JPS60120544A - Lead frame for semiconductor device - Google Patents

Lead frame for semiconductor device

Info

Publication number
JPS60120544A
JPS60120544A JP22889483A JP22889483A JPS60120544A JP S60120544 A JPS60120544 A JP S60120544A JP 22889483 A JP22889483 A JP 22889483A JP 22889483 A JP22889483 A JP 22889483A JP S60120544 A JPS60120544 A JP S60120544A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
alloy foil
alloy
foil
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP22889483A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS643062B2 (en
Inventor
Nobuo Ogasa
小笠 伸夫
Kazuo Kanehiro
金廣 一雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP22889483A priority Critical patent/JPS60120544A/en
Publication of JPS60120544A publication Critical patent/JPS60120544A/en
Publication of JPS643062B2 publication Critical patent/JPS643062B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

PURPOSE:To make it possible to perform a rapid supersonic bonding in package assembling and mounting steps by forming lead frames for high class IC with a composite strip formed by coating an aluminum alloy foil on a Fe or Fe-Ni alloy substrate by a roll cladding method. CONSTITUTION:A lead frame formed by punching a composite strip formed by coating an aluminum alloy foil of 4-15mum thick formed by adding at least one of Cu, Mn, Si of 10% or lower or at least one or Mg, Zr, Be of 6% or lower to aluminum on a Fe or Fe-Ni alloy substrate by a roll cladding method has good productivity, and is adapted for high speed bonding at the package assembling and mounting step time.

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)技術分野 この発明は半導体装置用リードフレームであって、パッ
ケージ組立実装工程において^速な超音波ボンディング
を可能ならしめるリードフレームに関づるものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Technical Field The present invention relates to a lead frame for a semiconductor device, which enables rapid ultrasonic bonding in a package assembly and mounting process.

(ロ)技術背景 従来から個別ICや混成ICにおいてIC中の半導体素
子と外部端子を形成するリードフレームとの結線にはA
u線やN線などのボンディングワイヤが用いられている
(b) Technical background Conventionally, in individual ICs and hybrid ICs, the connection between semiconductor elements in the IC and lead frames forming external terminals is
Bonding wires such as U-line and N-line are used.

そしてこれらボンディングワイヤのリードフレームへの
接合にはAu線では熱圧着法や超音波熱圧着法が、また
N線では超音波接合法が採用されている。
To bond these bonding wires to the lead frame, thermocompression bonding or ultrasonic thermocompression bonding is used for Au wires, and ultrasonic bonding is used for N wires.

一方リードフレームとしては、ボンディングワイA7に
Au線を用いる場合には負金属が、またN線を用いる場
合には99%以上の純度のN箔をコーティングしたFe
あるいはFe Ni合金基板からなる複合条が用いられ
ている。
On the other hand, the lead frame is made of negative metal if Au wire is used for the bonding wire A7, or Fe coated with N foil with a purity of 99% or more if N wire is used.
Alternatively, a composite strip made of a FeNi alloy substrate is used.

そして後者のN箔をコーティングしたFeあるいはFe
 Ni合金基板よりなる複合条から打抜いたリードフレ
ームへのM線の接合は、耐熱性にすぐれているので、高
信頼性の高級ICに多く用いられ(いる。
and Fe or Fe coated with the latter N foil.
M-wire bonding to a lead frame punched from a composite strip made of a Ni alloy substrate has excellent heat resistance, so it is often used in high-grade, highly reliable ICs.

ところがこの際の超音波接合が熱圧着に比べて時間を要
することが欠点とされており、この超音波接合時間を短
縮することがICの生産性を上げるうえでの急務とされ
ている。
However, a drawback is that the ultrasonic bonding takes more time than thermocompression bonding, and shortening the ultrasonic bonding time is an urgent need for increasing IC productivity.

しかして、N線を超音波接合させるリードフレームはF
eやFa Ni合金基板に、全面にまたはストライブ状
にN箔をクラッドして作成した複合条を所定のリードフ
レーム形状に打抜きまたはエツチングして得たものを用
いている。
However, the lead frame for ultrasonic bonding of N wires is F
A composite strip made by cladding an E or Fa Ni alloy substrate with N foil on the entire surface or in the form of a stripe is punched or etched into a predetermined lead frame shape.

このような複合条の製法としては、ロールクラッド法と
蒸着法が知られているが、蒸着法は一定の長さのものし
か製造できないのに対し、ロールクラッド法は長尺もの
が連続して製造できるという生産性の点から多く採用さ
れている。
The roll cladding method and the vapor deposition method are known methods for manufacturing such composite strips, but the vapor deposition method can only produce pieces of a certain length, whereas the roll cladding method can only produce long pieces in a continuous manner. It is widely used because of its productivity.

しかしてこのロールクラッド法による場合でもM箔のク
ラッドはできるだけ薄いことが高速ボンディングにおけ
る不良(ハガレ)率を防ぐうえから好ましい。
However, even when this roll cladding method is used, it is preferable that the cladding of the M foil be as thin as possible in order to prevent a failure rate (peeling) during high-speed bonding.

またFeやFe −Ni合金基板にM箔をス1へライブ
状にクラッドさせた複合条においては、これを所定形状
のリードフレームとした時にその所定部(即ちN線のボ
ンディング位置)にN箔を位置させておかねばならず、
そのためにはロールクラッドの時点でのN箔の位置精度
が重要である。
In addition, in a composite strip in which an Fe or Fe-Ni alloy substrate is clad with M foil in the form of a strip, when this is made into a lead frame of a predetermined shape, the N foil is attached to a predetermined part (i.e., the bonding position of the N wire). must be located,
For this purpose, the positional accuracy of the N foil at the time of roll cladding is important.

(ハ)発明の開示 本発明者らは、上記したようなFeあるいはFe −N
i合金基板にN合金箔をクラッドした複合条よりなるリ
ードフレームの最重要点であるパッケージ組立実装工程
におけるN線との高速ボンディング性(超音波印加時間
への依存性)について種々の角度から検討を加えた。
(c) Disclosure of the invention The present inventors have discovered that the above-mentioned Fe or Fe-N
Investigating from various angles the high-speed bonding performance (dependence on ultrasonic application time) with N-wire during the package assembly and mounting process, which is the most important point of lead frames made of composite strips made of i-alloy substrates clad with N-alloy foil. added.

その結果、安定したワイヤボンディングの可能なリード
フレームとしての領域は、複合条におけるN合金箔の硬
さに大きく依存し、これは(1)ボンディングを安定化
させるためには適度な硬さ範囲があること、 (2)軟らかすぎると剥離現象を生じやすく、また映ず
きるとネック切れを生じやすいこと、(3)N合金箔の
適正な硬さ領域は超音波印加時間と密接な関係を有する
こと、 (4) 硬さはN合金箔の見か【プの硬さであり、N合
金箔層自体を合金化することによって硬化さけても、ま
たN合金層の膜厚を薄クシて下地、即らFeあるいはF
e Ni合金基板の影響によって児か【ノ上硬くしても
類似の効果が得られること、(5)N合金箔を用いる場
合のMへの添IJ口元素としては、空温での酸化性がN
より強く、表面に緻密な酸化膜を形成する元素を除き、
他の固溶硬化型、析出硬化型の何れの元素でも、またこ
れらを(II用しても類似の効果が得られること、 などが認められた。
As a result, the area as a lead frame in which stable wire bonding is possible greatly depends on the hardness of the N alloy foil in the composite strip, and this is because (1) an appropriate hardness range is required to stabilize bonding; (2) If it is too soft, it tends to cause peeling phenomenon, and if it is too soft, it tends to cause neck breakage. (3) The appropriate hardness range of N alloy foil has a close relationship with the ultrasonic application time. (4) The hardness is the hardness of the N alloy foil, and even if hardening is avoided by alloying the N alloy foil layer itself, or by reducing the thickness of the N alloy layer, That is Fe or F
e) Due to the influence of the Ni alloy substrate, similar effects can be obtained even if it is hardened; (5) When using N alloy foil, the IJ opening element added to M should be is N
Except for elements that are stronger and form a dense oxide film on the surface,
It has been observed that similar effects can be obtained with other solid solution hardening type and precipitation hardening type elements, and even when these elements are used (II).

そこで本発明者らは、上記の諸点を高級IC用リードフ
レームの作成において採用すべく検問を行ない、この発
明に至ったものである。
Therefore, the inventors of the present invention conducted research in order to adopt the above-mentioned points in the production of lead frames for high-grade ICs, and arrived at the present invention.

即ち、この発明はFeあるいはFe Ni合金基板にN
合金箔をロールクラッド法に被覆せしめた複合条よりな
るリードフレームであって、この被覆は基板の両面また
は片面に全面あるいはストライブ状に部分的に施すこと
を包含するものである。そしてこの被覆厚さはクラッド
圧延後においc4〜15μを有すること、また被覆膜は
この複合条をリードフレーム形状としてパッケージ組立
実装工程での加熱後に40〜60(ビッカース硬度)の
硬度を有することを要件とするものである。
That is, this invention provides N on a Fe or FeNi alloy substrate.
This is a lead frame made of a composite strip coated with alloy foil using a roll cladding method, and this coating includes coating both sides or one side of a substrate over the entire surface or partially in the form of stripes. The coating thickness must be c4 to 15μ after clad rolling, and the coating film must have a hardness of 40 to 60 (Vickers hardness) after heating in the package assembly and mounting process using this composite strip as a lead frame. This is a requirement.

さらにN合金箔とする場合のNへの添加元素としては1
0%以下の[有]、比あるいはSL等の少くとも1種を
含有した固溶硬化型、または6%以下の1、Zrあるい
は腸の少くとも1種を含有した析出硬化型のN含金とす
るのが好ましく、従ってこれらを選択して三元、四元系
のN合金として用いることも可能で′ある。
Furthermore, when making N alloy foil, the addition element to N is 1
A solid solution hardening type containing at least one of 0% or less of 1, Zr or SL, or a precipitation hardening type of N containing at least 6% of 1, Zr or SL. Therefore, it is possible to select these and use them as a ternary or quaternary N alloy.

以上のような構成にa3いて、基板へのN合金箔クラッ
ド被覆厚を出来るだけ薄くし、かつ高速ボンディングが
可能で、しかもリードフレームとしてパッケージ組立実
装工程での加熱後における硬度がビッカース硬度で40
〜60の値を保持することのできる複合条について種々
検討した結果、■ FeあるいはFe−N1合金基板上
に純度99.8%のN箔を蒸着法で1〜4μ厚に被覆し
た複合条より成形したリードフレームではパッケージ組
立実装工程F(7)400〜450℃X10〜30分の
加熱においてもN膜の硬さは40〜Goの値を示し、極
めて安定したボンディング性を示した。
With the above-mentioned configuration, the A3 allows the coating thickness of the N alloy foil cladding on the substrate to be as thin as possible, enables high-speed bonding, and has a hardness of 40 Vickers hardness after heating during the package assembly and mounting process as a lead frame.
As a result of various studies on composite strips that can maintain a value of ~60, we found: In the molded lead frame, the hardness of the N film showed a value of 40 to Go even when heated at 400 to 450° C. for 10 to 30 minutes in the package assembly and mounting process F (7), indicating extremely stable bonding properties.

そして純度99.8%のNに代えてN合金箔を用いても
同じ結果を示した。しかし、この蒸名法はロスト高であ
ることが欠点である。
The same results were obtained when N alloy foil was used instead of N with a purity of 99.8%. However, the disadvantage of this steam name method is that it is expensive.

■ 既存のロールクラッド法で得られた複合条よりなる
リードフレームは、ボンディング性において不安定であ
った。
■ Lead frames made of composite strips obtained using the existing roll cladding method had unstable bonding properties.

これは基板上のMmが純度99.3%以上の電導Nに準
するものであるため、パッケージ組立実装工程で受ける
400〜450℃X10〜30分の加熱でこのN箔が軟
化してしまって、該工程後のN膜の硬さが25〜35と
軟らかくなりすぎるためである。
This is because the Mm on the board is equivalent to conductive N with a purity of 99.3% or higher, so this N foil is softened by heating at 400-450°C for 10-30 minutes during the package assembly and mounting process. This is because the hardness of the N film after this step is 25 to 35, which is too soft.

■ パッケージ組立実装工程での上記加熱後に見かけの
硬さがビッカース硬度で40〜60を保持するようにN
膜厚2〜4μの複合条をロールクラッド法で作成したと
ころ、この複合条よりなるリードフレームは極めて安定
したボンディング性を示した。
■ N so that the apparent hardness remains 40 to 60 on Vickers hardness after the above heating in the package assembly and mounting process.
When a composite strip with a film thickness of 2 to 4 μm was prepared by the roll cladding method, the lead frame made of this composite strip showed extremely stable bonding properties.

しかし、N膜厚が薄いために圧接峙の後方張力付与が困
難であり、このためNの位置精度が悲く、リードフレー
ムの生産歩留りが極めて悪かった。
However, since the thickness of the N film is thin, it is difficult to apply rearward tension during pressure contact, and as a result, the positional accuracy of N is poor and the production yield of lead frames is extremely poor.

■ N合金箔を用いて膜厚15μ以上で、パッケージ組
立実装工程での加熱後の硬度が40〜60となるような
複合条から作成したリードフレームはボンディング性に
はすぐれていたが、N合金属が過大であるためフラッド
歪によりリードフレームへの成形歩留りが極めて悪かっ
た。
■ Lead frames made from composite strips using N alloy foil with a film thickness of 15μ or more and a hardness of 40 to 60 after heating during the package assembly and mounting process had excellent bonding properties, but N alloy foil Since the metal was too large, the molding yield into lead frames was extremely poor due to flood distortion.

■ N合金箔を用い、膜厚4〜15μで、かつ硬度40
〜60となる複合条から作成したリードフレームは高速
ボンディング性、生産性ともに極めてすぐれていた。
■ Use N alloy foil, film thickness 4-15μ, and hardness 40
Lead frames made from composite strips of .about.60 had excellent high-speed bonding properties and productivity.

などの考察が得られた。The following considerations were obtained.

以上のことから、FeあるいはFo −NL合金基板に
八〇に10%以下の伍、Mn、SL等の少くとも1種あ
るいは6%以下の1、Zy 、−の少くとも1種を添加
したN合金箔を4〜15μ厚に[1−ルクラツド法で被
覆しIこ複合条から打抜成型して作成したリードフレー
ムは生産性もよく、またパッケージ組立実装」−程時に
極めて高速ボンディングに適するため、人きな効果を奏
することが認められた。
From the above, it was found that N containing at least one of 1, Mn, SL, etc., or 6% or less of 1, Zy, -, etc., was added to the Fe or Fo-NL alloy substrate. Lead frames made by coating alloy foil with a thickness of 4 to 15 μm using the 1-ruclad method and punching from composite strips have good productivity and are suitable for extremely high-speed bonding during package assembly and mounting. , it has been recognized that it has a positive effect on people.

以下この発明により得られたリードフレームと各秤比較
リードフレームの性能についてナストしたところ第1表
の結果が得られた。
The performance of the lead frame obtained according to the present invention and each lead frame compared with each other was compared, and the results shown in Table 1 were obtained.

第 1 表 iq− に1 2 3 4 4 6 し −8 ]〕 陣 し 12 巨j 注 (1)・・・EC/Vとは99.3%の電導Mであ
る。
Table 1: iq- ni 1 2 3 4 4 6 shi-8 ]] Ensemble 12 Giant Notes (1)... EC/V is 99.3% conductivity M.

(2)・・・N硬さはビッカース順11による1直であ
る。
(2)...N hardness is 1 straight according to Vickers order 11.

上表の本発明品にて使用したN合金の適当な組成は、N
−(1〜6%)Mg系、#−(0,001〜0.1%)
1系、M−(0,7〜3.0%> Mn系、N−(1,
5〜5%) SL系、Nl (0,1〜0.5%) Z
r系であるが、これらのなかでもM−1系、M Zr系
、M−Cm系の合金が特にパッケージ組立実装1稈にあ
ける高速ボンディング性、加熱後の硬度等においてリー
ドフレームとして最適な複合条であることが認められた
The appropriate composition of the N alloy used in the product of the present invention shown in the above table is N
-(1-6%) Mg-based, #-(0,001-0.1%)
1 series, M-(0.7~3.0%> Mn series, N-(1,
5-5%) SL system, Nl (0.1-0.5%) Z
Among these alloys, M-1, M-Zr, and M-Cm alloys are the most suitable composites for lead frames, especially in terms of high-speed bonding in one culm of package assembly and hardness after heating. It was recognized that it is an article.

またこの他〃−−−伍、M−指−Zrなどの3元系やさ
らに4元系のM合金でも同等の特性が得られることも認
められた。
It has also been found that equivalent characteristics can be obtained with ternary alloys such as 5, M-Zr, and even quaternary M alloys.

なおこの発明で用いるFa−Ni合金基板としてはFe
 36〜55%NL合金が最適である。
Note that the Fa-Ni alloy substrate used in this invention is Fe
A 36-55% NL alloy is optimal.

特許出願人 住友電気工業株式会社 代 理 人 弁理士 和 1) 昭 手続?甫正書く自発) 昭和59年8月31日 1、事件の表示 昭和58年特許願第228894号 2、発明の名称 半導体装置用リードフレーム 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪市東区北浜5丁目15番地名 称 (21
3)住友電気工業株式会社4、代理人 住 所 大阪市大淀区中津1丁目18番18号6、補正
の内容 別紙の通り 補正の内容 1、 特許請求の範囲を別紙の通り訂正します。
Patent applicant Sumitomo Electric Industries Co., Ltd. Agent Patent attorney Kazu 1) Showa procedure? (Written by Hosho on his own initiative) August 31, 1980 1. Display of the case 1988 Patent Application No. 228894 2. Name of the invention Lead frame for semiconductor device 3. Person making the amendment Relationship to the case Patent applicant address 5-15 Kitahama, Higashi-ku, Osaka Name (21)
3) Sumitomo Electric Industries, Ltd. 4, Agent Address: 1-18-18-6, Nakatsu, Oyodo-ku, Osaka, Contents of Amendment 1: The scope of the claims is amended as shown in the attached sheet.

2、 明細書筒5頁19行目 「N合金層」を「M層」と訂正します。2. Specification cylinder page 5, line 19 Correct "N alloy layer" to "M layer".

3、 同第9頁17行目、第9真6行目、14行目「1
5μ」を「15μm」と訂正します。
3, page 9, line 17, line 9, line 6, line 14 “1
Correct "5μ" to "15μm".

4、同第7頁8〜13行目 [以上のような・・・検討した結果、]を[以上のよう
な構成に基づいて種々検討した結果、と訂正します。
4. On page 7, lines 8 to 13, ``As a result of the above...'' is corrected to ``The result of various studies based on the above structure.''

5、 同第7頁14行目、20行目 「99.8%」を「99,8%以上」と訂正します。5. Page 7, lines 14 and 20 Correct "99.8%" to "99.8% or more."

6、同第7頁15行目 「M箔」を「N膜」と訂正しまず。6, page 7, line 15 First, I corrected "M foil" to "N film."

7、 同第7頁15行目 「1〜4μ」を「1〜4μm」と訂正します。7, page 7, line 15 Correct "1~4μ" to "1~4μm".

8、同第8頁13行目 「2〜4μ」を「2〜4μm」と訂正します。8, page 8, line 13 Correct "2~4μ" to "2~4μm".

9、 同第8頁20行目 「15μ以上」を「15μm以上」と訂正しまず。9, page 8, line 20 First, correct "15 μm or more" to "15 μm or more."

n 同第9頁4行目 「フラッド」を「クラッド」と訂正します。n Page 9, line 4 Correct "flood" to "crud."

特許請求の範囲 (11FeあるいはFe NL合金基板にN合金箔をロ
ールクラッド法にて被覆せしめた複合状よりなることを
特徴とする半導体装置用リードフレーム。
Claims: (A lead frame for a semiconductor device, characterized in that it is made of a composite shape in which an 11Fe or Fe NL alloy substrate is coated with N alloy foil by a roll cladding method.

(21FeあるいはFe NL合金基板の両面全面また
は部分的にN合金箔を被覆させることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載のリードフレーム。
(The lead frame according to claim 1, wherein both surfaces of the 21Fe or Fe NL alloy substrate are entirely or partially covered with N alloy foil.

(31FeあるいはFe −NL合金基板の片面全面ま
たは部分的にN合金箔を被覆させることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のリードフレーム。
(The lead frame according to claim 1, characterized in that one side of the 31Fe or Fe-NL alloy substrate is entirely or partially covered with N alloy foil.

(4)N合金箔よりなる被覆膜はクラッド圧延後におい
て4〜15μnl厚であることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載のリードフレーム。
(4) The lead frame according to claim 1, wherein the coating film made of N alloy foil has a thickness of 4 to 15 μnl after cladding rolling.

(5)N合金箔よりなる被覆膜はパッケージ組立実装工
程における加熱後においてビッカース硬度40〜60の
WI!度を有することを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のリードフレーム。
(5) The coating film made of N alloy foil has a Vickers hardness of WI! of 40 to 60 after heating in the package assembly and mounting process. Claim 1 characterized in that it has a degree of
Lead frame as described in section.

(6)N合金箔としてNに10%以下の仮、1あるいは
Si等の少くとも1種を含有した固溶硬化型を用いるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のリードフレ
ーム。
(6) The lead frame according to claim 1, characterized in that the N alloy foil is of a solid solution hardening type containing 10% or less of N, 1, or at least one type of Si.

(力 N合金箔としてNに6%以下の1、Zrあるいは
−等の少くとも1種を含有した析出硬化型を用いること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のリードフレー
ム。
(Strength) The lead frame according to claim 1, characterized in that the N alloy foil is of a precipitation hardening type containing 6% or less of at least one of 1, Zr, or - in N.

手続ネ甫正書く自発) 昭和59年9月4日 特許庁長官 殿(I volunteered to write the procedure correction) September 4, 1982 Commissioner of the Patent Office

Claims (1)

【特許請求の範囲】 fil FeあるいはFe −Ni合金基板にN合金箔
をロールクラッド法にて被覆せしめた複合条よりなるこ
とを特徴とづる半導体装置用リードフレーム。 (21FeあるいはFe NL合金基板の両面全面また
は部分的にN合金箔を被覆させることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載のリードフレーム。 (31FeあるいはFe −NL合金基板の片面全面ま
たは部分的にN合金箔を被覆さぼることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のリードフレーム。 [41A&合金箔よりなる被覆膜はクラッド圧延後にお
いて4〜15μ厚であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載のリードフレーム。 (5)N合金箔よりなる被覆膜はパッケージ組立実装工
程における加熱後においてビッカース硬度40〜60の
硬度を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載のリードフレーム。 +61 A1合金箔としてMに10%以下の伍、1ある
いはSl等の少くとも1種を含有した固溶硬化型を用い
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のリード
フレーム。 (7)N合金箔としてMに6%以下の1.7.rあるい
はi等の少くとも1種を含有した析出硬化型を用いるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のリードフレ
ーム。
[Scope of Claims] A lead frame for a semiconductor device comprising a composite strip in which a fil Fe or Fe-Ni alloy substrate is coated with N alloy foil by a roll cladding method. (The lead frame according to claim 1, characterized in that both surfaces of a 21Fe or Fe-NL alloy substrate are entirely or partially covered with N alloy foil. The lead frame according to claim 1, wherein the lead frame is coated with N alloy foil.[The coating film made of 41A & alloy foil has a thickness of 4 to 15μ after clad rolling The lead frame according to claim 1. (5) The claim characterized in that the coating film made of N alloy foil has a Vickers hardness of 40 to 60 after heating in the package assembly and mounting process. The lead frame according to claim 1. Claim 1, characterized in that the +61 A1 alloy foil is a solid solution hardening type in which M contains 10% or less of at least one of 5, 1, or Sl. (7) A precipitation hardening type N alloy foil containing at least one of 1.7.r or i in an amount of 6% or less is used as the N alloy foil. The lead frame described in item 1.
JP22889483A 1983-12-02 1983-12-02 Lead frame for semiconductor device Granted JPS60120544A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22889483A JPS60120544A (en) 1983-12-02 1983-12-02 Lead frame for semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22889483A JPS60120544A (en) 1983-12-02 1983-12-02 Lead frame for semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60120544A true JPS60120544A (en) 1985-06-28
JPS643062B2 JPS643062B2 (en) 1989-01-19

Family

ID=16883518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22889483A Granted JPS60120544A (en) 1983-12-02 1983-12-02 Lead frame for semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60120544A (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57121265A (en) * 1981-01-20 1982-07-28 Daido Steel Co Ltd Pressure welding method of strip for lead frame
JPS57136355A (en) * 1982-01-14 1982-08-23 Toshiba Corp Lead frame for semiconductor device
JPS5946053A (en) * 1982-09-08 1984-03-15 Hitachi Cable Ltd Manufacture of aluminium coated lead frame

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57121265A (en) * 1981-01-20 1982-07-28 Daido Steel Co Ltd Pressure welding method of strip for lead frame
JPS57136355A (en) * 1982-01-14 1982-08-23 Toshiba Corp Lead frame for semiconductor device
JPS5946053A (en) * 1982-09-08 1984-03-15 Hitachi Cable Ltd Manufacture of aluminium coated lead frame

Also Published As

Publication number Publication date
JPS643062B2 (en) 1989-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6297360A (en) Minute high impurity copper wire, whose surface is coated, for bonding wire for semiconductor device
JPH07503103A (en) package
US5650661A (en) Protective coating combination for lead frames
JPH09232493A (en) Lead frame
JPS60120544A (en) Lead frame for semiconductor device
JPH118341A (en) Lead frame for semiconductor device
JPH05109958A (en) Lead frame
JPS584955A (en) Package of gold-plated electronic parts
JPH10251860A (en) Gold/nickel/nickel three-layer copper alloy electronic parts and manufacture thereof
JP3444981B2 (en) Lead frame and lead frame material
US4482611A (en) Electronic parts
JPS60161649A (en) Lead frame
JP3757539B2 (en) Stem for semiconductor device
JPS59165315A (en) Lead switch
JPS6353287A (en) Ag-coated electric conductor
JPH01223754A (en) Lead frame for wire bonding
JPH01187958A (en) Lead frame
JPS60125658A (en) Composite blank for frame of pair of spectacle
JPS6135419A (en) Composite blank material for spectacle frame
JPS61233533A (en) Composite blank for decorating
JPS62141747A (en) Semiconductor lead frame
JPS61272955A (en) Al group strip material for electronic apparatus
JPS6135418A (en) Composite blank material for spectacle frame
JPH02109357A (en) Manufacture of clad plate for plastic molding
JPS601853A (en) Leadframe for semiconductor