JPS60176234A - 帯電粒子ビ−ム偏向装置 - Google Patents
帯電粒子ビ−ム偏向装置Info
- Publication number
- JPS60176234A JPS60176234A JP3189984A JP3189984A JPS60176234A JP S60176234 A JPS60176234 A JP S60176234A JP 3189984 A JP3189984 A JP 3189984A JP 3189984 A JP3189984 A JP 3189984A JP S60176234 A JPS60176234 A JP S60176234A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- subfield
- reference voltage
- deflector
- dac
- charged particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は電子ビーム露光装置、イオンビーム露光装置に
おける帯電粒子ビーム偏向装置に関する。
おける帯電粒子ビーム偏向装置に関する。
（発明の背漿）
近年集積回路の高密度化にともないサブミクロンオーダ
ーの精度で微小なパター／を描くことのできる帯電粒子
（電子、イオン）ビーム露光装置が注目されている。し
かしながら、例えば電子ビーム露光装置では従来の光を
用いた露光装置に比べて小さなパターンを描けるものの
露光スピードが遅く、現在露光スピードを向上させるこ
とに勢力が払われている。単純に考えると電子ビームを
走査する速度を増せば露光スピードは早まるが、実際に
は電子ビームはデジクルコンピュータからの走査信号が
Ｄ−Ａ変換器（以下ＤＡＣと略称する）を介して送られ
る偏向手段（（よって走査されるため、このＤＡＣの応
答速度で露光スピードが決定されているのが現状である
。カロえて電子ビーム露光装置では通常０．１μｍの精
度が要求され、加えて、電子ビーム露光装置ではシステ
ム全体で通常０．１μｍの精度が要求され、それ全実現
するためにＤＡＣにはそれ以との分解能（例えば、０．
０２μｍ）ｔ−持たせる必要がある。例えば偏向手段に
よる走査範囲（メインフィールド） ｆ ５ ｍｍ、Ｘ
５ ｔｒＬｌｌＬとすれば５朋１０．６２μｍ＝２５
００００となり、１８ビット程度の高分解能ＤＡＣが必
要となるが、この様な高分解能ＤＡＣは現状では３ｍ５
ｅＣ内外のセットリングタイムが必要であり電子ビーム
全高速走査することができない。そこでビット数が少な
く応答速度の早い８ビツトあるいは９ビット程度の高速
Ｄ Ａ Ｃｆ、（併用し、高分解度ＤＡＣは露光すべき
図形の位置？指定する（具体的には図形の走査開始点の
位置を指定する）時のみに用い実際の図形走査は高ｐＤ
ｐ、ｃで行５方式が現在用いられている。ところがこの
様な方式を用いても、描画すべき図形の個数だけ高分解
度Ｌ）ＡＣが駆動されるため、近年の高集積度の回路で
はパターン数が系大であり露光スピードの大幅な短縮は
望めない。そこでメインフィールドを複数のサブフイ＝
／！＝ ）−Ｋ 分Ｉ１１．シ、尚分解度ＤＡＣはサ
ブフィールドの選択のみに使用し、パターンの描画はサ
ブフィールドの範囲内のみをダイナミックレンジとする
高速ＤＡＣｔ−使用する方式が考案されている。こうす
れば高速ＤＡＣはビット数が少なくてもダイナミックレ
ンジがせまいためパターンの位置決め精度に必要な分解
能全維持でき、かつ低速の高分解度ＤＡＣ＝２使用する
回数が激減し高速の露光スピードが期待できる。
ーの精度で微小なパター／を描くことのできる帯電粒子
（電子、イオン）ビーム露光装置が注目されている。し
かしながら、例えば電子ビーム露光装置では従来の光を
用いた露光装置に比べて小さなパターンを描けるものの
露光スピードが遅く、現在露光スピードを向上させるこ
とに勢力が払われている。単純に考えると電子ビームを
走査する速度を増せば露光スピードは早まるが、実際に
は電子ビームはデジクルコンピュータからの走査信号が
Ｄ−Ａ変換器（以下ＤＡＣと略称する）を介して送られ
る偏向手段（（よって走査されるため、このＤＡＣの応
答速度で露光スピードが決定されているのが現状である
。カロえて電子ビーム露光装置では通常０．１μｍの精
度が要求され、加えて、電子ビーム露光装置ではシステ
ム全体で通常０．１μｍの精度が要求され、それ全実現
するためにＤＡＣにはそれ以との分解能（例えば、０．
０２μｍ）ｔ−持たせる必要がある。例えば偏向手段に
よる走査範囲（メインフィールド） ｆ ５ ｍｍ、Ｘ
５ ｔｒＬｌｌＬとすれば５朋１０．６２μｍ＝２５
００００となり、１８ビット程度の高分解能ＤＡＣが必
要となるが、この様な高分解能ＤＡＣは現状では３ｍ５
ｅＣ内外のセットリングタイムが必要であり電子ビーム
全高速走査することができない。そこでビット数が少な
く応答速度の早い８ビツトあるいは９ビット程度の高速
Ｄ Ａ Ｃｆ、（併用し、高分解度ＤＡＣは露光すべき
図形の位置？指定する（具体的には図形の走査開始点の
位置を指定する）時のみに用い実際の図形走査は高ｐＤ
ｐ、ｃで行５方式が現在用いられている。ところがこの
様な方式を用いても、描画すべき図形の個数だけ高分解
度Ｌ）ＡＣが駆動されるため、近年の高集積度の回路で
はパターン数が系大であり露光スピードの大幅な短縮は
望めない。そこでメインフィールドを複数のサブフイ＝
／！＝ ）−Ｋ 分Ｉ１１．シ、尚分解度ＤＡＣはサ
ブフィールドの選択のみに使用し、パターンの描画はサ
ブフィールドの範囲内のみをダイナミックレンジとする
高速ＤＡＣｔ−使用する方式が考案されている。こうす
れば高速ＤＡＣはビット数が少なくてもダイナミックレ
ンジがせまいためパターンの位置決め精度に必要な分解
能全維持でき、かつ低速の高分解度ＤＡＣ＝２使用する
回数が激減し高速の露光スピードが期待できる。
しかし、この様な方式でも以下の様な欠点が残る。い！
、５ｍｍＸ５ｍｍの正方形メインフィールド全１００μ
ｍＸ１００μｍの正方形サブフィールドで２５００分割
することを考えると、高分解度ＤＡＣはメインフィール
ドの一方辺側で５０地点、また他方辺側でも５０地点を
指定できればよいことがわかる。実際には、高分解度Ｄ
ＡＣはメインフィールドの一方辺側（即ちＸ軸方向ンの
位置指定用ＤＡＣと、他方辺側（即ちＹ軸方向）の位置
指定用ＤＡＣとが準備されている。従って、各高分解度
ＤＡＣが０．０２μｍの精度で出力できる、２５０００
０のデータのうち実際に位置指定用に使用されるデータ
は、５０個足らずである。これでは、高価で、低速で、
しかも調整が大変な高分解度ＤＡＣｙ使用する意義が薄
れてしまう。
、５ｍｍＸ５ｍｍの正方形メインフィールド全１００μ
ｍＸ１００μｍの正方形サブフィールドで２５００分割
することを考えると、高分解度ＤＡＣはメインフィール
ドの一方辺側で５０地点、また他方辺側でも５０地点を
指定できればよいことがわかる。実際には、高分解度Ｄ
ＡＣはメインフィールドの一方辺側（即ちＸ軸方向ンの
位置指定用ＤＡＣと、他方辺側（即ちＹ軸方向）の位置
指定用ＤＡＣとが準備されている。従って、各高分解度
ＤＡＣが０．０２μｍの精度で出力できる、２５０００
０のデータのうち実際に位置指定用に使用されるデータ
は、５０個足らずである。これでは、高価で、低速で、
しかも調整が大変な高分解度ＤＡＣｙ使用する意義が薄
れてしまう。
（発明の目的）
本発明は、このＪ：うな高分解度Ｄ Ａ Ｃｉ使用する
ことなしにサブフィールドの高精度な位置決め全可能に
する偏向装置を提供するものである。
ことなしにサブフィールドの高精度な位置決め全可能に
する偏向装置を提供するものである。
（発明の概要）
本発明はメインフィールド全域に帯電粒子ビーム位置決
めを行なうのではなく、特定のサブフィールドへの位置
決めを行なう。また、各サブフィールド位置は本装置で
設定された可変領域内で、中央処理装噴からデータを送
出することにより移動もできる。実際の描画は、このサ
ブフィールド内で行なうからサブフィールド位置決め範
囲は、メインフィールド全域とする必要はなく、とびと
びのザブフィールド位置に対応しているから、各サブフ
ィールドに対応した位置指定用の信号が高精度に得られ
ればよい。この事実に基いて、各サブフィールド位置に
対応するアナログ信号を、高安定化基準電圧をサブフィ
ールド個数だけ分圧することにより発生させ、リニアな
高分解能ＤＡＣ全使用せずに、高精度全実現している。
めを行なうのではなく、特定のサブフィールドへの位置
決めを行なう。また、各サブフィールド位置は本装置で
設定された可変領域内で、中央処理装噴からデータを送
出することにより移動もできる。実際の描画は、このサ
ブフィールド内で行なうからサブフィールド位置決め範
囲は、メインフィールド全域とする必要はなく、とびと
びのザブフィールド位置に対応しているから、各サブフ
ィールドに対応した位置指定用の信号が高精度に得られ
ればよい。この事実に基いて、各サブフィールド位置に
対応するアナログ信号を、高安定化基準電圧をサブフィ
ールド個数だけ分圧することにより発生させ、リニアな
高分解能ＤＡＣ全使用せずに、高精度全実現している。
また、低分解能ＤＡＣの出力信号を加算することにより
、各サブフィールド位置を低分解能Ｌ）ＡＣの出力信号
範囲内で可変できる機能もあわせ持たせることができる
。
、各サブフィールド位置を低分解能Ｌ）ＡＣの出力信号
範囲内で可変できる機能もあわせ持たせることができる
。
（実施例）
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。第１図は本
発明による偏向装置の実施例を示すブロック図である。
発明による偏向装置の実施例を示すブロック図である。
第１図において、第１基準電圧源Ａ１は各サブフィール
ド位置（例えば各サブフィールドの中央位置ンのＸ軸上
の座標値に対応した複数の基準電圧Ｖ ＋−ｘ〜Ｖｎ−
ｘｆ予め発生する。
ド位置（例えば各サブフィールドの中央位置ンのＸ軸上
の座標値に対応した複数の基準電圧Ｖ ＋−ｘ〜Ｖｎ−
ｘｆ予め発生する。
同様に第２基準電圧源Ａ２は各サブフィールド位置のＹ
軸上の座標値に対応した複数の基準電圧Ｖ＋−Ｙ−Ｖｎ
−Ｙｆ予め発生している。第１アナログスイツチＡ３は
基準電圧Ｖ＋−ｘ−Ｖｎ−ｘのうちの１つを選択する。
軸上の座標値に対応した複数の基準電圧Ｖ＋−Ｙ−Ｖｎ
−Ｙｆ予め発生している。第１アナログスイツチＡ３は
基準電圧Ｖ＋−ｘ−Ｖｎ−ｘのうちの１つを選択する。
第２アナログスイツチＡ４は基準電圧Ｖ＋−Ｙ−″−Ｖ
ｎ−Ｙのうちの１つを選択する。
ｎ−Ｙのうちの１つを選択する。
各アナログスイッチが選択する基準電圧はコ、ンピュー
タＡ５からインターフェースＡ５ｉ介して伝達されてく
るサブフィールド指定データに基づく。
タＡ５からインターフェースＡ５ｉ介して伝達されてく
るサブフィールド指定データに基づく。
低分解能ＤＡＣＡ７、Ａ８には各サブフィールド位置に
関して予め測定されたメインフィールド偏向器（後述）
の歪、及びＸ−Ｙステージ（後述）の停止位置誤差等の
補正データがインターフェースＡ６１に介してコンピュ
ータＡ５から転送されてくる。第１ＤＡＣＡ７に？−１
Ｘ軸方向の補正データが、また第２ＤＡＣＡＢにはＹ軸
方向の補正データが設定され、これら補正データはそれ
ぞれＤＡ前変換れる。第１アナログ加算器Ａ９は各サブ
フィールドに関して第１アナログスイツチＡ３によって
選択された基準電圧と第１ＤＡＣＡ７によってＤＡ前変
換れた補正データを加算する。同様に第２アナログ加算
器ＡＩＯは各サブフィールドに関して、第２アナログス
イツチＡ４によって選択された基準電圧と第２ＤＡＣＡ
８によってＤＡ前変換れた補正データとを加算する。Ｉ
！１増幅器Ａ１１は第１加算器Ａ９の出力電圧を増幅し
てＸ軸方向に帯電粒子ビームを偏向するＸ−偏向器ＡＩ
３に印加し、第２増幅器Ａ１２は第２加算器ＡＩＯの出
力電圧全増幅してＹ軸方向に帯電粒子ビームを偏向する
Ｙ−偏向器ＡＩ４に印加する。
関して予め測定されたメインフィールド偏向器（後述）
の歪、及びＸ−Ｙステージ（後述）の停止位置誤差等の
補正データがインターフェースＡ６１に介してコンピュ
ータＡ５から転送されてくる。第１ＤＡＣＡ７に？−１
Ｘ軸方向の補正データが、また第２ＤＡＣＡＢにはＹ軸
方向の補正データが設定され、これら補正データはそれ
ぞれＤＡ前変換れる。第１アナログ加算器Ａ９は各サブ
フィールドに関して第１アナログスイツチＡ３によって
選択された基準電圧と第１ＤＡＣＡ７によってＤＡ前変
換れた補正データを加算する。同様に第２アナログ加算
器ＡＩＯは各サブフィールドに関して、第２アナログス
イツチＡ４によって選択された基準電圧と第２ＤＡＣＡ
８によってＤＡ前変換れた補正データとを加算する。Ｉ
！１増幅器Ａ１１は第１加算器Ａ９の出力電圧を増幅し
てＸ軸方向に帯電粒子ビームを偏向するＸ−偏向器ＡＩ
３に印加し、第２増幅器Ａ１２は第２加算器ＡＩＯの出
力電圧全増幅してＹ軸方向に帯電粒子ビームを偏向する
Ｙ−偏向器ＡＩ４に印加する。
以上のように、各サブフィールドに対する帯電粒子ビー
ムの位置決めは（従来のような高分解度ＤＡＣではなく
）予め発生されている基準電圧を各サブフィールド指定
データに基づいてアナログスイッチ１（よって選択する
だけである。アナログスイッチの応答時間は、通常市販
されている高分解度ＤＡＣ（１６ビツト以上）の整定時
間より極めて短く、かつ本構成によれば、市販のＤＡＣ
の様に、特定の入力ビツトパター／変化（例えばＤＡＣ
への人力データの最上位ビットの変化）知伴って、グリ
・ソチを発生するということがなく、それだけ高速性が
得られる。従って、各サブフィールドに対する帯電粒子
ビームの整定時間が短くなる。また基準電圧の温度依存
性はアナログ回路構成によって容易に低減できるから、
温度変化に対して敏感な従来の高分解度ＤＡＣ使用の偏
向装置に対して取扱いが簡単になる。
ムの位置決めは（従来のような高分解度ＤＡＣではなく
）予め発生されている基準電圧を各サブフィールド指定
データに基づいてアナログスイッチ１（よって選択する
だけである。アナログスイッチの応答時間は、通常市販
されている高分解度ＤＡＣ（１６ビツト以上）の整定時
間より極めて短く、かつ本構成によれば、市販のＤＡＣ
の様に、特定の入力ビツトパター／変化（例えばＤＡＣ
への人力データの最上位ビットの変化）知伴って、グリ
・ソチを発生するということがなく、それだけ高速性が
得られる。従って、各サブフィールドに対する帯電粒子
ビームの整定時間が短くなる。また基準電圧の温度依存
性はアナログ回路構成によって容易に低減できるから、
温度変化に対して敏感な従来の高分解度ＤＡＣ使用の偏
向装置に対して取扱いが簡単になる。
第２図は、本発明全適用した電子ビーム露光装置の実施
例を示す構成図である。この装置は、直交するＸ軸、Ｙ
軸方向に移動可能なＸ−Ｙステージ１（ステージ１上に
は、ウェハ等の対象物２が載置される）；全体の制御系
３；電子ビームｅ＝ｉ発生させる電子銃４； ビームｅｆブランキングする電極５：ビームｅ會対象物
２上に集束するための電子レンズ６；ビームｅのメイン
フィールド内位置制御をするメインフィールド偏向器７
；サブフィールド内位ｉｔ 制御をするサブフィールド
偏向器８：制御系３に従って、メインフィールド偏向器
７を制御するメインフィールド制御系９：サブフィール
ド偏向器８を制御するサプフ、イールド制御系１ｏ；ス
テージ位置検出系１１：Ｘ−Ｙステージ１のＸ軸、Ｙ軸
方向の変位に応じた出力音それぞれ発生するレーザー干
渉計１２８，１２ｂ：及びステージ１の駆動装置１３か
ら成る。
例を示す構成図である。この装置は、直交するＸ軸、Ｙ
軸方向に移動可能なＸ−Ｙステージ１（ステージ１上に
は、ウェハ等の対象物２が載置される）；全体の制御系
３；電子ビームｅ＝ｉ発生させる電子銃４； ビームｅｆブランキングする電極５：ビームｅ會対象物
２上に集束するための電子レンズ６；ビームｅのメイン
フィールド内位置制御をするメインフィールド偏向器７
；サブフィールド内位ｉｔ 制御をするサブフィールド
偏向器８：制御系３に従って、メインフィールド偏向器
７を制御するメインフィールド制御系９：サブフィール
ド偏向器８を制御するサプフ、イールド制御系１ｏ；ス
テージ位置検出系１１：Ｘ−Ｙステージ１のＸ軸、Ｙ軸
方向の変位に応じた出力音それぞれ発生するレーザー干
渉計１２８，１２ｂ：及びステージ１の駆動装置１３か
ら成る。
制御系３は第１図のコンピュータＡ５が対応している。
またメインフィールド制御系９は第１図の基準電圧発生
回路Ａ１、Ａ２、アナログスイッチＡ３、Ａ４、インタ
ーフェースＡ６、ＤＡＣＡ７、Ａ８、加算器Ａ９、Ａ１
０及び増幅器Ａｌｌ、Ａ１２から構成されている。更に
、各偏向器７．８はＸ軸、Ｙ軸方向に電子ビームを偏向
するＸ−偏光器、Ｙ−偏向器金偏えており、偏向器７は
第１図の偏向器Ａ１３、Ａ１４が対応している。
回路Ａ１、Ａ２、アナログスイッチＡ３、Ａ４、インタ
ーフェースＡ６、ＤＡＣＡ７、Ａ８、加算器Ａ９、Ａ１
０及び増幅器Ａｌｌ、Ａ１２から構成されている。更に
、各偏向器７．８はＸ軸、Ｙ軸方向に電子ビームを偏向
するＸ−偏光器、Ｙ−偏向器金偏えており、偏向器７は
第１図の偏向器Ａ１３、Ａ１４が対応している。
対象物２のパターン描画領域は、全体の制御系３によっ
て、第３図に示す様に例えば５ ｍ＠ Ｘ ５ ｇのメ
インフィールド（ＭＰ）に分割され、さら知メイ／フィ
ールドは例えば１００Ｌ１１００Ｌ１μｍのサブ７ イ
ー ルｔ’ （Ｓ Ｆ １〜Ｓ Ｆ ２５００ ） Ｉ
ｃ分割される。パターン描画は、サブフィールド偏向器
２及びブラ／キ／グ電極５全サブフィールド制御系１０
が制御することによって、サブフィールド単位で行なわ
れる。描画するサブフィールドの選択は、メインフィー
ルド偏向器７をメインフィールド制御系９が制御するこ
とによって行なわれ、ビームをサブフィールドの中央位
置に設定する。
て、第３図に示す様に例えば５ ｍ＠ Ｘ ５ ｇのメ
インフィールド（ＭＰ）に分割され、さら知メイ／フィ
ールドは例えば１００Ｌ１１００Ｌ１μｍのサブ７ イ
ー ルｔ’ （Ｓ Ｆ １〜Ｓ Ｆ ２５００ ） Ｉ
ｃ分割される。パターン描画は、サブフィールド偏向器
２及びブラ／キ／グ電極５全サブフィールド制御系１０
が制御することによって、サブフィールド単位で行なわ
れる。描画するサブフィールドの選択は、メインフィー
ルド偏向器７をメインフィールド制御系９が制御するこ
とによって行なわれ、ビームをサブフィールドの中央位
置に設定する。
その際、メインフィールド偏向器７の歪、Ｘ−Ｙステー
ジ１の停止位置誤差等の補正も行なわれる。
ジ１の停止位置誤差等の補正も行なわれる。
メインフィールドの選択は、ステージ位置検出系１１、
レーザー干渉計１２により測長されるデータに基づき、
ステージ駆動装置１３によってＸ−Ｙステージ１を移動
させることにより行なう。
レーザー干渉計１２により測長されるデータに基づき、
ステージ駆動装置１３によってＸ−Ｙステージ１を移動
させることにより行なう。
第４図に電子ビーム露光装置のバター／描画シーケンス
のフローチャートｌ示す。キーボード等からパターン描
画開始指令全入力すると（ステラ７’Ｐ１）、Ｘ −Ｙ
ｙ、データ１ 、上ＩＣＵ ウｘ ハ２ カ装置され
、また制御系３の初期設定が行われる（ステップＰ２）
。続いて制御系３はウェハ上に描画する複数のＩＣチッ
プの描画順序に従って、先ず第１個目のＩＣチップ描画
を開始する（ステップｐ３）。このとき制御系３はその
記憶装置に記憶された第１個目のＩＣチップ全ウつノ・
上のどの位置に描画するかを示すチ・ツブ座標データに
基づいて、ステージ１會移動、Ｙ軸のどの方向へ駆動す
るか全指示する駆動データを駆動装置１３に転送する。
のフローチャートｌ示す。キーボード等からパターン描
画開始指令全入力すると（ステラ７’Ｐ１）、Ｘ −Ｙ
ｙ、データ１ 、上ＩＣＵ ウｘ ハ２ カ装置され
、また制御系３の初期設定が行われる（ステップＰ２）
。続いて制御系３はウェハ上に描画する複数のＩＣチッ
プの描画順序に従って、先ず第１個目のＩＣチップ描画
を開始する（ステップｐ３）。このとき制御系３はその
記憶装置に記憶された第１個目のＩＣチップ全ウつノ・
上のどの位置に描画するかを示すチ・ツブ座標データに
基づいて、ステージ１會移動、Ｙ軸のどの方向へ駆動す
るか全指示する駆動データを駆動装置１３に転送する。
このときのチップ座標データは第１個目のＩＣチップを
描画する最初のメインフィールドの。
描画する最初のメインフィールドの。
座標値に対応している。駆動装置１３はステージ１を駆
動して、駆動データに応じた方向にウエノ・全移動させ
る。ステージｌのＸ−Ｙ座標位置は検出系１１によって
監視されている。即ち検出系１１はステージ１のＸ軸方
向の変位に応じて発生される出力パルスをアップ／ダウ
ン計数するＸ−カウンタと、ステージ１のＸ軸方向の変
位に応じて発生される出力パルスをアップ／ダウン計数
するＹ−カウンタと全備えており、Ｘ−カウンタ、Ｙ−
カウンタの計数値はステージ１のＸ−Ｙ座標位置に対応
している。従って、制御系３はチップ座標データと検出
系１１によって検出されたステージ１のＸ−Ｙ座標値と
が一致するとステージ１の駆動を停止させる。これによ
って最初に描画するメインフィールドの位置決めが終了
する（ステ・ツブＰ４）。
動して、駆動データに応じた方向にウエノ・全移動させ
る。ステージｌのＸ−Ｙ座標位置は検出系１１によって
監視されている。即ち検出系１１はステージ１のＸ軸方
向の変位に応じて発生される出力パルスをアップ／ダウ
ン計数するＸ−カウンタと、ステージ１のＸ軸方向の変
位に応じて発生される出力パルスをアップ／ダウン計数
するＹ−カウンタと全備えており、Ｘ−カウンタ、Ｙ−
カウンタの計数値はステージ１のＸ−Ｙ座標位置に対応
している。従って、制御系３はチップ座標データと検出
系１１によって検出されたステージ１のＸ−Ｙ座標値と
が一致するとステージ１の駆動を停止させる。これによ
って最初に描画するメインフィールドの位置決めが終了
する（ステ・ツブＰ４）。
次に、制御系３はサブフィールド指定データ、及び補正
データをメインフィールド制御系９に転送する（ステッ
プＰ５）。これによってメインフィールド制御系９は指
定されたサブフィールド、例えば第３図のサブフィール
ドＳＦ１に対応した基準電圧と補正データ電圧とを加算
してメインフィールド偏向器７に印加する。これにより
メインフィールド偏向器７は指定されたサブフィールド
の中央位置へ電子ビームを偏向する（ステップＰ６）。
データをメインフィールド制御系９に転送する（ステッ
プＰ５）。これによってメインフィールド制御系９は指
定されたサブフィールド、例えば第３図のサブフィール
ドＳＦ１に対応した基準電圧と補正データ電圧とを加算
してメインフィールド偏向器７に印加する。これにより
メインフィールド偏向器７は指定されたサブフィールド
の中央位置へ電子ビームを偏向する（ステップＰ６）。
続いて、制御系３Ｖ′ｉ描画データをサブフィールド制
御系ｌＯへ転送する（ステップＰ７）。これによりサブ
フィールド制御系ｌＯはサブフィールド偏向器８及びブ
ランヤング電極を制御してサブフィールド（ＦＳＩ）内
のパターンを描画する（ステップＰ８）。サブフィール
ド（ＦＳＩ）のパターン描画が終了したことを検出する
と（ステップＰ９）、制御系３はメインフィールドに描
画すべきサブフィールドが残っているかどうかを判別す
る（ステップＰＩＯ）。そして描画すべきサブフィール
ドが残っていればステップＰ６に戻って次のサブフィー
ルド、例えば第３図のサブフィールド（ＳＦ２）の中心
位置へ電子ビームを偏向する。
御系ｌＯへ転送する（ステップＰ７）。これによりサブ
フィールド制御系ｌＯはサブフィールド偏向器８及びブ
ランヤング電極を制御してサブフィールド（ＦＳＩ）内
のパターンを描画する（ステップＰ８）。サブフィール
ド（ＦＳＩ）のパターン描画が終了したことを検出する
と（ステップＰ９）、制御系３はメインフィールドに描
画すべきサブフィールドが残っているかどうかを判別す
る（ステップＰＩＯ）。そして描画すべきサブフィール
ドが残っていればステップＰ６に戻って次のサブフィー
ルド、例えば第３図のサブフィールド（ＳＦ２）の中心
位置へ電子ビームを偏向する。
以下ステップＰ７〜Ｐ９ｉ繰り返してメインフィールド
内のサブフィールド６８Ｆ２・・・・・・Ｓ Ｆ ２５
００まで順次描画してゆく。そして、描画すべきサブフ
ィールドの全部を描画終了すると、第１個目のＩＣチ・
ツブの中に描画すべきメインフィールドが残っているか
どうかを判別する（ステップＰ１１）。
内のサブフィールド６８Ｆ２・・・・・・Ｓ Ｆ ２５
００まで順次描画してゆく。そして、描画すべきサブフ
ィールドの全部を描画終了すると、第１個目のＩＣチ・
ツブの中に描画すべきメインフィールドが残っているか
どうかを判別する（ステップＰ１１）。
描画すべきメインフィールドが残っていれば制御系３は
ステップＰ４に戻る。そしてステージ１會移動してウェ
ハを描画すべきメイ゛／フィールド対応位置に位置付け
る。以下、ステップＰ５〜ｌ−’１０の動作を繰り返し
てサブフィールドの描画を行う。
ステップＰ４に戻る。そしてステージ１會移動してウェ
ハを描画すべきメイ゛／フィールド対応位置に位置付け
る。以下、ステップＰ５〜ｌ−’１０の動作を繰り返し
てサブフィールドの描画を行う。
そして描画すべきメインフィールドの全部を描画終了す
ると、制御系３はウェノ・上に描画すべき全ＩＣチップ
の描画が終了したがどうかを判別する（ステップＰ１２
）。描画するＩＣチップが残っていれば、ステップＰ：
ｌＣ戻って第２個目のＩＣチップの描画に入る。以下ス
テップＰ４〜ｐＨの動作を繰り返して第２個目のＩＣチ
・ンプの描画を行う。描画すべきＩＣチップの全数の描
画全終了するとバター／描画シーケンスが終了する（ス
テップＰ１３）。
ると、制御系３はウェノ・上に描画すべき全ＩＣチップ
の描画が終了したがどうかを判別する（ステップＰ１２
）。描画するＩＣチップが残っていれば、ステップＰ：
ｌＣ戻って第２個目のＩＣチップの描画に入る。以下ス
テップＰ４〜ｐＨの動作を繰り返して第２個目のＩＣチ
・ンプの描画を行う。描画すべきＩＣチップの全数の描
画全終了するとバター／描画シーケンスが終了する（ス
テップＰ１３）。
第５図に基準電圧発生回路ＡＩ、Ａ２の回路例を示す、
、電＃電圧は正電源ラインＶｃｃと偵電源ラインＧＮＤ
との間に印加される。ＯＰアンプＡ２１の正入力端子と
正電源ライ：／ＶＣＣとの間ＶＣは第１のツェナーダイ
オードＤ１が接続されている。抵抗Ｒ１は正電源ライン
ＶｃｃとトランジスタＱ＋ のエミッタとの間に接続さ
れており、ＯＰアンプＡ２１の負入力端子はトランジス
タＱ。
、電＃電圧は正電源ラインＶｃｃと偵電源ラインＧＮＤ
との間に印加される。ＯＰアンプＡ２１の正入力端子と
正電源ライ：／ＶＣＣとの間ＶＣは第１のツェナーダイ
オードＤ１が接続されている。抵抗Ｒ１は正電源ライン
ＶｃｃとトランジスタＱ＋ のエミッタとの間に接続さ
れており、ＯＰアンプＡ２１の負入力端子はトランジス
タＱ。
のエミッタに接続されている。またＯＰア／プＡ２１の
出力端子はトランジスタＱｔ のペースに接続されてい
る。以上の回路は第２のツェナーダイオードＤ２に定電
流を流す回路全構成している。
出力端子はトランジスタＱｔ のペースに接続されてい
る。以上の回路は第２のツェナーダイオードＤ２に定電
流を流す回路全構成している。
この第２のツェナーダイオードＤ２ＵトランジスタＱ＋
のコレクタと自電源ラインＧＮＤとの間に接続されて
いる。このツェナーダイオ−）’ Ｄ ２１７）温度係
数は０．５ ｐｐｍ ／ ℃程度の小さなものである。
のコレクタと自電源ラインＧＮＤとの間に接続されて
いる。このツェナーダイオ−）’ Ｄ ２１７）温度係
数は０．５ ｐｐｍ ／ ℃程度の小さなものである。
ＯＰアンプＡ２２の正入力端子はトランジスタＱ。
のコレクタに接続され、出力端子はトランジスタＱ２
のベースに接続されている。トランジスタＱ２のコレク
タは第１のツェナーダイオードＤ】のアノード（ＯＰア
ンプＡ２１の正入力端子）に接続され、エミッタは抵抗
几２ を介して負電源ラインＧＮＤに接続されている。
のベースに接続されている。トランジスタＱ２のコレク
タは第１のツェナーダイオードＤ】のアノード（ＯＰア
ンプＡ２１の正入力端子）に接続され、エミッタは抵抗
几２ を介して負電源ラインＧＮＤに接続されている。
ＯＰアンプＡ２２の負入力端子はトランジスタＱ２ の
エミッタに接続されている。第２のツェナーダイオード
Ｄ２に発生した定゛′電ｉ圧°・は、き・：Ｏ，：ＰＪ
、アンプＡ’２２’、′、トランジスタ・Ｑｈ、’１、
抵抗、Ｒ２によって定電流に変換され、第１のツェナー
ダイオードＤ１に流される。
エミッタに接続されている。第２のツェナーダイオード
Ｄ２に発生した定゛′電ｉ圧°・は、き・：Ｏ，：ＰＪ
、アンプＡ’２２’、′、トランジスタ・Ｑｈ、’１、
抵抗、Ｒ２によって定電流に変換され、第１のツェナー
ダイオードＤ１に流される。
以上の構成によって第２のツェナーダイオードＤ２は温
度係数等の安定度の良い出力電圧全発生する。この出力
電圧は可変抵抗ＶＲ＝＜介してボルテージフォロワーＡ
２３に印加される。フォロワーＡ２３の出力端子と負電
源ラインＧＮＤとの間には抵抗ラグ−ｒｌ 〜ｒ５０が
接続されており、各抵抗からサブフィールド指定用の基
準電圧■１〜Ｖ９が取り出される。
度係数等の安定度の良い出力電圧全発生する。この出力
電圧は可変抵抗ＶＲ＝＜介してボルテージフォロワーＡ
２３に印加される。フォロワーＡ２３の出力端子と負電
源ラインＧＮＤとの間には抵抗ラグ−ｒｌ 〜ｒ５０が
接続されており、各抵抗からサブフィールド指定用の基
準電圧■１〜Ｖ９が取り出される。
以上の実施例によれば、基準電圧発生回路の出力によっ
て各サブフィールド位置全はとんど設定できるので偏向
歪等の補正信号の範囲内で低分解能ＤＡＣ＠作用すれば
よく、補正範囲をせまい領域に限定できるので、さらに
高精度化することも可能であるという利点がある。また
調整も簡単である。
て各サブフィールド位置全はとんど設定できるので偏向
歪等の補正信号の範囲内で低分解能ＤＡＣ＠作用すれば
よく、補正範囲をせまい領域に限定できるので、さらに
高精度化することも可能であるという利点がある。また
調整も簡単である。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、高分解能ＤＡＣを使用せ
ずにサブフィールドの位置決めを行なえるので、整定時
間が短く、温度係数等の安定性もよく高精度が得られる
利点がある。
ずにサブフィールドの位置決めを行なえるので、整定時
間が短く、温度係数等の安定性もよく高精度が得られる
利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による偏向装置のブロック図（フレイム
対応図）、第２図は本発明を適用した電子ビーム露光装
置のブロック図、第３図はメインフィールドとサブフィ
ールドを概略的に示した説明図、第４図は電子ビーム露
光装置の動作シーケンスを示すフローチャート、及び第
５図は基準電圧発生回路の回路図である。 ＡＩ 、Ａ２・・・基準電圧発生回路、Ａ３ 、Ａ４・
・・アナログスイッチ、Ａ７ 、Ａ８・・・低分解能補
正用ＤＡＣ，Ａ９ 、ＡＩ Ｏ・・・アナログ加算器、
Ａ１１゜Ａ１２・・・・・・偏向増幅器 第１図 第２図 第５図 第４図
対応図）、第２図は本発明を適用した電子ビーム露光装
置のブロック図、第３図はメインフィールドとサブフィ
ールドを概略的に示した説明図、第４図は電子ビーム露
光装置の動作シーケンスを示すフローチャート、及び第
５図は基準電圧発生回路の回路図である。 ＡＩ 、Ａ２・・・基準電圧発生回路、Ａ３ 、Ａ４・
・・アナログスイッチ、Ａ７ 、Ａ８・・・低分解能補
正用ＤＡＣ，Ａ９ 、ＡＩ Ｏ・・・アナログ加算器、
Ａ１１゜Ａ１２・・・・・・偏向増幅器 第１図 第２図 第５図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 メインフィールドを分割して成る複数のサブフィ
ールドに関して、描画すべきサブフィールドを順次指定
し、該指定されたサブフィールド内で帯電粒子ビームを
走査して所定のパターンを対象物上に描画する帯電粒子
ビーム露光装置において、 各サブフィールドに対応した基準電圧を予め発生して８
く基準電圧発生回路；前記指定されたサブフィールドに
対応した基準電圧を前記複数の基準電圧のなかから選択
する選択手段；及び前記選択された基ａｔ圧に応じて前
記ビームをサブフィールド位電へ偏向する側向手段二を
備えたことを特徴とする帯電粒子ビーム偏向装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3189984A JPS60176234A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 帯電粒子ビ−ム偏向装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3189984A JPS60176234A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 帯電粒子ビ−ム偏向装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60176234A true JPS60176234A (ja) | 1985-09-10 |
Family
ID=12343853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3189984A Pending JPS60176234A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 帯電粒子ビ−ム偏向装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60176234A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113296372A (zh) * | 2021-05-24 | 2021-08-24 | 北京大学 | 一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527689A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-27 | Jeol Ltd | Electro beam exposing method |
| JPS5793528A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-10 | Ibm | Electron beam device |
-
1984
- 1984-02-22 JP JP3189984A patent/JPS60176234A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527689A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-27 | Jeol Ltd | Electro beam exposing method |
| JPS5793528A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-10 | Ibm | Electron beam device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113296372A (zh) * | 2021-05-24 | 2021-08-24 | 北京大学 | 一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法 |
| CN113296372B (zh) * | 2021-05-24 | 2022-01-28 | 北京大学 | 一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0248588B1 (en) | Electron beam exposure system | |
| US5866300A (en) | Method of and system for exposing pattern on object by charged particle beam | |
| US8384048B2 (en) | Charged particle beam deflection method with separate stage tracking and stage positional error signals | |
| US3914608A (en) | Rapid exposure of micropatterns with a scanning electron microscope | |
| US20070075887A1 (en) | Electrostatic particle beam deflector | |
| JPS60176234A (ja) | 帯電粒子ビ−ム偏向装置 | |
| JP3260611B2 (ja) | 荷電ビーム描画制御装置 | |
| JPH0691005B2 (ja) | 荷電ビ−ム描画方法 | |
| US4074359A (en) | Vector generator | |
| US3772563A (en) | Vector generator utilizing an exponential analogue output signal | |
| JP2901246B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置 | |
| JP2553032B2 (ja) | 荷電粒子ビ−ム偏向回路 | |
| JP3372356B2 (ja) | 電子ビーム偏向方法及び電子ビーム描画装置 | |
| JP2000306808A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置 | |
| JP3169399B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置及びその制御方法 | |
| JP2000223412A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法 | |
| JP2914926B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JP2985568B2 (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
| US20210193436A1 (en) | Settling time determination method and multi charged particle beam writing method | |
| JPH05144912A (ja) | 電子ビーム露光方法および電子ビーム露光装置 | |
| JPH07312338A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 | |
| JP3008494B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法および露光装置 | |
| JPS63166227A (ja) | 荷電ビ−ム描画装置 | |
| JP3321838B2 (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPS61105838A (ja) | 電子ビ−ム露光装置、電子ビ−ムリソグラフイ−装置及び粒子ビ−ムリングラフイ−方法 |