JPS6016889A - ガ−ネツト型酸化物単結晶薄膜育成法 - Google Patents
ガ−ネツト型酸化物単結晶薄膜育成法Info
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- JPS6016889A JPS6016889A JP58123227A JP12322783A JPS6016889A JP S6016889 A JPS6016889 A JP S6016889A JP 58123227 A JP58123227 A JP 58123227A JP 12322783 A JP12322783 A JP 12322783A JP S6016889 A JPS6016889 A JP S6016889A
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- Japan
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- film
- thin film
- yig
- garnet
- substrate
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はイツトリウム・鉄・ガーネット（ＹＩＧ： Ｙ
３Ｆｅ５Ｏ１２）に代表される結晶構造がガーネットで
ある酸化物の単結晶薄膜の育成法に係り、とくにグラフ
オエピタキシーによる該単結晶薄膜の育成法に関する。
３Ｆｅ５Ｏ１２）に代表される結晶構造がガーネットで
ある酸化物の単結晶薄膜の育成法に係り、とくにグラフ
オエピタキシーによる該単結晶薄膜の育成法に関する。
ＹｓＦｅｓＯｔｚ （以後ＹＩＧと略す）に代表サレル
ガーネット結晶は磁気パズル素子、磁気光学素子、Ｖ−
ザなどに極めて有用なエレクトロニクス材料である。こ
のガーネット結晶を薄膜化するには、同じガーネット構
造をもつガドリニウム・ガリウム・ガーネット（Ｇｄ３
Ｇａ５０ｔ□）などの単結晶基板上にＬ Ｐ Ｅ （Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉ ｔａｘｙ ）法、Ｃ
ＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ １）ｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）法などによりエピタキシャル成長させるこ
とが必要である。
ガーネット結晶は磁気パズル素子、磁気光学素子、Ｖ−
ザなどに極めて有用なエレクトロニクス材料である。こ
のガーネット結晶を薄膜化するには、同じガーネット構
造をもつガドリニウム・ガリウム・ガーネット（Ｇｄ３
Ｇａ５０ｔ□）などの単結晶基板上にＬ Ｐ Ｅ （Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉ ｔａｘｙ ）法、Ｃ
ＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ １）ｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）法などによりエピタキシャル成長させるこ
とが必要である。
一方、近年のエレクトロニクスの分野においては、単結
晶薄膜を薄膜とは材質が異なる基板上に形成することが
望まれている。この課題を解決する技術としては、石英
ガラスなどのアモルファル基板上に微細な溝（例えば溝
幅０．３μｍ ） ｆ形成し、この上に溝にそって結晶
方位がそろった単結晶薄膜を形成するグラフオエピタキ
シー技術がある。（Ｍ−Ｗ、 Ｇｅ１ｓ、 Ｄ、Ｃ，Ｆ
ｌａｎｄｅｒｓ、 Ｈ，Ｉ。
晶薄膜を薄膜とは材質が異なる基板上に形成することが
望まれている。この課題を解決する技術としては、石英
ガラスなどのアモルファル基板上に微細な溝（例えば溝
幅０．３μｍ ） ｆ形成し、この上に溝にそって結晶
方位がそろった単結晶薄膜を形成するグラフオエピタキ
シー技術がある。（Ｍ−Ｗ、 Ｇｅ１ｓ、 Ｄ、Ｃ，Ｆ
ｌａｎｄｅｒｓ、 Ｈ，Ｉ。
Ｂｍｉｔｈ ａｎｄ ７）、Ａ、 Ａｎｔｏｎｉｄ；ｓ
、 Ｊ、 ｙａｃ、 Ｂｃ】’ｌ’ｅｃｈｎｏ１．１６
（６）（１９７９）１６４０ ）ＹＩＧ単結晶薄膜を石
英ガラス基板上にグラフオエピタキシーによって形成し
た場合には、形成したＹＩＧ薄瞑は微細な多結晶になり
易い。グラフオエピタキシーは結晶面によって表面エネ
ルギーが違っていることを利用する方法である。初期に
発生する結晶核の表面エネルギーの低い面は、基板に形
成した溝の底面と側面に優先的に接触し、その結果とし
て結晶方位が成長した膜全体でそろうものである。
、 Ｊ、 ｙａｃ、 Ｂｃ】’ｌ’ｅｃｈｎｏ１．１６
（６）（１９７９）１６４０ ）ＹＩＧ単結晶薄膜を石
英ガラス基板上にグラフオエピタキシーによって形成し
た場合には、形成したＹＩＧ薄瞑は微細な多結晶になり
易い。グラフオエピタキシーは結晶面によって表面エネ
ルギーが違っていることを利用する方法である。初期に
発生する結晶核の表面エネルギーの低い面は、基板に形
成した溝の底面と側面に優先的に接触し、その結果とし
て結晶方位が成長した膜全体でそろうものである。
しかしながら、ガーネットにおける表面エネルギーの低
い面は第１図に示すような（２１１）１と（１１０）２
であり、各面がなす角は３０ 、３３．６゜４８．２，
５４．７，６０，７３．２．９０° と多数ある。基板
表面に断面が矩形の清音形成し、その上にグラフオエピ
タキシーによりＹＩＧ薄膜を形成した時、薄膜が多結晶
になる理由は単純な形状をもつ溝では、多数の面間角を
同時にカバーでき−ず、特定の面が配向しないためであ
る。
い面は第１図に示すような（２１１）１と（１１０）２
であり、各面がなす角は３０ 、３３．６゜４８．２，
５４．７，６０，７３．２．９０° と多数ある。基板
表面に断面が矩形の清音形成し、その上にグラフオエピ
タキシーによりＹＩＧ薄膜を形成した時、薄膜が多結晶
になる理由は単純な形状をもつ溝では、多数の面間角を
同時にカバーでき−ず、特定の面が配向しないためであ
る。
本発明の目的は基板とに形成した断面形状が矩形の溝を
使い、グラフオエピタキシーによってＹＩＧ単結晶薄膜
を育成することにある。
使い、グラフオエピタキシーによってＹＩＧ単結晶薄膜
を育成することにある。
断面が矩形である溝をもつ基板上にグラフオエピタキシ
ーによって、単結晶薄膜を育成するには成長する結晶核
が互いに直角な面によって囲まれていることが必要であ
る。すなわち（１００１而で囲まれる立方晶が適した材
料である。ガーネットは先に述べたようにｆ２１１１．
（１１０）面が発達するため、この条件には一致してい
ない。
ーによって、単結晶薄膜を育成するには成長する結晶核
が互いに直角な面によって囲まれていることが必要であ
る。すなわち（１００１而で囲まれる立方晶が適した材
料である。ガーネットは先に述べたようにｆ２１１１．
（１１０）面が発達するため、この条件には一致してい
ない。
そこで、本発明ではまず（１００）面で囲まれる材料の
単結晶薄膜全グラフオエピタキシーで育成し、この単結
晶薄膜の上にガーネットヲエビタキシャル成長させた。
単結晶薄膜全グラフオエピタキシーで育成し、この単結
晶薄膜の上にガーネットヲエビタキシャル成長させた。
これまでガーネットをガーネット以外の材料の基板上に
エピタキシャル成長させた例はない。これはガーネット
の格子定数がＹＩＧの場合、１．２３７ｎｍと極めて大
きく、これと一致するような材料がない、熱膨張係数が
違うなどの理由から、多結晶になったり、割れたりした
ためと考えられる。
エピタキシャル成長させた例はない。これはガーネット
の格子定数がＹＩＧの場合、１．２３７ｎｍと極めて大
きく、これと一致するような材料がない、熱膨張係数が
違うなどの理由から、多結晶になったり、割れたりした
ためと考えられる。
しかし、本発明では次のような観点に立って、ガーネッ
トの薄膜を成長させるための薄膜材料全検討した。酸化
物のエピタキシャル成長に重要な役割を担っているのは
格子定数よりも酸素原子の配列および酸素原子間距離で
ある。熱膨張係数の違いによって発生する薄膜の割れは
、成長する薄膜を島状に分離し、各島の面積金小さくす
れば防止できる。
トの薄膜を成長させるための薄膜材料全検討した。酸化
物のエピタキシャル成長に重要な役割を担っているのは
格子定数よりも酸素原子の配列および酸素原子間距離で
ある。熱膨張係数の違いによって発生する薄膜の割れは
、成長する薄膜を島状に分離し、各島の面積金小さくす
れば防止できる。
ＹＩＧの各酸素原子間の距離は０．２６８〜０．３１６
ｎｍの範囲に６種類あり、一定ではない。（，１００）
面に平行な面において、もつとも酸素原子が稠密に配列
している面を第２図に示す。この面における全ての酸素
原子５が第３図のように再配列すれば、酸素原子間平均
距離は０．２２ｎｍになる。一方、金属原子との結合が
切れている酸素原子のみを考慮すれば、酸素原子間平均
距離は０．３１ｎｍとなる。このことから、ガーネット
の場合、酸素原子間距離としては０．２２〜Ｑ、３１ｎ
ｍの範囲が考えられ、この範囲の値をもつ酸化物基板材
料を実験的に調べた。その結果、ＭｇＯ，Ｌ ｉＦに代
表される岩塩型結晶およびＭｇ Ａｔ２０４に代表され
るスピネル型結晶は矩形の断面をもつ溝の上にグラフオ
エピタキシーにより単結晶膜として成長し、しかもその
上にガーネットをエピタキシャル成長させるための基板
材料になることを見い出した。
ｎｍの範囲に６種類あり、一定ではない。（，１００）
面に平行な面において、もつとも酸素原子が稠密に配列
している面を第２図に示す。この面における全ての酸素
原子５が第３図のように再配列すれば、酸素原子間平均
距離は０．２２ｎｍになる。一方、金属原子との結合が
切れている酸素原子のみを考慮すれば、酸素原子間平均
距離は０．３１ｎｍとなる。このことから、ガーネット
の場合、酸素原子間距離としては０．２２〜Ｑ、３１ｎ
ｍの範囲が考えられ、この範囲の値をもつ酸化物基板材
料を実験的に調べた。その結果、ＭｇＯ，Ｌ ｉＦに代
表される岩塩型結晶およびＭｇ Ａｔ２０４に代表され
るスピネル型結晶は矩形の断面をもつ溝の上にグラフオ
エピタキシーにより単結晶膜として成長し、しかもその
上にガーネットをエピタキシャル成長させるための基板
材料になることを見い出した。
実際の単結晶薄膜形成および結果については実施例でも
って説明する。
って説明する。
実施例１
基板とガーネット薄膜の間にスピネル型結晶構造をもつ
ＭｇＡＡ２０４膜全形成した例金示す。
ＭｇＡＡ２０４膜全形成した例金示す。
ＭｇＡｔ２０４のに１００）面における酸素原子間距離
は０．２７２ｎｍである。直径５０■、厚さ０，３門の
５莢ガラス基板８上に幅１μＩｎ （凹凸の山および谷
の幅がいずれも１μｍ）の溝を形成した。方法はまず１
μｍ周期の平行縞パター／をもつホ１マスクを用い、リ
ングラフィによって基板上に塗布したホトレジストに縞
状のパターン？形成しブζ。
は０．２７２ｎｍである。直径５０■、厚さ０，３門の
５莢ガラス基板８上に幅１μＩｎ （凹凸の山および谷
の幅がいずれも１μｍ）の溝を形成した。方法はまず１
μｍ周期の平行縞パター／をもつホ１マスクを用い、リ
ングラフィによって基板上に塗布したホトレジストに縞
状のパターン？形成しブζ。
このパターンをもとに、ドライエツチング法（反応ガス
はＣＨ，Ｆａ ）により、幅１μｍ、深さ０．５μｎｌ
の矩形断面をもつ溝を基板に形成した。この基板上にＭ
ｇ Ａ −ｅ−２０４ｋ高周波スノくツタ法によって
蒸着した。膜形成時のアルゴン圧は６．６Ｘ１０”Ｐａ
１基板温度は１００Ｃで、膜厚は」μｍであった。蒸着
したＭｇＡＡｚ０４膜はＸ線回折から非晶質であること
が分った。この膜を電気炉中で１１００ｔｌｌ”に加熱
することにより、結晶化させた。
はＣＨ，Ｆａ ）により、幅１μｍ、深さ０．５μｎｌ
の矩形断面をもつ溝を基板に形成した。この基板上にＭ
ｇ Ａ −ｅ−２０４ｋ高周波スノくツタ法によって
蒸着した。膜形成時のアルゴン圧は６．６Ｘ１０”Ｐａ
１基板温度は１００Ｃで、膜厚は」μｍであった。蒸着
したＭｇＡＡｚ０４膜はＸ線回折から非晶質であること
が分った。この膜を電気炉中で１１００ｔｌｌ”に加熱
することにより、結晶化させた。
膜は多結晶になったが、膜面方位が＜１００＞に配向し
ており、１つの粒径は平均５叫であった。
ており、１つの粒径は平均５叫であった。
このＭｇＡｔ２０４膜７上にＹＩＧ？高周波スパッタ法
により蒸着した。スパッタ蒸着条件はＭｇＡｔ２０４膜
全形成した時と同じである。蒸着した状態でのＹＩＧ薄
膜（膜厚１μｍ）は非晶質であったが、これ’１８００
Ｃに空気中で加熱することにより結晶化がおこった。Ｙ
ＩＧ膜６の面方位はほぼ［１００）で、面内方位はＭｇ
２ ｋｔ２０４の〔０１０〕に対して、ＹＩＧの〔０
１０〕が４５゜傾いていた。また結晶粒径はＭ ｇＡ
ｔ ２０４の粒径と同じであ、０、ＹＩＧがエピタキシ
ャル成長していることを裏伺けるものである。膜には割
れが少し生じたが、割れは粒界部分に限定されていた。
により蒸着した。スパッタ蒸着条件はＭｇＡｔ２０４膜
全形成した時と同じである。蒸着した状態でのＹＩＧ薄
膜（膜厚１μｍ）は非晶質であったが、これ’１８００
Ｃに空気中で加熱することにより結晶化がおこった。Ｙ
ＩＧ膜６の面方位はほぼ［１００）で、面内方位はＭｇ
２ ｋｔ２０４の〔０１０〕に対して、ＹＩＧの〔０
１０〕が４５゜傾いていた。また結晶粒径はＭ ｇＡ
ｔ ２０４の粒径と同じであ、０、ＹＩＧがエピタキシ
ャル成長していることを裏伺けるものである。膜には割
れが少し生じたが、割れは粒界部分に限定されていた。
形成した膜の外観図を第４図に示す。
実施例２
溝を有する石英ガラス基板８とＹＩ（）薄膜６の間に岩
塩型結晶構造をもつ酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜９を
形成した例を示す。なおＭｇＯの（ｉｏｏ）面における
酸素原子間距離は０．２９８ｎｍである。実施例１と同
様の方法で溝をもつ石英ガラス基板」二にＭｇＯ盆高周
波スパッタ法により蒸着した。蒸着膜は電気炉中で１０
００ｔｌ’に加熱することにより、面方位が（１００）
］に配向した多結晶膜になった。粒径は平均４調であっ
た。このＭｇＯ膜９上にＹＩＧ膜６會実施例１と同様の
方法で蒸着し、８００Ｃに加熱した。ＹＩＧ膜６の面方
位は〔１００〕に配向したが結晶粒径は約２朋で小さく
しかも膜には割れが多く発生した。
塩型結晶構造をもつ酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜９を
形成した例を示す。なおＭｇＯの（ｉｏｏ）面における
酸素原子間距離は０．２９８ｎｍである。実施例１と同
様の方法で溝をもつ石英ガラス基板」二にＭｇＯ盆高周
波スパッタ法により蒸着した。蒸着膜は電気炉中で１０
００ｔｌ’に加熱することにより、面方位が（１００）
］に配向した多結晶膜になった。粒径は平均４調であっ
た。このＭｇＯ膜９上にＹＩＧ膜６會実施例１と同様の
方法で蒸着し、８００Ｃに加熱した。ＹＩＧ膜６の面方
位は〔１００〕に配向したが結晶粒径は約２朋で小さく
しかも膜には割れが多く発生した。
しかしながら、ＹＩＧ４ｉ摸６を予め２１＋Ｉ＋１１角
の島状に加工しておくと、２−角の島内は単結晶化し、
しかも割れの発生は抑えられた。第５図にＭ、 ｇ Ｏ
を中間層にＹＩＧ薄膜を形成した時の外観図を示す。
の島状に加工しておくと、２−角の島内は単結晶化し、
しかも割れの発生は抑えられた。第５図にＭ、 ｇ Ｏ
を中間層にＹＩＧ薄膜を形成した時の外観図を示す。
実施例３
溝を有する石英ガラス基板とＹＩＧ薄膜の間に岩塩型結
晶構造金もつフッ化リチウム（ＬｉＦ）膜全形成した例
を示す。ＬｉＦの（１００）面におけるフッ素原子の距
離は０．２８４ｎｍである。実施例１と同様の方法で石
英ガラス基板に矩形状の溝を形成した。この基板ｖＬｉ
ｐ水溶液中に入れ水分全わずかに蒸発させることにより
、石英ガラス基板上にＬｉＦの薄膜を形成した。膜厚は
２μｍであった。ＬｉＦ膜は熱処理を行うことなく、形
成時に〔１００〕に配向していた。このＬｉＦ単結晶膜
の上に実施例１に示したのと同じ高周波スパッタ法によ
りＹＩＧ薄膜を蒸着した。非晶質ＹＩＧ薄膜は７５０Ｃ
に熱処理することにより、結晶化した。結晶粒径は平均
３ｍであった。ＹＩＧ薄膜の面方位は（１００）よシ約
１０°ずれてい・だが、各結晶粒内には小傾角粒界は発
生しなかった。
晶構造金もつフッ化リチウム（ＬｉＦ）膜全形成した例
を示す。ＬｉＦの（１００）面におけるフッ素原子の距
離は０．２８４ｎｍである。実施例１と同様の方法で石
英ガラス基板に矩形状の溝を形成した。この基板ｖＬｉ
ｐ水溶液中に入れ水分全わずかに蒸発させることにより
、石英ガラス基板上にＬｉＦの薄膜を形成した。膜厚は
２μｍであった。ＬｉＦ膜は熱処理を行うことなく、形
成時に〔１００〕に配向していた。このＬｉＦ単結晶膜
の上に実施例１に示したのと同じ高周波スパッタ法によ
りＹＩＧ薄膜を蒸着した。非晶質ＹＩＧ薄膜は７５０Ｃ
に熱処理することにより、結晶化した。結晶粒径は平均
３ｍであった。ＹＩＧ薄膜の面方位は（１００）よシ約
１０°ずれてい・だが、各結晶粒内には小傾角粒界は発
生しなかった。
本発明によればガーネット結晶構造をもつ材料の増結晶
薄膜を石英ガラス等の非晶質基板上に育成することがで
きる。これにより、新しいエレクトロニクス素子の開発
が可能になるものである。
薄膜を石英ガラス等の非晶質基板上に育成することがで
きる。これにより、新しいエレクトロニクス素子の開発
が可能になるものである。
本発明の実施例では、基板材料に石英ガラスを使用した
が、他の材料の上にスパッタ蒸着、プラズマＣＶＤ法な
どにより形成した５Ｉ０２膜であってもよいことは明ら
かである。まｆｃ、８１１Ｎ４ 等の材料であっても、
グラフオエピタキシーのだめの溝加工ができる基板であ
れば何であってもよい。
が、他の材料の上にスパッタ蒸着、プラズマＣＶＤ法な
どにより形成した５Ｉ０２膜であってもよいことは明ら
かである。まｆｃ、８１１Ｎ４ 等の材料であっても、
グラフオエピタキシーのだめの溝加工ができる基板であ
れば何であってもよい。
一方、ガーネット結晶は構成元素によって格子定数、す
なわち酸素原子間距離が変わるため、基板とガーネット
結晶薄膜の間に形成する中間層の材料はガーネットの種
類によって変える必要がある。
なわち酸素原子間距離が変わるため、基板とガーネット
結晶薄膜の間に形成する中間層の材料はガーネットの種
類によって変える必要がある。
しかしながら、岩塩型およびスピネル型の結晶材料であ
ることに変わりはない。
ることに変わりはない。
第１図はガーネットの晶へき面（表面エネルギーの低い
面）を示す外観図、第２図はガーネットの（１００）面
に平行な面における原子配列を示す図、第３図は第２図
の酸素原子全再配列した図、第４図はＭｇＡｔ２０４’
に中間層とした本発明の方法で形成したガーネット単結
晶薄膜の構造図、第５図はＭｇ０ｋ中間層とした本発明
の方法で形成したガーネット単結晶薄膜の構造図である
。 １・・・（２１１）面、２・・・（１１０１面、３・・
・イツトリウム原子、４・・・鉄原子、５・・・酸素原
子、６・・・ＹＩＧ膜、７・・・ＭｇＡｔ２０＜膜、８
・・・石英ガラス基爾 １ 図 第 ２ 図 第 ３ （２） 第 ４ 口 し 第 ５ 図 ≦
面）を示す外観図、第２図はガーネットの（１００）面
に平行な面における原子配列を示す図、第３図は第２図
の酸素原子全再配列した図、第４図はＭｇＡｔ２０４’
に中間層とした本発明の方法で形成したガーネット単結
晶薄膜の構造図、第５図はＭｇ０ｋ中間層とした本発明
の方法で形成したガーネット単結晶薄膜の構造図である
。 １・・・（２１１）面、２・・・（１１０１面、３・・
・イツトリウム原子、４・・・鉄原子、５・・・酸素原
子、６・・・ＹＩＧ膜、７・・・ＭｇＡｔ２０＜膜、８
・・・石英ガラス基爾 １ 図 第 ２ 図 第 ３ （２） 第 ４ 口 し 第 ５ 図 ≦
Claims (1)
- 断面が矩型の微細な溝を表面に形成した基板上に、岩塩
型もしくはスピネル型の結晶構造金もつ単結晶薄膜をグ
ラフオエピタキシー法によって育成し、該単結晶薄膜上
に結晶構造がガーネット型である酸化物単結晶薄膜を育
成する、ガーネット型酸化物単結晶薄膜育成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58123227A JPS6016889A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | ガ−ネツト型酸化物単結晶薄膜育成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58123227A JPS6016889A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | ガ−ネツト型酸化物単結晶薄膜育成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6016889A true JPS6016889A (ja) | 1985-01-28 |
Family
ID=14855345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58123227A Pending JPS6016889A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | ガ−ネツト型酸化物単結晶薄膜育成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6016889A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5089592A (en) * | 1988-06-09 | 1992-02-18 | The Dow Chemical Company | Biscyclobutarene monomer comprising two cyclobutarene moieties bridged by a divalent radical comprising at least one benzothiazole or benzimidazole linkage |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP58123227A patent/JPS6016889A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5089592A (en) * | 1988-06-09 | 1992-02-18 | The Dow Chemical Company | Biscyclobutarene monomer comprising two cyclobutarene moieties bridged by a divalent radical comprising at least one benzothiazole or benzimidazole linkage |
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