JPS60173938A - 光受信器 - Google Patents
光受信器Info
- Publication number
- JPS60173938A JPS60173938A JP59029755A JP2975584A JPS60173938A JP S60173938 A JPS60173938 A JP S60173938A JP 59029755 A JP59029755 A JP 59029755A JP 2975584 A JP2975584 A JP 2975584A JP S60173938 A JPS60173938 A JP S60173938A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency characteristic
- bias voltage
- frequency
- amplifier
- input signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/25—Arrangements specific to fibre transmission
- H04B10/2507—Arrangements specific to fibre transmission for the reduction or elimination of distortion or dispersion
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）＠明の技術分野
本発明はアバランシェホトダイオード（以下ＡＰＤと称
す）により元信号を電気信号に変換した後、醇化増暢糸
により等化増幅し、陳別器で０１“０”に識別するとと
もに、識別器への入力信号振幅が一定となるように該Ａ
ＰＤのバイアス電圧をｉ制御する自動利得制御機能を備
えた光受信器に係り、該識別器への入力信号波形を常に
最適波形に出来易光受信器に関する◎ 伽）従来技術と問題点 第１図は従来例の光受信器のブロック図であり、増幅器
２と等比容４で等化増幅系を形成している。
す）により元信号を電気信号に変換した後、醇化増暢糸
により等化増幅し、陳別器で０１“０”に識別するとと
もに、識別器への入力信号振幅が一定となるように該Ａ
ＰＤのバイアス電圧をｉ制御する自動利得制御機能を備
えた光受信器に係り、該識別器への入力信号波形を常に
最適波形に出来易光受信器に関する◎ 伽）従来技術と問題点 第１図は従来例の光受信器のブロック図であり、増幅器
２と等比容４で等化増幅系を形成している。
第２因は第１図のＡＰＤＩのバイアス電圧を変化した場
合の接合容量の変化を示す長波長ＡＰＤの特性例であり
、４１口は別種類のＡＰＤの場合を示している〇 第１図においてはＡＰＤｌにて光信号を電気信号に変換
し、変換された電気信号を増幅器２にて増幅し、直流再
生器３にて論理信号Ｏのレベルをクランプして識別再生
を容易にし、等比容４にて雑音を抑圧してＳＮ比を向上
し、識別器５に入力している◎この時等化器４の出力の
ピーク値をピーク検出器６にて検出し、この値を帰還増
幅器７にて増幅してＡＰＤｌのバイアス電圧として与え
。
合の接合容量の変化を示す長波長ＡＰＤの特性例であり
、４１口は別種類のＡＰＤの場合を示している〇 第１図においてはＡＰＤｌにて光信号を電気信号に変換
し、変換された電気信号を増幅器２にて増幅し、直流再
生器３にて論理信号Ｏのレベルをクランプして識別再生
を容易にし、等比容４にて雑音を抑圧してＳＮ比を向上
し、識別器５に入力している◎この時等化器４の出力の
ピーク値をピーク検出器６にて検出し、この値を帰還増
幅器７にて増幅してＡＰＤｌのバイアス電圧として与え
。
ＡＰＤｌの増幅率を制御して、識別器５に入力する信号
の振幅を一定にするようにしている＠しがしＡＰＤ １
の接合容量は第２図に示す如くバイアス電圧により変化
する。 （第２図に示したＡＰＤのバイアス電圧は通常
３０Ｖ以下） ＡＰＤＩの負荷抵抗をＲ１増幅器２の入
力部ｆをＣ，ＡＰＤｌの接合容１ｔＣｊとすると増幅器
２の入力部のカットオフ周波数ｆｃは次式（１）の如く
なる。
の振幅を一定にするようにしている＠しがしＡＰＤ １
の接合容量は第２図に示す如くバイアス電圧により変化
する。 （第２図に示したＡＰＤのバイアス電圧は通常
３０Ｖ以下） ＡＰＤＩの負荷抵抗をＲ１増幅器２の入
力部ｆをＣ，ＡＰＤｌの接合容１ｔＣｊとすると増幅器
２の入力部のカットオフ周波数ｆｃは次式（１）の如く
なる。
従って、光入力レベルが変動すると、バイアス電圧が変
化し、カットオフ周波数ｆｃは変化するりよって％識別
器５０入力信号波形は任意のある光入力レベルでは最適
となるが、その他の元入力レベルでは最適とはならない
。このことは前記その他の光入力レベルでは符号誤り率
が識別器に最適入力信号波形を入力した場合と比べ劣化
していることを意味する・ 従来の光受信器では上記の如き欠点がある◎（ｃ） 発
明の目的 本発明の目的は上記の欠点に鑑み、識別器への入力信号
波形を常に最適波形に出来る光受信器の提供にある。
化し、カットオフ周波数ｆｃは変化するりよって％識別
器５０入力信号波形は任意のある光入力レベルでは最適
となるが、その他の元入力レベルでは最適とはならない
。このことは前記その他の光入力レベルでは符号誤り率
が識別器に最適入力信号波形を入力した場合と比べ劣化
していることを意味する・ 従来の光受信器では上記の如き欠点がある◎（ｃ） 発
明の目的 本発明の目的は上記の欠点に鑑み、識別器への入力信号
波形を常に最適波形に出来る光受信器の提供にある。
（ｄ） 発明の構成
本発明は上記の目的を達成するために１等化増幅系に周
波数特性可変機能を持たせ、バイアス電圧をモニタした
電圧値によシ周波数特性可変機能を制御するようにした
ことを特徴とする。即ち、このことにより、該バイアス
電圧の変化により生ずるＡＰＤの接合容量変化による周
波数特性の変動を補償し、識別器の入力信号を常に最適
波形に出来るようにするものである。
波数特性可変機能を持たせ、バイアス電圧をモニタした
電圧値によシ周波数特性可変機能を制御するようにした
ことを特徴とする。即ち、このことにより、該バイアス
電圧の変化により生ずるＡＰＤの接合容量変化による周
波数特性の変動を補償し、識別器の入力信号を常に最適
波形に出来るようにするものである。
（ｅ） 発明の実施例
以下本発明の実施例につき図に従って説明する。
８ｇ３図は本発明の実施例の光受信器のブロック図であ
り、第１図と同一機能のものけ周一記号で示しである。
り、第１図と同一機能のものけ周一記号で示しである。
第４図は第３図の周波数特性可変増幅器８の一例の回路
図であり１図中Ｒ，〜Ｒｍは抵抗、Ｄは可変容量ダイオ
ード、Ｃ，、Ｃ，は直流をカットするコンデンサ、 Ｔ
ｒはトランジスタを示す。
図であり１図中Ｒ，〜Ｒｍは抵抗、Ｄは可変容量ダイオ
ード、Ｃ，、Ｃ，は直流をカットするコンデンサ、 Ｔ
ｒはトランジスタを示す。
第３図で第１図と異なる点は、第１図の増幅器２のかわ
りに周波数特性可変増幅器８を用い、 ＡＰＤｌのバイ
アス電圧を周波数特性制御器９にてモニタし、このモニ
タした電圧を周波数特性可変増幅器８に加え、周波数特
性を可変して、バイアス電圧の変化により生ずるＡＰＤ
ｌの接合容量変化による周波数特性の変動を補償する点
である０この周波数特性可変増幅器８に付き第４図を用
いて説明する◎第４図のＤは可変容量ダイオードを示し
これは加える電圧が高くなると可変容量ダイオードの容
量ＣＤは小となり、加える電圧が低くなると容量ＣＤは
大きくなる・又トランジスタＴｒのエミッタとアース間
の抵抗Ｒ４と、直列に接続されたコンデンサＣ，（Ｃ，
の′６ｉは可変容量ダイオードの容量ＣＤに対し十分大
きい）抵抗Ｒ８と可変容蓄ダイオードＤ、の容ｉｔ Ｃ
ｏとの並列インピーダンスをＺＢとすればＺｌは次式（
２）の如くなり第４図の回路の利得Ｇは次式（３）で表
わされる〇この式（３）の分母のインピーダンスＺｌは
、式（２）で（朴悟ように周波数が高くなると低くなる
ので、式（３）の利得Ｇは周波数が高くなると増し、Ａ
ＰＤｌの接合容量による利得の低減を補償する方向にな
る・この場合利得低減のカットオフ周波数に対応じ九高
域補償周波数ｆａは次式（４）で表わされる。
りに周波数特性可変増幅器８を用い、 ＡＰＤｌのバイ
アス電圧を周波数特性制御器９にてモニタし、このモニ
タした電圧を周波数特性可変増幅器８に加え、周波数特
性を可変して、バイアス電圧の変化により生ずるＡＰＤ
ｌの接合容量変化による周波数特性の変動を補償する点
である０この周波数特性可変増幅器８に付き第４図を用
いて説明する◎第４図のＤは可変容量ダイオードを示し
これは加える電圧が高くなると可変容量ダイオードの容
量ＣＤは小となり、加える電圧が低くなると容量ＣＤは
大きくなる・又トランジスタＴｒのエミッタとアース間
の抵抗Ｒ４と、直列に接続されたコンデンサＣ，（Ｃ，
の′６ｉは可変容量ダイオードの容量ＣＤに対し十分大
きい）抵抗Ｒ８と可変容蓄ダイオードＤ、の容ｉｔ Ｃ
ｏとの並列インピーダンスをＺＢとすればＺｌは次式（
２）の如くなり第４図の回路の利得Ｇは次式（３）で表
わされる〇この式（３）の分母のインピーダンスＺｌは
、式（２）で（朴悟ように周波数が高くなると低くなる
ので、式（３）の利得Ｇは周波数が高くなると増し、Ａ
ＰＤｌの接合容量による利得の低減を補償する方向にな
る・この場合利得低減のカットオフ周波数に対応じ九高
域補償周波数ｆａは次式（４）で表わされる。
’ Ｍ” ２ Ｋ ＣＤＲ＋ ””””・（４）使用す
るＡＰＤの接合容量は、第２図の特性図により各バイア
ス電圧に対応した値をめることが予め出来又第１図の増
幅器２の入力容量Ｃ及びＡＰＤＩの負荷抵抗Ｒも予め；
チｌす、これらにより各バイアス電圧における周波数特
性のカットオフ周波数は式（１）より半・Ｊるので、こ
れらの周波数特性を補償する第４図の抵抗Ｒ４可変容量
ダイオードＤの容量ＣＤは式（４）にて計算することで
められる請求めた抵抗Ｒ４の値は一定値とすればＡＰＤ
Ｉの各バイアス電圧に対応して可変容蓋ダイオードＤＶ
ｃ印加するべき電圧は李・β０従って％第３図の周波数
特性制御器９をＡＰＤＩの各バイアス電圧に対応して、
上記の如くして半ＩＰＡした可変容蓋ダイオードＤに印
加する電圧を発生するようにしておけば、バイアス電圧
により生ずるＡＰＤ ｌの接合容量変化による周波数特
性の変動を補償することが出来、認別器５への入力信号
を常に最適波形にすることが出来る０ 以上は増幅器の周波数特性を制御する場合で説明したが
等比容４０周波数特性を制御しても同様の補償が出来る
。
るＡＰＤの接合容量は、第２図の特性図により各バイア
ス電圧に対応した値をめることが予め出来又第１図の増
幅器２の入力容量Ｃ及びＡＰＤＩの負荷抵抗Ｒも予め；
チｌす、これらにより各バイアス電圧における周波数特
性のカットオフ周波数は式（１）より半・Ｊるので、こ
れらの周波数特性を補償する第４図の抵抗Ｒ４可変容量
ダイオードＤの容量ＣＤは式（４）にて計算することで
められる請求めた抵抗Ｒ４の値は一定値とすればＡＰＤ
Ｉの各バイアス電圧に対応して可変容蓋ダイオードＤＶ
ｃ印加するべき電圧は李・β０従って％第３図の周波数
特性制御器９をＡＰＤＩの各バイアス電圧に対応して、
上記の如くして半ＩＰＡした可変容蓋ダイオードＤに印
加する電圧を発生するようにしておけば、バイアス電圧
により生ずるＡＰＤ ｌの接合容量変化による周波数特
性の変動を補償することが出来、認別器５への入力信号
を常に最適波形にすることが出来る０ 以上は増幅器の周波数特性を制御する場合で説明したが
等比容４０周波数特性を制御しても同様の補償が出来る
。
第５図は等化部として良く使用されるトムソン５次フィ
ルタで補償する場合の回路例を示し２図中ＴｈＲ５１Ｒ
？は抵抗４Ｌ１〜Ｌ、はインダクタンス、Ｃｍ、Ｃ４，
ＣＩはコンデンサ、Ｄは可変谷蓋ダイオードを示す０第
５図に示す等化部のコンデンサＣ１に並列に可変容量ダ
イオードＤ を接続しておき、第３図の周波数特性制御
器９より、ＡＰＤ ｌのバを印加すれば、増幅器の場合
と同様に補償するこ特性を制御して補償するようにして
も良いことは明白である◎ （ｆ） 発明の効果 以上詳細に説明せる如く本発明によれば、バイアス電圧
の変化によ塾生ずるＡＰＤの接合容量変化によシ変化す
る周波数特性の変ｍｔ−補償出来るので％識別器への入
力信号を常圧最適波形にすることが出来符号誤りを向上
出来る効果がある・
ルタで補償する場合の回路例を示し２図中ＴｈＲ５１Ｒ
？は抵抗４Ｌ１〜Ｌ、はインダクタンス、Ｃｍ、Ｃ４，
ＣＩはコンデンサ、Ｄは可変谷蓋ダイオードを示す０第
５図に示す等化部のコンデンサＣ１に並列に可変容量ダ
イオードＤ を接続しておき、第３図の周波数特性制御
器９より、ＡＰＤ ｌのバを印加すれば、増幅器の場合
と同様に補償するこ特性を制御して補償するようにして
も良いことは明白である◎ （ｆ） 発明の効果 以上詳細に説明せる如く本発明によれば、バイアス電圧
の変化によ塾生ずるＡＰＤの接合容量変化によシ変化す
る周波数特性の変ｍｔ−補償出来るので％識別器への入
力信号を常圧最適波形にすることが出来符号誤りを向上
出来る効果がある・
図
第１図は従来例の光受信器のブロック図、ｓｇＹはアバ
ランシェホトダイオードのバイアス電圧を変化した場合
の接合容量の変化を示す特性例、第３図は本発明の実施
例の光受信器のブロック図、第４図は第３図の周波数特
性可変増幅器の一例の回路図、第５図は本発明の実施例
の等化部にて補償する場合の一例の等化部の回路図を示
す〇図中１はアバランシェホトダイオード、２は増幅器
、３は直流再生器、４は等化部、５は識別器、６はピー
ク検出器、７は帰還増幅器、８は周波数扛批恍、Ｄ、Ｌ
）は可変ダイオード％ Ｃ１〜Ｃ６はコンデンサ、Ｌ、
〜Ｌ、はインダクタンス、Ｔｒはトランジスタを示す０ Ｙ−Ｉ酊 パイγに電圧（Ｖ）− ￥−３唖 ￥−４図 １／ｆ 番Ｓ図
ランシェホトダイオードのバイアス電圧を変化した場合
の接合容量の変化を示す特性例、第３図は本発明の実施
例の光受信器のブロック図、第４図は第３図の周波数特
性可変増幅器の一例の回路図、第５図は本発明の実施例
の等化部にて補償する場合の一例の等化部の回路図を示
す〇図中１はアバランシェホトダイオード、２は増幅器
、３は直流再生器、４は等化部、５は識別器、６はピー
ク検出器、７は帰還増幅器、８は周波数扛批恍、Ｄ、Ｌ
）は可変ダイオード％ Ｃ１〜Ｃ６はコンデンサ、Ｌ、
〜Ｌ、はインダクタンス、Ｔｒはトランジスタを示す０ Ｙ−Ｉ酊 パイγに電圧（Ｖ）− ￥−３唖 ￥−４図 １／ｆ 番Ｓ図
Claims (1)
- アバランシェホトダイオードにより元信号ｔ−電気信号
に変換した後、等化増幅し、識別器で°１“０”に識別
するとともに、該識別器への入力信号振幅が一足となる
ように該アバランシェホトダイオードのバイアス延圧を
制御する自動利得制御機能を備えた光受信器において、
該等化増幅系に周波数特性可変制御回路を具備し、該ア
バランシェホトダイオードのバイアス電圧をモニタし７
′ｃ’ａ＋ｉ；圧制により該周波数特性制御回ｌｌ＠全
制御することを％徴とする先受ｍ器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59029755A JPS60173938A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 光受信器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59029755A JPS60173938A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 光受信器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60173938A true JPS60173938A (ja) | 1985-09-07 |
Family
ID=12284895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59029755A Pending JPS60173938A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 光受信器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60173938A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6393230A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-23 | アーテー・エン・テー・アンド・フィリップス・テレコミュニケイシオンズ・ベー・ヴェー | 光前置増幅器 |
| FR2688365A1 (fr) * | 1992-03-09 | 1993-09-10 | France Telecom | Procede de transmission optique d'un multiplex de porteuses electriques et dispositif pour la mise en óoeuvre de ce procede. |
-
1984
- 1984-02-20 JP JP59029755A patent/JPS60173938A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6393230A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-23 | アーテー・エン・テー・アンド・フィリップス・テレコミュニケイシオンズ・ベー・ヴェー | 光前置増幅器 |
| FR2688365A1 (fr) * | 1992-03-09 | 1993-09-10 | France Telecom | Procede de transmission optique d'un multiplex de porteuses electriques et dispositif pour la mise en óoeuvre de ce procede. |
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