JPS6014462B2 - 電子ビ−ム装置 - Google Patents

電子ビ−ム装置

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Publication number
JPS6014462B2
JPS6014462B2 JP8036379A JP8036379A JPS6014462B2 JP S6014462 B2 JPS6014462 B2 JP S6014462B2 JP 8036379 A JP8036379 A JP 8036379A JP 8036379 A JP8036379 A JP 8036379A JP S6014462 B2 JPS6014462 B2 JP S6014462B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
filament
electron
cathode
bias voltage
Prior art date
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Expired
Application number
JP8036379A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS566363A (en
Inventor
信男 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Nihon Denshi KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Nihon Denshi KK filed Critical Nihon Denshi KK
Priority to JP8036379A priority Critical patent/JPS6014462B2/ja
Publication of JPS566363A publication Critical patent/JPS566363A/ja
Publication of JPS6014462B2 publication Critical patent/JPS6014462B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/24Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
    • H01J37/243Beam current control or regulation circuits

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子ビーム装置に関し、特に、電子銃のフィラ
メント交換時における電子銃の調整を自動的に短時間に
行い得る電子ビーム装置に関する。
電子ビーム露光装置においては、一定使用時間毎に電子
銃のフィラメントを交換しているが、該フィラメントの
交換時には電子銃から所望の電流密度、放射強度分布の
電子ビームが出射されるよう該電子銃を調整しければな
らない。
この電子銃の調整は、従来任意の試料上で電子ビームを
走査し得られた走査像を例えば陰極線管上で観察し、該
走査像の状態に基づいて該電子銃のフィラメント電流あ
るいはバイアス電圧を制御することによって行っている
。しかしながらこの調整方法は装置のオペレータが走査
像を観察しながら、電子銃を手動で調整せねばならず、
時間が費されると共にオペレータの経験と勘に頼ってお
り正確さが期し難い。本発明は上述した点に鑑みてなさ
れたものであり、電子銃の調整を簡単に短時間に行い得
る電子ビーム装置を提供することを目的とする。
本発明に基づく電子ビーム装置は、電子ビーム発生陰極
と制御電極とより成る電子銃と、該陰極に加熱電流を供
給する可変加熱電極と、該陰極と制御電極の間にバイア
ス電圧を印加するための可変バイアス電圧電源と、該電
子銃から発生した電子ビームの通路を横切って配置され
、開〇を有した電子ビーム遮蔽体と、該遮蔽体上で電子
ビームを走査するための電子ビーム偏向手段と、遮蔽体
の開□を通過した電子ビームを検出するための検出器と
、該電子ビームの走査に伴って該検出器から得られ、該
電子ビームの放射強度分布に対応した信号が供給される
制御手段とを備えており、該制御手段は該電子ビームの
放射強度分布に対応した信号の最高値と変曲点の数に応
じ該陰極の加熱電源とバイアス電圧電源を制御するよう
に構成されていることを特徴としている。
以下本発明の一実施例を添付図面に基づき詳述する。
第1図において、1は電子銃フィラメント、2はゥェー
ネルト電極、3は陽極である。
該フィラメント1には、フィラメント電源4から加熱電
流が流され、該フィラメント1とウェーネルト電極2と
の間には直流高圧電源5に接続された可変抵抗器6を介
してバイアス電圧が印加される。該フィラメント1から
放射された電子ビームは陽極3によって加速されるが、
該電子ビームの通路上には開口7を有した電子ビーム遮
蔽板8が配置されている。該電子ビームは偏向板9によ
って偏向されるが、該偏向板9には、コンピュータ10
からインターフェース1 1、b−A変換器12、増中
器13を介して走査信号が供給され、その結果電子ビー
ムは、該遮蔽坂上で走査される。該遮蔽板8の閉口7を
通過した電子ビームは例えば、ファラデーゲージの如き
検出器14によって検出される。該検出信号は増中器1
5、A−○変換器16、インターフェース11を介して
、コンピュータ1川こ供給され記憶される。尚該コンピ
ュータ10‘ま、インターフェース11しD−A変換器
17を介して可変抵抗器6を制御し、更にD−A変換器
18を介して、フィラメント電源4内の可変抵抗器19
を制御するように構成されている。上述した如き構成に
おいて、フィラメント電源4の可変抵抗器19及び可変
抵抗器6がコンピュータ10によって制御され、所定の
加熱電流がフィラメントーに流されると共に所定のバイ
アス電圧が該フィラメントーとウェーネルト電極2との
間に印加される。更に偏向板9には、コンピュータから
走査信号が供給されその結果、フイラメントーから放射
された電子ビームは遮蔽板8上で一方向(X方向)に走
査される。該遮蔽板8の閉口7を通過した電子ビームは
検出器14によって検出されるが、該閉口を通過する電
子ビームの量は該電子ビームの走査に伴い、該フィラメ
ント1から放射される電子ビームの放射強度分布(S)
に応じて変化する。従って、電子ビームを1回所望範囲
走査すれば電子ビームの放射角度に応じた例えば第2図
のaの信号波形が得られる。該信号波形はコンピュータ
10において記憶されるが、該コンピューター0には予
め理想的な放射分分特性の電子ビームに基づく例えば第
2図のWの信号波形が記憶されており、該コンピュータ
ー0は両信号波形aとWとを比較する。該コンピュータ
は信号波形の最高値が波形Wの最高値瓜以上か以下か、
更には波形の変曲点が1か1以上かを主として判断する
。例えば第2図の波形aの場合談波形aの最高値は比以
下であり、又波形の変曲点は1以上であるため、フィラ
メント1の温度が低く又バイアス燈圧が高いことが認知
される。この結果該コンピュータ10は可変抵坑器19
と6とを制御し、フィラメント1に供孫合される電流値
を高めて、該フィラメント1の温度を高めると共に、バ
イアス鷲圧を低くすることから該フィラメント1から放
射される電子ビームの電流密度及び放射分布は略理想的
なものとなる。同機に検出器14からの信号の波形がb
である場合も、フィラメント温度が低く及び若し〈はバ
イアス電圧が高いため、フィラメント電流が高められ、
又はバイアス電圧が所定量低くされる。又得られた信号
波形が第2図のCであれば、フィラメント温度が高いこ
とが認知されその結果フィラメント電流が低くされる。
以上詳述した如く本発明は電子ビームの放射強度分布に
応じた信号を得、該信号に基づいて電子銃のフィラメン
ト電流、バイアス電圧を制御するようにしており、所望
の電流密度、放射強度分布の電子ビームが出射されるよ
う自動的に短時間に更には正確に電子銃を調整すること
ができる。
尚本発明は上述した実施例に限定されることなく幾多の
変形が可能である。例えば断面が矩形の電子ビームを用
いる電子ビーム露光装置の電子銃の場合一定角度(r)
内に出射される電子ビームの角度に応じた強度の変化が
微小であることが望ましい。そのため検出器から得られ
た信号波形が例えば第2図Wである場合、霞子ビ−ムの
中心点Poの最高値日。と放射角rに対応した点Prの
波高値Hrとを比較し、Hr/Hoの値が一定値以下と
なるように電子銃を調整するようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を実施するためのシステムを示すブロッ
ク図であり、第2図は電子ビームの検出信号波形を示す
図である。 1:フィラメント、2:ウェーネルト電極、3:陽極、
4:フィラメント加熱電源、7:閉口、8:遮蔽板、9
:偏向板、10:コンピュータ、11:インターフエー
ス、12,17,I8:D−A変換器、16:A−○変
換器。 ガ1風 オZ囚

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 電子ビーム発生陰極と制御電極とより成る電子銃と
    、該陰極に加熱電流を供給する可変加熱電源と、該陰極
    と制御電極の間にバイアス電圧を印加するための可変バ
    イアス電圧電源と、該電子銃から発生した電子ビームの
    通路を横切って配置され、開口を有した電子ビーム遮蔽
    体と、該遮蔽体上で電子ビームを走査するための電子ビ
    ーム偏向手段と、遮蔽体の開口を通過した電子ビームを
    検出するための検出器と、該電子ビームの走査に伴って
    該検出器から得られる該電子ビームの放射強度分布に対
    応した信号が供給される制御手段とを備えており、該制
    御手段は該電子ビームの放射強度分布に対応した信号の
    最高値と変曲点の数に応じ該陰極の可変加熱電源とバイ
    アス電源を制御するように構成されていることを特徴と
    する電子ビーム装置。
JP8036379A 1979-06-26 1979-06-26 電子ビ−ム装置 Expired JPS6014462B2 (ja)

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JP8036379A JPS6014462B2 (ja) 1979-06-26 1979-06-26 電子ビ−ム装置

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JP8036379A JPS6014462B2 (ja) 1979-06-26 1979-06-26 電子ビ−ム装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS566363A JPS566363A (en) 1981-01-22
JPS6014462B2 true JPS6014462B2 (ja) 1985-04-13

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ID=13716168

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58102456A (ja) * 1981-12-14 1983-06-18 Jeol Ltd 走査電子顕微鏡の制御方法
JPH03190044A (ja) * 1989-12-19 1991-08-20 Ebara Corp 電子線加速器

Also Published As

Publication number Publication date
JPS566363A (en) 1981-01-22

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