JPS60124303A - マイクロ波用誘電体セラミックス - Google Patents
マイクロ波用誘電体セラミックスInfo
- Publication number
- JPS60124303A JPS60124303A JP58230596A JP23059683A JPS60124303A JP S60124303 A JPS60124303 A JP S60124303A JP 58230596 A JP58230596 A JP 58230596A JP 23059683 A JP23059683 A JP 23059683A JP S60124303 A JPS60124303 A JP S60124303A
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- Japan
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- mol
- molti
- microwave
- dielectric
- load
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明はマイクロ波用誘電体セラミックス組成物に関
する。
する。
（技術的背景）
温度補償用磁気コンデンサやマイクロ波回路用の誘電体
共振器等では、誘電体セラミックス組成物として比誘電
率（εｒ）及び無負荷Ｑが大きく、共振周波数の温度係
数（ηｆ）が０を中心にして正又は負の任意の温度係数
が得られることが必要とされている。従来そのような誘
電体セラミックス組成物としてＢ ａＯ−Ｔ ｉＯ２系
、Ｍｇ０−ＴｉＯ２−ＣａＯ系、ＺｒＯ２５ｎ０２−Ｔ
ｉＯ２系等の組成物を使用していた。しかしながら、
電率（εｒ）が２０〜４０と小さくこれらの材料を用い
て誘電体共振器等を作成した場合装置が大形化するとい
う欠点があった。
共振器等では、誘電体セラミックス組成物として比誘電
率（εｒ）及び無負荷Ｑが大きく、共振周波数の温度係
数（ηｆ）が０を中心にして正又は負の任意の温度係数
が得られることが必要とされている。従来そのような誘
電体セラミックス組成物としてＢ ａＯ−Ｔ ｉＯ２系
、Ｍｇ０−ＴｉＯ２−ＣａＯ系、ＺｒＯ２５ｎ０２−Ｔ
ｉＯ２系等の組成物を使用していた。しかしながら、
電率（εｒ）が２０〜４０と小さくこれらの材料を用い
て誘電体共振器等を作成した場合装置が大形化するとい
う欠点があった。
（発明の目的）
この発明の目的はこれらの欠点を解決するため、温度係
数（ηｆ）が０ｐｐｔｒ＋／℃付近においても比誘電率
（εｒ）及び無負荷Ｑが大きい材料を得ることにある。
数（ηｆ）が０ｐｐｔｒ＋／℃付近においても比誘電率
（εｒ）及び無負荷Ｑが大きい材料を得ることにある。
（発明の概要）
この発明の要点は、ＢａＯ，ＴｉＯ２及び５ｍ２ｏ３と
からなるものに、Ｃｄ２ｏ３．Ｄｙ２ｏ３及びＥｕ２ｏ
３とがらナルものに、Ｃｄ２ｏ３．Ｄｙ２ｏ３及びＥｕ
２ｏ３とからナル群カラ選ばれた１つの酸化物を添加し
た誘電体セラミックスにある。
からなるものに、Ｃｄ２ｏ３．Ｄｙ２ｏ３及びＥｕ２ｏ
３とがらナルものに、Ｃｄ２ｏ３．Ｄｙ２ｏ３及びＥｕ
２ｏ３とからナル群カラ選ばれた１つの酸化物を添加し
た誘電体セラミックスにある。
（実施例）
第１実施例として出発原料には化学的に高純度のＢａＣ
Ｏ３，ＴｉＯ２＊Ｓｍ２Ｏ３及びＧｄ２ｏ３を第１表の
組成比率になるように混合し空気中において１’０８０
℃の温度で２時間仮焼した。
Ｏ３，ＴｉＯ２＊Ｓｍ２Ｏ３及びＧｄ２ｏ３を第１表の
組成比率になるように混合し空気中において１’０８０
℃の温度で２時間仮焼した。
第 １ 表
仮焼物はポットミルで純水とともに湿式粉砕し、脱水乾
燥後バインダを添加し３２メツシーのふるいを通して造
粒した。造粒した粉体は金型と油圧プレスを用いて成形
圧力１〜３ ｔｏｎ／ｃｙ＋＋２で直径１６ｍｍ厚さ９
ｗｎの円板状に成形した。成形体は高純度のアルミナ匣
に入れ１２５０℃〜１４５０℃２時間の条件で焼成し誘
電体セラミ、クスを得た。得られた誘電体セラミックス
はハッキ・コールマン法による測定から比誘電率（εｒ
）と無負荷Ｑをめた。まだ、共振周波数の温度係数（η
ｆ）は２０℃における共振周波数を基準にして一４０℃
〜８０℃の温度範囲における値からめた。これらの測定
における共振周波数は３〜７ ＧＨｚであった。第２表
に得られた誘電体セラミックスの特性測定結果を示す。
燥後バインダを添加し３２メツシーのふるいを通して造
粒した。造粒した粉体は金型と油圧プレスを用いて成形
圧力１〜３ ｔｏｎ／ｃｙ＋＋２で直径１６ｍｍ厚さ９
ｗｎの円板状に成形した。成形体は高純度のアルミナ匣
に入れ１２５０℃〜１４５０℃２時間の条件で焼成し誘
電体セラミ、クスを得た。得られた誘電体セラミックス
はハッキ・コールマン法による測定から比誘電率（εｒ
）と無負荷Ｑをめた。まだ、共振周波数の温度係数（η
ｆ）は２０℃における共振周波数を基準にして一４０℃
〜８０℃の温度範囲における値からめた。これらの測定
における共振周波数は３〜７ ＧＨｚであった。第２表
に得られた誘電体セラミックスの特性測定結果を示す。
第２表において朱印を付した試料番号のものは本発明の
範囲外の比較例であシそれ以外の試料が本発明範囲内の
実施例である。
範囲外の比較例であシそれ以外の試料が本発明範囲内の
実施例である。
第 ２ 表
すなわち（ＢａＯ）（Ｔｉ０２）Ｘが７９モ／ｌ／ １
未満でＳｍ２Ｏ３が１６モルチを超える場合は無負荷。
未満でＳｍ２Ｏ３が１６モルチを超える場合は無負荷。
が小さく温度係数は負に大きい。（Ｂ ａ Ｏ） （Ｔ
ｉＯ２）ｘが９１モルチを超えＳｍ ２０３が８モル
チ未満の場合は無負荷Ｑが小さくなる。まだ、５ｍ２ｏ
３が８モルチ未満では無負荷Ｑが小さく温度係数は大き
くなる。さらにＧｄ２Ｏ３が５モル％を超える場合は測
定不能であシ、Ｓｍ２Ｏ３が１６モルチを超えＧｄ２ｏ
３が１モルチ未満では温度係数が負に大きく使用できな
い。
ｉＯ２）ｘが９１モルチを超えＳｍ ２０３が８モル
チ未満の場合は無負荷Ｑが小さくなる。まだ、５ｍ２ｏ
３が８モルチ未満では無負荷Ｑが小さく温度係数は大き
くなる。さらにＧｄ２Ｏ３が５モル％を超える場合は測
定不能であシ、Ｓｍ２Ｏ３が１６モルチを超えＧｄ２ｏ
３が１モルチ未満では温度係数が負に大きく使用できな
い。
したがって、実用的にみて（Ｂ ａ Ｏ） （Ｔ ｉＯ
２）ｘ ： ７９〜９１モル％、Ｓｍ２Ｏ３：８〜１６
モル％、Ｇｄ２ｏ３：１〜５モル−〇範囲が適当である
。Ｘ＝３．７〜４，３よシＢａＯ： １５．０〜１９．
０モルチ、Ｔ１０２−： ６２−５〜７３．５モルチ、
Ｓｍ２Ｏ３：８〜１６モルチ、Ｇｄ２ｏ５：１〜５モル
係の範囲がマイクロ波用誘電体セラミックスとして適当
である。
２）ｘ ： ７９〜９１モル％、Ｓｍ２Ｏ３：８〜１６
モル％、Ｇｄ２ｏ３：１〜５モル−〇範囲が適当である
。Ｘ＝３．７〜４，３よシＢａＯ： １５．０〜１９．
０モルチ、Ｔ１０２−： ６２−５〜７３．５モルチ、
Ｓｍ２Ｏ３：８〜１６モルチ、Ｇｄ２ｏ５：１〜５モル
係の範囲がマイクロ波用誘電体セラミックスとして適当
である。
第２実施例として、出発原料には高純度のＢａＣ０３ｒ
’ｒｉｏ２． Ｓｍ２Ｏ３およびＤｙ２Ｏ３全２Ｏ表の
組成比率になるように混合し、空気中において１０６０
℃の温度第３表 板焼物は第１実施例と同様にして焼成し、誘電体セラミ
ックスを得た。得られた誘電体セラミックスは第１実施
例と同様にして比誘電率と無負荷Ｑをめた。
’ｒｉｏ２． Ｓｍ２Ｏ３およびＤｙ２Ｏ３全２Ｏ表の
組成比率になるように混合し、空気中において１０６０
℃の温度第３表 板焼物は第１実施例と同様にして焼成し、誘電体セラミ
ックスを得た。得られた誘電体セラミックスは第１実施
例と同様にして比誘電率と無負荷Ｑをめた。
第４表に代表的な誘電体セラミックスの特性測定結果を
示す。第４表において朱印を付した試料番号のものは、
本発明の範囲外の比較例であり、それ以外の試料が本発
明範囲内の実施例である。
示す。第４表において朱印を付した試料番号のものは、
本発明の範囲外の比較例であり、それ以外の試料が本発
明範囲内の実施例である。
第 ４ 表
すなわち、（Ｂ ａ Ｏ）（Ｔ ｉＯ２）ｘが８３モル
チ未満でＳｍ２Ｏ３が１５モ／Ｌ／ １以上の場合、５
ｍ２ｏ６が９モルチ未満でＤｙ２Ｏ３が３モルチ以上の
場合、（Ｂａｏ）（ＴｉＯ２）ｘが９０モルチ以上でＳ
ｍ２Ｏ３が９モルチ未満の場合、（Ｂ ａ Ｏ） （Ｔ
ｉＯ２’ ）ｘが８３モルチ未満でＤｙ２ｏ３が３モ
ルチ以上の場合はいずれも無負荷Ｑが小さく使用出来な
い。
チ未満でＳｍ２Ｏ３が１５モ／Ｌ／ １以上の場合、５
ｍ２ｏ６が９モルチ未満でＤｙ２Ｏ３が３モルチ以上の
場合、（Ｂａｏ）（ＴｉＯ２）ｘが９０モルチ以上でＳ
ｍ２Ｏ３が９モルチ未満の場合、（Ｂ ａ Ｏ） （Ｔ
ｉＯ２’ ）ｘが８３モルチ未満でＤｙ２ｏ３が３モ
ルチ以上の場合はいずれも無負荷Ｑが小さく使用出来な
い。
またＤｙ２Ｏ３が１モルチ未満の場合は無負荷Ｑが小さ
く使用できない。
く使用できない。
したがって実用的にみて（Ｂａｏ）（ＴｌＯ２）ｘ：８
３〜９０ ＋ ）１１％ ５ｉ２ｅ３”、 ｇ 〜１５
モル％、Ｄｙ２ｏ３：１〜３モルチの範囲が適当であ
る。Ｘ＝３．７〜４．３モルであるからＢａＯ： １５
．７〜１９．０モルチ、Ｔ＋０２ ：６５、５〜７３．
０モルチ、Ｓｍ２Ｏ３：９〜１５モル矛、Ｄｙ２０３＝
１〜３モル−の範囲がマイクロ波用誘電体セラミックス
として適当である。
３〜９０ ＋ ）１１％ ５ｉ２ｅ３”、 ｇ 〜１５
モル％、Ｄｙ２ｏ３：１〜３モルチの範囲が適当であ
る。Ｘ＝３．７〜４．３モルであるからＢａＯ： １５
．７〜１９．０モルチ、Ｔ＋０２ ：６５、５〜７３．
０モルチ、Ｓｍ２Ｏ３：９〜１５モル矛、Ｄｙ２０３＝
１〜３モル−の範囲がマイクロ波用誘電体セラミックス
として適当である。
本発明の目的はこれらの欠点を解決するため、温度係数
（ηｆ）がＯ（ｐｐｍ／℃）付近に於いても比誘電率（
εｒ）および無負荷Ｑが大きい材料の組成に関するもの
で以下詳細に説明する。
（ηｆ）がＯ（ｐｐｍ／℃）付近に於いても比誘電率（
εｒ）および無負荷Ｑが大きい材料の組成に関するもの
で以下詳細に説明する。
第３実施例として、出発原料には高純度のＢａＣＯ３，
Ｔｔ０２ ＋ Ｓｍ２Ｏ３およびＥｕ２０３ｆ第５表の
組成比率になるように混合し、空気中において、１０６
０℃の温度で２時間仮焼した。
Ｔｔ０２ ＋ Ｓｍ２Ｏ３およびＥｕ２０３ｆ第５表の
組成比率になるように混合し、空気中において、１０６
０℃の温度で２時間仮焼した。
第 ５ 表
板焼物は第１実施例と同様にして焼成し、誘電体セラミ
ックスを得た。得られた誘電体セラミックスは、第１実
施例と同様にして比誘電率と無負荷Ｑをめた。
ックスを得た。得られた誘電体セラミックスは、第１実
施例と同様にして比誘電率と無負荷Ｑをめた。
第６表に代表的な誘電体セラミックスの特性測定結果を
示す。第６表に於いて朱印全骨した試料番号のものは本
発明の範囲外の比較例であシ、それ以外の試料が本発明
範囲内の実施例である。
示す。第６表に於いて朱印全骨した試料番号のものは本
発明の範囲外の比較例であシ、それ以外の試料が本発明
範囲内の実施例である。
第６表
すなわち（ＢａＯ）（Ｔｉ０２）ｘが８０モモル係満で
Ｓｍ２０６が１７モモル係超える場合は無負荷Ｑが小さ
く、温度係数（ηｆ）は負に大きい。（ＢａＯ）（Ｔｉ
Ｏ２）Ｘが８８モル係を超えＳｍ２Ｏ３が１１モモル係
満の場合は無負荷Ｑが小さく温度係数（ηｆ）が大きく
なる。
Ｓｍ２０６が１７モモル係超える場合は無負荷Ｑが小さ
く、温度係数（ηｆ）は負に大きい。（ＢａＯ）（Ｔｉ
Ｏ２）Ｘが８８モル係を超えＳｍ２Ｏ３が１１モモル係
満の場合は無負荷Ｑが小さく温度係数（ηｆ）が大きく
なる。
さらに（Ｂ ａ Ｏ） （Ｔ ｒ ０２ ）ｘが８８モ
モル係上でＥｕ２Ｏ３が１モル係未満の場合は無負荷Ｑ
が小さく使用できない。
モル係上でＥｕ２Ｏ３が１モル係未満の場合は無負荷Ｑ
が小さく使用できない。
したがって実用的にみて（ＢａＯ）（Ｔ１０２）Ｘ：８
０〜８８モル係、ＳｍＯ：１１〜１７モル係、Ｅｕ２０
５＝５ １〜３モル係の範囲が適当である。
０〜８８モル係、ＳｍＯ：１１〜１７モル係、Ｅｕ２０
５＝５ １〜３モル係の範囲が適当である。
ｘ＝３．７〜４．３モルよりＢａＯ： １５．５〜１８
．５モルチ、モル係２： ６３． Ｏ〜７６．５モル係
、Ｓｍ２Ｏ３：１１〜１７モル％ 、Ｅｕ２Ｏ３： １
〜３モル係の範囲がマイクロ波用誘電体セラミ、クスと
して適当である。
．５モルチ、モル係２： ６３． Ｏ〜７６．５モル係
、Ｓｍ２Ｏ３：１１〜１７モル％ 、Ｅｕ２Ｏ３： １
〜３モル係の範囲がマイクロ波用誘電体セラミ、クスと
して適当である。
（発明の効果）
本発明は々イクロ波領域において比誘電率（εｒ）およ
び無負荷Ｑが大きく、さらに組成によって温度係数（η
ｆ）ヲ変化させることができるので、マイクロ波用誘電
体共振器あるいは、温度補償用コンデンサ等の誘電体セ
ラミックスとして利用することができる。
び無負荷Ｑが大きく、さらに組成によって温度係数（η
ｆ）ヲ変化させることができるので、マイクロ波用誘電
体共振器あるいは、温度補償用コンデンサ等の誘電体セ
ラミックスとして利用することができる。
特許出願人 沖電気工業株式会社
手続補正書（自発）
昭和 ♀９゛４月１６日
特許庁長官 殿
１、事件の表示
昭和５８年 特 許 願第２３０５９６号発明の名称
マイクロ波用誘電体セラミックス
補正をする者
事件との関係 特許 出 願 人
任 所（Ｔ１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２
号６、補正の内容 （１） 明細書第２頁第２行目に「磁気コンデンサ」と
あるのを「磁器コンデンサ」と補正する。
号６、補正の内容 （１） 明細書第２頁第２行目に「磁気コンデンサ」と
あるのを「磁器コンデンサ」と補正する。
（２） 同書第３頁第３行目から第４行目に「Ｃｄ２Ｏ
３゜Ｄｙ２Ｏ３及びＥｕ２Ｏ３とからなるものに」とあ
るのを削除する。
３゜Ｄｙ２Ｏ３及びＥｕ２Ｏ３とからなるものに」とあ
るのを削除する。
（３） 同頁第４行目に「Ｃｄ２０６」とあるのを「Ｇ
ｄ２０６」と補正する。
ｄ２０６」と補正する。
Claims (3)
- （１） ＢａＯ１５，０〜１９．０ モル％、ＴｌＯ２
６２，５〜７３．５モルチ、Ｓｍ２０３８〜１６モルチ
、Ｇｄ２Ｏ，１〜５モルチからなるマイクロ波用誘電体
セラミックス。 - （２）ＢａＯ１５，７〜１９．０モルチ、ＴｉＯ６５，
５〜７３．０モル％、Ｓｍ２０３９〜１５モルチ、Ｄｙ
２ｏ３１〜３モルチからなるマイクロ波用誘電体セラミ
ックス。 - （３） ＢａＯ１５，５〜１８．５ モｋ ％、Ｔｌ０
２６３．ｏ〜７６．５モル〕、Ｓｍ２Ｏ３１１〜１７モ
ル％ 、ＥＬＩ２０３１〜３モル係からなるマイクロ波
用誘電体セラミックス０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58230596A JPS60124303A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | マイクロ波用誘電体セラミックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58230596A JPS60124303A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | マイクロ波用誘電体セラミックス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124303A true JPS60124303A (ja) | 1985-07-03 |
| JPH0415962B2 JPH0415962B2 (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=16910216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58230596A Granted JPS60124303A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | マイクロ波用誘電体セラミックス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124303A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6605515B2 (en) | 2001-03-27 | 2003-08-12 | Alps Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing thin-film capacitor for performing temperature compensation of junction capacitance of semiconductor device |
-
1983
- 1983-12-08 JP JP58230596A patent/JPS60124303A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6605515B2 (en) | 2001-03-27 | 2003-08-12 | Alps Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing thin-film capacitor for performing temperature compensation of junction capacitance of semiconductor device |
| US6747334B2 (en) | 2001-03-27 | 2004-06-08 | Alps Electric Co., Ltd | Thin-film capacitor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0415962B2 (ja) | 1992-03-19 |
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