JPS60154712A - Transmission driving circuit - Google Patents

Transmission driving circuit

Info

Publication number
JPS60154712A
JPS60154712A JP59012238A JP1223884A JPS60154712A JP S60154712 A JPS60154712 A JP S60154712A JP 59012238 A JP59012238 A JP 59012238A JP 1223884 A JP1223884 A JP 1223884A JP S60154712 A JPS60154712 A JP S60154712A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switching transistor
switching
transistor
winding
reverse bias
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59012238A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Yamada
晃司 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP59012238A priority Critical patent/JPS60154712A/en
Publication of JPS60154712A publication Critical patent/JPS60154712A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

PURPOSE:To decrease the turn-off time of a switching transistor (TR) and also to decrease the switching loss by providing a tertiary winding to a drive transistor and flowing a collector current of the switching TR to the said tertiary winding. CONSTITUTION:A switch SW turned on/off in response to an input signal is connected in series to a primary winding N1 of a drive transformer T', one end of a secondary winding N2 of the drive transformer T' is connected to a base of the switching TRQ via a forward bias limit resistor R1, and also the other end of the secondary winding N2 is connected to an emitter of the switching TRQ and a reverse bias limit resistor R2 is connected between the base and emitter of the switching TRQ. A reverse bias diode D1 is connected in parallel with the forward bias limit resistor R1 and the tertiary winding N3 of the drive transformer T' is connected in series with the collector of the switching TRQ.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明はコイルまたはコイルとコンデンサに直列に接
続される大電力e高速動作型のスイッチングトランジス
タを駆動するトランジスタ駆動同格に関するものである
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a transistor drive equivalent for driving a high power e-high speed operation type switching transistor connected in series with a coil or a coil and a capacitor.

〔背景技術〕[Background technology]

例えば昇圧型トランジスタチョッパは、コイルまたはコ
イルとコンデンサに直列にスイッチングトランジスタを
接続し、このスイッチングトランジスタをオンオフして
負荷に電力を供給するように構成している。
For example, a step-up transistor chopper is configured such that a switching transistor is connected in series with a coil or a coil and a capacitor, and the switching transistor is turned on and off to supply power to a load.

上記スイッチングトランジスタにはコレクタ電流!。と
じて第1図(a)に示すような三角波電流や第1図(b
)に示すような遅相電流が流れる。なお、第1図(b)
において、斜線部はスイッチングトランジスタに並列接
続したダイオードに流れる電流である。
Collector current in the above switching transistor! . The triangular wave current shown in Fig. 1(a) or the triangular wave current shown in Fig. 1(b)
) A slow-phase current flows as shown in (). In addition, Fig. 1(b)
In the figure, the shaded area is the current flowing through the diode connected in parallel to the switching transistor.

上記のスイッチングトランジスタは大電力用例なれは、
スイッチングロスが特に問題となる。すなわち、スイッ
チングトランジスタのコレクタ電流I。が上記第1図(
a) 、 (b)の波形のためオンからオフ状態圧なる
ときにスイッチングトランジスタのエミッタからベース
へ逆バイアス電流を流さなければスイッチングトランジ
スタの蓄積電荷の消失に時間がかかり、ターンオフ時間
が長くなるためスイッチングトランジスタの制御範囲に
影響するとともにスイッチングロスが増大するという欠
点があった。特に周波数が高い場合は逆バイアス電流を
流してターンオフ時間を短くする必要がある。
The above switching transistor is used for high power applications.
Switching loss is a particular problem. That is, the collector current I of the switching transistor. is shown in Figure 1 above (
Because of the waveforms in a) and (b), if a reverse bias current does not flow from the emitter to the base of the switching transistor when the voltage changes from on to off, it will take time for the accumulated charge in the switching transistor to dissipate, resulting in a longer turn-off time. This has the disadvantage that it affects the control range of the switching transistor and increases switching loss. Especially when the frequency is high, it is necessary to flow a reverse bias current to shorten the turn-off time.

第2図はこのようなスイッチングトランジスタを駆動す
るトランジスタ駆動回路の回路図を示している。このト
ランジスタ駆動回路は、駆動トランスTの1次巻線Nユ
にスイッチSWを直列接続し、駆動トランスTの2次巻
線N2の一端を順バイアス用限流抵抗R1ヲ介してスイ
ッチングトランジスタQのベースに接続するとともに2
次巻線N2の他端をスイッチングトランジスタQのエミ
ッタに接続してあり、スイッチSWのオンオフによる駆
動トランスTの1次巻線N工の断続による駆動トランス
Tの2次巻線N2−の誘起電圧の立ち上が9を限流抵抗
Rを通してスイッチングトランジスタQのベースに流す
ものである。しかし、この第2図のものでは、スイッチ
ングトランジスタQがオンからオフ状態になる場合、ベ
ースに充分な逆ノくイアスを流すことができない。した
がって、スイッチングトランジスタQのスイッチングロ
スが大きいという欠点がある。
FIG. 2 shows a circuit diagram of a transistor drive circuit for driving such a switching transistor. This transistor drive circuit connects a switch SW in series to the primary winding Nyu of the drive transformer T, and connects one end of the secondary winding N2 of the drive transformer T to the switching transistor Q through a forward bias current limiting resistor R1. 2 along with connecting to the base
The other end of the secondary winding N2 is connected to the emitter of the switching transistor Q, and the induced voltage in the secondary winding N2- of the drive transformer T due to the disconnection of the primary winding N of the drive transformer T due to the on/off of the switch SW. The rising edge 9 of is passed through the current limiting resistor R to the base of the switching transistor Q. However, in the case shown in FIG. 2, when the switching transistor Q changes from on to off, a sufficient reverse current cannot flow through the base. Therefore, there is a drawback that the switching loss of the switching transistor Q is large.

第3図は上記スイッチングトランジスタを駆動する別の
従来のトランジスタ駆動回路の回路図を示している。こ
のトランジスタ駆動回路は、第2図におけるスイッチン
グトランジスタQのベース・エミッタ間に逆バイアス用
限流抵抗R3を接続するとともに順バイアス用限流抵抗
Rよと並列に逆ノ(イアス用ダイオードD、、e接続し
たもので、駆動トランスTの2次巻線N2の誘起電圧金
順・くイアス用限流抵抗R1ヲ通してスイッチングトラ
ンジスタQのベースに流し、入力信号がオンからオフし
たときに逆バイアス用限流抵抗R2と並列にエミッタ・
ペース間に逆バイアス用ダイオードD1ヲ通して逆バイ
アス電流を流すようにしてスイッチングトランジスタQ
のターンオフを早めるようにしてあり、第2図のものよ
りはスイッチングロスは少ないが、この回路においても
スイッチングスピードが早くなるKつれてスイッチング
ロスが多くなるという欠点があった。
FIG. 3 shows a circuit diagram of another conventional transistor drive circuit for driving the switching transistor. This transistor drive circuit has a reverse bias current limiting resistor R3 connected between the base and emitter of the switching transistor Q in FIG. 2, and reverse bias diodes D, . The induced voltage of the secondary winding N2 of the drive transformer T is passed through the biasing current limiting resistor R1 to the base of the switching transistor Q, and reverse bias is applied when the input signal changes from on to off. The emitter is connected in parallel with the current limiting resistor R2.
A reverse bias diode D1 is passed between the switching transistors Q to flow a reverse bias current.
Although the switching loss is lower than that of the circuit shown in FIG. 2, this circuit also has the disadvantage that as the switching speed increases, the switching loss increases.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明はスイッチングトランジスタのターンオフ時間
を短くしてスイッチングロスを低減することができるト
ランジスタ駆動回路を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide a transistor drive circuit capable of reducing switching loss by shortening the turn-off time of a switching transistor.

〔発明の開示〕[Disclosure of the invention]

この発明のトランジスタ駆動回路は、コイルに直列接続
されるスイッチングトランジスタラ駆動するトランジス
タ駆動回路であって、同極性に巻装した1次巻線および
2次巻線とこの2次巻線と逆極性に巻装した3次巻線と
からなる駆動トランスの1次巻線に入力信号に応じてオ
ンオフするスイッチを直列接続し、前記駆動トランスの
2次巻線を順バイアス用限流抵抗を介して前記スイッチ
ングトランジスタのベース・エミッタ間に接続し、前記
スイッチングトランジスタのベース・エミッタ間に逆バ
イアス用限流抵抗を接続するとともに前記順バイアス用
限流抵抗と並列に逆ノくイアス用ダイオードを接続し、
前記駆動トランスの3次巻線を前記スイッチングトラン
ジスタのコレクタに直列接続したことを特徴とするもの
である。
The transistor drive circuit of the present invention is a transistor drive circuit that drives a switching transistor connected in series to a coil, and has a primary winding and a secondary winding wound with the same polarity and a winding with opposite polarity. A switch that turns on and off according to an input signal is connected in series to the primary winding of a drive transformer consisting of a tertiary winding wound around a tertiary winding. A reverse bias current limiting resistor is connected between the base and emitter of the switching transistor, and a reverse bias current limiting resistor is connected in parallel with the forward bias current limiting resistor. ,
The tertiary winding of the drive transformer is connected in series to the collector of the switching transistor.

このように、駆動トランスの3次巻線(2次巻線と逆極
性)をスイッチングトランジスタのコレクタに直列接続
し、スイッチングトランジスタのコレクタ電流を駆動ト
ランスの3次巻線に流すことによりスイッチングトラン
ジスタのベース曽エミッタ間に駆動トランスを介して急
峻な逆・くイアスを与えることができる。これによシ、
スイッチングトランジスタのターンオフ時間を短くでき
る。
In this way, the tertiary winding (opposite polarity to the secondary winding) of the drive transformer is connected in series to the collector of the switching transistor, and the collector current of the switching transistor is caused to flow through the tertiary winding of the drive transformer. A steep reverse bias can be applied between the base and emitter via a drive transformer. For this,
The turn-off time of the switching transistor can be shortened.

この発明の一実施例を第4図に基づいて説明する。この
トランジスタ駆動回路は、駆動トランスT′の1次巻線
N工に入力信号に応じてオンオフするスイッチSWを直
列接続し、駆動トランスT′の2次巻線N、の一端を順
バイアス用限流抵抗R工を介してスイッチングトランジ
スタQのベースに接続するとともに2次巻線N2の他端
をスイッチングトランジスタQのエミッタに接続し、ス
イッチングトランジスタQのベース・エミッタ間に逆バ
イアス用限流抵抗R2を接続するとともに順バイアス用
限流抵抗Rユに逆バイアス用ダイオードD□を並列に接
続し、駆動トランスT′の3次巻線N3をスイッチング
トランジスタQのコレクタ側に直列接続したものである
。この場合、駆動トランスT′は1次巻線Nと2次巻線
Nとが同極性で、3次巻線N、3が2次1 2 巻線N2と逆極性となるように巻かれている。
An embodiment of this invention will be described based on FIG. 4. In this transistor drive circuit, a switch SW that turns on and off according to an input signal is connected in series to the primary winding N of the drive transformer T', and one end of the secondary winding N of the drive transformer T' is set to forward bias. The current limiting resistor R2 is connected to the base of the switching transistor Q via a current resistor R, and the other end of the secondary winding N2 is connected to the emitter of the switching transistor Q, and a reverse bias current limiting resistor R2 is connected between the base and emitter of the switching transistor Q. A reverse bias diode D□ is connected in parallel to the forward bias current limiting resistor R, and the tertiary winding N3 of the drive transformer T' is connected in series to the collector side of the switching transistor Q. In this case, the drive transformer T' is wound so that the primary winding N and the secondary winding N have the same polarity, and the tertiary winding N, 3 has the opposite polarity to the secondary winding N2. There is.

つぎに、このトランジスタ駆動回路の動作を説明する。Next, the operation of this transistor drive circuit will be explained.

スイッチングトランジスタQに流れるコレクタ亀流I。Collector current I flowing into switching transistor Q.

は前記したように三角波であるため、スイッチングトラ
ンジスタQがオフからオン状態になる場合、人力にオン
信号が送られるとスイッチSWがオンし、駆動トランス
T′の1次巻aNよに起電力が発生し、この起電力によ
って2次巻線N2に電圧が発生し、順バイアス用限流抵
抗R□を通してスイッチングトランジスタQのベースに
一定の電流を流しスイッチングトランジスタQeオンさ
せる。また、コレクタ電流はスイッチングトランジスタ
QがオンすることKよって0かも電流が増加していくか
らオフからオン状態になる時はオーバードライブ状態と
なり、スイッチングロスはほとんどない。つぎにスイッ
チングトランジスタQがオン状態の間では、コレクタ電
流I。が増加関数となるため、3次巻線N3にも起電力
が発生し、3次巻線N3と2次巻線N、とは逆方向であ
るため、1次巻線Nよシ生ずる電圧と3次巻線N3から
生ずる電圧は打ち消され、時間とともにベース電流が多
少減少する。故にスイッチングトランジスタQがオンか
らオフになる直前のベース電流IBf′iその時のコレ
クタ電流!。の1/h、以上にする必要がある。
As mentioned above, is a triangular wave, so when the switching transistor Q changes from off to on, when an on signal is sent to the human power, the switch SW turns on, and an electromotive force is generated in the primary winding aN of the drive transformer T'. This electromotive force generates a voltage in the secondary winding N2, causing a constant current to flow through the forward bias current limiting resistor R□ to the base of the switching transistor Q, turning on the switching transistor Qe. Furthermore, since the collector current increases from 0 to 0 when the switching transistor Q turns on, the current changes from off to on, resulting in an overdrive state, and there is almost no switching loss. Next, while the switching transistor Q is on, the collector current I. is an increasing function, an electromotive force is also generated in the tertiary winding N3, and since the tertiary winding N3 and the secondary winding N are in opposite directions, the voltage generated in the primary winding N and The voltage developed from the tertiary winding N3 cancels out, causing the base current to decrease somewhat over time. Therefore, the base current IBf'i just before the switching transistor Q turns from on to off is the collector current at that time! . It is necessary to make it 1/h or more.

つぎに、この発明において効果があるスイッチングトラ
ンジスタQがオンからオフする状態の場合、入力釦オフ
の信号が送られると、駆動トランスT′にはパルス的に
オン時とは逆の起電力が発生し、2次巻線N2の両端に
も逆の電圧がかかる。さらに、スイッチングトランジス
タQのストレージ時間のためにベース電流がオフした瞬
間では、コレクタ電流■。けまだ増加しようとしている
ため、3次巻線N3にはオン時と同方向の起電力が発生
している。故に2次巻線N、にけ1次巻線N工からの逆
起電力と3次巻線N3からの起電力が重畳された逆電圧
がかかり、スイッチングトランジスタQのベースにかな
シ大きい逆バイアス電流が流れる。
Next, when the switching transistor Q, which is effective in this invention, is in a state where it changes from on to off, when an input button off signal is sent, a pulsed electromotive force opposite to that when it is on is generated in the drive transformer T'. However, an opposite voltage is also applied to both ends of the secondary winding N2. Furthermore, at the moment when the base current is turned off due to the storage time of the switching transistor Q, the collector current ■. Since the emitter is about to increase, an electromotive force is generated in the tertiary winding N3 in the same direction as when it is turned on. Therefore, a reverse voltage is applied to the secondary winding N, the back electromotive force from the primary winding N and the electromotive force from the tertiary winding N3 are superimposed, and a large reverse bias is applied to the base of the switching transistor Q. Current flows.

以上の動作によシスイツチングトランジスタQのストレ
ージタイムが非常に短くなり、スイッチングロスが低減
されることになる。
By the above operation, the storage time of switching transistor Q becomes extremely short, and switching loss is reduced.

なお、逆バイアス用ダイオードDよおよび逆バイアス用
限流抵抗R2による動作は第3図のものと同様である。
Note that the operations of the reverse bias diode D and the reverse bias current limiting resistor R2 are similar to those in FIG.

第5図は上記実施例のトランジスタ駆動回路を用いた昇
圧型トランジスタチョッパの回路図を示している。この
昇圧型トランジスタチョッパは、入力電圧が直流(完全
平滑または脈流)でコレクタ電流■。が三角波で、動作
周波数は40〜50 KHzでスイッチングトランジス
タQのオン区間はデユーティを変えることによって自由
に制御できるものである。制御入力にオン信号が入ると
、スイッチングトランジスタQがオンしてコイルL工に
エネルギが蓄積される。つぎにオフ信号が入り、前述し
た動作によシスイツチングトランジスタQが急速にオフ
することKよシ、コイルL□に蓄えられたエネルギがダ
イオードD、を通して平滑コンデンサC1を充電する。
FIG. 5 shows a circuit diagram of a boost type transistor chopper using the transistor drive circuit of the above embodiment. This step-up transistor chopper has a DC input voltage (completely smooth or pulsating current) and a collector current of ■. is a triangular wave, the operating frequency is 40 to 50 KHz, and the on period of the switching transistor Q can be freely controlled by changing the duty. When an on signal is input to the control input, the switching transistor Q is turned on and energy is stored in the coil L. Next, an off signal is input, and the switching transistor Q is rapidly turned off by the operation described above, and the energy stored in the coil L□ charges the smoothing capacitor C1 through the diode D.

特に、スイッチSWがオンからオフする場合にコレクタ
電流■。がビーク値を示すため、できるだけスイッチン
グトランジスタQの蓄積時間は短い方がよい。負荷LD
は限定しない。
In particular, when the switch SW changes from on to off, the collector current ■. indicates a peak value, so the storage time of the switching transistor Q should be as short as possible. Load LD
is not limited.

第6図(C) 、 (d)は第5図の回路部おけるスイ
ッチングトランジスタQのコレクタtfiI。およびベ
ース電流部の波形を示し、第6図(a) 、 (b)は
第5図におけるベース駆動回路部分を第3図のものに変
更した従来型の昇圧型トランジスタチョッパにおけるス
イッチングトランジスタQのコレクタtit。
6(C) and (d) show the collector tfiI of the switching transistor Q in the circuit section of FIG. 5. Figures 6(a) and 6(b) show the waveforms of the switching transistor Q in a conventional step-up transistor chopper in which the base drive circuit in Figure 5 is changed to that in Figure 3. tit.

およびベース電流1.Bの波形を示している。この図を
見ると明らかなよう罠、第6図(a) 、 (b)の従
来波形では、スイッチングトランジスタQに加えられる
逆バイアスが低いため、スイッチングトランジスタQの
ターンオフ時間が長いのに対し、第6図(c)、(d)
の実施例波形ではスイッチングトランジスタQK入力さ
れる逆バイアスが逆峻で高いため、スイッチングトラン
ジスタQのターンオフ時間が短くなっている。
and base current 1. The waveform of B is shown. As is clear from this figure, in the conventional waveforms shown in Figures 6(a) and 6(b), the reverse bias applied to the switching transistor Q is low, so the turn-off time of the switching transistor Q is long; Figure 6 (c), (d)
In the example waveform, since the reverse bias input to the switching transistor QK is steep and high, the turn-off time of the switching transistor Q is short.

第7図は第4図の回路をトランジスタ式ハーフブリッジ
インバータに用いた回路例、を示している。
FIG. 7 shows an example of a circuit in which the circuit shown in FIG. 4 is used in a transistor half-bridge inverter.

第7図において、1,2は端子、L2けコイル、C2゜
C3はコンデンサ、D3.D、はダイオード、Qよ、Q
2はスイッチングトランジスタ、Tよ、T2は駆動トラ
ンス、R3,R5は順バイアス用限流抵抗、R4,R6
は逆バイアス用限流抵抗、D5’ D6は逆バイアス用
ダイオード、SW□、 SW、はスイッチである。
In FIG. 7, 1 and 2 are terminals, L2 coils, C2 and C3 are capacitors, D3. D is a diode, Q, Q
2 is a switching transistor, T2 is a drive transformer, R3 and R5 are forward bias current limiting resistors, R4 and R6
is a reverse bias current limiting resistor, D5' and D6 are reverse bias diodes, and SW□ and SW are switches.

このトランジスタ式ハーフブリッジインバータは、入力
電圧AC100Vを整流平滑した直流電圧が端子1,2
間に加えられ、スイッチングトランジスタQよ、Q2に
は遅相電流が流れる。この回路例においても、電流波形
は0から時間の増加関数となるため、第4図の回路を適
用することにより、スイッチング速度を速め、スイッチ
ングロスヲ低減することができた。
This transistor type half-bridge inverter uses a DC voltage obtained by rectifying and smoothing the input voltage AC100V to terminals 1 and 2.
A slow phase current flows through the switching transistor Q2. In this circuit example as well, the current waveform becomes an increasing function of time from 0, so by applying the circuit of FIG. 4, it was possible to increase the switching speed and reduce the switching loss.

このように、この実施例のトランジスタ駆動回路は、回
路的には従来側部はとんど付加することなく、すなわち
駆動トランスT′に3次巻線N3を設け、この3次巻線
N3にスイッチングトランジスタQのコレクタ電流I。
In this way, the transistor drive circuit of this embodiment has almost no addition to the conventional circuit side, that is, the tertiary winding N3 is provided on the drive transformer T', and the tertiary winding N3 is Collector current I of switching transistor Q.

t−流すだけの簡単な構成で、スイッチングトランジス
タQがオンからオフ状態になるときのコレクタ電流I。
Collector current I when switching transistor Q changes from on to off state with a simple configuration where only t- is allowed to flow.

の変化によって上記駆動トランスT′を介してパルス的
な逆バイアス電流をスイッチングトランジスタQのベー
ス・エミッタ間に与えているため、スイッチングトラン
ジスタQのターンオフ時間を短くして、そのスイッチン
グロスを低減することができる。また、スイッチング時
間を短くできることにより、高周波におけるスイッチン
グトランジスタQの制御範囲を広くできる。
A pulsed reverse bias current is applied between the base and emitter of the switching transistor Q through the drive transformer T' due to the change in the switching transistor Q, so that the turn-off time of the switching transistor Q is shortened and the switching loss is reduced. I can do it. Further, by shortening the switching time, the control range of the switching transistor Q at high frequencies can be widened.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明のトランジスタ駆動回路によれば、スイッチン
グトランジスタのターンオフ時間(ストレージ時M)を
短くでき、したがってスイッチングロスを低減すること
ができる。
According to the transistor drive circuit of the present invention, the turn-off time (M during storage) of the switching transistor can be shortened, and therefore switching loss can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はスイッチングトランジスタのコレクタ電流波形
図、第2図および第3図はそれぞれ従来のトランジスタ
駆動回路の回路図、第4図はこの発明の一実織例の回路
図、第5図は第4図の回路を適用した昇圧型トランジス
タ駆動回路くの回路図、第6図は従来例と実施例におけ
るスイッチングトランジスタのコレクタ電流およびペー
ス電流の波形図、第7図は第4図の回路を適用したトラ
ンジスタ式ハーフプリンジインノく一夕の回路図である
。 T′・・・駆動トランス、SW・・・スイッチ、Q・・
・スイッチングトランジスタ、R工・・・順ノくイアス
用限流抵抗、R2・・・逆バイアス用限流抵抗、D□・
・・逆ノ(イアス用ダイオード、Nよ・・・1次巻線、
N、・・・2次巻線、N3・・・3次巻線 @1図 第27 第3図 第4図 第5図 @6図 − [
FIG. 1 is a collector current waveform diagram of a switching transistor, FIGS. 2 and 3 are circuit diagrams of conventional transistor drive circuits, FIG. 4 is a circuit diagram of an actual example of the present invention, and FIG. 5 is a circuit diagram of a conventional transistor drive circuit. A circuit diagram of a step-up transistor drive circuit using the circuit shown in Figure 4, Figure 6 is a waveform diagram of the collector current and pace current of the switching transistor in the conventional example and the embodiment, and Figure 7 is a circuit diagram using the circuit shown in Figure 4. This is a circuit diagram of a transistor type half-principal engine. T'...drive transformer, SW...switch, Q...
・Switching transistor, R work... Current limiting resistor for forward bias, R2... Current limiting resistor for reverse bias, D□・
・Reverse (diode for IAS, N...primary winding,
[

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] コイルに直列接続されるスイッチングトランジスタを駆
動するトランジスタ駆動回路であって、同極性に巻装し
た1次巻線および2次巻線とこの2次巻線と逆極性に巻
装した3次巻線とからなる駆動トランスの1次巻線に入
力信号に応じてオンオフするスイッチを直列接続し、前
記駆動トランスの2次巻mを順バイアス用限流抵抗を介
して前記スイッチングトランジスタのベース・エミッタ
間に接続し、前記スイッチングトランジスタのペース・
エミッタ間に逆バイアス用限流抵抗を接続するとともに
前記順バイアス用限流抵抗と並列に逆バイアス用ダイオ
ードを接続し、前記駆動トランスの3次巻線を前記スイ
ッチングトランジスタのコレクタに直列接続したトラン
ジスタの駆動回路。
A transistor drive circuit that drives a switching transistor connected in series to a coil, comprising a primary winding and a secondary winding wound with the same polarity, and a tertiary winding wound with the opposite polarity to the secondary winding. A switch that turns on and off according to an input signal is connected in series to the primary winding of a drive transformer, and the secondary winding m of the drive transformer is connected between the base and emitter of the switching transistor via a forward bias current limiting resistor. and the pace of said switching transistor.
A transistor in which a reverse bias current limiting resistor is connected between the emitters, a reverse bias diode is connected in parallel with the forward bias current limiting resistor, and the tertiary winding of the drive transformer is connected in series to the collector of the switching transistor. drive circuit.
JP59012238A 1984-01-25 1984-01-25 Transmission driving circuit Pending JPS60154712A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59012238A JPS60154712A (en) 1984-01-25 1984-01-25 Transmission driving circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59012238A JPS60154712A (en) 1984-01-25 1984-01-25 Transmission driving circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60154712A true JPS60154712A (en) 1985-08-14

Family

ID=11799787

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59012238A Pending JPS60154712A (en) 1984-01-25 1984-01-25 Transmission driving circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60154712A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5842867A (en) * 1996-10-16 1998-12-01 Kgs Corporation Graphic tactile cell

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5842867A (en) * 1996-10-16 1998-12-01 Kgs Corporation Graphic tactile cell

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5959850A (en) Asymmetrical duty cycle flyback converter
JPH0357713B2 (en)
JPS60154712A (en) Transmission driving circuit
JPH0691746B2 (en) Noise absorption circuit
JP2687289B2 (en) DC-DC converter
JPS6227027Y2 (en)
JPH01318548A (en) Power source converter
JPH031914B2 (en)
JP2606635Y2 (en) Voltage resonant converter
JPH0145265Y2 (en)
JPH0715213Y2 (en) Switching transistor drive circuit
JP2750527B2 (en) Self-excited high-frequency oscillator
JPS6361870B2 (en)
JPS6127111Y2 (en)
JPH0833324A (en) Dc/dc converter
JPS5836235Y2 (en) Switching control type power supply circuit
JP2863614B2 (en) Switching power supply circuit
JPH0242078Y2 (en)
JP2594516Y2 (en) AC-DC converter
JPH0545114Y2 (en)
JPH0321115A (en) Transistor switching circuit
JPH02111260A (en) Power supply converter
JPH03272218A (en) Switching power supply circuit
JPS6260469A (en) Power unit
JPH02241362A (en) Driving circuit for self-excited single converter