JPS6014480B2 - 放電灯点灯装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は放電灯点灯装置に関するものである。

第１図は従来の完全平滑型のィンバータ式放電灯点灯装
置の回路図を示している。

このィンバー夕式放電灯点灯装置は、商用交流電源Ｅを
全波整流後、平滑コンデンサＣ２で平滑を行い、トラン
ジスタインバータ回路Ａにより約３０〜４０ＫＨ２の周
波数で発振させて高周波電力に変換し、直列に接続され
た２本のランプｌａ，，ｌａ２を始動点灯させるもので
ある。まず商用交流電源Ｅを投入すると、ダイオードブ
リッジＤＢ，により全波整流されて平滑コンデンサＣ２
により平滑された電源がチョークコイルＣＨを通してト
ランジスタＱ２，Ｑ２′のコレクタ・ェミッ夕間に印加
される。

これと同時に上記電源でもつてチョークコイルＣＨ、抵
抗Ｒ２、トランジスタＱ，のベース・ェミッタ間、抵抗
Ｒ３，Ｒ３′を通じて各々のトランジスタＱ２，Ｑ２′
にベース電流が供給される。回路のわずかのアンバラン
スによりトランジスタのＱ２，Ｑ２′のいずれか一方に
コレクタ電流が流れ始める。今、仮に発振トランスＯＴ
のコレクタ巻線Ｎ，側のトランジスタＱ２にコレクタ電
流が流れ始めたとすると、トランジスタＱ２のベース電
流が増加する方向にベース巻線Ｎ３に電圧が謙起されコ
レクタ電流が増加し、飽和に至る。ところが、コレク夕
電流が飽和してくるとべ−ス巻線Ｎ３に誘起される電圧
がなくなり、コレクタ電流が減少し始め、上記トランジ
スタＱ２は不導通に向かい、やがて不導通になる。一方
、コレクタ巻線Ｎ２側のトランジスタＱ２′のベース電
流は、コレクタ巻線Ｎ．側のトランジスタＱ２が飽和し
た時点からベース巻線Ｎ３に誘起される電圧が日頃バイ
アスになるために増加し始め、コレクタ電流も増加する
。さらに、べ−ス巻線Ｎ３には日頃バイアスの方向に電
圧が誘起され一気に飽和に達する。飽和するとコレクタ
電流の増加はなくなり、したがってベース巻線Ｎ３に誘
起される電圧がなくなり、コレクタ電流が減少し始め不
導通へと向かう。これらによりまた最初の状態に戻り、
以後この繰り返しでもつて発振を継続する。一方、発振
トランスＯＴの一次側に別の巻線（ベース駆動用電源）
Ｎ４を設けており、上記発振継続時巻線Ｎ４の両端には
電圧が誘起され、それをダイオードブリッジＤＢ２によ
り全波整流し、コンデンサＣ３で平滑してトランジスタ
Ｑ２，Ｑ２′の各々のベースにベース電流を供給してい
る。

発振トランジスタＱ２，Ｑ２′のベース電流はほとんど
この電源より供給され、ベース抵抗Ｒ２，Ｒ３３Ｒ３′
、トランジスタＱ，のベース・ェミッタ間の回路はトラ
ンジスタＱ２，Ｑ２′が発振を開始継続させるためだけ
のものである。このような発振動作により、発振トラン
スＯＴの二次巻線Ｎ５には発振トランスＯＴの−次、二
次の巻数比に比例した高い高周波電圧が発生する。

また同時に、子熱巻線Ｎ６，Ｎ７，Ｎ８にも電圧が誘起
され各々のランプｌａ，，ｌａ２のフィラメントが子熱
される。この時、ランプｌａ２に始動補償用コンデンサ
Ｃ６を通して上記二次電圧が印加され、ランプｌａ２が
放電（微放電）を開始する。ランプｌａ２が放電を開始
すると、始動補償用コンデンサＣ６の両端電圧でもつて
こんどはランプｌａ，が放電する。これにより、ランプ
ｌａ，，ｌａ２ともに一気に完全点灯に至る。以上のよ
うな動作を行ってランプ１ａ，，ｌａ２は点灯するが、
この回路では全波整流された電圧が電源側の平滑コンデ
ンサＣ２により直流に平滑されるので、高周波点灯した
ランプｌａ，，ｌａ２のランプ電流波形の包絡線も第２
図に示すようにほぼフラットになるものである。

なお、Ｃ，は雑音防止用コンデンサ、Ｒ，は回路に異常
が生じたときの焼損防止を行う抵抗、Ｃ４は共振用コン
デンサ、Ｃ５はコンデンサである。

このような完全平滑型のィンバータ式の放電灯点灯装置
は、平滑コンデンサＣ２の容量が大きいためコンデンサ
Ｃ２に流れ込む電流も大きく、入力力率が低力率になる
という欠点があった。第３図は上記問題を解消すること
ができる従来の谷点埋め平滑型のィンバータ式放電灯点
灯装置の回路図を示している。このィンバータ放電灯点
灯装置は、平滑コンデンサＣ２に代えて２個のコンデン
サＣ７，Ｃ８と３個のダイオードＤ，．Ｄ２，Ｄ３とを
組合わせて構成した直列充電並列放電回路を用いている
。直列充電平列放電回路は、ダイオードブリッジＤＢの
出力電圧で充電されるときは２個のコンデンサＣ７，Ｃ
８がダイオードＤ，を通して直列に充電され、そのコン
デンサ電圧はダイオードブリッジＤＢの出力電圧のピー
ク値のほぼ享に充電され、ダイオードブリッジＤＢ，の
出力電圧がピーク値より低下して谷点に近づき、ピーク
値の風ま蔓に達するとそれらのコンデンサＣ７・Ｃ８の
電荷がダイオードＤ２，Ｄ３を通して放電され、トラン
ジスタィンバ−夕回路Ａに給電されることとなる。すな
わち、ダイオードブリッジＤＢの出力電圧の谷点を埋め
たような波形の電圧がトランジスタィンバータ回路Ａに
供給されることとなる。したがって、このィンバータ式
放電灯点灯装置は、第４図に示すようなランプ電流波形
を呈して高力率型の点灯回路となる。第５図は第１図の
回路において平滑コンデンサＣ２を除去した非平滑型（
脈流点灯型）のインバータ方式放電灯点灯菱鷹のランプ
電流波形を示しているが、この回路ではランプ電流波形
で零区間が存在するためランプ負荷に同一出力を出させ
ようとすると、第１図の平滑型のものおよび第３図の谷
点埋め平滑型のものに比較して入力電力は大きくなる。

すなわち、入光力出電力力＝総合効率が低いものであっ
た。このように総合効率および入力力率の点から考える
と、谷点埋めをした第３図の回路方式が良いということ
になるが、その点灯回路で点灯試験をすると次のような
欠点が発見された。

すなわち、第３図のような回賂構成でＦＬＲ４０および
ＦＬＲＩＩＯ用の回路を組み低温下で点灯テストを行っ
たところ、クリプトンガスとアルゴンガス等を封入した
いわゆる省電力形のランプでは、点灯後数分間移動縞ち
らつきが強く発生して継続することが判明した。第６図
は周囲温度を変えてその移動縞の継続時間を測定したデ
ータの一例を示している。

この第Ｓ図のデータは以下に示す条件にて実験を行って
得たものである。■ 回路条件 １（第６図の曲線Ｂ，に対応）：第１図の回路において
平滑コンデンサＣ２で完全に平滑を行ったもの（ランプ
電流波形は第２図のようになる）。

なお、第３図に示すように鰭流を部分平浴してィンバー
タ入力電圧波形を第１４図Ａに示すようにしたく谷埋め
部分の鰭圧Ｖ８を全波整流電圧ピ−ク〉＾の約蔓にした
）回略であっても同様の曲線を描く（ランプ電流波形は
第４図のようになる）。Ｄ（第６図の曲線鷲に対応）：
第３図に示すよぅな享の谷埋めよりもざ水落とし紙葦の
谷職を行ったもの、例えば第１５図に示すように、ダイ
オードブリッジＤＢ，の直流出力端間に３個のコンデン
サＣ９〜Ｃ，．およびダー・イオードＤ６〜Ｄ，３より
なる回路を接続したもので、ィンバ−タ入力亀圧波形を
第１４図Ｂに示すようにした（谷埋め部分の鰭圧Ｖ８を
全波整流電圧ピークＶ＾の約言にした）回路。

山（第６図の曲線Ｂ３に対応）二第１図の回路において
平滑コンデンサＣ２を外した回路でインバ−タ入力電圧
波形が第１４図Ｃのようになるもの（ランプ蚤流波形は
第５図のようになる）。

■ 高周波点灯装魔品種ＦＬＲ ４０２灯用 １００
Ｖ，２００ＶＦＬＲ １１０２灯用 ２００Ｖ■ ラン
プ種類 ＦＬＲ ４０ 省電力形ランプ ＦＬＲ ＩＩＯ 省電力形ランプ ■ 実験手順 周囲温度・・・・・・５００，１ｏｏ０，１６０各周囲
温度下で回路条件１，０，ｍでそれぞれランプを点灯さ
せ、移動綿継続時間を測定すると、次表のようになり、
次表を図に表わしたのが第６図である。

移動縞が起こる原因としてはつぎのようなことが考えら
れる。

一般に蛍光放電管内に封入する希ガスはその原子量が大
きくなるほどランプ効率が向上しかつ始動電圧が低くな
るという利点があり、最近ではクリプトンＫｒを主体と
したネオンＮｅ、アルゴンＡｒなどの混合ガスを封入し
たり、キセノンＸｅを混合したりすることが行なわれて
いる。

しかしその反面、周囲温度が低く水銀蒸気圧が小さい場
合に発生する希ガス特有の移動縞放鰭によるちらつき現
象が、原子量が大きいほど比較的高温においても発生す
るという問題がある。例えばアルゴンガスでは０〜５℃
の低温で長時間発生するちらつき現象がクリプトンガス
では常温付近でも長時間発生する。その理由は次のよう
な考えられる。すなわち管内の水銀蒸気圧は温度ととも
に指数関数的に変化し、一方希ガスの函鱗電圧は原子量
が大きくなるほど低くなる。周囲温度が低くなると管内
の温度も当然低くなり水銀蒸気圧が低下して管内のイオ
ンは水銀イオンから希ガスィオンに移行し、希ガス放電
に起因する移動線によるちらつき現象が現われるのであ
るが、アルゴン（電離電圧１５．７Ｖ）よりも原子量の
大きいクリプトン（電離電圧１３．９Ｖ）の場合には、
水銀（電離電圧１０．４Ｖ）との電離電圧の差が小さい
ので、管内に水銀蒸気が多少残っている比較的高い周囲
温度でも希ガスィオンへの移行が行なわれるのである。
したがってクリプトンガスでは管内温度がちらつきの停
止する温度まで上昇する所要時間が長くなるので、ちら
つき現象が長時間持続するわけである。なお封入ガスが
種々の希ガスの混合ガスである場合にはちらつきの発生
は最も重い希ガスの影響を受け、この車希ガスの混入量
が多いほど高い周囲温度で発生することが確められてい
る。また、高周波点灯で平糟せずに脈流点灯とすると移
動綿が解消される理由としては、一部では、「放電灯個
々の正負の再点弧蟹圧がアンバランスであって、ランプ
電流を直流的にバイアスを行ったものと同様になり、移
動縞模様を高速で移動させることができ、使用者には視
認できないものと推察される」との考えがあるが、発明
者らは以下の理由で移動縞が解消されるのではないかと
推察した。電源を整流し平猪して高周波点灯させると、
ランプ電流は第２図で示される波形となり、ランプ電流
の休止区間がなく、ランプ電圧もまた比較的平坦な一定
電圧波形となる。

したがって、ランプ周囲温度が低温のとき、アルゴン、
クリプトンの希ガスが電離した後、消滅せずに水銀蒸気
氏が上昇し、電離を起こすまで継続して移動綿が消滅し
ない。ところが、脈流点灯の場合、ランプ電流は第５図
のようになり、ランプ電流に休止区間が生じ、ランプ電
圧Ｖ，ａも第１６図（１，３はランプ電流）のようにな
り、再点弧電圧が高くなって平坦な波形ではなくなる。

このような状態のとき、ランプ周囲温度が低温となり、
アルゴン、クリプトンの希ガスが鰭離してもランプ電圧
が毎サイクル再点弧するため、低電圧部分ＬＶが生じ、
電離電圧を維持できなくなってイオンが一旦消滅する。

したがって、移動縞がすぐに消滅することになる。この
ように低温下の移動綿の点より考えると効率は悪いが脈
流点灯に近づける方が好ましいということが判明した。
したがって、この発明の目的は、常温点灯時の総合効率
が高く、しかも低温点灯時の移動縞の継続時間を短くす
ることができる放電灯点灯装鷹を提供することである。
第７図はこの発明の第１の実施例を示し、第３図の回路
すなわちほぼ享の谷点埋めを行う回路の低温下での移動
縞の継続時間を短くするものである。すなわち、コンデ
ンサＣ７，Ｃ８と直列にトランジスタＴｒ，（商用周波
リッブル変化手段）を介挿し、そのベース回路を抵抗Ｒ
４、負持性サーミスタＰ，および正特性サーミスタＰ２
より構成している。正特性サーミスタＰ２は、周囲温度
が上がると抵抗値が増加し、負特性サーミスタＰ，はそ
の逆に抵抗値が減少するものである。したがって、低温
下ではトランジスタＴ【，のベース電流が減少しトラン
ジスタＴｒ，の電流、すなわちコンデンサＣ７，Ｃ８の
充電電流が減少し、その結果コンデンサＣ７，Ｃ８の充
電電圧は減少し、ダイオードブリッジＤＢの出力電圧が
そのピーク値の季より更に小さくならなければコンデン
サＣ２の電荷は放電されず低温下では脈流点灯に近づい
て移動縞の継続時間が短くなる。なお、Ｄ４コソデンサ
Ｃ８の放電用のダイオードである。

一般的に、出力を下げると、管墜温度の上昇が遅くなる
が、この発明では、低温時に脈流点灯に回路を変更する
ものであるため、同じ温度（例えば５℃）で点灯させる
と、その直後の移動綿の程度は平滑と脈流とではかなり
異なる（派流の方ははるかにその程度が少ない）。その
ため、点灯後管壁温度の上昇により脈流点灯の場合はす
ぐ移動綿が消滅するが、平滑点灯の場合はその継続時間
が長くなる。もっとも回路を同じにして（平滑でも脈流
でもよい）、２次側にインピーダンスを挿入して出力を
下げたような時には管理温度の上昇が遅くなり、移動縦
の継続時間が長くなる。第８図はこの発明の第２の実施
例を示し、第１図の平滑型の回路における平滑コンデン
サＣ２の充電量を低温下で減少させることにより移動縞
の継続時間を短くするもので、第７図のものと同様にト
ランジスタＴｒ，、抵抗Ｒ４、負特性サ−ミスタＰ，、
正特性サーミスタＰ２およびダイオードＤ４を付設して
いる。

このように第７図または第８図のものは、平滑または谷
点埋めを行うコンデンサＣ２またはＣ７，Ｃ８の充電亀
流を低温下で制限し、脈流点灯に近づけ移動綿の継続時
間を短くするものである。

第９図はこの発明の第３の実施例を示し、第３図の回路
におけるコンデンサＣ７，Ｃ８の低温下における放電電
流を減少させることにより移動縞の継続時間を短くする
ものである。すなわち、トランジスタＴｒ２（商用周波
リップル変化手段）をコンデンサＣ７，Ｃ８の並列放蚤
回路に直列に介挿し、トランジスタＴｒ２のベース回駿
を抵抗公５と負特性サーミスタＰ３とで構成している。
低温ではトランジスタＴｒ２のベース鰭流が減少するの
で、ダイオードブリッジＤＢの出力電圧がそのピーク値
のほぼきこ達した時コンデンサＣ７，Ｃ８の電荷は放電
し出そうとするが、トランジスタＴｒ２により放電電流
は制限されて十分な谷点埋めは行われず、ランプ電流波
形は第１０図のようになって脈流点灯に近づき移動綿の
継続時間が短縮される。ただし、第１０図において、期
間Ｔでわずかに谷点埋めが行われる。なお、Ｄ５および
Ｄ６はそれぞれダイオードである。

第１１図はこの発明の第４の実施例を示し、第１図の回
路における平滑コンデンサＣ２の低温下の放電電流の制
限を行うことにより移動綱の継続時間を短くするもので
、第９図のものと同様の放電電流制限動作を行う。

ただし、Ｐ４は正特性サーミスタである。このように第
９図または第１１図のものは充電されたコンデンサＣ７
，Ｃ８またはＣ２の放電鰭流を制限することにより低温
下における移動縞の継続時間を短くするものである。

第１２図はこの発明の第６の実施例を示し、第３図の回
路において、谷点でのトランジスタィンバータ回路Ａへ
の給電を低温下では停止させることにより脈流点灯に近
づけて移動縞の継続時間を短くするようにしたものであ
る。

すなわち、直列充電並列放電回路とトランジスタインバ
ータ回路Ａとの間にトランジスタＴｒ３を設け、この卜
うンジスタＴｒ３のベース回路を直列充電並列放鷺回路
の後段に設けた負特性サーミスタＰ５、正特性サーミス
夕Ｐ６、抵抗Ｒ６およびッェナーダィオード皿で構成し
ている。この場合、トランジスタＴｒ３とッェナ‐ダィ
オ‐ド血は電圧応答スィッチを構成し、商用周波リップ
ル変化手段として作用する。低温下においては、負特性
サーミスタＰ５の抵抗値が高く、正特性サーミスタＰ６
の抵抗値が低くなるため、正特性サーミスタＰ６の両端
の電圧が低下してくる。そのため、谷埋めされた平坦に
なった部分において正特性サーミスタＰ６の両端電圧が
ッェナーダィオード血のッェナ一驚圧に達することがで
きなくなり、トランジスタＴｒ３のベース電流が遮断さ
れてトランジスタＴｒ３はオフとなり、トランジスタイ
ンバータ回路Ａの発振が停止してランプ電流に休止区間
ができ、脈流点灯となって移動線の継続時間が短縮され
ることになる。なお、この考え方は平滑型のものに適用
することも可能である。第１３図はこの発明の第６の実
施例を示し、約参の谷点埋めを行った回路において、谷
点でのトランジスタインバータ回賂Ａ′のトランジスタ
Ｑ２，Ｑ２′のベース電流を低温下では減少させること
により脈流点灯に近づけて移動綿の継続時間を短くする
ようにしている。

すなわち、ダイオードブリッジＤＢと直列充電並列放電
回路との間にダイオードＤ７を介挿し、その電源側のａ
点に抵抗Ｒ７と正特性サーミスタＰ７との直列回路を接
続し、また谷点埋めをしたｂ点に抵抗Ｒ８と負特性サー
ミスタＰ８の直列回路を接続し、正浄性サーミスタＰ７
の他端と負特性サーミスタＰ８の池端を接続し、さらに
その接続点を抵抗Ｒ９とトランジスタＱ２，Ｑ２′のベ
ースに接続するとともに抵抗Ｒ９の他端を直列充電並列
放電回路の負側に接続することによりトランジスタＱ２
，Ｑ２′のベース回路を構成している。ただし、発振ト
ランスＯＴの巻線Ｎ４、ダイオードブリッジＤ＆、コン
デンサＣ３、トランジスタＱ，および抵抗Ｒ２は省いて
いる。この場合、正特性サーシスタＰ７と負特性サーシ
スタＰ８は温度検知手段を構成するとともに、ダイオー
ドＤ７と合わせて商用周波リップル変化手段を構成する
ことになる。低温下では負特性サーミスタＰ８の抵抗値
は増加し、正特性サーミスタＰ７の抵抗値は減少する。

一方、ダイオードブリッジＤＢとダイオードＤ７の間の
ａ点は、ダイオードＤ７の働きにより全波整流された電
圧波形であり、ｂ点はコンデンサＣ７，Ｃ８により谷点
埋めをされた鷺圧波形である。以上により低温下では、
ｂ点からのベース電流は減少し、ａ点からのベース電流
が増加する。そのため、谷点付近のいわゆる谷点埋めさ
れた電圧部分ではトランジスタＱ２，Ｑ２′のベース電
流が減少し、ランプ（負荷）に供給される蟹力が低減さ
れ、ランプ電流波形は谷点付近で低くなり、いわゆる脈
流点灯の方に近づいて低温下での移動縞の継続時間が短
縮されることになる。この考え方は平滑型の回路にも適
用することができる。

なお、すべての実施例におけるトランジスタィンバータ
回路は、図示のものに限定されることはなく、また温度
検出を行う素子も正特性サーミスタまたは負特性サーミ
スタに限定されるものではなく、温度により特性が異な
る例えば感温サイリスタを用いてそれぞれの制御回路を
綾成しても同様に効果を上げることができる。以上のよ
うに、この発明によれば、常温点灯時の総合効率が高く
、しかも低温点灯時の移動縞の継続時間を短くすること
ができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の完全平滑型のィンバータ式放電灯点灯装
置の回路図、第２図はそのランプ電流波形図、第３図は
従来の谷点埋め平滑型のィンバ−タ式放電灯点灯袋鷹の
回路図、第４図はそのランプ電流波形図、第５図は非平
滑型のィンバータ式放電灯点灯菱瞳のランプ電流波形図
、第６図は完全平滑型、谷点埋め平滑型および非平滑型
のィンバータ式放電灯点灯装置における移動縞継続時間
の温度特性図、第７図は第１の発明のこの実施例の回路
図、第８図はこの発明の第２の実施例の回路図、第９図
はこの発明の第３の実施例の回路図、第１０図はそのラ
ンプ電流波形図、第１１図はこの発明の第４の実施例の
回路図、第１２図はこの発明の第５の実施例の回路図、
第１３図はこの発明の第６の実施例の回路図、第１４図
はィンバータ入力電圧波形図、第１５図は従来の放電灯
点灯装置の要部回路図、第ＩＳ図は脈流点灯時のランプ
鰭圧およびランプ電流波形図である。 Ｅ・・・・・・交流電源、Ａ…・・・トランジスタィン
バータ回路、ＤＢ・・・・・・ダイオードブリッジ、Ｃ
２・・・・・・平滑コンデンサ、Ｃ７，Ｃ８……コンデ
ンサ、Ｄ，〜Ｄ３…・・・ダイオード、Ｐ．，Ｐ３，Ｐ
５，Ｐ８・・・・・・負特性サーミスタ、Ｐ２，Ｐ４，
Ｐ６，Ｐ７・・…・正特性サーミスタ、Ｔｒ，〜Ｔｒ３
．・・・・・トランジスタ、ＺＤ・・・・・・ツエナー
ダイオード、Ｑ２，Ｑ２′・・・・・・トランジスタ、
ＯＴ・・・・・・発振トランス、ｌａ，，ｌａ２・・・
・・・ランプ。第１図第２図 第５図 第３図 第４図 第６図 第７図 第８図 第１０図 第９図 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 商用電源と、この商用電源に接続した整流回路と、
   この整流回路の出力端間に接続した平滑回路と、前記整
   流回路の出力端間より給電されて発振するトランジスタ
   インバータ回路と、このトランジスタインバータ回路の
   負荷となる放電ランプと、周囲温度を検知する温度検知
   手段と、この温度検知手段の低温検知出力に応答して前
   記トランジスタインバータ回路の発振出力の商用周波リ
   ツプルを大きくする商用周波リツプル変化手段とを備え
   た放電灯点灯装置。 ２ 前記商用周波リツプル変化手段は、前記平滑回路内
   の充電経路に介挿され前記温度検知手段の低温検知出力
   に応答して抵抗値を高めることにより前記平滑回路の充
   電電流を減少させるトランジスタで構成されている特許
   請求の範囲第１項記載の放電灯点灯装置。 ３ 前記商用周波リツプル変化手段は、前記平滑回路内
   の放電経路に介挿され前記温度検知手段の低温検知出力
   に応答して抵抗値を高めることにより前記平滑回路の放
   電電流を減少させるトランジスタで構成されている特許
   請求の範囲第１項記載の放電灯点灯装置。 ４ 前記商用周波リツプル変化手段は、前記平滑回路と
   前記トランジスタインバータ回路との間に介挿され、前
   記温度検知手段の低温検知出力に応答して導通電圧が高
   まることにより前記整流回路の出力端間の電圧が所定値
   以下の期間オフとなる電圧応答スイツチ素子で構成され
   ている特許請求の範囲第１項記載の放電灯点灯装置。 ５ 前記温度検知手段が低温検知時にインピーダンスが
   増加する第１の感温素子と低温検知時にインピーダンス
   が減少する第２の感温素子とからなり、前記商用周波リ
   ツプル変化手段は、前記整流回路と前記平滑回路との間
   に介挿した逆流阻止ダイオードと、前記逆流阻止ダイオ
   ードの前記平滑回路側と前記トランジスタインバータ回
   路の発振トランジスタのベースとの間に介挿された前記
   第１の感温素子と、前記逆流阻止ダイオードの前記整流
   回路と前記トランジスタインバータ回路の発振トランジ
   スタのベースとの間に介挿された前記第２の感温素子と
   で構成されている特許請求の範囲第１項記載の放電灯点
   灯装置。