JPS60170790A - 原子炉制御棒 - Google Patents
原子炉制御棒Info
- Publication number
- JPS60170790A JPS60170790A JP59026096A JP2609684A JPS60170790A JP S60170790 A JPS60170790 A JP S60170790A JP 59026096 A JP59026096 A JP 59026096A JP 2609684 A JP2609684 A JP 2609684A JP S60170790 A JPS60170790 A JP S60170790A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- absorber
- control rod
- neutron
- rod
- neutrons
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
Landscapes
- Vibration Dampers (AREA)
- Monitoring And Testing Of Nuclear Reactors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は原子炉に使用される制御棒（＝関し、さら（二
詳しくは、核的寿命の長い制ａＩＩａ（二関する。
詳しくは、核的寿命の長い制ａＩＩａ（二関する。
原子炉を安全《＝運転する｛＝は炉内中性子の数を藺整
して一定時間内｝二起る核分裂の数を制御する必要があ
り、このために制御棒を用いている。
して一定時間内｝二起る核分裂の数を制御する必要があ
り、このために制御棒を用いている。
７一般（二制伸俸は第１図《＝示すような構成を有して
いる。すなわち断面十字形の長尺なシース１の上端《二
重シ上げー・ンドル２、下端５ニスピードリミツタ３が
それぞれ設けられ、シース１の部分１二中性子吸収体が
収容されている。シース１の横断面図を弟２図に示す。
いる。すなわち断面十字形の長尺なシース１の上端《二
重シ上げー・ンドル２、下端５ニスピードリミツタ３が
それぞれ設けられ、シース１の部分１二中性子吸収体が
収容されている。シース１の横断面図を弟２図に示す。
シース１はステンレス製で、第２図に示さ才Ｌるよう１
＝中空十字形｛こ形成されておシ、各ブレード１ａの内
部（二は、中性子吸収材４をステンレス管５で被覆した
アブソーバチューブ６が多数装填されている。中性子吸
収材４としては、従来化学的｛二安定で中性子吸収性能
が大きいホウ素−１０を含有する炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）
が用いられている。
＝中空十字形｛こ形成されておシ、各ブレード１ａの内
部（二は、中性子吸収材４をステンレス管５で被覆した
アブソーバチューブ６が多数装填されている。中性子吸
収材４としては、従来化学的｛二安定で中性子吸収性能
が大きいホウ素−１０を含有する炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）
が用いられている。
ところが、中性子吸収材としでＢ４Ｃを用いた制御棒は
核的寿酪が短く、早期交換を要する欠点があった。すな
わちホウ素−１０は中性子を吸収してリチウム（Ｌｉ）
とヘリウム０Ｉｅ） と（１変化するが、したがって、
Ｂ、Ｃは中性子を吸収ｊ−る（二つれて中性子吸収能力
が急速：＝減少し、＋ｂｌＪ副俸の核的寿命が早期（＝
終了して早期交換を余誠なくされること（二なる。
核的寿酪が短く、早期交換を要する欠点があった。すな
わちホウ素−１０は中性子を吸収してリチウム（Ｌｉ）
とヘリウム０Ｉｅ） と（１変化するが、したがって、
Ｂ、Ｃは中性子を吸収ｊ−る（二つれて中性子吸収能力
が急速：＝減少し、＋ｂｌＪ副俸の核的寿命が早期（＝
終了して早期交換を余誠なくされること（二なる。
またＢ４Ｃを用いた場合（＝は、中性子吸収（二よって
発生したＨｅガスが制御棒のアブンーバチュープ６内（
＝たまってその内圧ン高め、またＢ４Ｃがスウェリング
と称する体積増加現象を生じ、いずれもアプソーバチュ
ーフのステンレス管５に応力を生じて危険な状態となる
ので、この場合（：は機株的寿命（二連したとし゛Ｃ制
御棒を交換しなければならない。しかし通常は核的寿命
の方が機械的寿命よシ短い。
発生したＨｅガスが制御棒のアブンーバチュープ６内（
＝たまってその内圧ン高め、またＢ４Ｃがスウェリング
と称する体積増加現象を生じ、いずれもアプソーバチュ
ーフのステンレス管５に応力を生じて危険な状態となる
ので、この場合（：は機株的寿命（二連したとし゛Ｃ制
御棒を交換しなければならない。しかし通常は核的寿命
の方が機械的寿命よシ短い。
このＢ４Ｃに代る吸収材としてはハフニウム（Ｈｆ）、
カドミウム（Ｃｄ） 、ガドリニウム（Ｇｄ）、サマリ
ウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ジスプロ７クム
（Ｄｙ）等が考えられているが、これらの元素を実際に
どのよう（二しＣ用いたら効率的な中性子吸収を行なう
ことができるのか、例えば単体で用いるか、化合物で用
いるか、ｉｆｆ制御棒のシース（二どのようにして設け
るのか等明らか（＝されていない。
カドミウム（Ｃｄ） 、ガドリニウム（Ｇｄ）、サマリ
ウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ジスプロ７クム
（Ｄｙ）等が考えられているが、これらの元素を実際に
どのよう（二しＣ用いたら効率的な中性子吸収を行なう
ことができるのか、例えば単体で用いるか、化合物で用
いるか、ｉｆｆ制御棒のシース（二どのようにして設け
るのか等明らか（＝されていない。
本発明は上記情況（＝鑑みてなされたものであって、核
的寿命が長く、しかも！ｌｌｉ量な制御棒を提供するこ
とを目的とするものである。
的寿命が長く、しかも！ｌｌｉ量な制御棒を提供するこ
とを目的とするものである。
中性子吸収体が炭化ホウ素（二よって形成された内側吸
収体および該内側吸収体の外側（二股けられハフニウム
によって形成された外側吸収体から構成されていること
を特徴とするものである。
収体および該内側吸収体の外側（二股けられハフニウム
によって形成された外側吸収体から構成されていること
を特徴とするものである。
外側吸収体を形成するハフニウムは質量数１７７のＨｆ
−１７７および質量数１７８のＨｆ−１７８＋二よって
中性子を吸収する。これらは中性子吸収断面積がＢ４Ｃ
よシも小さいが、中性子を吸収した時に生成する同・ム
Ｔ体１（ｆ−１７８、Ｈｆ−１７９がいずれも中性子を
吸収するので、Ｈｆの中性子吸収能力は長期Ｃ１亘って
維持される。Ｈｆの中性子吸収能力を他の中性子吸収材
と比戟して第３図に示す。
−１７７および質量数１７８のＨｆ−１７８＋二よって
中性子を吸収する。これらは中性子吸収断面積がＢ４Ｃ
よシも小さいが、中性子を吸収した時に生成する同・ム
Ｔ体１（ｆ−１７８、Ｈｆ−１７９がいずれも中性子を
吸収するので、Ｈｆの中性子吸収能力は長期Ｃ１亘って
維持される。Ｈｆの中性子吸収能力を他の中性子吸収材
と比戟して第３図に示す。
第３図（二示すグラフは中性子、照射量すなわら制びＢ
、Ｃより大きい吸収断面積を有しかつ原子炉内で安定し
ている物質として昶らＡしる宙ヨユウロ（Ｅｄ２０ｓ
）ｌ二ついて示したものである。Ｇ ｄ ２０ｇは最初
の核的両値はＢ４Ｃと同じであるが、中団子照射（二よ
シ急激（１核的価値がＢ、Ｃよυ吐下し、核的寿命が短
くなる。ここに示さオシていないが、Ｃｄ およびサマ
リウム酸化物（Ｓｍ２０３）も同じ傾回を示ｒ。
、Ｃより大きい吸収断面積を有しかつ原子炉内で安定し
ている物質として昶らＡしる宙ヨユウロ（Ｅｄ２０ｓ
）ｌ二ついて示したものである。Ｇ ｄ ２０ｇは最初
の核的両値はＢ４Ｃと同じであるが、中団子照射（二よ
シ急激（１核的価値がＢ、Ｃよυ吐下し、核的寿命が短
くなる。ここに示さオシていないが、Ｃｄ およびサマ
リウム酸化物（Ｓｍ２０３）も同じ傾回を示ｒ。
Ｅｕ２Ｏ３はＨｆと同様に中性子吸収能力が長期に亘っ
て維持されるが、生産量に限界がめシ、コスト高になる
。
て維持されるが、生産量に限界がめシ、コスト高になる
。
Ｈｆはさらにジルカロイと同程度の機械的特性、すぐれ
た耐食性、耐中性子照射特性を有してお九構造材料とし
て使用しうる特性をもっている。
た耐食性、耐中性子照射特性を有してお九構造材料とし
て使用しうる特性をもっている。
このＨｆを外側吸収体とし、従来から使用されていたＢ
４Ｃを内側吸収体とすること（＝よって、中性子の吸収
はまずＨｆ Ｉ”ニーよりて行なわれ、次１：４ｆ（＝
よって減衰された中性子がＢ、Ｃ１二よって吸収される
ので、Ｂ、Ｃの中性子吸収能力の減衰は従来より非常（
二ゆるやかになシ、制御棒全体の核的寿命を長くするこ
とができる。またＢ４Ｃは減衰した中性子を吸収するの
で、従来よυスウェリング現象およびＨｅガスの発生も
減少し、したがって機械的寿命ものびる。
４Ｃを内側吸収体とすること（＝よって、中性子の吸収
はまずＨｆ Ｉ”ニーよりて行なわれ、次１：４ｆ（＝
よって減衰された中性子がＢ、Ｃ１二よって吸収される
ので、Ｂ、Ｃの中性子吸収能力の減衰は従来より非常（
二ゆるやかになシ、制御棒全体の核的寿命を長くするこ
とができる。またＢ４Ｃは減衰した中性子を吸収するの
で、従来よυスウェリング現象およびＨｅガスの発生も
減少し、したがって機械的寿命ものびる。
またＨｆはＢ、Ｃからなる中性子吸収体の外側のみ（１
使用するので少量を有効（１使用することができ、かつ
制御棒全体の重量も低く抑えることができる。本発明は
このような中性子吸収体を中性子照射量の多い制御棒の
上部および外縁部シー使用したものである。
使用するので少量を有効（１使用することができ、かつ
制御棒全体の重量も低く抑えることができる。本発明は
このような中性子吸収体を中性子照射量の多い制御棒の
上部および外縁部シー使用したものである。
本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第４〜６図は本発明の一実施例を示すものであｐ、第４
図はシース１内のアブソーバチューブの配列を説明する
制御棒拡大縦断面図、第５図は第４図の■−■線の横断
面図、第６図は第４図のｎ−ｎ線の横断面図である。
図はシース１内のアブソーバチューブの配列を説明する
制御棒拡大縦断面図、第５図は第４図の■−■線の横断
面図、第６図は第４図のｎ−ｎ線の横断面図である。
第４図に示されるよう（二、本発明の制御棒は、高照射
域である上部および外縁部の置載（破線よシ上および右
）でＢ４Ｃ粉末とＨｆとからなる中性子吸収体を用いた
アブソーバチューブ７を使用し、低照射域である内側お
よび下部の領域（破線の下および左）でＢ、Ｃ粉末のみ
からなる中性子吸収体を用いたアブソーバチューブ８を
使用する。第５図は第４図の１−１線（二おけるシース
１内の１析而を示すもので、図から明らかなようにアブ
ソー バチュープ７はＢ４Ｃ粉末９を）Ｉｆで製した管
１０内に収納したものである。Ｉ−１線においてはシー
ス１内のアブソーバチューブは最内側から最外・劇まで
全部アブソーバチューブ７が用いられている。第６図は
第４図の■−Ｍ線（＝おけるシースｌ内の断面を示すも
ので、外縁部Ｃ：は前記アブソーバチューブ７が用いら
れているが、内側にはＢ、Ｃ粉末９をステンレス管１１
内（二収納した従来のアブソーバチューブ８が用いられ
ている。
域である上部および外縁部の置載（破線よシ上および右
）でＢ４Ｃ粉末とＨｆとからなる中性子吸収体を用いた
アブソーバチューブ７を使用し、低照射域である内側お
よび下部の領域（破線の下および左）でＢ、Ｃ粉末のみ
からなる中性子吸収体を用いたアブソーバチューブ８を
使用する。第５図は第４図の１−１線（二おけるシース
１内の１析而を示すもので、図から明らかなようにアブ
ソー バチュープ７はＢ４Ｃ粉末９を）Ｉｆで製した管
１０内に収納したものである。Ｉ−１線においてはシー
ス１内のアブソーバチューブは最内側から最外・劇まで
全部アブソーバチューブ７が用いられている。第６図は
第４図の■−Ｍ線（＝おけるシースｌ内の断面を示すも
ので、外縁部Ｃ：は前記アブソーバチューブ７が用いら
れているが、内側にはＢ、Ｃ粉末９をステンレス管１１
内（二収納した従来のアブソーバチューブ８が用いられ
ている。
第７〜８図は本発明の他の実施例を示すものである。
第７図はシース１内の状態を示す一部切除した拡大縦断
面図で必シ、破線よｐ上および右の部分すなわち制御棒
上部および外縁部（二おいてＢ４Ｃ粉末とＨｆとからな
る中性子吸収体を用い、点線よシ下および左すなわち制
御棒下部および内側（二おいてＢ、Ｃ粉末のみの中性子
吸収体を用いている。
面図で必シ、破線よｐ上および右の部分すなわち制御棒
上部および外縁部（二おいてＢ４Ｃ粉末とＨｆとからな
る中性子吸収体を用い、点線よシ下および左すなわち制
御棒下部および内側（二おいてＢ、Ｃ粉末のみの中性子
吸収体を用いている。
第８図は第７図の１［１１＋ｉ［１ｉ（−おける横断面
図であシ、アブソーバチューブとしてはＢ４Ｃ粉末９を
ステンレス管ＩＪ（＝収納したアブンーパテユープ８を
使用し°Ｃいるが、該アブソーバチューブ８とステンレ
ス製のシース１との間（二、高照射を受ける制御棒外縁
部（二おいて外側吸収体としてＨｆで製した薄板１２を
挿入し、比較的低照射量の内側部分ζ二おいてジルカロ
イで製した薄板１３を挿入している。
図であシ、アブソーバチューブとしてはＢ４Ｃ粉末９を
ステンレス管ＩＪ（＝収納したアブンーパテユープ８を
使用し°Ｃいるが、該アブソーバチューブ８とステンレ
ス製のシース１との間（二、高照射を受ける制御棒外縁
部（二おいて外側吸収体としてＨｆで製した薄板１２を
挿入し、比較的低照射量の内側部分ζ二おいてジルカロ
イで製した薄板１３を挿入している。
Ｈｆ ｔｒｉ板１２とジルカロイ製薄板１３とは溶接さ
れて一体となっている。
れて一体となっている。
上記いずれの実施りＵも高照射領域である制御棒の上部
および外縁部（二おいて外側吸収体としてＨｆを使用し
ているので、中性子の吸収はまず１ｉｆ（二よって行な
われ、Ｈｆ ｉ二よって減衰した中性子が内側吸収体で
あるＢ、Ｃｉ二よって吸収される。
および外縁部（二おいて外側吸収体としてＨｆを使用し
ているので、中性子の吸収はまず１ｉｆ（二よって行な
われ、Ｈｆ ｉ二よって減衰した中性子が内側吸収体で
あるＢ、Ｃｉ二よって吸収される。
次に本発明の１ｌｊｌＪ郁棒（二おける外側吸収体およ
び内側吸収体の中性子吸」区作用について説明する。
び内側吸収体の中性子吸」区作用について説明する。
第９図は上記実施例（二おける外ｆｉｌｌ吸収本を有す
る部分の制御棒およびその外側の一次冷却水（二おける
熱中性子束を線分０−１（二沿って測定した結果の図で
ある。原子炉中に本発明の制御棒ンツ＋ｅ人すると、原
子炉内の熱中性子は１ｉｉｌＪ御棒に達するまでに一次
冷却水（二よって若干吸収される。そして１ｉｉｌｊ御
棒のｆ（ｆからなる外側吸収体（＝達した中性子は、そ
の中を通過する間に一部分がＨｆ−１７７およびＨｆ−
１７８に吸収され、吸収載設された中性子は次に内側吸
収体であるＢ４Ｃ中に侵入する。Ｂ４ＣはＨｆより中性
子吸収断面積が大きいので、中性子を良好（＝吸収する
。
る部分の制御棒およびその外側の一次冷却水（二おける
熱中性子束を線分０−１（二沿って測定した結果の図で
ある。原子炉中に本発明の制御棒ンツ＋ｅ人すると、原
子炉内の熱中性子は１ｉｉｌＪ御棒に達するまでに一次
冷却水（二よって若干吸収される。そして１ｉｉｌｊ御
棒のｆ（ｆからなる外側吸収体（＝達した中性子は、そ
の中を通過する間に一部分がＨｆ−１７７およびＨｆ−
１７８に吸収され、吸収載設された中性子は次に内側吸
収体であるＢ４Ｃ中に侵入する。Ｂ４ＣはＨｆより中性
子吸収断面積が大きいので、中性子を良好（＝吸収する
。
以上説明したよう（＝、本発明の制御棒は中性子照射量
の多い〜１ｊ御俸上部および外縁部（＝おいて、中性子
吸収体がＨｆからなる外側吸収体とＢ４ Ｃ粉末からな
る内側吸収体とで構成されているので、この部分（−お
いて中性子の吸収はまずＨｆ ｌ二よって行なわれ、次
（二Ｈｆ （＝よって減衰された中性子がＢ、Ｃによっ
て吸収されることになる。したがってＢ４Ｃの中性子吸
収能力の減少は従来よシ非常にゆるやか（二なり、一方
Ｈｆは前述したよう（二中性子吸収能力の低下が少ない
物質であるので、結局この部分の中性子吸収能力は長期
（＝亘って維持されるようになる。
の多い〜１ｊ御俸上部および外縁部（＝おいて、中性子
吸収体がＨｆからなる外側吸収体とＢ４ Ｃ粉末からな
る内側吸収体とで構成されているので、この部分（−お
いて中性子の吸収はまずＨｆ ｌ二よって行なわれ、次
（二Ｈｆ （＝よって減衰された中性子がＢ、Ｃによっ
て吸収されることになる。したがってＢ４Ｃの中性子吸
収能力の減少は従来よシ非常にゆるやか（二なり、一方
Ｈｆは前述したよう（二中性子吸収能力の低下が少ない
物質であるので、結局この部分の中性子吸収能力は長期
（＝亘って維持されるようになる。
またＢ４Ｃは従来より中性子吸収量が少なくなるので、
Ｈｅのガス発生およびスウェリングの発生も減少し、ア
ブソーバチューブの応力腐食割れのお七オしもなくなる
。
Ｈｅのガス発生およびスウェリングの発生も減少し、ア
ブソーバチューブの応力腐食割れのお七オしもなくなる
。
さら（二ＨｆはＢ、Ｃからなる中性子吸収体の外側（二
のみ使用するので、少量を有効に使用することができ、
かつ制御棒全体の那４を低く抑えることができる。した
がって制御棒落下事故対策や制御棒駆動機構の面でも有
利である。
のみ使用するので、少量を有効に使用することができ、
かつ制御棒全体の那４を低く抑えることができる。した
がって制御棒落下事故対策や制御棒駆動機構の面でも有
利である。
第１図は従来の１ｌｊｌＪ御棒の外ビ２図、第２図は第
１図の制御棒の横断面図、第３図は各種中性子吸収材の
制御棒価値の中性子照射量（二対する変化を示すグラフ
、第４図は本発明の一実施例を示す’ｒｉｉＵ却棒一部
拡大縦断面図、第５図および第６図はそれぞれ第４図の
Ｉ−Ｉ、尿および■−…ｌ誕の横断面図、第７図は本発
明の他の実施例を示す制御棒の一部拡大縦断面図、第８
図は第７図のｌ［Ｍｉ非の横１析面図、第９図は不発１
男の制御棒およびその外１ｆ、ｉｌｌの一次冷却水にお
ける熱中性子束の１１１定結果を示丈図である。 １・・・シース ９・・・Ｂ４Ｃ粉末 １０・・・ｌｉｆ製’＃、 １１・・・ステンレス製管
１２・・・Ｈｆ裂薄板、 １３・・・ジルカロイ製薄板
（８７３３）代理人 弁理士 猪 股 祥 晃（ほか１
名）第 ＩＩＩ 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ７ 図 第 ９ 図
１図の制御棒の横断面図、第３図は各種中性子吸収材の
制御棒価値の中性子照射量（二対する変化を示すグラフ
、第４図は本発明の一実施例を示す’ｒｉｉＵ却棒一部
拡大縦断面図、第５図および第６図はそれぞれ第４図の
Ｉ−Ｉ、尿および■−…ｌ誕の横断面図、第７図は本発
明の他の実施例を示す制御棒の一部拡大縦断面図、第８
図は第７図のｌ［Ｍｉ非の横１析面図、第９図は不発１
男の制御棒およびその外１ｆ、ｉｌｌの一次冷却水にお
ける熱中性子束の１１１定結果を示丈図である。 １・・・シース ９・・・Ｂ４Ｃ粉末 １０・・・ｌｉｆ製’＃、 １１・・・ステンレス製管
１２・・・Ｈｆ裂薄板、 １３・・・ジルカロイ製薄板
（８７３３）代理人 弁理士 猪 股 祥 晃（ほか１
名）第 ＩＩＩ 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ７ 図 第 ９ 図
Claims (2)
- （１） 中性子吸収体含有する原子炉制御棒（＝おいて
、ｉｕ！ｌ御棹の上部および外縁５＋＝配置された中性
子吸収体が、炭化ホソぶ（二よって形成された内側吸収
体および該内側吸収体の外側に設けられ一へフニウム（
二よって形成された外側吸収体から構成されていること
を特徴とする原子炉ｉｔｉｌＪ御棒。 - （２） 制御棒の上部および外縁部に配置された中性子
吸収体が、一・フニウム製・１の中（＝炭化ホウ素粉末
を収納してなるアブソーバチューブである特許請求の範
囲第１唄記載の原子炉制御棒。 −ｔ３） ｆｌＩＩＪ
御桿の上部および外Ｒ部に配置された中性子吸収体が、
ステンレスＨ％の中《二炭化ホウ素粉末を収納してなる
アブソーバチューブと該アブソーバチューブとシースと
の間に設置したハフニウム製薄板とで、ｉ４成されてい
る特許請求の範囲第１項記載の原子炉制御棒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59026096A JPS60170790A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 原子炉制御棒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59026096A JPS60170790A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 原子炉制御棒 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170790A true JPS60170790A (ja) | 1985-09-04 |
Family
ID=12184061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59026096A Pending JPS60170790A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 原子炉制御棒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60170790A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4876060A (en) * | 1986-06-30 | 1989-10-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Control blade for nuclear reactor |
| US5180544A (en) * | 1986-06-30 | 1993-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Control blade for nuclear reactor |
| US5592522A (en) * | 1995-06-09 | 1997-01-07 | General Electric Company | Control rod for a nuclear reactor |
| US6147936A (en) * | 1996-10-31 | 2000-11-14 | Citizen Watch Co., Ltd. | Electronic watch |
| JP2013170863A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Hitachi-Ge Nuclear Energy Ltd | 制御棒 |
-
1984
- 1984-02-16 JP JP59026096A patent/JPS60170790A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4876060A (en) * | 1986-06-30 | 1989-10-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Control blade for nuclear reactor |
| US5180544A (en) * | 1986-06-30 | 1993-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Control blade for nuclear reactor |
| US5592522A (en) * | 1995-06-09 | 1997-01-07 | General Electric Company | Control rod for a nuclear reactor |
| US6147936A (en) * | 1996-10-31 | 2000-11-14 | Citizen Watch Co., Ltd. | Electronic watch |
| JP2013170863A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Hitachi-Ge Nuclear Energy Ltd | 制御棒 |
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