JPS60148223A - High speed diode switch circuit - Google Patents
High speed diode switch circuitInfo
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- JPS60148223A JPS60148223A JP496684A JP496684A JPS60148223A JP S60148223 A JPS60148223 A JP S60148223A JP 496684 A JP496684 A JP 496684A JP 496684 A JP496684 A JP 496684A JP S60148223 A JPS60148223 A JP S60148223A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/74—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of diodes
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- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、4個のダイオードをブリッジに構成した高
速スイッチ回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a high-speed switch circuit configured with four diodes as a bridge.
従来から電子スイッチとして、トランジスタ、FET(
フィールド・エフェクト・トランジスタ)、ダイオード
等が使用されている。このうち、ダイオードをブリッジ
化したものは高速切換が可能であり、高速サンプリング
スイッチとして利用されている。第1図に、その回路の
動作を説明するための図を示す。図中11は、入力端子
、12は出力端子、21.22は電流源でその電流値は
等しい。41.42.43.44はダイオードであり、
ブリッジを構成している。この場合スイッチ51及び5
2を同時にオン、オフして入力端子11と出力端子12
間を導通、非導通にするのであるかくそのスイッチの切
換時間のバランス性が問題となる。この発明は、上記ス
イッチの切換を集積化可能な回路を付加することにより
、切換時間のバランス性を確保し、高速且つ高精度に行
える様にしたものである。Traditionally, electronic switches such as transistors and FETs (
Field effect transistors), diodes, etc. are used. Among these, bridged diodes are capable of high-speed switching and are used as high-speed sampling switches. FIG. 1 shows a diagram for explaining the operation of the circuit. In the figure, 11 is an input terminal, 12 is an output terminal, and 21.22 are current sources whose current values are equal. 41.42.43.44 are diodes,
constitutes a bridge. In this case switches 51 and 5
2 on and off simultaneously to input terminal 11 and output terminal 12.
Therefore, the balance of the switching time of the switch becomes an issue. In this invention, by adding a circuit that can integrate the switching of the switch, the switching time can be balanced, and the switching can be performed at high speed and with high precision.
〈従来技術の説明〉
上記スイッチ51.52の切換をバランス良く行うため
にパルストランスを用いる方法がある。<Description of Prior Art> There is a method of using a pulse transformer to switch the switches 51 and 52 in a well-balanced manner.
第2図にその従来回路を図示する。第1図と同じものは
同一符号で示す。図中61はパルストランスで、これを
制御器73により制御することによりダイオードブリッ
ジを通じて入力端子11と出力端子12間を導通、非導
通にする。しかしこのパルストランスは小型化、集積化
がむずかしく、また大きな電力を必要とするという欠点
がある。FIG. 2 shows the conventional circuit. Components that are the same as in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. In the figure, reference numeral 61 denotes a pulse transformer, which is controlled by a controller 73 to make conductive or non-conductive between the input terminal 11 and the output terminal 12 through a diode bridge. However, this pulse transformer has the disadvantage that it is difficult to miniaturize and integrate, and it requires a large amount of electric power.
また第3図に示す様に、従来回路として、例えばトラン
ジスタのようなアクティブデバイスより構成されたスイ
ッチドライバ回路71.72を用いる方法もある。図中
73は制御器であり、スイッチドライバ回路71.72
を制御するものである。この回路では、71はソース用
のスイッチドライバ回路であり、72はシンク用のドラ
イバ回路であるため、それぞれNPN )ランジスタ、
PNPトランジスタを用いざる得ない。しかしながら、
N’PN)ランジスタとPNP )ラシジスタは特性が
異なるためそのドライブ波形が異なり、切換時間のバラ
ンス性を確保することが非常に困難である。そこで、遅
延回路を挿入してスイッチ時間のバランス性を確保−す
ることも考えられるが、高速で動作させることができな
いという欠点がある。As shown in FIG. 3, there is also a method of using switch driver circuits 71 and 72 constructed from active devices such as transistors as conventional circuits. In the figure, 73 is a controller, and switch driver circuits 71 and 72
It controls the In this circuit, 71 is a switch driver circuit for the source, and 72 is a driver circuit for the sink, so they are NPN) transistors,
There is no choice but to use a PNP transistor. however,
Since the N'PN) transistor and the PNP) laser resistor have different characteristics, their drive waveforms are different, and it is very difficult to ensure balance in switching time. Therefore, it is conceivable to insert a delay circuit to ensure the balance of switching times, but this has the disadvantage that it cannot be operated at high speed.
〈発明の目的〉
この発明は、ダイオードブリッジにより構成される電子
スイッチに集積化可能な回路を付加し、電流切換時のバ
ランス性を保ちつつ、高速且つ高精度にオン、オフ出来
る様にしたものである。<Purpose of the Invention> This invention adds an integrable circuit to an electronic switch composed of a diode bridge, thereby making it possible to turn on and off at high speed and with high precision while maintaining balance during current switching. It is.
〈発明の概要〉
この発明による高速スイッチ回路は、第−及び第二の電
流源の電流の方向を共にソース向き、あるいはシンク向
きとし、この電流源とダイオードブリッジとの接続点に
ダイオードを通じて基準電圧源を接続し、上記電流源と
ダイオードブリ・7ジとの桜餅をECL回路を用いて行
う様にしたものである。<Summary of the Invention> The high-speed switch circuit according to the present invention has current directions of both the first and second current sources directed toward the source or toward the sink, and a reference voltage is connected through the diode to the connection point between the current source and the diode bridge. A power source is connected, and the interaction between the current source and the diode bridge 7 is performed using an ECL circuit.
〈発明の実施例〉
第4図に、この発明の一実施例を示す。これはサンプル
/ホールド回路に適用したものであり、第−及び第二の
電流源の電流の方向を共にソース向きとしている。図中
、第1図と同じものは同一符号で示す。83はECL回
路である。第1電流源21、第2電流源22はダイオー
ドブリッジの方向に電流を供給し、それらの電流がダイ
オード47.48に流れない時はECL回路83を通じ
て第3電流源23に流れるようにする。即ち、各電流源
の電流値11 、lz、I*はi3 wit +12と
いう関係にある。また図中74は制御器であり、ECL
回路83の第1トランジスタQ、及び第2トランジスタ
Q2のベース電圧v1..v2を制御するものである。<Embodiment of the Invention> FIG. 4 shows an embodiment of the invention. This is applied to a sample/hold circuit, and the current directions of the first and second current sources are both directed toward the source. In the figure, the same parts as in FIG. 1 are indicated by the same symbols. 83 is an ECL circuit. The first current source 21 and the second current source 22 supply current in the direction of the diode bridge, and when these currents do not flow to the diodes 47 and 48, they flow to the third current source 23 through the ECL circuit 83. That is, the current values 11, lz, and I* of each current source have a relationship of i3 wit +12. In addition, 74 in the figure is a controller, and the ECL
The base voltage v1. of the first transistor Q and the second transistor Q2 of the circuit 83. .. v2.
また、第1及び第2基準電圧源の基準電圧V refの
絶対値は入力電圧et11及び出力電圧e autの絶
対値よりも大きいか、あるいは同じ程度にとっである。Further, the absolute value of the reference voltage V ref of the first and second reference voltage sources is set to be larger than or about the same as the absolute values of the input voltage et11 and the output voltage e out.
次に動作について説明する。制御器74よりサンプルコ
マンド信号(v+ <V2 )を与えると、第1トラン
ジスタQ、がオフ、第2トランジスタQ2がオンとなる
。従って第1電流源21がらの電流はダイオード41〜
44からなるブリッジを流れ、第2電流源22からの電
流と加算し、第2トランジスタQgを通じて第3電流源
23に流れる。これによりダイオード41〜44からな
るブリッジは導通状態となり、出力電圧e outが入
力電圧einに追従して変化するようになる。この時ダ
イオードブリッジの各接続点の電圧は等しくなり、ei
a≧−■r * f 、e i 11≦V ratであ
るので第1ダイオード47及び第2ダイオード48はオ
フ状態となる。Next, the operation will be explained. When a sample command signal (v+ <V2) is applied from the controller 74, the first transistor Q is turned off and the second transistor Q2 is turned on. Therefore, the current from the first current source 21 flows through the diodes 41 to
44, is added to the current from the second current source 22, and flows to the third current source 23 through the second transistor Qg. As a result, the bridge made up of diodes 41 to 44 becomes conductive, and the output voltage e out changes to follow the input voltage ein. At this time, the voltages at each connection point of the diode bridge become equal, and ei
Since a≧−■r*f and e i 11≦V rat, the first diode 47 and the second diode 48 are turned off.
次に制御器74よりホールドコマンド信号(Vl〉v2
)を与えると、第1トランジスタQ、がオン、第2トラ
ンジスタQ2がオフとなる。従って第1電流源21から
の電流は、第1トランジスタQ1を通じて第3電流源2
3に流れる。この時、第3電流源23の電流値i3は第
1電流源21の電流値11より大きいので、残りの電流
(i、−i+)は第1基準電圧源81より第1ダイオー
ド47を通じて接点91に流れる。従って接点91の電
圧は−v ref となり、 V r a f≦e、l
、、−V、f≦80□となるので、ダイオード41.4
3はオフ状態となる。また第2トランジスタQ2がオフ
であるので、第2電流源22からの電流は、第2ダイオ
ード48を通じて第2基準電圧源82に流れる。従って
、接点92の電圧はV raf となり、V raf≧
e、11、V raf≧e outとなるのでダイオー
ド42.44もオフ状態となる。即ちダイオード41〜
44からなるブリッジは非導通状態となり、出力電圧e
。、、tは一定の電圧にホールドされる。Next, the controller 74 sends a hold command signal (Vl>v2
), the first transistor Q is turned on and the second transistor Q2 is turned off. Therefore, the current from the first current source 21 passes through the first transistor Q1 to the third current source 21.
It flows to 3. At this time, since the current value i3 of the third current source 23 is larger than the current value 11 of the first current source 21, the remaining current (i, -i+) is transmitted from the first reference voltage source 81 to the contact 91 through the first diode 47. flows to Therefore, the voltage at the contact 91 becomes -v ref, and V r a f≦e, l
,, -V, f≦80□, so the diode 41.4
3 is in the off state. Further, since the second transistor Q2 is off, the current from the second current source 22 flows to the second reference voltage source 82 through the second diode 48. Therefore, the voltage at the contact 92 becomes V raf , and V raf≧
Since e, 11, V raf≧e out, the diodes 42 and 44 are also turned off. That is, the diode 41~
The bridge consisting of 44 becomes non-conducting and the output voltage e
. , t are held at a constant voltage.
従って、ダイオードブリッジ回路に集積化可能なECL
回路83と制御器74を付加し、制御器74を通じてE
CL回路83の第1トランジスタQ1及び第2トランジ
スタQ2のベース電圧を制御するのみで、入力端子11
、出力端子12間を導通、非導通の状態に高速に切換え
ることが出来る。第4図では、第1及び第2電流源を共
にソース源として説明したが、それを共にシンク源とし
て動作させることもできる。この場合、第1及び第2の
基準電圧源や第3電流源等の極性の向きが逆になること
は容易に理解できよう。Therefore, an ECL that can be integrated into a diode bridge circuit
A circuit 83 and a controller 74 are added, and the E
By simply controlling the base voltages of the first transistor Q1 and the second transistor Q2 of the CL circuit 83, the input terminal 11
, the output terminals 12 can be switched between conduction and non-conduction at high speed. Although the first and second current sources are both described as source sources in FIG. 4, they can also be operated as sink sources. In this case, it is easy to understand that the polarity directions of the first and second reference voltage sources, the third current source, etc. are reversed.
この切換回路によれば、接点91,92に接続されるト
ランジスタは共にNPN、又はPNPと同一タイプであ
るため、切換時間の時間差を最小とし、良好なバランス
性を有することができ、高速切換が可能となる。According to this switching circuit, since both the transistors connected to the contacts 91 and 92 are of the same type as NPN or PNP, the time difference in switching time can be minimized, good balance can be achieved, and high-speed switching can be achieved. It becomes possible.
第5図に、この発明による高速ダイオードスイッチ回路
の他の例を示す。これは抵抗器94及び95、コンデン
サ32、演算増幅器93からなる積分型サンプル/ホー
ルド回路のスイッチとじて用いたものである。高速スイ
ッチ回路の出力端子はほぼOvであるので、第1基準電
圧源81、第2基準電圧源82として、接地電位とする
ことができる。FIG. 5 shows another example of a high speed diode switch circuit according to the present invention. This is used as a switch for an integral sample/hold circuit consisting of resistors 94 and 95, a capacitor 32, and an operational amplifier 93. Since the output terminal of the high-speed switching circuit is approximately Ov, the first reference voltage source 81 and the second reference voltage source 82 can be set to the ground potential.
制御器74よりサンプルコマンド信号(v、〈Vl)を
与えると、第4図の場合と同様に、ダイオードブリッジ
回路は、導通状態となり、抵抗器94.95、及び演算
増幅器93から成る増幅回路が構成され、従って出力端
子14の電圧e611tは入力端子13の電圧elnに
追従して、t
eout−ein という関係式をもって変R8
化する。また制御器74よりホールドコマンド信号(V
l>Vl)を与えると、ダイオードブリッジ回路は非導
通状態となり、出力電圧e outは一定の電圧にホー
ルドされる。When the sample command signal (v, <Vl) is applied from the controller 74, the diode bridge circuit becomes conductive as in the case of FIG. Therefore, the voltage e611t at the output terminal 14 follows the voltage eln at the input terminal 13 and changes according to the relational expression teout-ein. In addition, the controller 74 sends a hold command signal (V
l>Vl), the diode bridge circuit becomes non-conductive and the output voltage e out is held at a constant voltage.
従って以上のように構成することにより、サンプル状態
とボールド状態を極めて高速に切換えることが出来る。Therefore, with the above configuration, it is possible to switch between the sample state and the bold state at extremely high speed.
〈発明の効果〉
以上説明した様にこの発明によれば、ダイオードブリッ
ジ回路に集積化可能なECL回路を付加し、これを制御
することによりバランス性が良く高速切換が可能な電子
スイッチが得られ、実用に供してその効果は大である。<Effects of the Invention> As explained above, according to the present invention, an electronic switch with good balance and capable of high-speed switching can be obtained by adding an ECL circuit that can be integrated to a diode bridge circuit and controlling this. In practical use, the effect is great.
第1図はこの発明の詳細な説明するための回路図、第2
図及び第3図は従来のダイオードスイッチ回路を用いた
サンプル/ホールド回路の回路図、第4図はこの発明に
よる高速ダイオードスイッチ回路を用いたサンプル/ホ
ールド回路、第5図はこの発明による他の実施例である
。
1113F入力端子、
12.14:出力端子、
21:第1電流源、
22:第2電流源、
23:第3電流源、
31.32:コンデンサ、
41.42.43.44:ダイオード、45.46.4
7.48:ダイオード、51.52:スイッチ、
61:パルストランス、
71.72:スイッチドライバ回路、
73.74:制御器、
81:第1基準電圧源、
82:第2基準電圧源、
83 : ECL回路、
93:演算増幅器、
94.95:抵抗
特許出願人
タケダ理研工゛業株式会社
一■
第 2 図
第 3 図
+V
第4図
十v
第 5 図Figure 1 is a circuit diagram for explaining the invention in detail, Figure 2 is a circuit diagram for explaining the invention in detail.
3 and 3 are circuit diagrams of a sample/hold circuit using a conventional diode switch circuit, FIG. 4 is a sample/hold circuit using a high speed diode switch circuit according to the present invention, and FIG. 5 is a circuit diagram of a sample/hold circuit using a high speed diode switch circuit according to the present invention. This is an example. 1113F input terminal, 12.14: Output terminal, 21: First current source, 22: Second current source, 23: Third current source, 31.32: Capacitor, 41.42.43.44: Diode, 45. 46.4
7.48: Diode, 51.52: Switch, 61: Pulse transformer, 71.72: Switch driver circuit, 73.74: Controller, 81: First reference voltage source, 82: Second reference voltage source, 83: ECL circuit, 93: Operational amplifier, 94.95: Resistor Patent applicant: Takeda Riken Kogyo Co., Ltd. Figure 2 Figure 3 +V Figure 4 10V Figure 5
Claims (1)
と、 B、該ダイオードブリッジの一方の電流供給用端子に電
流を供給する第一の電流源と、C1上記ダイオードブリ
ッジの他方の電流供給用端子に電流を供給する第二の電
流源と、D、上記ダイオードブリッジと上記第一の電流
源との接続点に第一のダイオードを通じて接続された第
一の基準電圧源と、 E、上記ダイオードブリッジと上記第二の電流源との接
続点に第二のダイオードを通じて接続された第二の基準
電圧源と、 F、第一のトランジスタのコレクタが上記ダイオードブ
リッジと上記第一の電流源との接続点に接続され、第二
のトランジスタのコレクタが上記ダイオードブリッジと
上記第二の電流源との接続点に接続され、上記第−及び
第二のトランジスタのエミッタは共通に第三の電流源に
接続されたエミソ夛・カップルド・ロジック(以下、E
CLという。)回路と、G、該ECL回路の各トランジ
スタのベース電圧を制御する制御器と、 から成ることを特徴とする高速ダイオードスイッチ回路
。(1) A: a diode bridge made up of four diodes; B: a first current source that supplies current to one of the current supply terminals of the diode bridge; and C1: the other current supply terminal of the diode bridge. a second current source supplying a current; D. a first reference voltage source connected through a first diode to the junction of the diode bridge and the first current source; E. the diode bridge; a second reference voltage source connected to the connection point with the second current source through a second diode; F, the collector of the first transistor is connected to the connection point between the diode bridge and the first current source; , the collector of the second transistor is connected to a connection point between the diode bridge and the second current source, and the emitters of the second and second transistors are commonly connected to a third current source. Emiso-coupled logic (hereinafter referred to as E
It's called CL. ) circuit, G, and a controller for controlling the base voltage of each transistor of the ECL circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP496684A JPS60148223A (en) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | High speed diode switch circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP496684A JPS60148223A (en) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | High speed diode switch circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60148223A true JPS60148223A (en) | 1985-08-05 |
Family
ID=11598326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP496684A Pending JPS60148223A (en) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | High speed diode switch circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60148223A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6418310A (en) * | 1987-07-14 | 1989-01-23 | Nippon Telegraph & Telephone | Diode switch circuit |
WO1999053617A1 (en) * | 1998-04-14 | 1999-10-21 | Roke Manor Research Limited | Radio frequency switch |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54148358A (en) * | 1978-05-12 | 1979-11-20 | Toshiba Corp | Diode gate circuit |
-
1984
- 1984-01-13 JP JP496684A patent/JPS60148223A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54148358A (en) * | 1978-05-12 | 1979-11-20 | Toshiba Corp | Diode gate circuit |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6418310A (en) * | 1987-07-14 | 1989-01-23 | Nippon Telegraph & Telephone | Diode switch circuit |
WO1999053617A1 (en) * | 1998-04-14 | 1999-10-21 | Roke Manor Research Limited | Radio frequency switch |
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