻し、吸着（凍シついていた）し
た分子を追い出す。そして再生が終了し、再び１４〜１
５°Ｋに冷える過程がクールダウンである。
ところで、上記の再生フローで問題となるのは次のごと
くである。
くである。
（イ）、ロータリポンｆ３の能力的限界でおる１Ｏ−３
Ｔｏｒｒ 台までしかガス出しができず、活性炭から完
全にガスを追い出せない。
Ｔｏｒｒ 台までしかガス出しができず、活性炭から完
全にガスを追い出せない。
（ロ）、クライオポンプ５内をロータリポンｆ３で排気
するため、クライオポンプ５内部にロータリポンｆ３の
油蒸気が入９込み、クライオポンプ５内を汚染し、能力
低下の原因となる（８Ｘ１０Ｔｏｒｒ より、高真空で
は層流領域となり、ロータリポンｆ３の油が逆流しやす
い）。
するため、クライオポンプ５内部にロータリポンｆ３の
油蒸気が入９込み、クライオポンプ５内を汚染し、能力
低下の原因となる（８Ｘ１０Ｔｏｒｒ より、高真空で
は層流領域となり、ロータリポンｆ３の油が逆流しやす
い）。
（発明の目的）
この発明の目的は、クリーンな真空が得られるとともに
排気能力の向上とクライオポンプの再生周期の延長を期
することのできる半導体製造装置を得ることである。
排気能力の向上とクライオポンプの再生周期の延長を期
することのできる半導体製造装置を得ることである。
（発明の概要）
この発明の要点は、従来ロータリポンプとクライオポン
プの二つのポンプで構成さ扛ていた排気系に新たに縦型
ターボ分子ポンｆｆ追加して排気するとともにクライオ
ポンプの活性炭に吸着したガスを縦型ターボ分子ポンプ
で排気可能な構造にしたことにある。
プの二つのポンプで構成さ扛ていた排気系に新たに縦型
ターボ分子ポンｆｆ追加して排気するとともにクライオ
ポンプの活性炭に吸着したガスを縦型ターボ分子ポンプ
で排気可能な構造にしたことにある。
（実施例）
以下、この発明の半導体製造装置の実施例について図面
に基づき説明する。第２図はこの発明の一実施例の排気
系模式図である。この第２図において、チャンバ１０は
シリコンウェハなどの半導体ウェハを装填し、電極形成
用金属薄膜をス・そツタリングによシ形成するスパッタ
装置のチャンバであり、このチャンバ１０には荒引きバ
ルブ１１全通して二つのロータリボンデ１２ａ、１２ｂ
が連結されている。
に基づき説明する。第２図はこの発明の一実施例の排気
系模式図である。この第２図において、チャンバ１０は
シリコンウェハなどの半導体ウェハを装填し、電極形成
用金属薄膜をス・そツタリングによシ形成するスパッタ
装置のチャンバであり、このチャンバ１０には荒引きバ
ルブ１１全通して二つのロータリボンデ１２ａ、１２ｂ
が連結されている。
また、チャンバ１０はハイバキュームパルプ１７、オリ
フィスパルプ１９を介して縦型ターボ分子ポン７”１４
が連結されている。この縦型ターが分子ポン７”１４は
ノ々ルブ２２を介してロータリボンデ１２ｂに連結され
ているとともにケ”−） ／？ルプ２０を通してクライ
オポンプ１６にも連結されている。
フィスパルプ１９を介して縦型ターボ分子ポン７”１４
が連結されている。この縦型ターが分子ポン７”１４は
ノ々ルブ２２を介してロータリボンデ１２ｂに連結され
ているとともにケ”−） ／？ルプ２０を通してクライ
オポンプ１６にも連結されている。
このクライオポン１１６はメインパルプ１８、クライオ
ポン１ノ々イノ’？ス・号ルプ１５を介してチャンバ１
０に連結されている。さらに、チャンノ９１０はバイパ
スパルプ１３（ターボ側）ヲ逃して縦型ターボ分子ポン
プ１４に連結されているとともにクライオポン７’１６
に連結されている。なお、２１はリークパルプである。
ポン１ノ々イノ’？ス・号ルプ１５を介してチャンバ１
０に連結されている。さらに、チャンノ９１０はバイパ
スパルプ１３（ターボ側）ヲ逃して縦型ターボ分子ポン
プ１４に連結されているとともにクライオポン７’１６
に連結されている。なお、２１はリークパルプである。
この第２図の排気系と第１図に示した従来構造と大きく
異なる点は、 （ａ）、新たに縦型ターボ分子ポン１１４をチャンバ１
０に取り付けたこと、 （ｂ） 、 Ｉ’−タリボン７’１２ａ、１２ｂの２台
を使用シ、ロータリポンプ１２ａはチャンツマ１０内を
荒引きパルプ１１で排気したガスの排気用に使用し、ロ
ータリポンｆ１２ｂは縦型ターが分子ポン７”１４で排
気したガスの排気に使用すること、０２点である。
異なる点は、 （ａ）、新たに縦型ターボ分子ポン１１４をチャンバ１
０に取り付けたこと、 （ｂ） 、 Ｉ’−タリボン７’１２ａ、１２ｂの２台
を使用シ、ロータリポンプ１２ａはチャンツマ１０内を
荒引きパルプ１１で排気したガスの排気用に使用し、ロ
ータリポンｆ１２ｂは縦型ターが分子ポン７”１４で排
気したガスの排気に使用すること、０２点である。
次に、以上のように構成されたこの発明の半導体製造装
置の動作について項目含分けて説明する。
置の動作について項目含分けて説明する。
（１）、チャンバ１０内の排気の実施フロー例まず、チ
ャンバ１０内にウエノ・が装填されると、荒引きパルプ
１１が開き、ロータリポンｆ １２ ａでチャンバ１０
内ｋ ５ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒまで荒引きを行う。
ャンバ１０内にウエノ・が装填されると、荒引きパルプ
１１が開き、ロータリポンｆ １２ ａでチャンバ１０
内ｋ ５ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒまで荒引きを行う。
チャンバ１０が５ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒになったら
荒引きパルプ１１は閉じ、ツマイノそスノぐルプ１３が
開き、縦型ターボ分子ポン１１４でチャンツマ１０内を
２Ｘ １０−” Ｔｏｒｒまで排気し、さらにロータリ
ボンデ１２ｂで外部に排気する。
荒引きパルプ１１は閉じ、ツマイノそスノぐルプ１３が
開き、縦型ターボ分子ポン１１４でチャンツマ１０内を
２Ｘ １０−” Ｔｏｒｒまで排気し、さらにロータリ
ボンデ１２ｂで外部に排気する。
チャンバ１０内が２ Ｘ １０−１Ｔｏｒｒになると、
クライオポンプ・９イノ母スノ９ルプ１５が開き、クラ
イオポンプ１６、縦型ターボ分子ポンｆ１４とロータリ
ボンデ１２ｂのノ々イノ９スの両方で５〜６ Ｘ １Ｏ
−２Ｔｏｒｒ まで排気されるＯ チャンバ１０内が５〜６×１Ｏ−２ＴＯｒｒになると、
バイノぐスバルプ１３、クライオポン１ノ々イノ９スノ
（ルブ１５は閉じ、）＼イパキュームノ々ルプ１７が開
き、２ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒまで縦型ターボ分子ポン
１１４で排気される。
クライオポンプ・９イノ母スノ９ルプ１５が開き、クラ
イオポンプ１６、縦型ターボ分子ポンｆ１４とロータリ
ボンデ１２ｂのノ々イノ９スの両方で５〜６ Ｘ １Ｏ
−２Ｔｏｒｒ まで排気されるＯ チャンバ１０内が５〜６×１Ｏ−２ＴＯｒｒになると、
バイノぐスバルプ１３、クライオポン１ノ々イノ９スノ
（ルブ１５は閉じ、）＼イパキュームノ々ルプ１７が開
き、２ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒまで縦型ターボ分子ポン
１１４で排気される。
さらに、ロータリボンデ１２ｂで外、部に排気される（
以下、［縦型ターボ分子ポンプ１４で排気される］なる
表現は「さらに、ロータリポンプ１２ｂで外部に排気さ
れる」ということを含めて意味するものとする）。
以下、［縦型ターボ分子ポンプ１４で排気される］なる
表現は「さらに、ロータリポンプ１２ｂで外部に排気さ
れる」ということを含めて意味するものとする）。
チャンバ１０内が２ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒになると、
メインパルプ１８が開き、クライオポンｆ１６、縦型タ
ーボ分子ポンプ１４の両方で８８１０Ｔｏｒｒまで排気
される。チャンバ１０が８Ｘ１０Ｔｏｒｒまで排気され
ると、メインパルプ１８が閉じ、スパッタリングに入る
。
メインパルプ１８が開き、クライオポンｆ１６、縦型タ
ーボ分子ポンプ１４の両方で８８１０Ｔｏｒｒまで排気
される。チャンバ１０が８Ｘ１０Ｔｏｒｒまで排気され
ると、メインパルプ１８が閉じ、スパッタリングに入る
。
スノＪ？ツタリング中チャンノ（１０内は図示しない糸
からチャンバ１０内に導入されるＡｒで置換され、オリ
フィスパルプ１９によＦ） ２．５ Ｘ １０−３Ｔｏ
ｒｒに保たれる。その数１０ω／―のＡｒ排気は縦型タ
ーボ分子ポンプ１４で行われる。
からチャンバ１０内に導入されるＡｒで置換され、オリ
フィスパルプ１９によＦ） ２．５ Ｘ １０−３Ｔｏ
ｒｒに保たれる。その数１０ω／―のＡｒ排気は縦型タ
ーボ分子ポンプ１４で行われる。
スパッタリングが終了すると、ノーイノ９キユームバル
ブ１７は閉じ、チャンノ々１０は大気に戻され、図示し
ないウェハが取り出される。以上で１サイクルが終了す
る一通常作業はこのサイクルの繰返しとなる。
ブ１７は閉じ、チャンノ々１０は大気に戻され、図示し
ないウェハが取り出される。以上で１サイクルが終了す
る一通常作業はこのサイクルの繰返しとなる。
このサイクルスローの要点は、
（イ）、低真窒領域はクライオポン７”１６を使用せず
、ロータリポンプ１２ａと縦型ターボ分子ポンプ１４で
排気（１〜Ｉ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ ） Ｌ、高真空
になってからクライオポンｆ１６を使用する。
、ロータリポンプ１２ａと縦型ターボ分子ポンプ１４で
排気（１〜Ｉ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ ） Ｌ、高真空
になってからクライオポンｆ１６を使用する。
（ロ） 、２ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒから８ Ｘ １０
−７Ｔｏｒｒの高真空領域はクライオポンプ１６、縦型
ターボ分子ホンｆ１４の両方で排気する。
−７Ｔｏｒｒの高真空領域はクライオポンプ１６、縦型
ターボ分子ホンｆ１４の両方で排気する。
（ハ）、スｉ＋ツタリングに使用されるＡｒｇス（１サ
イクル数１００ｃｒ、）ｌｌ″ｌ：縦型ターボ分子ポン
プ１４で排気する。
イクル数１００ｃｒ、）ｌｌ″ｌ：縦型ターボ分子ポン
プ１４で排気する。
に）、ロータリポンプ１２ａによる荒引きは５×１０Ｔ
ｏｒｒまでしか行われない。
ｏｒｒまでしか行われない。
（２）、クライオポンプの再生フローの例次に、クライ
オポンｆ、ｌ１１４生の実施フロー例について説明する
。クライオポンプ１６の停止後（同時にクライオポンプ
１６の周囲に巻装された図示しないリボンヒータで加熱
）、活性炭により吸着さｒしていたガスかクライオポン
プ１６内に発生し、クライオポン７”１６内部が５ Ｘ
１０ ’Ｔｏｒｒになったら、ダートパルプ２０が開
き、縦型ターボ分子ポン７”１４で５Ｘ１０Ｔｏｒｒま
で排気する。
オポンｆ、ｌ１１４生の実施フロー例について説明する
。クライオポンプ１６の停止後（同時にクライオポンプ
１６の周囲に巻装された図示しないリボンヒータで加熱
）、活性炭により吸着さｒしていたガスかクライオポン
プ１６内に発生し、クライオポン７”１６内部が５ Ｘ
１０ ’Ｔｏｒｒになったら、ダートパルプ２０が開
き、縦型ターボ分子ポン７”１４で５Ｘ１０Ｔｏｒｒま
で排気する。
クライオポン２″１６内が５ Ｘ １０−２Ｔｏｒｒに
なったら、ｒ−トバルブ２０は閉じる。クライオポン１
１６内に再ひガスが発生し、このクライオポン７”１６
内が５ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒになったら再度ケ゛−
トバルブ２０が開き、５ Ｘ １０−２Ｔｏｒｒまで排
気され、ｒ−トバルゾ２０は閉じる。この繰返しを６０
分間（数回行い）実施する。
なったら、ｒ−トバルブ２０は閉じる。クライオポン１
１６内に再ひガスが発生し、このクライオポン７”１６
内が５ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒになったら再度ケ゛−
トバルブ２０が開き、５ Ｘ １０−２Ｔｏｒｒまで排
気され、ｒ−トバルゾ２０は閉じる。この繰返しを６０
分間（数回行い）実施する。
６０分後、ダートパルプ２０は閉じら扛、リークパルプ
２１よシトライＮ２が３０分間クシイオボンプ１６内に
吹き込まれる。３０分後リークパルプ２１は閉じ、ドラ
イＮ２の注入は停止する。その後、ｒ−トバルプ２０が
開き、縦型ターボ分子ポン７”１４で８Ｘ１０Ｔｏｒｒ
までクライオポンプ１６内を排気する。
２１よシトライＮ２が３０分間クシイオボンプ１６内に
吹き込まれる。３０分後リークパルプ２１は閉じ、ドラ
イＮ２の注入は停止する。その後、ｒ−トバルプ２０が
開き、縦型ターボ分子ポン７”１４で８Ｘ１０Ｔｏｒｒ
までクライオポンプ１６内を排気する。
クライオポン７’１６内が８ Ｘ １０−８Ｔｏｒｒに
なったらり゛−トバルプ２０は閉じ、クライオポンプ１
６内のガス出しは終了し、クライオポンプ１６はクール
ダウンに入る。
なったらり゛−トバルプ２０は閉じ、クライオポンプ１
６内のガス出しは終了し、クライオポンプ１６はクール
ダウンに入る。
このクライオポンプ１６の再生フローの要点は、クライ
オポンプ１６内のガス出しが縦型ターボ分子ポンプ１４
で行うため、８ Ｘ １０−８Ｔｏｒｒまでの排気が可
能なことである。
オポンプ１６内のガス出しが縦型ターボ分子ポンプ１４
で行うため、８ Ｘ １０−８Ｔｏｒｒまでの排気が可
能なことである。
上記実施例はチルミス・ぐツタ装置の排気系を二つのロ
ータリポンプ１２ａ 、 １２’ｂ、クライオポンニア
’ｌ ６、縦型ターが分子ポンプ１４の四つのポンプで
構成させ、その排気能力をアップさせるとともに、オイ
ルフリーで良質な真空が得られるという利点があり、そ
の効果を従来装置と対比すると、以下に列挙するごとく
である。
ータリポンプ１２ａ 、 １２’ｂ、クライオポンニア
’ｌ ６、縦型ターが分子ポンプ１４の四つのポンプで
構成させ、その排気能力をアップさせるとともに、オイ
ルフリーで良質な真空が得られるという利点があり、そ
の効果を従来装置と対比すると、以下に列挙するごとく
である。
（ａ）、クライオポンプ１６は２ Ｘ １０−５Ｔｏｒ
ｒからの高真空領域にしか使用しないとともにスフ４ツ
タリングに要するＡｒの排気は縦型ターボ分子ポンプ１
４で行うため活性炭への吸着量が減シ、クライオポン７
”１６の再生が必要であったが、この実施例の排気フロ
ーでは月一度の再生で充分となり、周期が４倍長くなっ
た。
ｒからの高真空領域にしか使用しないとともにスフ４ツ
タリングに要するＡｒの排気は縦型ターボ分子ポンプ１
４で行うため活性炭への吸着量が減シ、クライオポン７
”１６の再生が必要であったが、この実施例の排気フロ
ーでは月一度の再生で充分となり、周期が４倍長くなっ
た。
（ｂ） −２Ｘ １０−５Ｔｏｒｒからの高真空領域は
クライオポンプと縦型ターが分子ポンプとの両方で排気
するため、排気速度が増し、真空引きに要する時間が短
くなる。この実施例の排気フローは従来装置のフローに
比べて１サイクルで１５分程度時間が短縮された。
クライオポンプと縦型ターが分子ポンプとの両方で排気
するため、排気速度が増し、真空引きに要する時間が短
くなる。この実施例の排気フローは従来装置のフローに
比べて１サイクルで１５分程度時間が短縮された。
（Ｃ）、クライオポ／ｆ１６の再生時に活性炭に吸着し
たガスは縦型ターが分子ポンプ１４で排気するため、ク
ライオポンプ１６内を充分に排気できる。従来のフロー
では、１０−３Ｔｏｒｒ程度しか排気できなかったが、
この実施例の排気フローでは、８ Ｘ １０＝Ｔｏｒｒ
まで排気可能となった。そのため、活性炭からのガス出
しが充分でクライオポンｆ１６の能力低下を防げる。
たガスは縦型ターが分子ポンプ１４で排気するため、ク
ライオポンプ１６内を充分に排気できる。従来のフロー
では、１０−３Ｔｏｒｒ程度しか排気できなかったが、
この実施例の排気フローでは、８ Ｘ １０＝Ｔｏｒｒ
まで排気可能となった。そのため、活性炭からのガス出
しが充分でクライオポンｆ１６の能力低下を防げる。
（ｄ）、ロータリポンプでのチャンバ１０内排気は５
Ｘ １０’−１Ｔｏｒｒまでしか行わないため、チャン
・９内に油蒸気が逆流しないため、クリーンな真壁が得
られる。
Ｘ １０’−１Ｔｏｒｒまでしか行わないため、チャン
・９内に油蒸気が逆流しないため、クリーンな真壁が得
られる。
（発明の効果）
この発明は以上説明したように、二つのロータリポンプ
とクライオポンプに新に縦型ターボ分子ポンプ全追加し
てクライオポンプの活性炭に吸着したガスを縦型ターボ
分子ポンプで排気するようにしたので、チャンバ内の排
気能力の向上と良質な真空を得ることができるとともに
、クライオポンプの再生周期を大幅に長くできるはかシ
か、真空引きに賛する時間を短縮できる。
とクライオポンプに新に縦型ターボ分子ポンプ全追加し
てクライオポンプの活性炭に吸着したガスを縦型ターボ
分子ポンプで排気するようにしたので、チャンバ内の排
気能力の向上と良質な真空を得ることができるとともに
、クライオポンプの再生周期を大幅に長くできるはかシ
か、真空引きに賛する時間を短縮できる。
さらに、この発明は他の高真空を必要とする排気系に利
用できる。
用できる。
第１図は従来の半導体製造装置に適用されるアルミス・
ぐツタ装置の排気系模式図、第２図はこの発明の半導体
製造装置の一実施例に適用される排気系模式図である。 １０・・・チャンバ、１１・・・荒引きパルプ、１２ａ
。 １２ｂ・・ロータリポンプ、１３・・・バイノ臂ス・々
ルブ、１４・・・縦型ターが分子ポンプ、１５・・・ク
ライオポンプバイパスパルプ、１６・・クライオポンプ
、１７・・ハイバキュームパルプ、１８・・・メインパ
ルプ、１９・・・オリフィスパルプ、２０・・・ケ’−
）／（ルプ、２１・・・リークパルプ。 手続補正書 昭和５９年１υ月１９日 特許庁長官志賀 学殿 １、事件の表示 昭和５９年 特 許 願第 ３５３１６ 号２、発明の
名称 半導体製造装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０２９）沖電気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自発）６、補
正の対象 明細書の特許請求の範囲および発明の 詳細な説明の欄ならびに図面 ７、補正の内容 別紙の通り ７、補正の内容 １）明細書の「２特許請求の範囲」を別紙の通シ訂正す
る。 ２）明細書２頁１０行「クライオンポンプ」を「クライ
オポンプ」と訂正する。 ３）同２Ｑ１３行「クライオンポンプ」を「クライオポ
ンプ」と訂正する。 ４）同８頁１７行「で排気した」を「を通して」と訂正
する。 ５）同１１頁７行１１〜Ｉ Ｘ、１０’−’ ｊを［１
〜２ Ｘ １０−’ ｊと訂正する。 ６）同１３頁１８行「減シ、タライ」を「減り、従来構
造では週一度のタライ」と訂正する。 ７）図面第１図および第２図を別紙の通シ訂正する。 ２、特許請求の範囲 半導体ウェハを装填し電極形成用金属薄膜をスパッタリ
ングによ多形成するスフ９ツタ装置のチャンバと、この
チャンバ内の排気を第１の所定の気圧になるまで荒引き
の排気を行う第１のロータリポンプと、上記チャンバ内
の気圧が第１の所定の気圧より真空度の高い第２の所定
の気圧になるとそれよりさらに真空度の高い第３の所定
の気圧になるまで上記チャンバ内の排気を行うクライオ
ポンプと、上記チャンバ内の気圧が第１の所定の気圧に
なると第２の所定の気圧になるまで第２のロータリポン
プとともにこのチャンバ内の排気を行って第２の所定の
気圧になると上記クライオポンプとともにＭ３の所定の
気圧になるまで排気を行いかつスパッタ中のチャンバ内
の排気を単独で行うとともに上記クライオポンプの再生
時の排気を行う縦型夕〜？分子ポンプとよシなる半導体
製造装置。 第１図
ぐツタ装置の排気系模式図、第２図はこの発明の半導体
製造装置の一実施例に適用される排気系模式図である。 １０・・・チャンバ、１１・・・荒引きパルプ、１２ａ
。 １２ｂ・・ロータリポンプ、１３・・・バイノ臂ス・々
ルブ、１４・・・縦型ターが分子ポンプ、１５・・・ク
ライオポンプバイパスパルプ、１６・・クライオポンプ
、１７・・ハイバキュームパルプ、１８・・・メインパ
ルプ、１９・・・オリフィスパルプ、２０・・・ケ’−
）／（ルプ、２１・・・リークパルプ。 手続補正書 昭和５９年１υ月１９日 特許庁長官志賀 学殿 １、事件の表示 昭和５９年 特 許 願第 ３５３１６ 号２、発明の
名称 半導体製造装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０２９）沖電気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自発）６、補
正の対象 明細書の特許請求の範囲および発明の 詳細な説明の欄ならびに図面 ７、補正の内容 別紙の通り ７、補正の内容 １）明細書の「２特許請求の範囲」を別紙の通シ訂正す
る。 ２）明細書２頁１０行「クライオンポンプ」を「クライ
オポンプ」と訂正する。 ３）同２Ｑ１３行「クライオンポンプ」を「クライオポ
ンプ」と訂正する。 ４）同８頁１７行「で排気した」を「を通して」と訂正
する。 ５）同１１頁７行１１〜Ｉ Ｘ、１０’−’ ｊを［１
〜２ Ｘ １０−’ ｊと訂正する。 ６）同１３頁１８行「減シ、タライ」を「減り、従来構
造では週一度のタライ」と訂正する。 ７）図面第１図および第２図を別紙の通シ訂正する。 ２、特許請求の範囲 半導体ウェハを装填し電極形成用金属薄膜をスパッタリ
ングによ多形成するスフ９ツタ装置のチャンバと、この
チャンバ内の排気を第１の所定の気圧になるまで荒引き
の排気を行う第１のロータリポンプと、上記チャンバ内
の気圧が第１の所定の気圧より真空度の高い第２の所定
の気圧になるとそれよりさらに真空度の高い第３の所定
の気圧になるまで上記チャンバ内の排気を行うクライオ
ポンプと、上記チャンバ内の気圧が第１の所定の気圧に
なると第２の所定の気圧になるまで第２のロータリポン
プとともにこのチャンバ内の排気を行って第２の所定の
気圧になると上記クライオポンプとともにＭ３の所定の
気圧になるまで排気を行いかつスパッタ中のチャンバ内
の排気を単独で行うとともに上記クライオポンプの再生
時の排気を行う縦型夕〜？分子ポンプとよシなる半導体
製造装置。 第１図
Claims (1)
- 半導体ウェハを装填し電極形成用金属薄膜をスパッタリ
ングにより形成するスパッタ装置のチャンバと、このチ
ャンバ内の排気を第１の所定の気圧になるまで荒引きの
排気を行う第１のロータリポンプと、上記チャンバ内の
気圧が第１の所定の気圧より真空度の高い第２の所定の
気圧になるとそ扛よシさらに真空度の筒い第３の所定の
気圧になるまで上記チャンバ内の排気を行うクライオン
ポンプと、上記チャンバ内の気圧が第１の所定の気圧に
なると第２の所定の気圧になるまで第２のロータリポン
プとともにこのチャンバ内の排気を行って第２の所定の
気圧になると上記クライオンポンプとともに第３の所定
の気圧になるまで排気を行いかつスパッタ中のチャンバ
内の排気を単独で行とともに上記タライオンポンプの再
生時の排気を行う縦型ターが分子ポンプとよｐなる半導
体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3531684A JPS60180117A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3531684A JPS60180117A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180117A true JPS60180117A (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=12438398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3531684A Pending JPS60180117A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180117A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62274065A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成装置 |
| JPH05106036A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-04-27 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| JPH06196441A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-07-15 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2005019739A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の搬送方法 |
-
1984
- 1984-02-28 JP JP3531684A patent/JPS60180117A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62274065A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成装置 |
| JPH05106036A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-04-27 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| JPH06196441A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-07-15 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2005019739A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の搬送方法 |
| JP4517595B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2010-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の搬送方法 |
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