JPS60170901A - Thermistor - Google Patents

Thermistor

Info

Publication number
JPS60170901A
JPS60170901A JP2751084A JP2751084A JPS60170901A JP S60170901 A JPS60170901 A JP S60170901A JP 2751084 A JP2751084 A JP 2751084A JP 2751084 A JP2751084 A JP 2751084A JP S60170901 A JPS60170901 A JP S60170901A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermistor
metal oxide
thermistor element
support container
foil
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2751084A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
彪 長井
一志 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2751084A priority Critical patent/JPS60170901A/en
Publication of JPS60170901A publication Critical patent/JPS60170901A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、riA度を検出すべき対象物と機械的に接触
して温度を検出するサーミスタ、たとえば鍋物調理をす
る際鍋底を通して鍋内部の調理物の温度を検出するサー
ミスタに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a thermistor that detects temperature by mechanically contacting an object whose riA degree is to be detected. This relates to a thermistor that detects the temperature of

従来例の構成とその問題点 従来4 この棟の温度検出t1G1図に示すごとく鍋底
1に熱電対2f:機械的に接触せしめ一熱電対2の熱起
電力を検出することによ−てなされてい泥−この時 熱
電対2を鍋底1に機械的に強固に接触せしめるために熱
電対2は支持容器;3に固定されてい゛たー しかし、
熱起電力は通常小さな値しか得られないという欠点があ
−)た。たとえばアルメ/レークロメル熱電的は耐熱性
(空気中500〜1000°C)に優れまた安価である
が、〜401tVICの起電力しか発生しない。銅−コ
ンスタンタン熱電λ”+J1白金−白金・ロジウム熱電
対もそのカ3起電力は(30〜60 ) ILV/’C
t、か得られないのみならず、1llit熱性が小さい
(銅−コンスタンタン熱′屯力)、高価である(白金−
白金ロジウム熱電力)などの欠点があった。
Configuration of conventional example and its problems Conventional 4 Temperature detection in this building t1G1 As shown in the figure, thermocouple 2f is mechanically brought into contact with pot bottom 1, and the thermoelectromotive force of thermocouple 2 is detected. Mud - At this time, the thermocouple 2 was fixed to the support container 3 in order to bring it into strong mechanical contact with the pot bottom 1. However,
The drawback is that thermoelectromotive force usually only has a small value. For example, Alme/Lake Chromel thermoelectric has excellent heat resistance (500-1000°C in air) and is inexpensive, but it generates only an electromotive force of ~401 tVIC. The electromotive force of the copper-constantan thermocouple λ"+J1 platinum-platinum/rhodium thermocouple is (30 to 60) ILV/'C
Not only is it not possible to obtain t, but the thermal properties are small (copper-constantan thermal strength) and expensive (platinum-constantan).
There were disadvantages such as platinum rhodium thermoelectric power).

その他4重々の熱電力が存在するが、いずれも上記のご
とき欠点を有していた。上記のご七く小さな熱起電力を
電気的に検出し、で、熱源の発熱量を制御する場合電気
的に大きな増巾をしなければならないので価格が高くな
る、複雑な電気回路が必要になるなどの欠点もθ](生
しだ。
There are four other types of thermal power, but all of them have the drawbacks mentioned above. In order to electrically detect the small thermoelectromotive force mentioned above and control the amount of heat generated by the heat source, a large electrical amplification is required, which increases the price and requires a complex electrical circuit. There are also drawbacks such as becoming θ] (raw.

他方」1記熱電対に代ってサーミスタを用いて温良検出
をする場合、抵抗値の17i1’を度にス]する変化率
は(1〜7%/°C)の大きな値を得られる。従って復
雑な電気回路を必要とぜす、まだ低価格となるなどの長
所を冶する。この場合サーミスタ素子はできるだけ小さ
くして、熱容量を小さくしたものが選ばれる。これは小
型化により熱応答性も速くできることによる。このよう
な小型のサーミスタ素子には、F、 、Ni 、co、
Mnなどの複合金属酸化物サーミスタ素子がある。しか
し、サーミスタ素子自身の岐)容IIVは小さくても、
支持容器3との接続部の熱抵抗を小さくすることが困9
71[なだめに熱応答性が遅くなるという欠点があった
On the other hand, when a thermistor is used instead of the thermocouple described in item 1 to detect the temperature, the rate of change of the resistance value of 17i1' can be as large as (1 to 7%/°C). Therefore, it has the advantage of not requiring a complicated electrical circuit, but still being low cost. In this case, the thermistor element is selected to be as small as possible and to have a low heat capacity. This is because miniaturization allows faster thermal response. Such small thermistor elements include F, , Ni, co,
There are composite metal oxide thermistor elements such as Mn. However, even if the capacitance IIV of the thermistor element itself is small,
It is difficult to reduce the thermal resistance of the connection part with the support container 39
71 [However, there was a drawback that the thermal response was slow.

発明の目的 本発明はこれら従来の欠点を解消するもので、支持容器
との接続部の熱抵抗を小さくすることにより、ザ1応答
性の良ofなサーミスタを提供することを目1′白とす
る。
OBJECTS OF THE INVENTION The present invention solves these conventional drawbacks, and aims to provide a thermistor with good response by reducing the thermal resistance of the connection part with the support container. do.

発明の構成 本発明のサーミスタは、平板状の金属酸化物サーミスタ
素子と支持容器とをT i 7i′iもしくはZr箔を
介してロウ付接続して構成される。
Structure of the Invention The thermistor of the present invention is constructed by brazing a flat metal oxide thermistor element and a support container via T i 7i'i or Zr foil.

このようにしてサーミスタ素子と支持容器とはロウ付接
続妬れるので、接続部の熱抵抗は非常に小さくなる。
In this way, the thermistor element and the support container are connected by soldering, so that the thermal resistance of the connection becomes extremely small.

実施例の説明 本発明の一実施例を第2図に示す。Description of examples An embodiment of the present invention is shown in FIG.

平板状の金属酸化物サーミスタ素子4と支持容器3とは
Ti箔5を介在きせて、ロウ月間6.7全通してロウ付
接続される。T12i′i5と支持容器3とのロウ付接
続は、ロウ月間6を通して金属結合によりロウ付接続さ
れる。金属酸化物サーミスタ素子4にばF@ 、 Co
、 Ni 、 Mnなどの複合酸化物ザーミスタ素子が
多く用いられる。この金属酸化物サーミスタ素子4とT
i箔5とはロウ月間7を通してロウ伺接続される。通常
、金属酸化物4とロウAJJ層7とは、互いに儒れ合わ
ない。すなわち化学的な結合力は両者の間で殆んど存在
しないので、金属酸化物サーミスタ素子4のロウイ」接
続は困曽([である。しかし、Ti2^5(もしぐばZ
r箔5)と金属酸化物サーミスタ素子4との間にロウ月
間7を形成したとき、ロウ月間7と金属酸化物サーミス
タ素子4とは互いによく濡れ合い、Ti箔5と金属酸化
物サーミスタ素子4とはロウ月間7を通して互いにロウ
イ\J接b′1=される。この理由の詳細に、不明であ
るが、ロウ利を面相線温度以−にまで加熱したとき、做
量のTi原子(もしくはZr原子)が溶融ロウ利IQ 
7を通して拡散し、金属酸化物サーミスタ素子4の表面
に到達し、金属酸化物サーミヌク素子40表面が金属化
されるので、Tl箔5と金J萬ザーミスタ素子4とがロ
ウ(;I接続されると4えられる。
The flat metal oxide thermistor element 4 and the support container 3 are connected by soldering through the entire soldering period 6.7 with a Ti foil 5 interposed therebetween. The brazing connection between T12i'i5 and the support container 3 is made by metal bonding through the brazing period 6. Metal oxide thermistor element 4 F@, Co
, Ni, Mn, and the like are often used. This metal oxide thermistor element 4 and T
It is connected to the i-foil 5 throughout the row month 7. Usually, the metal oxide 4 and the row AJJ layer 7 do not mix with each other. In other words, since there is almost no chemical bonding force between the two, it is difficult to connect the metal oxide thermistor element 4 ([.
When the wax cap 7 is formed between the r foil 5) and the metal oxide thermistor element 4, the wax cap 7 and the metal oxide thermistor element 4 wet each other well, and the Ti foil 5 and the metal oxide thermistor element 4 and are connected to each other through Low Month 7. The details of this reason are unknown, but when the wax alloy is heated to the phase line temperature or higher, a large amount of Ti atoms (or Zr atoms) increase the melting alloy IQ.
7 and reaches the surface of the metal oxide thermistor element 4, and the surface of the metal oxide thermistor element 40 is metallized, so that the Tl foil 5 and the gold J thermistor element 4 are connected by a row (;I). 4.

このように本発明のザ・−ミヌタでは、金属酸化物サー
ミスタ素子4と支持容器3とがTi箔5を介して、ロウ
月間6.7全通してロウ付接続されている。
As described above, in the MINUTA of the present invention, the metal oxide thermistor element 4 and the support container 3 are connected by soldering through the Ti foil 5 throughout the entire soldering period.

このため、90%熱応答時間(最初T1°Cに保たれた
第1図鍋底温度が突然T2°C(>T+″C)に開化し
たとき、薄膜ザーミ7タチソプの温度がTI+0.9(
T2−T+)”Cになるにヅする時間で、′r1−室温
、T2−約100°Cで測定した)も3〜5寵で、高速
応答性を示した。丑た、ロウ付接続部の接着強度は10
0〜500 g/mrlであり、充分に来月に耐える強
度を示した。
For this reason, when the 90% thermal response time (Fig. 1, which was initially maintained at T1°C), the temperature at the bottom of the pot suddenly changes to T2°C (>T+''C), the temperature of the thin film Zami 7 Tachisop changes to TI+0.9 (
T2-T+)"C (measured at room temperature, T2-approximately 100°C) also showed high-speed response with 3 to 5 degrees. The adhesive strength of is 10
It was 0 to 500 g/mrl, and showed sufficient strength to withstand next month.

な・お、金属酸化物サーミスタ素子4の熱膨張係数は(
50〜90)X10 /℃であるので、支持容器3のそ
れも類似の値であることが望ま□しく、従って、支持容
器3はF e −N i −Co合金、T1、M o、
 W 、 F e Cr合金、Fe−Ni合金などから
選ばれたAg HAで()7)成されることが望、まし
い。実際、金属酸化物サーミスタ素子4とFe−Cr合
金支持容器3とを第2図ロウ伺接続し、空気中350°
Cイ→呈l)m水中の熱衝撃試験を1000ザイクル実
施しても、ロウ付接続部の機械的劣化(クラックの発生
など)は観察されず、また熱応答性も殆んど変化しなか
った。
・The thermal expansion coefficient of the metal oxide thermistor element 4 is (
50 to 90)
(7) It is desirable that the material is made of Ag HA selected from W, FeCr alloy, Fe-Ni alloy, etc. In fact, the metal oxide thermistor element 4 and the Fe-Cr alloy support container 3 were connected by the row shown in FIG.
C → Presentation l) Even after conducting 1000 cycles of underwater thermal shock tests, no mechanical deterioration (such as cracking) of the brazed joints was observed, and there was almost no change in thermal response. Ta.

またロウ利はA g −Cu共晶根ロウが優れている。Furthermore, the Ag-Cu eutectic root brazing is superior in terms of brazing yield.

これは、この銀ロウ利は箔状に加工するのが容易であり
、工業的にも箔状で利用されているので、本発明のサー
ミスタを形成するとき、支持容器3と金属酸化物サーミ
スタ素子4との間にTi箔もしくはZ r 7i5を介
在させ、ロウ材層6.7の位置に箔状ロウ月を設置して
加熱することにより容易にロウイ:1接続することがで
きるからである。
This is because this silver solder is easy to process into a foil shape and is also used industrially in foil shape, so when forming the thermistor of the present invention, the support container 3 and the metal oxide thermistor element are This is because a Ti foil or Z r 7i5 is interposed between the soldering material layer 6.7 and the soldering material layer 6.7, and a foil-like soldering material is placed at the position of the soldering material layer 6.7 and heated, thereby making it possible to easily perform the soldering:1 connection.

発明の効果 本発明によれば次の効果が得られる。Effect of the invention According to the present invention, the following effects can be obtained.

(1)金属酸化物サーミスタ素子と支持容器とがロウイ
τ1接続されているので、両者の間の熱抵抗が非常に小
さい。このため、熱応答性の速いサーミスタが実現でき
る。
(1) Since the metal oxide thermistor element and the support container are connected by Lowie τ1, the thermal resistance between them is extremely small. Therefore, a thermistor with fast thermal response can be realized.

(2)支持容器に金属酸化サーミスタ素子が強固にロウ
イN1接続されているので、支持容器の機械的強度が増
加する。したがって、鍋底などにより支持容器に機械的
衝撃が加えられる場合の実用的機械強度を確保すること
ができる。
(2) Since the metal oxide thermistor element is firmly connected to the support container by Lowey N1, the mechanical strength of the support container is increased. Therefore, practical mechanical strength can be ensured when mechanical impact is applied to the support container by the bottom of the pot or the like.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は熱電対を用いた温度検出を示す従来例断面図、
第2図は本発明の一実施例によるサーミスタの断面図で
6る。 3・支持容器、4・−金属酸化物サーミスタ素イ、5 
Ti箔もしくはZr箔、6.7・ロウ月間。
Figure 1 is a cross-sectional view of a conventional example showing temperature detection using a thermocouple.
FIG. 2 is a sectional view of a thermistor according to an embodiment of the present invention. 3.Support container, 4.-Metal oxide thermistor element, 5
Ti foil or Zr foil, 6.7. Low month.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (1)平板状の金属酸化物サーミスタ素子と支持容器と
をチタニウム箔もしくはジルコニウム箔を介し−てロウ
伺接h′εしたサーミスタ。 9し) 支持容器が鉄−ニソケルーコバルト合金、鉄−
ニノケ/し合金、鉄−クロミウム合金、チタニウム、モ
リブデン、タングステンなどから選ばれた利料で構成さ
れた特許請求の範囲第1項記載のサーミスタ。 (3) ロウ月が銀−銅共晶銀ロウである特許請求の範
囲第1項記戦のサーミスタ。
[Scope of Claims] (1) A thermistor in which a flat metal oxide thermistor element and a support container are soldered together via titanium foil or zirconium foil. 9) The support container is made of iron - Nisokeru-cobalt alloy, iron -
2. The thermistor according to claim 1, wherein the thermistor is made of a material selected from Ninoke/Si alloy, iron-chromium alloy, titanium, molybdenum, tungsten, and the like. (3) The thermistor according to claim 1, wherein the wax is a silver-copper eutectic silver wax.
JP2751084A 1984-02-16 1984-02-16 Thermistor Pending JPS60170901A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2751084A JPS60170901A (en) 1984-02-16 1984-02-16 Thermistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2751084A JPS60170901A (en) 1984-02-16 1984-02-16 Thermistor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60170901A true JPS60170901A (en) 1985-09-04

Family

ID=12223126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2751084A Pending JPS60170901A (en) 1984-02-16 1984-02-16 Thermistor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60170901A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20090008352A (en) Ceramic heater and method of securing a thermocouple thereto
JP3758331B2 (en) Shunt resistor element for semiconductor device, mounting method thereof, and semiconductor device
JPS60170901A (en) Thermistor
JPS63318175A (en) Thermopile
JPS6219954Y2 (en)
JPS5831502A (en) Thin film thermistor
JPS5951323A (en) Thermistor
JPS6157682B2 (en)
JPS6057904A (en) Thin film thermistor
JP6129980B2 (en) Mechanical quantity measuring apparatus and manufacturing method thereof
JPS60179619A (en) Thin film thermistor
JPH06685A (en) Solder material
US20050098201A1 (en) Pure metal thermocouple and a normal temperature compensating wire therefor
JP3086305B2 (en) Sensor and manufacturing method thereof
JP2001203399A (en) Infrared ray sensor
JPS6150361B2 (en)
JPS5946401B2 (en) thermistor
JPS5932041B2 (en) thin film thermistor
JPH0342485B2 (en)
JPH056949A (en) Heat sink
JPH07335945A (en) Thermocouple array
JPH0321092B2 (en)
JPH0532921Y2 (en)
JP2001144361A (en) Package for optical semiconductor element
JP2503774B2 (en) Substrate for semiconductor device