JPS60138546A - Formation of resist film - Google Patents

Formation of resist film

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JPS60138546A
JPS60138546A JP24853383A JP24853383A JPS60138546A JP S60138546 A JPS60138546 A JP S60138546A JP 24853383 A JP24853383 A JP 24853383A JP 24853383 A JP24853383 A JP 24853383A JP S60138546 A JPS60138546 A JP S60138546A
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JP
Japan
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group
resist film
silane coupling
formula
coupling agent
Prior art date
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Application number
JP24853383A
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Japanese (ja)
Inventor
Tsuneo Fujii
藤井 恒男
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Daikin Industries Ltd
Original Assignee
Daikin Industries Ltd
Daikin Kogyo Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP24853383A priority Critical patent/JPS60138546A/en
Publication of JPS60138546A publication Critical patent/JPS60138546A/en
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0751Silicon-containing compounds used as adhesion-promoting additives or as means to improve adhesion

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

PURPOSE:To improve the adhesion between a resist film and a base body by treating preliminarily the surface of the base body with a specific silane coupling agent in the stage of forming the resist film consisting of a polymer of fluoroalkyl acrylate on the surface of the base body. CONSTITUTION:The surface of a base body to be formed thereon with a resist film is preliminarily treated by a method such as dipping, coating, spraying or the like using a silane coupling agent having an amino group, thiol group, vinyl group or ethylene oxide group. The embodiment of the silane coupling agent is exemplified by the silane coupling agents expressed by the formula I , the formula II, etc. The resist film consisting of the polymer expressed by the formula III(R<3> is H, methyl, ethyl, halogen, R<2> is 1-6C divalent hydrocarbon; Rf is 1-15C alkyl of which the hydrogen atom is substd. by a fluorine atom) (e.g.; the formula IV, the formula V) is then formed on the surface of the base body.

Description

【発明の詳細な説明】 らに詳しくは、フルオロアルキルアクリレート類の重合
体からなるレジスト被膜を基体表面に形成するにあたっ
て、該レジスト被膜と基体との密着性を向上させる方法
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION More specifically, the present invention relates to a method for improving the adhesion between a resist film and a substrate when forming a resist film made of a fluoroalkyl acrylate polymer on the surface of the substrate.

フルオロアルキルアクリレート類の重合体は、集積回路
製造に用いられるレジスト材料として有用なものであり
、電子f!などの高エネルギー線に対する解像度および
感度が優れているレジスト材料として知られている。
Polymers of fluoroalkyl acrylates are useful as resist materials used in integrated circuit manufacturing, and are useful in electronic f! It is known as a resist material with excellent resolution and sensitivity to high-energy rays such as

しかし、かかるレジスト材料から形成される被膜は、あ
る種の基体表面に形成せしめたばあい、これをレジスト
パターンに現像する工程において1該レジスト被膜と基
体との間に現像液が浸透して、レジスト被膜の一部が剥
離したりあるいはうきあがったりするという密着性不良
−による問題が生ずることがある。その結果、エツチン
グなどによってえられる基体表面の回路パターンの寸法
が所定の寸法から外れるなど、精度の低下をきたす。そ
のような剥離またはうきあがりは、現像後エッチング前
のポストベーキングによっても回復することができない
ばあいがある。
However, when a film formed from such a resist material is formed on the surface of a certain type of substrate, in the step of developing it into a resist pattern, 1) a developer penetrates between the resist film and the substrate; Problems may arise due to poor adhesion, such as part of the resist film peeling off or rising. As a result, the dimensions of the circuit pattern on the surface of the substrate obtained by etching or the like deviate from predetermined dimensions, resulting in a decrease in precision. In some cases, such peeling or blistering cannot be recovered even by post-baking after development and before etching.

本発明は、かかる従来の問題に鑑みなされたものであり
、フルオロアルキルアクリレート類の重合体からなるレ
ジスト被膜の基体表面への密着性を向上せしめる方法を
提供することを目的とするものである。
The present invention has been made in view of such conventional problems, and it is an object of the present invention to provide a method for improving the adhesion of a resist film made of a fluoroalkyl acrylate polymer to a substrate surface.

すなわち本発明は、基体表面をアミノ基、チオール基、
ビニル基またはエチレンオキシド基を有するシランカッ
プリング剤で処理して、フルオロアルキルアクリレート
類の重合体からなるレ−/X)M膜を基体表面に形成す
ることを特徴とするレジスト被膜の形成法に関する。
That is, the present invention provides the substrate surface with amino groups, thiol groups,
The present invention relates to a method for forming a resist film, which comprises treating the substrate surface with a silane coupling agent having a vinyl group or an ethylene oxide group to form a Ray/X)M film made of a polymer of fluoroalkyl acrylates on the surface of a substrate.

本発明に用いるシランカップリング剤は、アミノ基、チ
オール基、ビニル基またはエチレンオキシド基を有する
シランカップリング剤である。前記のごとき基がシラン
カップリング剤に存在するため、基体表面とフルオロア
ルキルアクリレート類の重合体からなるレジスト被膜と
の密着性が改善される。このようなシランカップリング
剤のうち好ましいものとしては、シラン、シルチアンま
たはシ四キサンのケイ素原子に結合する水素原子のうち
・少なくとも1個がNl2(OH2)n−基、Nl2(
CH2)mNl((OH2)11一基、NH20CM(
(OH2)、−基、HS(CH2)、n−基、OH2 
= OH−基または10\ OH2 − (!H(OH2)mO(C!H2)。一基
(式中,mおよびnはそれぞれ1〜5の整数である)で
置換され、力1つ少なくとも1個が炭素@1〜5のアル
コキシ基、炭素数2〜6のメトキシアルコキシ基または
塩素原子で置換され、残りの水素原子が炭素数1〜5の
アルキル基または水酸基で置換されているまたは置換さ
れていないものがあげられる。
The silane coupling agent used in the present invention is a silane coupling agent having an amino group, a thiol group, a vinyl group, or an ethylene oxide group. Since the above-mentioned groups are present in the silane coupling agent, the adhesion between the substrate surface and the resist film made of the fluoroalkyl acrylate polymer is improved. Among these silane coupling agents, preferred are those in which at least one of the hydrogen atoms bonded to the silicon atom of silane, silthian, or si-tetraxane is a Nl2(OH2)n- group, a Nl2(
CH2) mNl ((OH2)11 group, NH20CM(
(OH2), - group, HS(CH2), n- group, OH2
= OH- group or 10\OH2- (!H(OH2)mO(C!H2), substituted with one group, where m and n are each an integer from 1 to 5, and one force is at least 1 hydrogen atoms are substituted with an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a methoxyalkoxy group having 2 to 6 carbon atoms, or a chlorine atom, and the remaining hydrogen atoms are substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a hydroxyl group. I can give you what you don't have.

これらの具体例としては、たとえば NH203H6Si(002H5)3 、皿2C曲坪C
チ6s1(ooH3)3・NH200BIH03H6S
i(002H5)3 、HSO3H6Si(OGH3)
3 、OH2 = col(ooH3)3、これらシラ
ンカップリング剤での基体表面の処理は、適切な溶媒に
該シランカップリング剤を溶解して、塗布、浸漬、スプ
レーまたはスヒ。
Specific examples of these include NH203H6Si(002H5)3, plate 2C curved surface C
Chi6s1(ooH3)3・NH200BIH03H6S
i(002H5)3, HSO3H6Si(OGH3)
3, OH2 = col(ooH3)3, The substrate surface can be treated with these silane coupling agents by dissolving the silane coupling agent in an appropriate solvent and applying, dipping, spraying or spraying.

ンノーティングなどの各種のコーティング法Gコよって
行なわれる。また該カップリング剤が液体であるばあい
には、そのまま用いることも可能である。処理表面上の
残液は揮発させるかまたは溶媒で洗い流すかしてつぎの
レジスト被膜形成工程に供されるが、70〜150°C
でプリベーキングするのが好ましい。
This can be done by various coating methods such as noting. Furthermore, if the coupling agent is a liquid, it can be used as is. The remaining liquid on the treated surface is volatilized or washed away with a solvent and then subjected to the next resist film formation step, at a temperature of 70 to 150°C.
Prebaking is preferred.

このようにしてカップリング剤によって表面処理された
基体に、種々のフルオロアルキルアクリレート類の重合
体の被膜を常法にしたがって形成せしめたばあい、その
密着性は表面処理をしなかったものにくらべて向上する
0本発明に用いるフルオロアルキルアクリレート類の重
合体としては、たとえば一般式(■)二〇H2=O(R
1)COOR2Rf(■)(式中、Rはメチル基、エチ
ル基もしくはそれらの水素原子の少なくとも1個がハロ
ゲン原子で置換された基、ハロゲン原子または水素原子
、R2は炭素数1〜乙の2価の炭化水素基、Rfは少な
くとも1個の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数
1〜15のアルキル基である)で表わされるフルオロア
ルキルアクリレート類の同族重合体または該フルオロア
ルキルアクリレート類とそれ以外の1種または2種以上
のビニル系単量体との共重合体があげられる。
When a film of various fluoroalkyl acrylate polymers is formed on a substrate whose surface has been surface-treated with a coupling agent in this way using a conventional method, its adhesion is comparable to that of a substrate whose surface has not been surface-treated. As the polymer of fluoroalkyl acrylates used in the present invention, for example, the polymer having the general formula (■) 20H2=O(R
1) COOR2Rf (■) (wherein R is a methyl group, an ethyl group, or a group in which at least one of their hydrogen atoms is substituted with a halogen atom, a halogen atom or a hydrogen atom, and R2 is a carbon number of 1 to 2) homologous polymers of fluoroalkyl acrylates or the fluoroalkyl acrylates represented by a valent hydrocarbon group (Rf is an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom) Examples include copolymers with one or more other vinyl monomers.

前記一般式(I)で表わされるフルオロアルキルアクリ
レート類の具体例としては、 OH2= 0(OH3)OOOOH2(OF2)2HC
!H2= 0(OH3)0000(OH3)2(OF2
)2HOH2= 0(OH3)000CH20HFOF
30H2= 0(OH3)0000H20F20HFO
F30H2= 0(OH3)0000H(OH3)OF
20HFOF3OH2= O(OH3)OOOOH(O
pH)15 )OF20HFO]!’30H2= a(
oH3)aooaa(o3a7)ah2amay30H
2= 0(OH3)0000H(OH3)20F20H
FOIP30H2= 0(OH3)0000(OH3)
(02H5)OF20)IIFIOF3などがあげられ
る。
Specific examples of the fluoroalkyl acrylates represented by the general formula (I) include OH2=0(OH3)OOOOOH2(OF2)2HC
! H2 = 0(OH3)0000(OH3)2(OF2
)2HOH2= 0(OH3)000CH20HFOF
30H2=0(OH3)0000H20F20HFO
F30H2= 0(OH3)0000H(OH3)OF
20HFOF3OH2= O(OH3)OOOOOH(O
pH)15)OF20HFO]! '30H2=a(
oH3) aooaa (o3a7)ah2amay30H
2=0(OH3)0000H(OH3)20F20H
FOIP30H2=0(OH3)0000(OH3)
(02H5)OF20)IIFIOF3, etc.

またフルオロアルキルアクリレート類以外のビニル糸単
量体としては、たとえばエチレン、ブ四ピレン、ブチレ
ン、イソブチレン、ブタジェンなどのエチレン系不飽和
オレフィン類;スチレン、α−メチルスチレン、p−ク
ロルスチレンなどのスチレン類;アクリル酸、メタクリ
ル酸、イタコン酸、マレイン酸・無水マレイン酸などの
不飽和カルボン酸類;アクリル酸メチル、アクリル酸エ
チル、アクリル酸n−ブチル、アクリル酸イソブチル、
アクリル酸ドデシル、アクリル酸n−オクチル、アク1
】ル酸2−クロロエチル、アクリル酸フェニル、α−ク
ロロアクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、メタクリ
ル酸エチル、メタクリル酸ブチル、α−エチルアクリル
酸エチルなどのα−メチレン脂肪族モノカルボン酸のエ
ステル類;ビニルメチルエーテル、ビニルエチルエーテ
ル、ビニルイソブチルエーテルなどのビニルエーテル類
;塩(ヒビニル、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪
酸ビニル、安息香酸ビニルなどのビニルエステル類;1
−メチル−1−メトキシエチレン、1.1−ジメトキシ
エチレン、1,2−ジメトキシエチレン、1.1′−ジ
メトキシカルボニルエチレン、1−メチル−1′−二ト
ロエチレンなどのエチレン誘i体;N−ビニルピロール
、N−ビニル化合物くゾール\N−ビニルインドール、
N−ビニルピロ1ノジン、N−ビニルピロリドンなどの
N−ビニル化合物;そのほかアクリロニトリル、メタク
1)ロニ) Qル、アクリルアミド、メタクリルアミド
、α−エチルアクリルアミド、アクリレート1】ド、p
−クロロアクリルアニリド、m−ニトロアクリルアニリ
ド、m−メトキシアクリルアニリド、ビニリデンクロラ
イド、ビニリデンシアナイド、グリシジルアクリレート
、グリシジルアクリレ−ト、アルキル−α−シアノアク
リレート、アルキル−α−シアノメタクリレートなどが
あげられる。
Examples of vinyl thread monomers other than fluoroalkyl acrylates include ethylenically unsaturated olefins such as ethylene, butypyrene, butylene, isobutylene, and butadiene; styrenes such as styrene, α-methylstyrene, and p-chlorostyrene. unsaturated carboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, maleic acid/maleic anhydride; methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate,
Dodecyl acrylate, n-octyl acrylate, Aku1
] Esters of α-methylene aliphatic monocarboxylic acids such as 2-chloroethyl chlorate, phenyl acrylate, methyl α-chloroacrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, butyl methacrylate, and ethyl α-ethyl acrylate; Vinyl ethers such as vinyl methyl ether, vinyl ethyl ether, vinyl isobutyl ether; salts (vinyl esters such as vinyl, vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl butyrate, vinyl benzoate; 1)
- Ethylene derivatives such as methyl-1-methoxyethylene, 1.1-dimethoxyethylene, 1,2-dimethoxyethylene, 1.1'-dimethoxycarbonylethylene, 1-methyl-1'-ditroethylene; N- Vinylpyrrole, N-vinyl compound Kuzol\N-vinylindole,
N-vinyl compounds such as N-vinylpyrrolidone and N-vinylpyrrolidone; also acrylonitrile, methacrylamide, methacrylamide, α-ethylacrylamide, acrylate, p
-Chloroacrylanilide, m-nitroacrylanilide, m-methoxyacrylanilide, vinylidene chloride, vinylidene cyanide, glycidyl acrylate, glycidyl acrylate, alkyl-α-cyanoacrylate, alkyl-α-cyanomethacrylate, etc. .

フルオロアルキルアクリレート類以外のビニル系単量体
は、共重合体中での量が30モル%をこえない範囲、す
なわちフルオロアルキルアクリレート類の量が少なくと
も70モル%含有される範囲で用いるのが好ましく、該
ビニル糸車b1゜体の共重合体中での量が、10モル%
をこえ7(I、)範囲で用いることがさらに好ましい。
Vinyl monomers other than fluoroalkyl acrylates are preferably used in an amount that does not exceed 30 mol% in the copolymer, that is, the amount of fluoroalkyl acrylates is at least 70 mol%. , the amount of the vinyl spinning wheel b1° in the copolymer is 10 mol%
It is more preferable to use it in the range of more than 7 (I,).

前記ビニル系単量体のうち好ましいもσ〕としては、た
とえばアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、
アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸
エチル、アク1ノルアミド−メタクリルアミド、α−エ
チルアク1ノルアミド、グリシジルアクリレート、グリ
シジルメタクリレート、メチル−α−シアノアクリレー
ト1エチル−α−シアノアクリレート、メチル−α−シ
アノメタクリレート、エチル−a−シアノメタクリレー
トなどがあげられる。
Among the vinyl monomers, preferable examples include acrylic acid, methacrylic acid, methyl acrylate,
Ethyl acrylate, ethyl methacrylate, ethyl methacrylate, ac 1-noramide-methacrylamide, α-ethylac 1-noramide, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, methyl-α-cyanoacrylate 1-ethyl-α-cyanoacrylate, methyl-α-cyano Examples include methacrylate, ethyl a-cyano methacrylate, and the like.

これらの好ましいビニル系単量体とフルオロアルキルア
クリレート類との共重合体は、それ自体でも基体表面に
対する密着性に優れたものであり、ビニル糸単量体の割
合が大であるほど基体表面との密着性が向上する傾向に
あるが・レジスト被膜の感度および解像度は逆に低下す
る。前記の割合の範囲では感度および解像度が良好であ
り、密着性もまた良好である。本発明のごとく、あらか
じめ基体表面をシランカップリング剤で処理しておくこ
とにより、密着性をさらに向上させることができ、した
がって微細レジストパターンの形成がより正確に行なえ
る。
These preferred copolymers of vinyl monomers and fluoroalkyl acrylates have excellent adhesion to the substrate surface by themselves, and the higher the proportion of the vinyl yarn monomer, the better the adhesion to the substrate surface. However, the sensitivity and resolution of the resist film tend to decrease. Within the above ratio range, sensitivity and resolution are good, and adhesion is also good. By treating the surface of the substrate with a silane coupling agent in advance as in the present invention, adhesion can be further improved, and therefore a fine resist pattern can be formed more accurately.

本発明に用いる基体にはとくに限定はないが、具体的に
は、たとえばクロムマスクされた基体、シリコン、酸化
ケイ素、シリな一トゲラス、チツ化ケイ素、アルミニウ
ム、チタンまたは金などから形成された基体があげられ
\いずれを用いたばあいでも本発明の方法によれば基体
とレジスト被膜との密着性を向上せしめうる。
The substrate used in the present invention is not particularly limited, but specifically, for example, a chromium masked substrate, a substrate formed from silicon, silicon oxide, silicon oxide, silicon titanium, aluminum, titanium, gold, etc. Regardless of which method is used, the method of the present invention can improve the adhesion between the substrate and the resist film.

つぎに参考例および実施例をあげて本発明の方法をより
具体的に説明するが、本発明はそれらの実施例のみに限
定されるものではない。
Next, the method of the present invention will be explained in more detail with reference to Reference Examples and Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

参考例1 2、2.3.4.4.4−へキサフルオロブチルメタク
リレート(以下、HFBMAという)99部(型凹部、
以下同様)にグリシジルメタクリレート(以下、GMA
という)1部、アゾビスイソブチロニトリル(以下、A
よりNという)およびメチルイソブチルケトン150部
を加えて混合し、凍結脱気し7このち、この混合物を6
o0Cで24時間共重合させた。
Reference Example 1 99 parts of 2,2.3.4.4.4-hexafluorobutyl methacrylate (hereinafter referred to as HFBMA) (mold recess,
Glycidyl methacrylate (hereinafter referred to as GMA)
), 1 part azobisisobutyronitrile (hereinafter referred to as A
7) and 150 parts of methyl isobutyl ketone were added and mixed, frozen and degassed.
Copolymerization was carried out for 24 hours at o0C.

反応混合物にアセトンを加えて均一溶液としたのち、石
油エーテルを加えて沈殿させることにより共重合体51
部をえた。
Acetone was added to the reaction mixture to make a homogeneous solution, and then petroleum ether was added to precipitate it, resulting in copolymer 51.
I got a department.

えられた共重合体をメチルエチルケトン溶液とした。該
溶液の35qOでめた極限粘度〔η〕は1、 o6az
/pであった0またゲルパーミェーションクロマトグラ
フィーによりめた重量平均分子量は約i、 200.0
00であった。
The obtained copolymer was made into a methyl ethyl ketone solution. The intrinsic viscosity [η] of the solution measured at 35qO is 1, o6az
/p was 0, and the weight average molecular weight determined by gel permeation chromatography was approximately i, 200.0
It was 00.

参考例2〜4 GMAに代えてメタクリル酸(参考例2)、メタクIJ
 ルアミド(参考例3)またはα−シアノ−メチルアク
リレート(参考例4)を用い、共重合反応の条件を第1
表に示すものに代えたほかは参考例1と同様にして共重
合体をえた。
Reference Examples 2 to 4 Methacrylic acid (Reference Example 2), Methac IJ instead of GMA
The conditions for the copolymerization reaction were adjusted to the first
A copolymer was obtained in the same manner as in Reference Example 1 except that the materials were replaced with those shown in the table.

えられた共重合体の収量、参考例1と同様にしてめた極
限粘度〔η〕および重量平均分子量を第1表に示す。
Table 1 shows the yield of the obtained copolymer, the intrinsic viscosity [η] determined in the same manner as in Reference Example 1, and the weight average molecular weight.

第1表 実施例1 シランカップリング剤としてγ−アミノプロピルトリエ
トキシシランを用い、それの5部に水5部およびエタノ
ール90部からなる混合溶媒を加えて溶かした。えられ
たシランカップリング剤溶液をシリコンウニへ上に採り
、5分間放置後s 2000rpmで1分間かけてスピ
ンコーティングした。つぎにこれを80°Cで10分間
プリベーキングしたのち、放冷した。
Table 1 Example 1 γ-Aminopropyltriethoxysilane was used as a silane coupling agent, and a mixed solvent consisting of 5 parts of water and 90 parts of ethanol was added to 5 parts of γ-aminopropyltriethoxysilane to dissolve it. The obtained silane coupling agent solution was applied onto a silicone sea urchin, and after being left for 5 minutes, it was spin-coated at 2000 rpm for 1 minute. Next, this was prebaked at 80°C for 10 minutes and then allowed to cool.

値上のごとくしてシランカップリング剤で処理されたシ
リコンウェハの表面に、参考例1でえた共重合体の8重
量%メチルイソブチルケトン溶液を採り、2000rp
mで1分間スピンコーティングし、140°0で30分
間プリベーキングして約0.4μmのレジスト被膜を形
成させた。
An 8% by weight methyl isobutyl ketone solution of the copolymer obtained in Reference Example 1 was placed on the surface of a silicon wafer treated with a silane coupling agent as described above, and the solution was heated at 2000 rpm.
The resist film was spin-coated at a temperature of m for 1 minute and prebaked at a temperature of 140° for 30 minutes to form a resist film of about 0.4 μm.

えられたレジスト被膜と基体(シリコンウェハ)との密
着性を調べるために、つぎに述べる密着性試験を行なっ
た。− (密着性試験) ]1+RID −502型電子線描画装置(エリオニク
ス礼装)を用い、加速電圧2okv(電流密度1×10
9A/am2)の電子線をえられたレジスト被膜にI 
X 10 0/amで照射して、ラインアンドスペース
2μm ’15μmおよび5μmでパターンを描画し、
ついでメチルイソブチルケトンーイソブ四パノール混合
液(容量比1.5:98.5)で現像し、さらにイソプ
ルパノールで洗浄し、最後に乾燥した。
In order to examine the adhesion between the obtained resist film and the substrate (silicon wafer), the following adhesion test was conducted. - (Adhesion test)] Using 1+RID-502 type electron beam lithography equipment (Elionix formal dress), accelerating voltage 2okv (current density 1 x 10
I
Irradiate at
The film was then developed with a mixture of methyl isobutyl ketone and isobutetrapanol (volume ratio 1.5:98.5), further washed with isopropanol, and finally dried.

かくしてえられたレジストパターンE 400 倍の光
学顕微鏡で観察して、その密着性を調べた〇その結果を
第2表に示す0なお、密着性の評価の基準はつぎのとお
りである。
The thus obtained resist pattern E was observed under an optical microscope with a magnification of 400 times to examine its adhesion. The results are shown in Table 2.0 The criteria for evaluating adhesion are as follows.

×:いずれか一部のレジストパターンに剥離が観察され
たもの。
×: Peeling was observed in any part of the resist pattern.

△:いずれか少しでもレジストパターンのつきあがりが
観察されたもの。
△: At least a small amount of resist pattern sticking was observed.

○:いずれも完全にレジストパターンが密着しているの
が観察されたもの。
○: In both cases, the resist pattern was observed to be completely adhered.

実施例2〜7 使用したシランカップリング剤溶液、共重合体、現像液
および洗浄液をそれぞれ第2表に示すものに代えたほか
は実施例1と同様にして実験を行なった。えられたそれ
ぞれのレジスト被膜の密着性を第2表に示す。
Examples 2 to 7 Experiments were conducted in the same manner as in Example 1, except that the silane coupling agent solution, copolymer, developing solution, and cleaning solution used were replaced with those shown in Table 2. Table 2 shows the adhesion of each resist film obtained.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 基体表面をアミノ基、チオール基、ビニル基または
エチレンオキシド基を有するシランカップリング剤で処
理して、フルオロアルキルアクリレート類の重合体から
なるレジネト被膜を基体表面に形成することを特徴とす
るレジスト被膜の形成法0 2 シランカップリング剤がシラン、シルチアンまたは
シロキサンのケイ素原子に結合する水素原子のうち、少
なくとも1個がNu2(OH2)n−基、Nu2(OH
2)、 Nu(OH2)n−基、Nu20(IIH(O
H2)n−基、H8(CH2)n−基、OH2= OH
−基または10、 OH2−aH(aH2)n1o(ca2月−基(式中、
mおよびnはそれぞれ1〜5の整数である)で置換され
、かつ少なくとも1個が炭素数1〜5のアルコキシ基、
炭素数2〜6のメトキシアルフキシ基または塩素原子で
置換され、残りの水素原子が炭素数1〜5のアルキル基
または水酸基で置換されているまたは置換されていない
ものである特許請求の範朋第1項記載の方法。 3 シランカップリング剤がNH2C3H6S1(OC
2H5)3\N1202H4NHO詳6s1(o皿3)
3、薦200皿Oチロ5t(OC2H5)3、H3O3
H6Si(OCH3)3.01(2= 0H8i(OC
H3)3 、cH2= 0H8i(002H5)3、る
特許請求の範囲第1項記載の方法。 4 フルオロアルキルアクリレート類の重合体が一般式
(I): aH2= 0(R1)OOOR2Rf(I)(式中 R
1はメチル基、エチル基もしくはそれらの水素原子の少
なくとも1個がハロゲン原子で置換された基、ハロゲン
原子または水素原子、Rは炭素数1〜6の2価の炭化水
素基、Rfは少なくとも1個の水素原子がフッ素原子で
置換された炭素数1〜15のアルキル基である)で示さ
れるフルオロアルキルアクリレート類の同族重合体また
は該フルオロアルキルアクリレート類を少なくとも70
モル%含有する共重合体である特許請求の範囲第1項記
載の方法。
[Scope of Claims] 1. Treating the surface of a substrate with a silane coupling agent having an amino group, a thiol group, a vinyl group, or an ethylene oxide group to form a resinate coating made of a polymer of fluoroalkyl acrylates on the surface of the substrate. Method 0 for forming a resist film characterized by
2), Nu(OH2)n-group, Nu20(IIH(O
H2)n-group, H8(CH2)n-group, OH2=OH
- group or 10, OH2-aH(aH2)n1o(ca2- group (in the formula,
m and n are each an integer of 1 to 5), and at least one alkoxy group has 1 to 5 carbon atoms,
Claims that are substituted with a methoxyalfoxy group having 2 to 6 carbon atoms or a chlorine atom, and the remaining hydrogen atoms are substituted or unsubstituted with an alkyl group or hydroxyl group having 1 to 5 carbon atoms. The method described in paragraph 1. 3 The silane coupling agent is NH2C3H6S1 (OC
2H5) 3\N1202H4NHO details 6s1 (o plate 3)
3. Recommended 200 dishes Ochiro 5t (OC2H5) 3. H3O3
H6Si(OCH3)3.01(2=0H8i(OC
H3)3, cH2=0H8i(002H5)3. 4 The polymer of fluoroalkyl acrylates has the general formula (I): aH2=0(R1)OOOR2Rf(I) (in the formula R
1 is a methyl group, an ethyl group, or a group in which at least one of their hydrogen atoms is substituted with a halogen atom, a halogen atom or a hydrogen atom, R is a divalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and Rf is at least 1 is an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, in which 5 hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.
The method according to claim 1, wherein the copolymer contains mol %.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8003746B2 (en) 2005-05-09 2011-08-23 Dow Corning Corporation Amino-mercapto functional organopolysiloxanes
US8399591B2 (en) 2005-05-09 2013-03-19 Dow Corning Corporation Amino-mercapto functional organopolysiloxanes

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