JPS60134504A - マイクロ波プツシユプル周波数変換器 - Google Patents
マイクロ波プツシユプル周波数変換器Info
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- JPS60134504A JPS60134504A JP59244738A JP24473884A JPS60134504A JP S60134504 A JPS60134504 A JP S60134504A JP 59244738 A JP59244738 A JP 59244738A JP 24473884 A JP24473884 A JP 24473884A JP S60134504 A JPS60134504 A JP S60134504A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0608—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes
- H03D9/0616—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted in a hollow waveguide
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- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の関連する技術分野
本発明は、対の半導体ミクサ素子が設けら肚た、１つの
導波管部材から成るミクサモジュールを備えており、そ
の際低い周波数のマイクロ波信号が中間周波数へ変換せ
ずに直接高い周波数のマイクロ波信号に変換されるがま
たはその逆に高い周波数のマイクロ波信号が直接低い周
波数のマイクロ波信号に変換され、さらにミクサモジュ
ールに各々１つの、高い周波数ないし低い周波数のマイ
クロ波信号用の導波管フィルタが接続されている、広帯
域信号用の導波管技術で構成さＩｔたマイクロ波プソ／
ユノル周波数変換回路に関する。
導波管部材から成るミクサモジュールを備えており、そ
の際低い周波数のマイクロ波信号が中間周波数へ変換せ
ずに直接高い周波数のマイクロ波信号に変換されるがま
たはその逆に高い周波数のマイクロ波信号が直接低い周
波数のマイクロ波信号に変換され、さらにミクサモジュ
ールに各々１つの、高い周波数ないし低い周波数のマイ
クロ波信号用の導波管フィルタが接続されている、広帯
域信号用の導波管技術で構成さＩｔたマイクロ波プソ／
ユノル周波数変換回路に関する。
従来技術
この形式の変換回路は、例えば雑誌ＮＴＺ 、第３３巻
、１９８０年、第９号、ベー−）５９０〜５９１から公
知である。
、１９８０年、第９号、ベー−）５９０〜５９１から公
知である。
テレビジョン放送衛星用の損失の少ない直接変換器は導
波管技術で構成される。この形式の変換器は例えば４０
０ ＭＨｚの帯域幅の５つの周波数変調された１ ９
ＧＨｚの受信信号を直接１２ＧＨｚの送信信号に変換す
る。直接変換器用の他の周波数組合せとして、例えば６
がら４．１４から牛、１４から１２．３Ｏから牛、３ｏ
から２０、または３Ｏからｌ ２ （）Ｈ２への変換が
可能である。宇宙飛行機にとって半導体ミクサは、望ま
しくな℃・混合積に関して厳しい要求を満たさなけ扛ば
ならない。従って半導体ミクサには入力フィルタと出力
フィルタが接続される。
波管技術で構成される。この形式の変換器は例えば４０
０ ＭＨｚの帯域幅の５つの周波数変調された１ ９
ＧＨｚの受信信号を直接１２ＧＨｚの送信信号に変換す
る。直接変換器用の他の周波数組合せとして、例えば６
がら４．１４から牛、１４から１２．３Ｏから牛、３ｏ
から２０、または３Ｏからｌ ２ （）Ｈ２への変換が
可能である。宇宙飛行機にとって半導体ミクサは、望ま
しくな℃・混合積に関して厳しい要求を満たさなけ扛ば
ならない。従って半導体ミクサには入力フィルタと出力
フィルタが接続される。
望１しくない混合積の出力の強さが、フィルタにより半
導体ミクサ素子に反射されるようになり、さらに再混合
される（ Ｕｍｍ：Ｌｓｃｈｕｎｇ）ので、適正な位相
での反射の場合、変換損が改善さオ′シる。このような
有利な特性の他に、このフィルタは不オリな特性も有し
ている。即ち、再混合伝送特性が強く障害を受け、不整
合が生じる０帯域幅が広くなるにつれ゛このフィルタの
２次的影響は益々著しくなる。入力周波数と出力周波数
とがｈ［いて大きく隔たっている変換器、例えば３０
／ １２ ＧＨｚの変換器では、挿入損が可及的に僅か
で極めて広い遮断領域を有するフィルタを用いなけ−Ａ
ｔばならない。前記のＮＴＺにおし・ては、所Ｍ’ｆ４
エバネセント・モー１３・フィルタ（Ｅｖａｎｅｓｃｅ
ｎｔ−Ｍｏｄｅ−Ｆｉｌｔｅｒ ）をミクサの低い周波
数側に設けることが提案されている。
導体ミクサ素子に反射されるようになり、さらに再混合
される（ Ｕｍｍ：Ｌｓｃｈｕｎｇ）ので、適正な位相
での反射の場合、変換損が改善さオ′シる。このような
有利な特性の他に、このフィルタは不オリな特性も有し
ている。即ち、再混合伝送特性が強く障害を受け、不整
合が生じる０帯域幅が広くなるにつれ゛このフィルタの
２次的影響は益々著しくなる。入力周波数と出力周波数
とがｈ［いて大きく隔たっている変換器、例えば３０
／ １２ ＧＨｚの変換器では、挿入損が可及的に僅か
で極めて広い遮断領域を有するフィルタを用いなけ−Ａ
ｔばならない。前記のＮＴＺにおし・ては、所Ｍ’ｆ４
エバネセント・モー１３・フィルタ（Ｅｖａｎｅｓｃｅ
ｎｔ−Ｍｏｄｅ−Ｆｉｌｔｅｒ ）をミクサの低い周波
数側に設けることが提案されている。
「工ＥＥＥトランスザク７ヨンズ・オン・マイクロウェ
ーブ・セオリ・アンＰ・テクニクス」第ＭＴＴ −１９
巻、Ａ３．１ｇ７１年３月、ページ２９５〜３０８、殊
にページ３０２によれば、このようなエバネセント・モ
ー１２・フィルタはパラスティックパン１パス特性を有
する。従って殊に広帯域の変換器には限らａｔた範囲で
しか使用できない。
ーブ・セオリ・アンＰ・テクニクス」第ＭＴＴ −１９
巻、Ａ３．１ｇ７１年３月、ページ２９５〜３０８、殊
にページ３０２によれば、このようなエバネセント・モ
ー１２・フィルタはパラスティックパン１パス特性を有
する。従って殊に広帯域の変換器には限らａｔた範囲で
しか使用できない。
発明によシ解決すべき問題点
本発明の課題は、入力周波数と出力周波数とが互いに比
較的固たっており、例えばその比が］、凸を上回ってお
り、１．た挿入損と混合積の抑圧とに関して良好な特性
を有する、冒頭に述べた形式の導波管技術により構成さ
れたマイクロ波プッシュプル周波数変換器を提供するこ
とにある。
較的固たっており、例えばその比が］、凸を上回ってお
り、１．た挿入損と混合積の抑圧とに関して良好な特性
を有する、冒頭に述べた形式の導波管技術により構成さ
れたマイクロ波プッシュプル周波数変換器を提供するこ
とにある。
問題点を解決するための手段
この課題は、低℃・周波数のマイクロ波信号用の導波管
フィルタを、遮断導波管部を用いて結合されたリッジ導
波管部から構成し、半導体ミクサ素子の固定装置を、ミ
クサモジュールが同じモードの高い周波数のおよび低い
周波数のマイクロ波４８号を通過さぜるリッジ導波管の
形状を呈するように形成することによって解決される。
フィルタを、遮断導波管部を用いて結合されたリッジ導
波管部から構成し、半導体ミクサ素子の固定装置を、ミ
クサモジュールが同じモードの高い周波数のおよび低い
周波数のマイクロ波４８号を通過さぜるリッジ導波管の
形状を呈するように形成することによって解決される。
実施例
次に本発明の実施例を図面に基き詳細に説明する。
第１図にはマイクロ波ゾッ／ユゾル周波数変換器がダウ
ンフンパータと称さ、Ｉするダウンミクサとしてブロッ
ク回路図で示さオｔている。帯域幅が例えば牛００ Ｍ
Ｈ２の３０ ＧＨ２の入力信号ｆ。
ンフンパータと称さ、Ｉするダウンミクサとしてブロッ
ク回路図で示さオｔている。帯域幅が例えば牛００ Ｍ
Ｈ２の３０ ＧＨ２の入力信号ｆ。
（高い周波数のマイクロ波信号）が、この高い周波数の
マイクロ波信号用のフィルタｌを介してミクサモジュー
ル２に供給される。ミクサモジュール２は２つの半導体
ミクサ素子３および牛、例えばＱａＡｓンヨツトキーダ
イオ−１を含んでおシ、これらがプッシュプル動作する
ように接続さｔている。半導体ミクサ素子３および牛に
は発振器フィルタ５を介して発振周波数ｆ０が供給さ２
”Ｌる。発振周波数ｆＱは入力周波数ｆｇが１２ ＧＨ
ｚに周波数変換されるように選択さオする。この１２
ＧＨｚの信号ｆＡ（低い周波数のマイクロ波信号）は望
１しくな℃・混合積を取除くフィルタ６を介して取出さ
オする。フィルタ６は、後に詳しく説明するように、遮
断導波管部を用いて結合さオｔｆｃ容量性のリッジ導波
管部から成る。
マイクロ波信号用のフィルタｌを介してミクサモジュー
ル２に供給される。ミクサモジュール２は２つの半導体
ミクサ素子３および牛、例えばＱａＡｓンヨツトキーダ
イオ−１を含んでおシ、これらがプッシュプル動作する
ように接続さｔている。半導体ミクサ素子３および牛に
は発振器フィルタ５を介して発振周波数ｆ０が供給さ２
”Ｌる。発振周波数ｆＱは入力周波数ｆｇが１２ ＧＨ
ｚに周波数変換されるように選択さオする。この１２
ＧＨｚの信号ｆＡ（低い周波数のマイクロ波信号）は望
１しくな℃・混合積を取除くフィルタ６を介して取出さ
オする。フィルタ６は、後に詳しく説明するように、遮
断導波管部を用いて結合さオｔｆｃ容量性のリッジ導波
管部から成る。
第２図の変換器断面図は詳細な構成を示す。
３０ ＧＨ２用の導波管接続部７は入力側がフィルタ１
に接続されている。フィルタ１はＩ（１８波用の矩形導
波管技術眞より構成さオｔた３回路チェビシェフ帯域フ
ィルタから成る。対称誘導性窓８を用いて結合がなさオ
する。調整のために３つの容量性調整スタブ９が各々窓
と窓との間の中間の導波管壁に設けられている。この調
整スタブ９は簡単な調整ねじから成り、こゎが導波管の
上方広幅壁面に挿入さｔている（第３図参照）。導波管
フィルタ１の内側のエツジは製造技術上の理由から大き
く丸味がつけられている、即ちほぼ楕円形である。
に接続されている。フィルタ１はＩ（１８波用の矩形導
波管技術眞より構成さオｔた３回路チェビシェフ帯域フ
ィルタから成る。対称誘導性窓８を用いて結合がなさオ
する。調整のために３つの容量性調整スタブ９が各々窓
と窓との間の中間の導波管壁に設けられている。この調
整スタブ９は簡単な調整ねじから成り、こゎが導波管の
上方広幅壁面に挿入さｔている（第３図参照）。導波管
フィルタ１の内側のエツジは製造技術上の理由から大き
く丸味がつけられている、即ちほぼ楕円形である。
３’０ＧＨ２の信号用のフィルタ１にはリッジ導波管部
材１０が接続さ１ｔており、この導波管部４Ｊ１０はこ
のフィルタとミクサモジュール２との間の接続部を成し
ている。リツ−）導波管部拐１０の断面を第４図に示す
。側突起部１１がＨｌ。
材１０が接続さ１ｔており、この導波管部４Ｊ１０はこ
のフィルタとミクサモジュール２との間の接続部を成し
ている。リツ−）導波管部拐１０の断面を第４図に示す
。側突起部１１がＨｌ。
渋川の矩形導波管の広幅壁に設けられて℃・る。
３００Ｈ２信号用フィルタｌの１２ ＧＨｚのときの出
力インピーダンスは、ミクサモジュール２とフィルタ］
−との間のリッジ導波管部、１Ｊｌｏにより、半導体ミ
クサ素子３および牛のレベルに変成ずべきであシ、こオ
ｔ’によ）このダイオードレベルにおいては１２ ＧＨ
ｚ信号に対して無負荷で動作するようにする。リッツ導
波管部４ｇ’ １０の長さは約λＨ／３に相当し、３０
ＧＨｚの信号周波数では約６ ｍｍ−の長さであり、
その際正確な長さは、１２ＧＨｚの信号に対してフィル
タｌがどのような入力インピーダンスを有するが眞依存
する。
力インピーダンスは、ミクサモジュール２とフィルタ］
−との間のリッジ導波管部、１Ｊｌｏにより、半導体ミ
クサ素子３および牛のレベルに変成ずべきであシ、こオ
ｔ’によ）このダイオードレベルにおいては１２ ＧＨ
ｚ信号に対して無負荷で動作するようにする。リッツ導
波管部４ｇ’ １０の長さは約λＨ／３に相当し、３０
ＧＨｚの信号周波数では約６ ｍｍ−の長さであり、
その際正確な長さは、１２ＧＨｚの信号に対してフィル
タｌがどのような入力インピーダンスを有するが眞依存
する。
ミクサモジュール２は３ボ一ト回路として構成さオｔて
おシ、その際２つのポート（３０ＧＨｚ信号の入カポ−
１・と１２ ＧＨｚ信号の出カポ−１・）はリッジ導波
管により接続さ７ｔており、第３の、発振周波数ｆ（Ｈ
の供給されるポートは同軸技術で作られて℃・る。ミク
サモジュール２は２つの互いに上下に配置された半導体
ミクサ素子３および４ （ＧａＡｓショットギーダイオ
ード）をマイクロピルケーシング中に有している。両ダ
イオ−１の外側の端子が固定装置（ゴールドスリーブ１
２）によって固定さオする。ゴール１スｖ−ゾ１２は孔
１３を介してミクサモジュールケーシング中に挿入さＩ
ｔｌそこにろうｆ＝Ｊされている。ゴールドスリーブ１
２はダイオ−＋ｙ ３および牛の端面と共に、ミクサモ
ジュール２の導波管内側の空胴に、第２図および第３図
に示すように突出部が形成されるまで突入しており、こ
の突出部によりミクサモジュール２をリッジ導波管の形
にしている。障害となる場所を僅かにするのに、ミクサ
モジュール２の突出部の形状はリッジ導波管部材１０の
突出部の形状にほぼ一致したければならない。ダイオ−
Ｐ３および牛への発振周波数ｆ。の供給は導電的に行な
われる。このためにミクサモジュール２の導波管狭幅壁
に第５図のよう゛に孔１４が設けら肚ており、この孔を
通って内部導体１５が突入している。内部導体１５の端
部はダイオ−Ｐ３および牛の対向し合う端部と接続さ肚
ている。内部導体１５の他方の端部は同軸空胴共振器１
７の内部導体１６に接続されている（容量性短縮形λ共
振器）。発振周波数ｆ。は空胴共振器１７において側方
から結合さ肚る。空胴共振器１７は発振周波数ｆＱ に
対してフィルタとして作用する。発振周波数ｆ。により
３ Ｑ ＧＨｚのマイクロ波信号が１２ ＧＨ２の領域
（低い周波数のマイクロ波信号）に変換される。
おシ、その際２つのポート（３０ＧＨｚ信号の入カポ−
１・と１２ ＧＨｚ信号の出カポ−１・）はリッジ導波
管により接続さ７ｔており、第３の、発振周波数ｆ（Ｈ
の供給されるポートは同軸技術で作られて℃・る。ミク
サモジュール２は２つの互いに上下に配置された半導体
ミクサ素子３および４ （ＧａＡｓショットギーダイオ
ード）をマイクロピルケーシング中に有している。両ダ
イオ−１の外側の端子が固定装置（ゴールドスリーブ１
２）によって固定さオする。ゴール１スｖ−ゾ１２は孔
１３を介してミクサモジュールケーシング中に挿入さＩ
ｔｌそこにろうｆ＝Ｊされている。ゴールドスリーブ１
２はダイオ−＋ｙ ３および牛の端面と共に、ミクサモ
ジュール２の導波管内側の空胴に、第２図および第３図
に示すように突出部が形成されるまで突入しており、こ
の突出部によりミクサモジュール２をリッジ導波管の形
にしている。障害となる場所を僅かにするのに、ミクサ
モジュール２の突出部の形状はリッジ導波管部材１０の
突出部の形状にほぼ一致したければならない。ダイオ−
Ｐ３および牛への発振周波数ｆ。の供給は導電的に行な
われる。このためにミクサモジュール２の導波管狭幅壁
に第５図のよう゛に孔１４が設けら肚ており、この孔を
通って内部導体１５が突入している。内部導体１５の端
部はダイオ−Ｐ３および牛の対向し合う端部と接続さ肚
ている。内部導体１５の他方の端部は同軸空胴共振器１
７の内部導体１６に接続されている（容量性短縮形λ共
振器）。発振周波数ｆ。は空胴共振器１７において側方
から結合さ肚る。空胴共振器１７は発振周波数ｆＱ に
対してフィルタとして作用する。発振周波数ｆ。により
３ Ｑ ＧＨｚのマイクロ波信号が１２ ＧＨ２の領域
（低い周波数のマイクロ波信号）に変換される。
リッジ導波管技術により構成さ肚たモジュール２の低い
周波数のマイクロ波信号用のポートには再びリッジ導波
管部材１８が接続さｇておシ、この部材１８は低い周波
数のマイクロ波信号用のフィルタ６とミクサモジュール
２との間の接続部を成している。リッジ導波管部材１８
の横断面はリッジ導波管部材１０の横断面に相応する。
周波数のマイクロ波信号用のポートには再びリッジ導波
管部材１８が接続さｇておシ、この部材１８は低い周波
数のマイクロ波信号用のフィルタ６とミクサモジュール
２との間の接続部を成している。リッジ導波管部材１８
の横断面はリッジ導波管部材１０の横断面に相応する。
１２ ＧＨｚフィルタ６の入力インピーダンスは、ミク
サモジュール２と１２ ＧＨ２のフィルタ６との間のリ
ッジ導波管部拐１８によってダイオ−ｒレベルに変成さ
れ、ここで３０ ＧＨｚの信号に対して無負荷で動作す
るようにされる。リッジ導波管部分の長さは約λＨ／４
である。これは３ Ｑ ＧＨ２の場合約４．５市になる
。正確な長さは、３０ＧＨ２の信号に対する後続のフィ
ルタの入力インピーダンスに依存する。フィルタｌおよ
び６が変化する際（例えば帯域幅または結合度の変化）
、リッジ導波管部材１０および１８の長さによシ決まる
”帯域外インピーダンス″も変化する。リッジ導波管部
材に続く低イ周波数のマイクロ波信号に対するフィルタ
６ハ、遮断導波管部２１（カット オフ ウェーブガイ
Ｐ セクション）により結合さｔたリッジ導波管部２Ｏ
から成る。リッジ導波管部２Ｏは調整スタブ２２を介し
て調整可能である。この調整スタブ２２は、殊に第６図
に示すように簡単な調整ねじから成る。調整ねじは各々
共振器広幅壁面の中心に上方から挿入さ扛ている。
サモジュール２と１２ ＧＨ２のフィルタ６との間のリ
ッジ導波管部拐１８によってダイオ−ｒレベルに変成さ
れ、ここで３０ ＧＨｚの信号に対して無負荷で動作す
るようにされる。リッジ導波管部分の長さは約λＨ／４
である。これは３ Ｑ ＧＨ２の場合約４．５市になる
。正確な長さは、３０ＧＨ２の信号に対する後続のフィ
ルタの入力インピーダンスに依存する。フィルタｌおよ
び６が変化する際（例えば帯域幅または結合度の変化）
、リッジ導波管部材１０および１８の長さによシ決まる
”帯域外インピーダンス″も変化する。リッジ導波管部
材に続く低イ周波数のマイクロ波信号に対するフィルタ
６ハ、遮断導波管部２１（カット オフ ウェーブガイ
Ｐ セクション）により結合さｔたリッジ導波管部２Ｏ
から成る。リッジ導波管部２Ｏは調整スタブ２２を介し
て調整可能である。この調整スタブ２２は、殊に第６図
に示すように簡単な調整ねじから成る。調整ねじは各々
共振器広幅壁面の中心に上方から挿入さ扛ている。
第７図はフィルタ６０等価回路を示す。調整ねじ２２を
備えたリッジ導波管部２Ｏは調整可能な並列容量Ｃを表
わす。遮断導波管部２１は直列インダクタンスＬを示す
。
備えたリッジ導波管部２Ｏは調整可能な並列容量Ｃを表
わす。遮断導波管部２１は直列インダクタンスＬを示す
。
ｌ゛
第８図に示ずように、リッジ導波管部２Ｏは同じ長さａ
＝ ５ ｍｒｎを有する。しかし遮断導波管部２１は
その長さｂが２市〜２．５朋の間で変化する。フィルタ
６の端部において長さｂは最も短く、フィルタの中心に
おいて最も長い。
＝ ５ ｍｒｎを有する。しかし遮断導波管部２１は
その長さｂが２市〜２．５朋の間で変化する。フィルタ
６の端部において長さｂは最も短く、フィルタの中心に
おいて最も長い。
第９図に示すように、突出部は幅４ ｍｍ ％高さ３
ｍｍである。突出部は互いに２市の間隔を置いて配置さ
オｔでいる。フィルタの、ミクサモジュールから離ｎた
側の端部には１段または多段λ／４導波管変成器２３が
設けらｔている。
ｍｍである。突出部は互いに２市の間隔を置いて配置さ
オｔでいる。フィルタの、ミクサモジュールから離ｎた
側の端部には１段または多段λ／４導波管変成器２３が
設けらｔている。
発明の効果
本発明の構成により、入力周波数と出力周波数とが互い
に比較的固たっており、例えばその比が１５を上回って
おり、また挿入損と混合積の抑圧とに関して良好な特性
を有する、冒頭に述べた形式の導波管技術によるマイク
ロ波ブツシュゾル周波数変換器が得らＪする。
に比較的固たっており、例えばその比が１５を上回って
おり、また挿入損と混合積の抑圧とに関して良好な特性
を有する、冒頭に述べた形式の導波管技術によるマイク
ロ波ブツシュゾル周波数変換器が得らＪする。
第１図は変換回路のブロック回路図、第２図は変換回路
の縦断面図、第３図は高い周波数の信号用のフィルタの
横断面図、第４図はミクザ％Ｊニールと高い周波数の信
号用フィルタとの間のリッジ導波管接続部の横断面図、
第５図はミクサモジュールの横断面図、第６図は低い周
波数の信号用のフィルタの横断面図、第７図は低い周波
数の信号用のフィルタの等価回路図、第８図は低〜・周
波数信号用フィルタの寸法を示す縦断面図、第９図は第
８図のフィルタの端面図である。
の縦断面図、第３図は高い周波数の信号用のフィルタの
横断面図、第４図はミクザ％Ｊニールと高い周波数の信
号用フィルタとの間のリッジ導波管接続部の横断面図、
第５図はミクサモジュールの横断面図、第６図は低い周
波数の信号用のフィルタの横断面図、第７図は低い周波
数の信号用のフィルタの等価回路図、第８図は低〜・周
波数信号用フィルタの寸法を示す縦断面図、第９図は第
８図のフィルタの端面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、対の半導体ミクサ素子が設けらオｔた、導波管部材
から成るミクサモジュールを備えておシ、その際低い周
波数のマイクロ波信号が中間の周波数へ変換せずに直接
高い周波数のマイクロ波信号に変換されるかまたはその
逆に高い周波数のマイクロ波信号が直接低い周波数のマ
イクロ波信号に変換され、さらにミクサモジュールに各
々１つの、高い周波数ないし低い周波数のマイクロ波信
号用の導波管フィルタが接続されている、広帯域信号用
の導波管技術で構成されたマイクロ波プッシュプル周波
数変換回路において、低い周波数のマイクロ波信号用の
導波管フィルタを、遮断導波管部（２１）を用いて結合
されたリッジ導波管部（２Ｏ）から構成し、半導体ミク
サ素子（３，４）の固定装置を、ミクサ（２）が同じモ
ーＰの高い周波数および低い周波数のマイクロ波信号を
通過させるリッジ導波管の形状を呈するように形成した
ことを特徴とする、マイクロ波プッシュプル周波数変換
器。 ２、 リッジ導波管部（２０）に調整スタブ（２２）を
設けた特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波ブツシュ
ゾル周波数変換回路。 ３、低い周波数のマイクロ波信号用の導波管フィルタの
インピーダンスを小さく選定した特許請求の範囲第１項
記載のマイクロ波ブツシュゾル周波数変換回路。 牛、遮断導波管部（２１）によ多結合されたりツジ導波
管部（２０）のミクサモジュールから離れた端部に、１
段または多段ン導波管変成器（２３）を接続した特許請
求の範囲第１項または第２項または第３項記載のマイク
ロ波ブツシュゾル周波数変換回路。 ５、 ミクサモジュール（２）と低い周波数のマイクロ
波信号用の導波管フィルタ（６）との間に、ミクサモジ
ュール（２〕のリッジ導波管と同じ横断面を有するリッ
ジ導波管部材（１８）を挿入し、その際挿入されるリッ
ジ導波管部材の寸法を、高い周波数の信号に対して無負
荷で動作するようにフィルタ（６）の入力インピーダン
スが半導体ミクサ素子（３，４）のレベルに変成さオす
るように選定した特許請求の範囲第イ項捷たは第４項記
載のマイクロ波プッシュプル周波数変換回路。 ６ ミクサモジュール（２）と高い周波数のマイクロ波
信号用の導波管フィルタ（１〕との。 間に、ミクサモジュール（２）の横断面と同じ横断面を
有するりッジ導波管部材（１０）を挿入し、その際挿入
さ赴るリッジ導波管部Ｕ（ｌ Ｏ）の寸法を、低い周波
数の信号に対して無負荷で動作するように半導体ミクサ
素子（３，４）のレベルに変成されるように選定した特
許請求の範囲第１項丑たは第３項寸たは第牛項または第
５項記載のマイクロ波プツンユゾル周波数変換回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3342400 | 1983-11-24 | ||
| DE3342400.4 | 1983-11-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60134504A true JPS60134504A (ja) | 1985-07-17 |
Family
ID=6215087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59244738A Pending JPS60134504A (ja) | 1983-11-24 | 1984-11-21 | マイクロ波プツシユプル周波数変換器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4661999A (ja) |
| EP (1) | EP0143225B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60134504A (ja) |
| CA (1) | CA1222550A (ja) |
| DE (1) | DE3483681D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5156990A (en) * | 1986-07-23 | 1992-10-20 | Texas Instruments Incorporated | Floating-gate memory cell with tailored doping profile |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3737671A1 (de) * | 1987-11-06 | 1989-05-24 | Ant Nachrichtentech | Mikrowellen-gegentaktmischer |
| US5125110A (en) * | 1990-10-17 | 1992-06-23 | Valentine Research, Inc. | Microstripline microwave mixer using waveguide filter |
| DE19736367A1 (de) * | 1997-08-21 | 1999-02-25 | Bosch Gmbh Robert | Hohlleiterfilter |
| US20060006966A1 (en) * | 2004-07-08 | 2006-01-12 | Qinghua Kang | Electronically tunable ridged waveguide cavity filter and method of manufacture therefore |
| EP3266062B1 (en) * | 2015-03-01 | 2018-08-22 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Waveguide e-plane filter |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3949327A (en) * | 1974-08-01 | 1976-04-06 | Sage Laboratories, Inc. | Waveguide low pass filter |
| GB2006539A (en) * | 1977-05-25 | 1979-05-02 | Marconi Co Ltd | Dual Evanescent Mode Waveguide Filter |
| US4348773A (en) * | 1980-01-15 | 1982-09-07 | Ignazio Caroli | Microwave receiver converters having a hybrid waveguide structure |
| DE3040506C2 (de) * | 1980-10-28 | 1984-09-27 | ANT Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang | Demodulator für phasendifferenzmodulierte Signale |
-
1984
- 1984-09-11 EP EP84110802A patent/EP0143225B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-09-11 DE DE8484110802T patent/DE3483681D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-11-21 JP JP59244738A patent/JPS60134504A/ja active Pending
- 1984-11-21 US US06/673,999 patent/US4661999A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-11-23 CA CA000468482A patent/CA1222550A/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5156990A (en) * | 1986-07-23 | 1992-10-20 | Texas Instruments Incorporated | Floating-gate memory cell with tailored doping profile |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4661999A (en) | 1987-04-28 |
| CA1222550A (en) | 1987-06-02 |
| EP0143225A3 (en) | 1987-08-19 |
| EP0143225B1 (de) | 1990-11-28 |
| DE3483681D1 (de) | 1991-01-10 |
| EP0143225A2 (de) | 1985-06-05 |
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