JPS59165315A - Lead switch - Google Patents

Lead switch

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JPS59165315A
JPS59165315A JP58040264A JP4026483A JPS59165315A JP S59165315 A JPS59165315 A JP S59165315A JP 58040264 A JP58040264 A JP 58040264A JP 4026483 A JP4026483 A JP 4026483A JP S59165315 A JPS59165315 A JP S59165315A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pair
plating layer
mainly composed
reed switch
leads
Prior art date
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Pending
Application number
JP58040264A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
戸舘 重雄
賢英 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IKUNO SEISAKUSHO KK
Original Assignee
IKUNO SEISAKUSHO KK
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Filing date
Publication date
Application filed by IKUNO SEISAKUSHO KK filed Critical IKUNO SEISAKUSHO KK
Priority to JP58040264A priority Critical patent/JPS59165315A/en
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、鉄及びニッケルを主成分とした磁性体でなる
リード本体の少くとも遊端部上に、ロジウムまたはルテ
ニウムを主成分とした金属の鍍金層が付されている一対
のリードを有し、その一対のリードの少くとも遊端部が
、それらを近接対向させた状態で、容器内に封入されて
いる構成を有するリードスイッチの改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention is characterized in that a metal plating layer mainly composed of rhodium or ruthenium is attached on at least the free end of a lead body made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel. The present invention relates to an improvement in a reed switch having a configuration in which at least the free ends of the pair of leads are enclosed in a container in a state in which they are closely opposed to each other.

このような構成を有するリードスイッチは、容器外から
磁場が与えられた場合、一対のリードの遊端部が、一対
の接点どして、互に接触して、一対のリード間でオンの
状態が得られ、またこの状態から磁場が取去られた場合
、一対のリードの遊端部が、互に近接対向している状態
に復帰して、一対のリード間でオフの状態が得られる、
というスイッチ動作を行う。
In a reed switch having such a configuration, when a magnetic field is applied from outside the container, the free ends of the pair of leads come into contact with each other through a pair of contacts, and the pair of leads is turned on. is obtained, and when the magnetic field is removed from this state, the free ends of the pair of leads return to the state in which they are closely facing each other, and an OFF state is obtained between the pair of leads.
This switch operation is performed.

従って、上述した構成を有するリードスイッチは、各種
の電気通信機械機器、その周辺機器などに広く現用され
ている。
Therefore, the reed switch having the above-mentioned configuration is widely used in various telecommunication equipment and peripheral equipment thereof.

上述した構成を有するリードスイッチは、見掛上、第1
図に示すように、遊端部が偏平な一対のリード1A及び
1Bを有し、その一対のリード1A及び1Bの遊端部が
、それらを近接対向させた状態で、容器2内に、真空封
入されている構成を有しているのを普通としている。
The reed switch having the above-mentioned configuration apparently has a first
As shown in the figure, it has a pair of leads 1A and 1B whose free ends are flat, and the free ends of the pair of leads 1A and 1B are placed in a vacuum in a container 2 with the free ends of the leads 1A and 1B facing each other closely. It is common to have an enclosed structure.

このような見掛上の構成を有するリードスイッチにおい
て、従来のリードスイッチは、その一対のリード1A及
び1Bのそれぞれが、第2図に示すように、鉄及びニッ
ケルを主成分とした磁性体でなるリード本体3の少くと
も道端部上に、ロジウムまたはルテニウムを主成分とし
た金属の鍍金層4が付されている構成において、鉄及び
ニッケルを主成分とした磁性体でなるリード本体3と、
ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍金層
4との間に介挿された、金または銀もしくは銅を主成分
とした金属の鍍金層テを有している構成であるのを普通
としている。
In a reed switch having such an apparent configuration, in a conventional reed switch, each of the pair of leads 1A and 1B is made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel, as shown in FIG. In a configuration in which a plating layer 4 of a metal containing rhodium or ruthenium as a main component is attached at least on the end portion of the lead main body 3, the lead main body 3 is made of a magnetic material mainly containing iron and nickel;
Usually, the structure has a plating layer 4 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper interposed between a plating layer 4 of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium. .

このような構成を有する従来のリードスイッチの場合、
一対のリード1A及び1Bにおける、鉄及びニッケルを
主成分とした磁性体でなるリード本体3の少くとも遊端
部上に付されているロジウムまたはルテニウムを主成分
とした金属の鍍金層4は、一対のリード1A及び1Bの
遊端部の表面層、従って一対の接点の表面層として作用
する。
In the case of a conventional reed switch with such a configuration,
In the pair of leads 1A and 1B, the plating layer 4 of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium attached on at least the free end of the lead body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel is It acts as the surface layer of the free end portions of the pair of leads 1A and 1B, and therefore the surface layer of the pair of contacts.

このような表面層として作用する、一対のリード1A及
び1Bにおける、リード本体3の少くとも道端部上に付
されているロジウムまたはルテニウムを主成分とした金
属の鍍金層4は、鉄及びニッケルを主成分とした磁性体
でなるリード本体3と、ロジウムまたはルテニウムを主
成分とした金属の鍍金層4どの間に介挿されている金ま
たは銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍金層5に比し
、^い硬度を有する。
The plating layer 4 of metal mainly composed of rhodium or ruthenium, which is applied on at least the end portion of the lead body 3 of the pair of leads 1A and 1B and acts as such a surface layer, is made of iron and nickel. A plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper is interposed between a lead body 3 made of a magnetic material as a main component and a plating layer 4 of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium. It has higher hardness compared to

従って、一対のり一ド1A及び1Bの遊端部、従って、
一対の接点が、高い耐摩耗性を有している。
Therefore, the free ends of the pair of glue heads 1A and 1B, therefore,
A pair of contacts has high wear resistance.

また、上述した表面層として作用する、一対のり一ド1
A及び1Bおける、鉄及びニッケルを主成分とした磁性
体でなるリード本体3の少くとも遊端部上に付されてい
るロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍金
層4は、鉄及びニッケルを主成分とした磁性体でなるリ
ード本体3と、ロジウムまたはルテニウムを主成分とし
た金属の鍍金層4との間に介挿している金または銀もし
くは銅を主成分とした金属の鍍金層5に比し、高い融点
を有する。
Also, a pair of glue dots 1 act as the above-mentioned surface layer.
In A and 1B, the plating layer 4 of metal mainly composed of rhodium or ruthenium attached on at least the free end of the lead body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel is made of iron and nickel. A plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper is interposed between the lead body 3 made of a magnetic material mainly composed of and a plating layer 4 of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium It has a higher melting point than that of

従って、一対のリード1A及び1Bの遊端部間、従って
一対の接点間で、上述したスイッチ動作が連続的に繰返
し行なわれた場合に、一対のリード1A及び1Bの遊端
部、従って一対の接点に、比較的高い温度の発熱が生じ
ても、一対のリード1A及び1Bの遊端部、従って一対
の接点の表面が、熔融するに到らず、このため一対のリ
ード1A及び1Bの遊端部の表面層、従って一対の接点
の表面層を構成している材料が、相互に転移するに到ら
ず、よって一対のり−ド1A及び1Bの道端部の表面、
従って一対の接点の表面が、劣化するに到らない。
Therefore, when the above-described switching operation is continuously repeated between the free ends of the pair of leads 1A and 1B, and therefore between the pair of contacts, the free ends of the pair of leads 1A and 1B, and therefore the pair of contacts. Even if relatively high temperature heat is generated at the contacts, the free ends of the pair of leads 1A and 1B, and therefore the surfaces of the pair of contacts, do not melt, and therefore the free ends of the pair of leads 1A and 1B do not melt. The materials constituting the surface layers of the end portions, and thus the surface layers of the pair of contacts, do not transfer to each other, and therefore, the surfaces of the roadside portions of the pair of roadways 1A and 1B,
Therefore, the surfaces of the pair of contacts do not deteriorate.

従って、第1図及び第2図に示す従来のリードスイッチ
の場合、第1図及び第2図に示す従来のリードスイッチ
において、一対のリード1A及び1Bにおける、ロジウ
ムまたはルテニウ    lムを主成分とした金属の鍍
金層4を有していないことを除いて、第1図及び第2図
に示す従来のリードスイッチと同様の構成を有するリー
ドスイッチを考えた場合、そのリードスイッチに比し、
上述したスイッチ動作の回数に対するスイッチ動作の累
積不良率が十分低いとともに、一対のり−ド1A及び1
Bの遊端部、従って接点が互に接触したときの、それら
間でみた接触抵抗が、十分低い、という特徴を有する。
Therefore, in the case of the conventional reed switch shown in FIGS. 1 and 2, rhodium or ruthenium is the main component in the pair of leads 1A and 1B. When considering a reed switch having the same configuration as the conventional reed switch shown in FIGS. 1 and 2, except that it does not have the plating layer 4 made of metal, compared to that reed switch,
The cumulative failure rate of the switch operation with respect to the number of switch operations described above is sufficiently low, and the pair of boards 1A and 1
The contact resistance between the free ends of B, and hence the contacts, is sufficiently low when they come into contact with each other.

また、第1図及び第2図で上述した従来のリードスイッ
チの場合、一対のリード1A及び1Bにおいて、金また
は銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍金層5が、鉄及
びニッケルを主成分とした磁性体でなるリード本体3上
に、これと接触して形成されており、また、金または銀
もしくは銅を主成分とした金属の鍍金層5上に、これと
接触して、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金
属の鍍金層4が形成されている構成を有し、そしてロジ
ウムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍金層4が
、金または銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍金層5
に近い、高い導電性を有する。
Furthermore, in the case of the conventional reed switch described above in FIGS. 1 and 2, in the pair of leads 1A and 1B, the plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper is made of iron and nickel as a main component. It is formed on and in contact with the lead body 3 made of a magnetic material, and is formed on the plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper, in contact with it, and is formed with rhodium or It has a structure in which a plating layer 4 of a metal mainly composed of ruthenium is formed, and the plating layer 4 of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium is plated with a metal mainly composed of gold, silver, or copper. layer 5
It has high conductivity close to that of .

従って、第1図及び第2図に示す従来のリードスイッチ
の場合、上述した特徴を有しながら、一対のリード1A
及び1Bの遊端部が互に接触して、一対のリード1A及
び1B間でオンの状態が得られる場合の、一対のリード
IA及び1B間でみた抵抗が、」−分低い、という特徴
を有する。
Therefore, in the case of the conventional reed switch shown in FIGS. 1 and 2, while having the above-mentioned features, a pair of leads 1A
When the free ends of leads IA and 1B come into contact with each other and an on state is obtained between the pair of leads IA and 1B, the resistance seen between the pair of leads IA and 1B is low by "-". have

また、第1図及び第2図で上述した従来のリードスイッ
チにおいて、一対のリード1A及び1Bにおける、ロジ
ウムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍金層4は
、上述したように一対のリード1A及び1Bの遊端部に
、比較的高い温度の発熱が生じ、これにもとづき、金ま
たは銀もしくは銅゛を主成分とした金属の鍍金層5が加
熱さレ−(、その金または銀もしくは銅を主成分とした
金属の鍍金層5から、それを構成している金または銀旬
しくは銅を主成分とした金属が、ロジウムまたはルテニ
ウムを主成分とした金属の鍍金層4を通って、ロジウム
またはルテニウムを主成分とした金属の鍍金層4の表面
側、従って一対のり−ド1A及び1Bの遊端部の表面側
、よって一対の接点の表面側に、熱拡散せんとしても、
それを阻止する性質を有づる。
Furthermore, in the conventional reed switch described above with reference to FIGS. 1 and 2, the plating layer 4 of metal mainly composed of rhodium or ruthenium on the pair of leads 1A and 1B is Relatively high temperature heat is generated at the free end of 1B, and based on this, the plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper is heated. From the plating layer 5 made of metal as the main component, the metal mainly made of gold, silver or copper passes through the plating layer 4 of metal mainly made of rhodium or ruthenium. Or, even if heat is not diffused to the surface side of the metal plating layer 4 mainly composed of ruthenium, therefore to the surface side of the free end portions of the pair of glueds 1A and 1B, and therefore to the surface side of the pair of contacts,
It has the property of preventing this.

従って、上述したように一対のリード1A及び1Bの遊
端部に、比較的高い温度の発熱が生じても、これにもと
づき、金または銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍金
層5.が加熱されて、それを構成している金または銀も
しくは銅を主成分とした金属が、一対のり一ド1A及び
1Bの遊端部の表面、従って一対の接点の表面に析出し
、そして、その金または銀もしくは銅を主成分とした金
属が、比較的高い粘性を有するために、一対のリード1
A及び1Bの遊端部間、従って一対の接点間で、相互に
転移する、ということがなく、従って、一対のり一ド1
A及び1Bの遊端部ガ表面、従って、一対の接点の表面
が、劣化するに到る、ということがない。
Therefore, even if relatively high temperature heat is generated at the free ends of the pair of leads 1A and 1B as described above, based on this, the plating layer 5. is heated, and the metal mainly composed of gold, silver, or copper that constitutes it is deposited on the surface of the free end of the pair of adhesives 1A and 1B, and therefore on the surface of the pair of contacts, and Since the metal mainly composed of gold, silver, or copper has a relatively high viscosity, a pair of leads 1
There is no mutual transfer between the free ends of A and 1B, and therefore between the pair of contacts, and therefore the pair of glue contacts 1
The surfaces of the free ends A and 1B, and therefore the surfaces of the pair of contacts, will not deteriorate.

よって、第1図及び第2図に示す従来のリードスイッチ
の場合、一対のリード1A及び1Bの道端部、従って一
対の接点が、互に接触したときの、それら間でみた接触
抵抗が低いという状態を、長期の使用に亘って保ち、こ
のため、一対のリード1A及び1B間でみた抵抗が低い
という状態を、長期の使用に亘って保つ、という特徴を
有する。
Therefore, in the case of the conventional reed switch shown in Figs. 1 and 2, when the end portions of the pair of leads 1A and 1B, and hence the pair of contacts, come into contact with each other, the contact resistance between them is said to be low. Therefore, the state of low resistance between the pair of leads 1A and 1B is maintained over a long period of use.

しかしながら、第1及び第2図に示す従来のリードスイ
ッチの場合、・所望の強さを有する磁場で、一対のリー
ド1A及び1Bの遊端部、従って一対の接点が互に接触
している状態、すなわち、一対のり一ド1A及び1B間
がオンしている状態になるように、一対のリード1A及
び1Bの、鉄及びニッケルを主成分とした磁性体でなる
リード本体3間でみた間隔を、所要の値にするために、
一対のり一ド1A及び1Bの遊端部のリード本体3の厚
さ分を除いた厚さを厚くする場合において1、ロジウム
またはルテニウムを主成分とした金属の鍍金層4の厚さ
を、5μm以上に厚くするとき、そのロジウムまたはル
テニウムを主成分とした金属の鍍金層4に、内部応力に
よって、クランクが生じ易い。
However, in the case of the conventional reed switch shown in FIGS. 1 and 2, the free ends of the pair of leads 1A and 1B, and therefore the pair of contacts, are in contact with each other in a magnetic field having a desired strength; In other words, the distance between the pair of leads 1A and 1B when viewed from the lead body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel is adjusted so that the pair of leads 1A and 1B are in an on state. , to get the desired value,
When increasing the thickness excluding the thickness of the lead body 3 at the free end of a pair of glue leads 1A and 1B, 1. The thickness of the plating layer 4 of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium is 5 μm. When the thickness is increased above, cranks are likely to occur in the metal plating layer 4 mainly composed of rhodium or ruthenium due to internal stress.

−このため、上述した理由のために、一対のリード1A
及び1Bの遊端部のリード本体3の厚さ分を除いた厚さ
を厚くする場合において、ロジウムまたはルテニウムを
↓成分とした金属の鍍金層4の厚さを厚くした場合、そ
のロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍金
層4にクラックが生じているので、上述したように一対
のり−ド1A及び1Bの遊端部に、比較的高い温度の発
熱が生じるとき、金または銀もしくは銅を主成分とした
金属の鍍金層5から、それを構成している金または銀も
しくは銅を主成分とした金属が、ロジウムまたはルテニ
ウムを主成分とした金属の鍍金層4を通じて、その表面
、従って一対のリード1A及び1Bの遊端部の表面、よ
って一対の接点の表面に析出し、そして、金または銀も
しくは銅を主成分とした金属が、ロジウムまたはルテニ
ウムを主成分とした金属の鍍金層4を構成しているロジ
ウムまたはルテニウムを主成分とした金属に比し、高い
粘着性を有しているために、一対のリード1A及び1B
の遊端部間、従って一対の接点間で、相互に転移し、そ
の結果、一対のリード1A及び1Bの遊端部の表面、従
って一対の接点の表面が、劣化するに到る。
- Therefore, for the reasons mentioned above, a pair of leads 1A
And when increasing the thickness excluding the thickness of the lead body 3 at the free end of 1B, when increasing the thickness of the metal plating layer 4 containing rhodium or ruthenium as a component, the rhodium or ruthenium Since cracks have occurred in the plating layer 4 of metal whose main component is gold, silver, or copper, when relatively high temperature heat is generated at the free ends of the pair of glueds 1A and 1B as described above, From the plating layer 5 of a metal mainly composed of, the metal mainly composed of gold, silver, or copper is transferred through the plating layer 4 of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium to its surface, thus A plating layer of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium is deposited on the surfaces of the free ends of the pair of leads 1A and 1B, and thus on the surfaces of the pair of contacts, and a metal mainly composed of gold, silver, or copper A pair of leads 1A and 1B has higher adhesiveness than the metal mainly composed of rhodium or ruthenium that constitutes lead 4.
As a result, the surfaces of the free ends of the pair of leads 1A and 1B, and therefore the surfaces of the pair of contacts, deteriorate.

また、上述したように一対のリード1A及び1Bの遊端
部に、比較的高い温度の発熱が生じ、これにもとづき、
金または銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍金層5が
加熱された場合、その金または銀もしくは銅を主成分と
した金属の鍍金層5が、ロジウムまたはルテニウムを主
成分とした金属の鍍金層4に比し、低い融点を有するの
で、その金または銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍
金N5に、ピットが生じ易い。
Furthermore, as mentioned above, relatively high temperature heat is generated at the free ends of the pair of leads 1A and 1B, and based on this,
When the plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper is heated, the plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper is plated with a metal mainly composed of rhodium or ruthenium. Since it has a lower melting point than layer 4, pits are likely to occur in the metal plating N5 whose main component is gold, silver, or copper.

このため、上述した理由のために、一対のリード1A及
び1Bの道端部のリード本体3の厚さ分を除いた厚さを
厚くする場合において、ロジウムまたはルテニウムを主
成1分とした金属の鍍金層4の厚さを厚くした場合、上
述したように一対のリード1A及び1Ba′)′Ti端
部に、比較的高い温度の発熱が生じるとき、ロジウムま
たはルテニウムを主成分とした金属の鍍金層4にクラッ
クが生じており、また、金または銀もしくは銅を主成分
とした金属の鍍金層5にピンホールが生じているので、
鉄及びニッケルを主成分とした磁性体でなるリード本体
3から、それを構成している、金または銀もしくは銅を
生成分とした金属及びロジウムまたはルテニウムを主成
分とした金属に比し低い導電性しか有していない鉄及び
ニッケルを主成分とした磁性体が、金または銀もしくは
銅を主成分とした金属の鍍金層5と、ロジウムまたはル
テニウムを主成分とした金属の鍍金層4とを通じて、ロ
ジウムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍金層5
の表面、従って一対のリード1A及び1Bの遊端部の表
面、よって一対の接点の表面に、析出する。
Therefore, for the above-mentioned reason, when increasing the thickness of the pair of leads 1A and 1B excluding the thickness of the lead body 3 at the end of the road, it is necessary to use a metal whose main component is rhodium or ruthenium. When the thickness of the plating layer 4 is increased, as described above, when relatively high temperature heat is generated at the ends of the pair of leads 1A and 1Ba')'Ti, plating with a metal mainly composed of rhodium or ruthenium occurs. Cracks have occurred in the layer 4, and pinholes have occurred in the plating layer 5, which is a metal whose main component is gold, silver, or copper.
The lead body 3 is made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel, and has a lower conductivity than the metal containing gold, silver, or copper as a main component, and the metal containing rhodium or ruthenium as a main component. A magnetic material mainly composed of iron and nickel, which only has the properties , metal plating layer 5 containing rhodium or ruthenium as the main component
, the surfaces of the free ends of the pair of leads 1A and 1B, and therefore the surfaces of the pair of contacts.

従って、第1図及び第2図に示す従来のリードスイッチ
の場合、上述した理由のために、一対のリード1A及び
1Bの道端部のリード本体3の厚さ分を除いた厚さを厚
くする場合において、ロジウムまたはルテニウムを主成
分とした金属の鍍金層4の厚さを厚くしているとき、一
対のリード1A及び1Bの遊端部、従って一対の接点が
互に接触したときの、それら間でみた接触抵抗が高くな
り、これに応じて、一対のり一ド1A及び1B間でオン
の状態が得られたときの、それら一対のリード1A及び
1B間でみた導電性が低下する、という欠点を有してい
た。
Therefore, in the case of the conventional reed switch shown in FIGS. 1 and 2, the thickness of the pair of leads 1A and 1B excluding the thickness of the lead body 3 at the end of the road is increased for the above-mentioned reason. In this case, when the thickness of the plating layer 4 of metal mainly composed of rhodium or ruthenium is increased, when the free ends of the pair of leads 1A and 1B, and therefore the pair of contacts, contact each other, The contact resistance between the pair of leads 1A and 1B increases, and the conductivity between the pair of leads 1A and 1B decreases accordingly when an on state is obtained between the pair of leads 1A and 1B. It had drawbacks.

また、第1図及び第2図に示す従来のリードスイッチの
場合、上述した理由のために、一対のリード1A及び1
Bの遊端部のリード本体3の厚さ分を除いた厚さを厚く
する場合において、ロジウムまたはルテニウムを主成分
とした金属の鍍金層4の厚さを厚くするとき、高価なロ
ジウムまたはルテニウムを主成分とした金属を、多量必
要とする。
In addition, in the case of the conventional reed switch shown in FIGS. 1 and 2, for the reason mentioned above, a pair of leads 1A and 1
When increasing the thickness excluding the thickness of the lead body 3 at the free end of B, when increasing the thickness of the plating layer 4 of metal mainly composed of rhodium or ruthenium, expensive rhodium or ruthenium is used. Requires a large amount of metal, the main component of which is

従って、第1図及び第2図に示す従来のり一ドスイッチ
の場合、上述した理由のために、一対のリード1A及び
1Bの遊端部のリード本体3の厚さ分を除いた厚゛さを
厚くする場合において、ロジウムまたはルテニウムを主
成分とした金属の鍍金層4の厚さを厚くしているとき、
廉価に提供することができない、などの欠点を有してい
た。
Therefore, in the case of the conventional glued switch shown in FIGS. 1 and 2, for the reason mentioned above, the thickness of the pair of leads 1A and 1B excluding the thickness of the lead body 3 at the free end portion When increasing the thickness of the metal plating layer 4 mainly composed of rhodium or ruthenium,
It had the disadvantage that it could not be provided at a low price.

よって、本発明は、上述した欠点のない、新規なリード
スイッチを提案せんとするもので、 “   :以下詳
述するところから明らかとなるであろう。
Therefore, the present invention aims to propose a novel reed switch free of the above-mentioned drawbacks, which will become clear from the detailed description below.

本発明によるリードスイッチの第1の実施例は、見掛上
、従来のリードスイッチと同様に、例えば、第1図に示
すように、遊端部が偏平な一対のり一ド1A及び1Bを
有し、その一対のり一ド1A及び1Bの遊端部が、それ
らを近接対向させた状態で、容器2内に真空封入されて
いる構成を有している。
The first embodiment of the reed switch according to the present invention is apparently similar to a conventional reed switch, and has a pair of reeds 1A and 1B with flat free ends, as shown in FIG. However, the free ends of the pair of adhesives 1A and 1B are vacuum-sealed in the container 2 in a state in which they are closely opposed to each other.

しかしながら、本発明によるリードスイッチの第1の実
施例は、一対のり−ド1A及び1Bのそれぞれが、第3
図を伴なって次に述べる構成を有する。
However, in the first embodiment of the reed switch according to the present invention, each of the pair of reeds 1A and 1B has a third
It has the configuration described below with accompanying figures.

なお、第3図において、第2図との対応部分に同一符号
を付して示す。
In FIG. 3, parts corresponding to those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals.

第3図に示す本発明によるリードスイッチの第1の実施
例にお【プる一対のリード1A及び1Bのそれぞれは、
第2図で上述した従来のリードスイッチの一対のリード
1A及び1Bのそれぞれにおいて、その鉄及びニッケル
を主成分とした磁性体でなるリード本体3と、ロジウム
またはルテニウムを主成分とした金属の鍍金層4との間
に、金または銀もしくは銅を主成分とした゛金属の鍍金
層5と、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属
の鍍金層4との間に介挿された態様で、パラジウムを主
成分としたパラジウム合金の鍍金層6が介挿されている
ことを除いて、第2図で上述した従来のリードスイッチ
の一対のり−ド1A及び1Bのそれぞれと同様の構成を
有する。
Each of the pair of leads 1A and 1B in the first embodiment of the reed switch according to the present invention shown in FIG.
In each of the pair of leads 1A and 1B of the conventional reed switch described above in FIG. Palladium is interposed between the plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper, and the plating layer 4 of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium. It has the same structure as each of the pair of boards 1A and 1B of the conventional reed switch described above in FIG. 2, except that a plating layer 6 of palladium alloy, which is the main component, is inserted.

この場合、パラジウムを主成分としたパラジウム合金の
鍍金層6を構成しているパラジウムを主成分としたパラ
ジウム合金としては、主成分としてのパラジウム(Pd
)と、CU 、Ail、Au、Zn、Cd、In、3u
、Pb、V、As、Bi、Cr、Mo、Fe、Co、N
i、Ru、pt、1r1Qs中から選ばれた1種または
複数種でなる異種金属との合金とし得、特にP’dと、
COでなる異種金属との合金とするのを可とする。
In this case, the palladium alloy mainly composed of palladium constituting the plating layer 6 of the palladium alloy mainly composed of palladium is
), CU, Ail, Au, Zn, Cd, In, 3u
, Pb, V, As, Bi, Cr, Mo, Fe, Co, N
It can be an alloy with one or more dissimilar metals selected from i, Ru, pt, 1r1Qs, especially P'd,
It is possible to form an alloy with a different metal consisting of CO.

また、パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金
層6を構成しているパラジウムを主成分としたパラジウ
ム合金の組成、従ってパラジウム(Pd)と、異種金属
との割合としては、99.95.:0.05の重量%の
割合から、40:60の重量%の割合の範囲とし得、特
に、パラジウムを主成分としたパラジウム合金が、Pd
と、COでなる異種金属との合金でなる場合、pdと、
異種金属との割合としては、99゜5:0.5の重量%
の割合から、70 : 30の重量%の割合の範囲とし
得る。
Further, the composition of the palladium alloy mainly composed of palladium constituting the plating layer 6 of the palladium alloy mainly composed of palladium, that is, the ratio of palladium (Pd) to different metals is 99.95. :0.05% by weight to 40:60% by weight. In particular, palladium alloys containing palladium as the main component may range from 0.05 to 40:60% by weight.
and a dissimilar metal consisting of CO, pd and,
The ratio with different metals is 99°5:0.5% by weight.
may range from a ratio of 70:30 by weight.

さらに、パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍
金層16が、0.01〜10μmの厚さを有し、特に、
パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金層6を
構成している、パラジウムを主成分としたパラジウム合
金が、パラジウム(Pd )を主成分とし、そのPdと
、COでなる異種金属との合金である場合、0゜05〜
5μmの範囲の厚さを有しているのを可と覆る。
Furthermore, the plating layer 16 of palladium alloy mainly composed of palladium has a thickness of 0.01 to 10 μm, and in particular,
The palladium alloy containing palladium as the main component, which constitutes the plating layer 6 of the palladium alloy containing palladium as the main component, is an alloy of palladium (Pd) as the main component and a dissimilar metal consisting of Pd and CO. If so, 0°05~
It is possible to have a thickness in the range of 5 μm.

さらに、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属
の鍍金層4が、0.1〜5μmの厚さを有する。
Further, a metal plating layer 4 containing rhodium or ruthenium as a main component has a thickness of 0.1 to 5 μm.

以上が、本発明によるリードスイッチの第1の実施例の
構成である。
The above is the configuration of the first embodiment of the reed switch according to the present invention.

このような構成を有する本発明によるリードスイッチに
おいて、そのリード1A及び1Bのそれぞれの具体例は
、次のとおりである。
In the reed switch according to the present invention having such a configuration, specific examples of each of the leads 1A and 1B are as follows.

鉄及びニッケルを主成分とした磁性体でなるリード本体
3が、鉄及びニッケルを主成分とした52合金で製られ
、そし°C脱脂され、次で還元雰囲気中で、800〜1
000℃の温度の熱処理がなされて得られたものである
The lead body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel is made of 52 alloy mainly composed of iron and nickel, degreased at 800°C and then heated to 800°C to 100°C in a reducing atmosphere.
It was obtained by heat treatment at a temperature of 000°C.

また、金または銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍金
層5が、上述したJ:うにして得られた鉄及びニッケル
を主成分とした磁性体でなるリード本体3の遊端部上に
、予め電解脱脂され、次で酸活性化されて後に、金また
は銀もしくは銅を主成分とした金属を0.25μmの厚
さに鍍金して得られたものである。
Further, a plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper is placed on the free end portion of the lead body 3 made of the magnetic material mainly composed of iron and nickel obtained in the above-mentioned method. It was obtained by electrolytic degreasing in advance, acid activation, and then plating with a metal mainly composed of gold, silver, or copper to a thickness of 0.25 μm.

さらに、パラジウムを主成分としたバラジウム合金の鍍
金層6が、上述したようにして得られた金または銀もし
くは銅を主成分とした金属の鍍金層5上に、パラジウム
(Pd ”)とコバルト(CO)とからなり、それらが
、99:1の重量%の割合を有するパラジウムを主成分
としたパラジウム合金を、o、oiμmの厚さに鍍金し
て得られたものである。この鍍金は、パラジウム(Pl
とコバルト(Co )とを、それぞれエチレンジアミン
塩及び硫酸コバルトの形で、それぞれ10(1/fL及
び”Ig/4の割合で含み、PHが3.0〜3.5に、
温度が55〜60℃に調整された液を用いて、0.5A
/cmの電流密度で行った。
Furthermore, a plating layer 6 of a palladium alloy containing palladium as a main component is formed on the plating layer 5 of a metal containing gold, silver, or copper as a main component obtained as described above. CO), which were obtained by plating a palladium alloy mainly composed of palladium in a proportion of 99:1 by weight to a thickness of o, oi μm. Palladium (Pl)
and cobalt (Co) in the form of ethylene diamine salt and cobalt sulfate, respectively, in the ratio of 1/fL and 1/4, respectively, and the pH is 3.0 to 3.5.
0.5A using a liquid whose temperature is adjusted to 55-60℃
It was performed at a current density of /cm.

また、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属の
鍍金層4が、上述したように得られたパラジウムを主成
分としたパラジウム合金の鍍金層6上・に、ロジウム(
R11’)の鍍金層を3μmの厚さに鍍金して得られた
ものである。
Further, a plating layer 4 of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium is formed on a plating layer 6 of a palladium alloy mainly composed of palladium obtained as described above.
It was obtained by plating the plating layer of R11') to a thickness of 3 μm.

以上で、本発明によるリードスイッチの第1の実施例の
構成が明らかとなった。
The configuration of the first embodiment of the reed switch according to the present invention has been clarified above.

第1図及び第3図に示す本発明によるリードスイッチは
、第1図及び第2図で上述した従来のリードスイッチに
おいて、その一対のり−ド1A及び1Bのそれぞれが、
鉄及びニッケルを主成分とした磁性体でなるリード本体
3と、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属の
鍍金層4との間に、金または銀もしくは銅を主成分とし
た金属の鍍金層5と、ロジウムまたはルテニウムを主成
分とした金属の鍍金層4との間に介挿された態様、・介
挿された、パラジウムを主成分としたパラジウム合金の
鍍金層6を有し、そして、ロジウムまたはルテニウムを
主成分とした金属の鍍金層4が0.1〜5μmの厚さを
有し、またパラジウムを主成分としたパラジウム合金の
鍍金層6が、0.01〜10μmの厚さを有しているこ
とを除いて、第1図及び第2図で上述した従来のリード
スイッチと同様の構成を有する。
The reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 3 is different from the conventional reed switch described above in FIGS.
A plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper is provided between the lead body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel and the plating layer 4 of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium. and a plating layer 4 of a metal containing rhodium or ruthenium as a main component; - A plating layer 6 of a palladium alloy containing palladium as a main component is interposed; Alternatively, the plating layer 4 of a metal containing ruthenium as a main component has a thickness of 0.1 to 5 μm, and the plating layer 6 of a palladium alloy containing palladium as a main component has a thickness of 0.01 to 10 μm. The reed switch has the same configuration as the conventional reed switch described above in FIGS. 1 and 2, except that

従って、第1図及び第3図に示す本発明によるリードス
イッチの場合も、第1図及び第2図で上述した従来のリ
ードスイッチの場合と同様に、一対のり一ド1A及び1
Bにおける、リード本体3の少くとも遊端部上に何され
ているロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属の
鍍金層4が、一対のリード1A及び1Bの遊端部の表面
層、従って一対の接点の表面層として作用する。
Therefore, in the case of the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 3, as well as in the case of the conventional reed switch described above in FIGS.
In B, the metal plating layer 4 mainly composed of rhodium or ruthenium, which is formed on at least the free ends of the lead body 3, is the surface layer of the free ends of the pair of leads 1A and 1B. Acts as the surface layer of the contact.

そして、、このような表面層として作用する、一対のり
−ド1A及び1Bにお番ブる、リード本体3の少くとも
遊端部上に付されているロジウムまたはルテニウムを主
成分とした金属の鍍金層4は、第1図及び第2図で上述
したように、金または銀もしくは銅を主成分とした金属
の鍍金m5に比し、高い硬度を有する。
Then, a metal mainly composed of rhodium or ruthenium is applied to at least the free end of the lead body 3, which acts as such a surface layer and is applied to the pair of leads 1A and 1B. As described above with reference to FIGS. 1 and 2, the plating layer 4 has a higher hardness than the plating m5 made of a metal mainly composed of gold, silver, or copper.

従って、一対のり一ド1A及び1Bのi端部、従って一
対の接点が、高い耐摩耗性を有している、。
Therefore, the i-ends of the pair of glue leads 1A and 1B, and hence the pair of contacts, have high wear resistance.

また、上述した表面層として作用する、一対のり一ド1
A及び1Bおける、萌ニド本体3の少くとも遊端部上に
付されているロジウムまたはルテニウムを主成分とした
金属の鍍金H4は、第1図及び第2図で上述したように
、金または銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍金層5
に比し、高ε)融点を有する。
Also, a pair of glue dots 1 act as the above-mentioned surface layer.
In A and 1B, the metal plating H4 mainly composed of rhodium or ruthenium applied on at least the free end of the moenide main body 3 is gold or ruthenium, as described above in FIGS. 1 and 2. Metal plating layer 5 whose main component is silver or copper
It has a high ε) melting point compared to .

従って、一対のり−ド1A及び1Bの遊端部間、従って
一対の接合間で、放電を伴なって、第1図及び第2図で
上述したスイッチ動作が連続的に繰返し行なわれた場合
に、一対のり−ド1A及び1Bの遊端部、従って一対の
接点に、比較的高い温度の発熱が生じても、一対のり一
ド1A及び1Bの遊端部、従って一対の接点の表面が熔
融するに到らず、このため一対のり一ド1A及び1Bの
道端部の表面層、従・て−誓の接点の表面層を構成して
いる材料が、相互に転移′するに到らず、よって一対の
り一ド1A及び1Bの遊端部の表面、従って一対の接点
の表面が、劣化するに到もない。
Therefore, if the switching operation described above in FIGS. 1 and 2 is repeatedly performed with discharge between the free ends of the pair of nodes 1A and 1B, and therefore between the pair of junctions, , even if relatively high temperature heat is generated at the free ends of the pair of glue leads 1A and 1B, and therefore the pair of contacts, the free ends of the pair of glue leads 1A and 1B, and therefore the surfaces of the pair of contacts, will melt. As a result, the materials constituting the surface layer of the roadside portion of the pair of glue sticks 1A and 1B, and the surface layer of the contact point between them, did not transfer to each other. Therefore, the surfaces of the free ends of the pair of glue leads 1A and 1B, and hence the surfaces of the pair of contacts, will not deteriorate.

従って、第1図及び第3図に示す本発明によるリードス
イッチの場合も、第1図及び第2図で上)ボした従来の
リードスイッチの場合と同様に、第1図及び第2図に示
す従来のリードスイッチにおいて、一対のリード1A及
び1Bにお()る、ロジウムまたはルテニウムを主成分
とした金属の鍍金層4を有していないことを除いて、第
1図及び第2図に示す従来のリードスイッチと同様の構
成を右するリードスイッチを考えた場合、そのリードス
イッチに比し、上述したスイッチ動作の回数に対するス
イッチ動作の累積不良率が十分低いとともに、一対のり
一ド1A及び1Bの遊端部、従って一接点が互に接触し
たときの、それら間でみた接触抵抗が、十分低い、とい
う特徴を有する。
Therefore, in the case of the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 3, as well as in the case of the conventional reed switch shown in FIGS. The conventional reed switch shown in FIGS. 1 and 2 is different from the conventional reed switch shown in FIGS. Considering a reed switch having the same configuration as the conventional reed switch shown in FIG. It is characterized in that when the free ends of 1B, and thus one contact, come into contact with each other, the contact resistance between them is sufficiently low.

また、第1図及び第3図に示す本発明によるリードスイ
ッチの場合、一対のリード1A及び1Bにおいて、金ま
たは銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍金層5が、第
1図及び第2図で上述した従来のリードスイッチの場合
と同様に、鉄及びニッケルを主成分とした磁性体でなる
リード本体3上に、これと接触して形成されており、ま
た、金または銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍金層
5上に、これと接触して、パラジウムを主成分としたパ
ラジウム合金の鍍金層6が形成され、さらに、パラジウ
ムを主成分としたパラジウム合金の鍍金層6上に、これ
と接触して、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした
金属の鍍金層4が形成されている構成を有し、そし“C
、パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金層6
と、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍
金層4とが、金または銀もしくは銅を主成分とした金属
の鍍金層5に近い、高い導電性を右する。
Further, in the case of the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 3, the plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper is formed on the pair of leads 1A and 1B as shown in FIGS. 1 and 2. As in the case of the conventional reed switch described above in the figure, it is formed on and in contact with the reed body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel, and is also made of gold, silver or copper. A plating layer 6 of a palladium alloy containing palladium as a main component is formed on and in contact with the plating layer 5 of a metal whose main component is palladium. , has a structure in which a metal plating layer 4 mainly composed of rhodium or ruthenium is formed in contact with this, and “C
, a plating layer 6 of palladium alloy containing palladium as the main component
The plating layer 4 made of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium has a high conductivity close to that of the plating layer 5 made of a metal mainly composed of gold, silver, or copper.

従って、第1図及び第3図に示す本発明によるリードス
イッチの場合も、第1図及び第2図に示す従来のリード
スイッチの場合と同様に、上述した特徴を有しながら、
一対のり一ド1A及び1Bの遊端部が互に接触して、一
対のり−ド1A及び1B間でオンの状態が得られた場合
の、一対のり一ド1A及び1B間でみた抵抗が十分低い
、という特徴を有する。
Therefore, the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 3 also has the above-mentioned features, as in the case of the conventional reed switch shown in FIGS. 1 and 2.
When the free ends of a pair of glue leads 1A and 1B touch each other and an on state is obtained between the pair of glue leads 1A and 1B, the resistance between the pair of glue leads 1A and 1B is sufficient. It has the characteristic of being low.

また、第1図及び第3図に示す本発明によるリードスイ
ッチにおいて、一対のり一ド1A及び1Bにおける、パ
ラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金層6は、
ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍金層
4と同様に、一対のり一ド1A及び1Bの遊端部に、比
較的高い温度の発熱が生じ、これにもとづき、金または
銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍金層5が加熱され
て、その金または銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍
金層5から、それを構成している金または銀もしくは銅
を主成分とした金属が、パラジウムを主成分としたパラ
ジウム合金の鍍金層6を通って、パラジウムを主成分と
したパラジウム合金の鍍金層6の表面側に、熱拡散t!
/υどしても、それを阻止する性質を有する。
In addition, in the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 3, the plating layer 6 of the palladium alloy containing palladium as a main component in the pair of glue leads 1A and 1B is as follows:
Similar to the plating layer 4 of metal mainly composed of rhodium or ruthenium, relatively high temperature heat is generated at the free ends of the pair of adhesives 1A and 1B. The plating layer 5 of the metal as a component is heated, and from the plating layer 5 of the metal mainly composed of gold, silver, or copper, the metal mainly composed of gold, silver, or copper constituting the plating layer 5 is heated. Thermal diffusion t! passes through the plating layer 6 of palladium alloy containing palladium as the main component and onto the surface side of the plating layer 6 of palladium alloy containing palladium as the main component.
/υIt has the property of preventing it no matter what.

従って、上述したように一対のリード1A及び1Bの遊
端部に、比較的高い温度の発熱が生じても、これにもと
づぎ、金または銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍金
層5が加熱されて、それを構成している金または銀もし
く(ま銅を主成分とした金属が、一対のり一ド1△及び
IBの遊端部の表面、従って一対の接点の表面tこ析出
し、そして、その金または銀もしくは銅を主成分とした
金属が、比較的高い粘性のために、一対のリード1Δ及
び1Bの遊端部間、従って一対の接点間で、相互に転移
する、ということがなく、従って、一対のり一ド1A及
び1Bの遊端部の表面、従つ−で、一対の接点の表面が
、劣化するに到る、ということがない。
Therefore, even if relatively high temperature heat is generated at the free ends of the pair of leads 1A and 1B as described above, the plating layer of metal mainly composed of gold, silver, or copper is applied. 5 is heated, and the metal mainly composed of gold, silver or copper is heated, and the surface of the free end of the pair of glues 1△ and IB, and therefore the surface of the pair of contacts t. Due to the relatively high viscosity of this precipitated gold, silver, or copper-based metal, the metal is mutually transferred between the free ends of the pair of leads 1Δ and 1B, and therefore between the pair of contacts. Therefore, the surfaces of the free end portions of the pair of adhesives 1A and 1B, and therefore the surfaces of the pair of contacts, will not deteriorate.

よって、第1図及び第3図に示す本発明によるリードス
イッチの場合も、第1図及び第2図に示ず従来のリード
スイッチの場合と同様に、一対のり一ド1A及び1Bの
遊端部、従って一対の接点が、互に接触したときの、そ
れら間でみた接触抵抗が低いという状態を、長期の使用
に亘って保ち、このため、一対のり−ド1A及び1B間
でみた抵抗が低いという状態を、長期の使用に亘って保
つ、という特徴を有ケる。
Therefore, in the case of the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 3, as well as in the case of the conventional reed switch not shown in FIGS. Therefore, the state in which the contact resistance between the pair of contacts is low when they come into contact with each other is maintained over a long period of use, and therefore the resistance between the pair of nodes 1A and 1B is It has the characteristic of maintaining a low level over a long period of use.

しかしながら、第1及び第3図に示す本発明にょろり−
ドスイッチの場合、金または銀もしくは銅を主成分とし
た金属の鍍金層5と、ロジウムまたはルテニウムを主成
分とした金属の鍍金層4との間にパラジウムを主成分と
したパラジウム合金の鍍金層6が介挿されているので、
所望の強さを有する磁場で、一対のリード1A及び1B
の遊端部、従って一対の接点が互に接触している状態、
すなわち、一対のリード1A及び1B間がオンしている
状態になるように、一対のり一ド1A及び1Bのリード
本体3間でみた間隔を所要の値に゛す°るために、一対
のり−ド1A及びIBの遊端部のリード本体3の厚さ分
を除いた厚さを厚く覆る場合において、その厚さを、第
1図及び第2図で上述した従来のリードスイッチの場合
において、0ジウムまたはルテニウムを主成分とした金
属の鍍金層4の厚さを厚くした場合と同じ厚さにすると
き、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍
金層4の厚さが、パラジウムを主成分としたパラジウム
合金の鍍金層6の厚さ分薄くなり、このため、ロジウム
またはルテニウムを主成分とした金属の鍍金層4の厚さ
を、クラックの生じ難(ζ5μm以下の厚さにすること
ができる。
However, the present invention shown in FIGS.
In the case of a switch, a plating layer of a palladium alloy containing palladium as a main component is provided between a plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper and a plating layer 4 of a metal mainly containing rhodium or ruthenium. 6 is inserted, so
A pair of leads 1A and 1B with a magnetic field of desired strength.
the free end of the , and therefore the pair of contacts are in contact with each other,
That is, in order to set the distance between the lead bodies 3 of the pair of glue leads 1A and 1B to a required value so that the pair of leads 1A and 1B are in the on state, the pair of glue is turned on. In the case of the conventional reed switch described above in FIG. 1 and FIG. When the thickness of the plating layer 4 of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium is made thicker, the thickness of the plating layer 4 of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium becomes thicker. The thickness of the plating layer 6 made of palladium alloy as a component is reduced by the thickness of the plating layer 6 made of a palladium alloy as a component. I can do it.

一方、パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金
層6は、その厚さが厚くなっても、ロジウムまたはルテ
ニウムを主成分とした金属の鍍金層4に比し、クラック
が生じ雌い。
On the other hand, even when the plating layer 6 is made of a palladium alloy containing palladium as its main component, even if the thickness thereof is increased, it is more likely to crack than the plating layer 4 made of a metal containing rhodium or ruthenium as its main component.

従って、上述した理由のために、一対のり一ド1A及び
1Bの遊端部のリード本体3の厚さ分を除いた厚さを厚
くしても、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金
属の鍍金層4にも、またパラジウムを主成分としたパラ
ジウム合金の鍍金層6にも、内部応力による、クランク
が生じ難い。
Therefore, for the above-mentioned reason, even if the thickness of the pair of glue leads 1A and 1B excluding the thickness of the lead body 3 at the free end is increased, the metal plating mainly composed of rhodium or ruthenium will not be applied. Crank due to internal stress is unlikely to occur in the layer 4 or in the plating layer 6 made of a palladium alloy containing palladium as a main component.

このため、上述した理由のために、一対のリード1A及
び1Bの遊端部のリード本体3の厚さ分を除いた厚さを
厚くしても、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした
金属の鍍金層4と、パラジウムを主成分としたパラジウ
ム合金の鍍金層6とを、クラックの生じていないものと
することかできるので、上述したように一対のり一ド1
A及び1Bの遊端部に、比較的高い温度の発熱が生じて
も、金または銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍金層
5から、それを構成している金または銀もしくは銅を主
成分とした金属が、パラジウムを主成分としたパラジウ
ム合金の鍍金層6と、ロジウムまたはルテニウムを主成
分とした金属の鍍金層4とを通じて、ロジウムまたはル
テニウムを主成分とした金属の鍍金層4の表面、従って
一対のリード1A及び1Bの遊端部の表面、J:って一
対の接点の表面に析出し、そして、金または銀もしくは
銅を主成分とした金属が、ロジウムまたはルテニウムを
主成分とした金属の鍍金層4を構成しているロジウムま
たはルテニウムを主成分としている金属に比し、高い粘
着性を有しているために、一対のり一ド1A及び1Bの
遊端部間、従って一対の接点間で、粕互に転移し、その
結果、一対のリード1A及び1Bの遊端部の表面、従っ
て一対の接点の表面が劣化するに到る、ということを、
有効に回避することができる。
Therefore, for the above-mentioned reason, even if the thickness of the pair of leads 1A and 1B excluding the thickness of the lead body 3 at the free ends is increased, the metal plating mainly composed of rhodium or ruthenium will not be applied. Since the layer 4 and the plating layer 6 of palladium alloy containing palladium as a main component can be made crack-free, the pair of adhesives 1 can be used as described above.
Even if relatively high temperature heat is generated at the free ends of A and 1B, the plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper will be removed. The metal as a component passes through the plating layer 6 of a palladium alloy mainly composed of palladium and the plating layer 4 of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium. The surface, that is, the surface of the free ends of the pair of leads 1A and 1B, J: is deposited on the surface of the pair of contacts, and a metal mainly composed of gold, silver, or copper is deposited on the surface of the free ends of the pair of leads 1A and 1B, and a metal mainly composed of gold, silver, or copper is deposited on the surface of the free ends of the pair of leads 1A and 1B. Compared to the metal whose main component is rhodium or ruthenium, which constitutes the plating layer 4, the metal has higher adhesiveness, so that the adhesive between the free ends of the pair of glue leads 1A and 1B, and therefore It is understood that the particles are mutually transferred between the pair of contacts, and as a result, the surfaces of the free ends of the pair of leads 1A and 1B, and therefore the surfaces of the pair of contacts, deteriorate.
This can be effectively avoided.

また、上述したように一対のり−ド1A及び1Bの遊端
部に、比較的高い温度の発熱が生じ、これにもとづき、
金または銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍金層5が
加熱された場合、その金または銀もしくは銅を主成分と
した金属の鍍金層5が、0ジウムまたはルテニウムを主
成分とした金属の鍍金層4に比し低い融点を有すること
により、その金または銀もしくは銅を主成分とした金属
の鍍金層5に、ピットが生じ易いとしても、上述した理
由のために、一対のリード1A及び1Bの遊端部のリー
ド本体3の厚さ分を除いた厚さを厚くした場合でも、上
述したように、パラジウムを主成分どしたパラジウム合
金の鍍金層6にも、またロジウムまたはルテニウムを主
成分とした金属の鍍金層4にも、クラックが生じ難いの
で、鉄及びニッケルを主成分とした磁性体でなるリード
本体3から、それを構成している、金または銀もしくは
銅を主成分とした金属及びロジウムまたはルテニウムを
主成分とした金属に比し低い導電性しか有していない鉄
及びニッケルを主成分とした磁性体が、パラジウムを主
成分としたパラジウム合金の鍍金層6と、ロジウムまた
はルアニウムを主成分とした金属の鍍金層4とを通じて
、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍金
層5の表面、従って一対のリード1A及び1Bの遊端部
の表面、よって一対の接点の表面に析出する、というこ
とを、有効に回避することができる。
Furthermore, as mentioned above, relatively high temperature heat is generated at the free ends of the pair of glueds 1A and 1B, and based on this,
When the plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper is heated, the plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper is heated. Even though pits are likely to occur in the plating layer 5 made of a metal mainly composed of gold, silver, or copper because it has a lower melting point than the plating layer 4, for the reasons mentioned above, the pair of leads 1A and Even if the thickness excluding the thickness of the lead body 3 at the free end of 1B is increased, as mentioned above, the plating layer 6 of palladium alloy containing palladium as the main component also has rhodium or ruthenium as the main component. Since cracks are unlikely to occur in the plating layer 4 made of metal as a component, the lead body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel is replaced with a plating layer 4 made of a metal mainly composed of gold, silver, or copper. A magnetic material mainly composed of iron and nickel, which has lower electrical conductivity than metals mainly composed of rhodium or ruthenium, is coated with a plating layer 6 of a palladium alloy mainly composed of palladium, and a plated layer 6 of a palladium alloy mainly composed of palladium. Alternatively, the surface of the plating layer 5 of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium, and thus the surface of the free end portions of the pair of leads 1A and 1B, and the surface of the pair of contacts through the plating layer 4 of a metal mainly composed of ruanium. Precipitation on the surface can be effectively avoided.

従つC1第1図及び第3図に示す本発明にj:るリード
スイッチの場合、上述した理由で、一対のり−ド1A及
び1Bの遊端部のリード本体3の厚さ分を除いた厚さを
゛厚くした場合でも、一対のり−ド1A及びIB(7)
M端部、従って一対の接点が互に接触したときの、それ
ら間でみた接触抵抗が高くなり、これに応じて、一対の
リード1A及び1B間でオンの状態が得られたときの、
それら一対のり一ド1A及び1B間でみた3#電性が低
下する、という欠点を、有効に回避することができると
いう特徴を有する。
Accordingly, in the case of the reed switch according to the present invention shown in C1 and FIG. Even if the thickness is increased, a pair of glue boards 1A and IB (7)
When the M ends, and therefore the pair of contacts, come into contact with each other, the contact resistance between them becomes high, and accordingly, when an on state is obtained between the pair of leads 1A and 1B,
It is characterized in that it is possible to effectively avoid the drawback that the 3# electrical conductivity between the pair of glues 1A and 1B is reduced.

なお、上述した本発明の特徴は、ロジウムまたはルテニ
ウムを主成分とした金属の鍍金層4が0.1〜5μmの
厚さを有し、また、パラジウムを主成分としたパラジウ
ム合金の鍍金層6が0.01〜10μmの厚さを有して
いることで、確実に得られる。
The above-mentioned features of the present invention are that the metal plating layer 4 mainly composed of rhodium or ruthenium has a thickness of 0.1 to 5 μm, and the plating layer 6 of a palladium alloy mainly containing palladium has a thickness of 0.1 to 5 μm. This can be reliably obtained by having a thickness of 0.01 to 10 μm.

ちなみに、第1図及び第2図で上述した従来のリードス
イッチにおいて、そのリード1A及び1Bのそれぞれに
おりる、金または銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍
金層5が0,25μmの厚さを有し、また、ロジウムま
たはルテニウムを主成分とした金属の鍍金層4が3μm
の厚さを有する場合において、前述したスイッチ動作の
回数(回)に対するスイッチ動作の累積不良率(%)が
、第4図で点線図示のように得られ、また、スイッチ動
作の回数(回〉に対する、一対のリード1A及び1B間
でオンの状態が得られたときの、それら一対のり一ド1
A及び1B間でみた抵抗(Ω)が、第5図で点線図示の
ように得られたに対し、第1図及び第3図に示す本発明
によるリードスイッチの第1の実施例において、そのリ
ード1A及び1Bのそれぞれが、前述した具体例を有し
ている場合、スイッチ動作の回数に対J゛るスイッチ動
作の累積不良率が、第4図で実線図示のように得られ、
また、スイッチ動作の回数に対する、一対のリード1A
及び1B間でオンの状態が得られたときの、それら一対
のり一ド1A及び1B間でみた抵抗が、第5図で実線図
示のように得られた。
Incidentally, in the conventional reed switch described above in FIGS. 1 and 2, the plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper, which falls on each of the leads 1A and 1B, has a thickness of 0.25 μm. In addition, the metal plating layer 4 mainly composed of rhodium or ruthenium has a thickness of 3 μm.
, the cumulative failure rate (%) of the switch operation is obtained as shown by the dotted line in FIG. When an on state is obtained between the pair of leads 1A and 1B, the pair of leads 1A and 1B
While the resistance (Ω) seen between A and 1B was obtained as shown by the dotted line in FIG. 5, in the first embodiment of the reed switch according to the present invention shown in FIGS. When each of the leads 1A and 1B has the specific example described above, the cumulative failure rate of the switch operation with respect to the number of switch operations is obtained as shown by the solid line in FIG. 4,
Also, a pair of leads 1A for the number of switch operations.
When an on state was obtained between the two electrodes 1A and 1B, the resistance seen between the pair of glues 1A and 1B was obtained as shown by the solid line in FIG.

このようなことからでも、第1図及び第3図に示す本発
明によるリードスイッチが、第1図及び第2図で上述し
た従来のリードスイッチに対し、格段的に優れCいるこ
とが明らかであるまた、第1図及び第3図に示す本発明
によるリードスイッチの場合、パラジウムを主成分とし
たパラジウム合金の鍍金層6を有するので、上述した理
由で、一対のリード1A及び1’Bの遊端部のリード本
体3の厚さ分を除いた厚さを厚くした場合でも、ロジウ
ムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍金層4を、
厚くする必要がないので、ロジウムまたはルテニウムを
主成分とした金属の鍍金層4を形成するのに、高価なロ
ジウムまたはルテニウムを主成分とした金属を、多量必
要としない。
From these facts, it is clear that the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 3 is significantly superior to the conventional reed switch described above in FIGS. 1 and 2. Furthermore, in the case of the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 3, since the plated layer 6 is made of a palladium alloy mainly composed of palladium, the pair of leads 1A and 1'B are Even when the thickness excluding the thickness of the lead body 3 at the free end is increased, the metal plating layer 4 mainly composed of rhodium or ruthenium is
Since there is no need to increase the thickness, a large amount of expensive rhodium or ruthenium-based metal is not required to form the plating layer 4 of rhodium- or ruthenium-based metal.

一方、パラジウムを主成分としたパラジウム 。On the other hand, palladium is mainly composed of palladium.

合金の鍍金層6を構成しているパラジウム゛を主成分と
じ1だパラジウム合金は、ロジウムまたはルテニウムを
主成分とした金属の鍍金層4を構成しているロジウムま
たはルテニウムを主成分とした金属に比し廉価である。
A palladium alloy whose main component is palladium, which constitutes the plating layer 6 of the alloy, is a metal whose main component is rhodium or ruthenium, which constitutes the plating layer 4, which is a metal whose main component is rhodium or ruthenium. It is relatively inexpensive.

従って、第1図及び第3図に示す本発明によるリードス
イッチの場合、上)ボした理由で、一対のリード1A及
び1Bの遊端部のリード本体3の厚さ分を除いた厚さを
厚くした場合でも、廉価に提供することができる、など
の特徴を有する。
Therefore, in the case of the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 3, the thickness of the pair of leads 1A and 1B excluding the thickness of the lead body 3 at the free end portion is It has characteristics such as being able to be provided at a low price even when it is thick.

次に、本発明によるリードスイッチの第2の実施例を述
べよう。
Next, a second embodiment of the reed switch according to the present invention will be described.

本発明によるリードスイッチの第2の実施例は、第1図
及び第3図で上述した本発明によるリードスイッチの第
1の実施例の場合と同様に、見掛上、第1図で上述した
と何様の構成を有する。
The second embodiment of the reed switch according to the invention is similar in appearance to the first embodiment of the reed switch according to the invention described above in FIGS. 1 and 3. It has various configurations.

しかしながら、本発明によるリードスイッチの第2の実
施例は、一対のリードスイッチ1A及び1Bのそれぞれ
が、第6図を伴なって次に述べる構成を有する。
However, in a second embodiment of the reed switch according to the present invention, each of the pair of reed switches 1A and 1B has the configuration described below with reference to FIG.

第6図におい゛(、第3図との対応部分に同一符号を付
して示す。
In FIG. 6, parts corresponding to those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals.

第6図に承り一本発明によるリードスイッチの一対のリ
ード1△及び1Bのそれぞれは、第3図で上述した本発
明によるリードスイッチの第1の実施例の一対のリード
1A及び1Bにおいて、金または銀もしくは銅を主成分
とした金属の鍍金層4が省略されていることを除いて、
第3図で上述した本発明によるリードスイッチの第1の
実施例の一対のリード1A及び1Bと同様の構成を有す
る。
As shown in FIG. 6, each of the pair of leads 1Δ and 1B of the reed switch according to the present invention is different from the pair of leads 1A and 1B of the first embodiment of the reed switch according to the present invention described above in FIG. Or, except that the plating layer 4 of metal mainly composed of silver or copper is omitted,
It has the same structure as the pair of leads 1A and 1B of the first embodiment of the reed switch according to the present invention described above with reference to FIG.

以上が、本発明によるリードスイッチの第2の実施例の
構成である。
The above is the configuration of the second embodiment of the reed switch according to the present invention.

このような構成を有する本発明によるリードスイッチに
おいて、そのリード1A及び1Bのそれぞれの具体例は
、次のとおりである。
In the reed switch according to the present invention having such a configuration, specific examples of each of the leads 1A and 1B are as follows.

鉄及びニッケルを主成分とした磁性体でなるリード本体
3が、第1図及び第2図で上述した本発明のリードスイ
ッチの第1の実施例における具体例の場合と同様にして
得られたものである。
A reed body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel was obtained in the same manner as in the specific example of the first embodiment of the reed switch of the present invention described above in FIGS. 1 and 2. It is something.

また、パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金
層6が、上述したようにして得られた鉄及びニッケルを
主成分とした磁性体でなるリード本体3上に、パラジウ
ム(Pd)と、コバルト(CO)とからなり、それらが
、第1表の例1〜10に示す割合(重量%)を有するパ
ラジウムを主成分としたパラジウム合金を、同表の例1
〜10にボす厚さくμm〉に鍍金して得られたものであ
る。この鍍金は、第1図及び第3図で上述した本発明の
リードスイッチの第1の実施例における具体例の場合に
準じて、パラジウム(Pd ”)と、コバルト(Co)
とを、それぞれエチレンジアミン塩、及び硫酸コバルト
の形で、それぞれ10o /L、及び0.1〜1.0g
/Lの割合で含み、PHが3.0〜3゜5に、温度が5
5〜60℃に調整された液を用いて、0.2〜2.OA
/cm’の電流密度で行った。 また、ロジウムまたは
ルテニウムを主成分とした金属の鍍金層4が、上述した
ように得られたパラジウムを主成分としたパラジウム合
金の鍍金層6上に、ロジウム(Rh’)の鍍金層を、第
1表の例1〜4.7及び8に示す厚さに、またルテニウ
ム(Ru)を、第1表の例5.6.9及び10に示す厚
さにそれぞれ鍍金して得られたものである。
Further, a plating layer 6 of a palladium alloy mainly composed of palladium is coated on the lead body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel obtained as described above. CO) and which have the proportions (wt%) shown in Examples 1 to 10 in Table 1, a palladium alloy mainly composed of palladium was prepared as Example 1 in Table 1.
It was obtained by plating to a thickness of ~10 μm. This plating is made of palladium (Pd'') and cobalt (Co), as in the specific example of the first embodiment of the reed switch of the present invention described above in FIGS. 1 and 3.
and in the form of ethylene diamine salt and cobalt sulfate, respectively, at 10 o /L and 0.1 to 1.0 g, respectively.
/L ratio, pH is 3.0 to 3°5, temperature is 5.
Using a liquid adjusted to 5 to 60°C, 0.2 to 2. OA
The current density was /cm'. Furthermore, the plating layer 4 of a metal containing rhodium or ruthenium as a main component is formed by applying a plating layer of rhodium (Rh') on the plating layer 6 of a palladium alloy containing palladium as a main component obtained as described above. Those obtained by plating ruthenium (Ru) to the thicknesses shown in Examples 1 to 4.7 and 8 of Table 1 and to the thicknesses shown in Examples 5.6.9 and 10 of Table 1, respectively. be.

以上で、本発明によるリードスイッチの第2の実施例の
構成が明らかとなった。
The configuration of the second embodiment of the reed switch according to the present invention has been clarified above.

第1図及び第6図に示す本発明によるリードスイッチは
、第1図及び第3図で上述した本発明によるリードスイ
ッチにd3いて、その一対のり一ド1A及び1Bのそれ
ぞれにおける、金または銀もしくは銅を主成分とした金
属の鍍金層5と、パラジウムを主成分としたパラジウム
合金の鍍金層6とが、パラジウムを主成分としたパラジ
ウム合金の鍍金層6で置換された構成を有している。そ
して、一対のリード1A及び1Bのそれぞれが、鉄及び
ニッケルを主成分とした磁性体でなるリード本体3と、
ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍金層
4との間に介挿された、パラジウムを主成分としたパラ
ジウム合金の鍍金層6を有している。
The reed switch according to the invention shown in FIGS. 1 and 6 is similar to the reed switch according to the invention described above in FIGS. Alternatively, the plating layer 5 of a metal containing copper as a main component and the plating layer 6 of a palladium alloy containing palladium as a main component are replaced with a plating layer 6 of a palladium alloy containing palladium as a main component. There is. Each of the pair of leads 1A and 1B includes a lead body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel;
It has a plating layer 6 of a palladium alloy containing palladium as a main component, which is interposed between a plating layer 4 of a metal containing rhodium or ruthenium as a main component.

従って、第1図及び第6図に示す本発明によるリードス
イッチは、詳細説明は省略するが、第1図及び第3図で
上述した本発明によるり一ドスイッヂの場合と同様の優
れた特徴を有する。
Therefore, the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 6 has the same excellent features as the reed switch according to the present invention described above in FIGS. 1 and 3, although detailed explanation is omitted. have

ちなみに、第1図及び第2図で上述した従来のリードス
イッチにおいて、そのリード1A及び1Bのそれぞれれ
における、金または銀もしくは銅を主成分とした金属の
鍍金層5が、0゜25μmの厚さを有し、また、ロジウ
ムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍金層4が3
μmの厚さを有する場合において、前述したスイッチ動
作の回数(回)に対するスイッチ動作の累積不良率(%
)が、第7図で点線イで示すように得られ、また、第1
図及び第2図で上述した従来のリードスイッチにおいて
、そのり−ド1A及び1Bのそれぞれれにおける、金ま
たは銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍金層5が、0
.25μmの厚さを有し、また、ロジウムまたはルテニ
ウムを主成分とした金属の鍍金W!14が5μmの厚さ
を有する場合において、前述したスイッチ動作の回数(
回)に対するスイッチ動作の累積不良率(%)が、第7
図で点線口で示すように得られ、また、スイッチ動作の
回数(回)に対する、一対のリード1A及び1B間でオ
ンの状態が得られたときの、それら一対のリード1A及
び1B間でみた抵抗(Ω)が、第8図で点線図示のJ:
うに得られたに対し、第1図及び第6図に示ず本発明に
よるリードスイッチの第2の実施例において、そのリー
ド1A及び1Bのそれぞれが、上述した第1表に示す具
体例1.2.5〜7.9及び1oを有しCいる場合、ス
イッチ動作の回数に対するスイッチ動作の累積不良率が
、第7図で実線図示のように得られ、また、上述した第
1表に示す具体例゛2.5及び10の場合、スイッチ動
作の回数に対する、一対のリード1A及び1B間でオン
の状態が得られたときの、それら一対のリード1A及び
1B間でみた抵抗が、第8図で実線図示のように得られ
た。
Incidentally, in the conventional reed switch described above in FIGS. 1 and 2, the plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper on each of the leads 1A and 1B has a thickness of 0°25 μm. In addition, the metal plating layer 4 mainly composed of rhodium or ruthenium is
In the case of a thickness of μm, the cumulative failure rate (%
) is obtained as shown by the dotted line A in Fig. 7, and the first
In the conventional reed switch described above with reference to FIG. 2 and FIG.
.. It has a thickness of 25 μm and is plated with metal containing rhodium or ruthenium as the main component W! 14 has a thickness of 5 μm, the number of switch operations described above (
The cumulative failure rate (%) of switch operation for the seventh
The results are obtained as shown by the dotted line in the figure, and the relationship between the pair of leads 1A and 1B when the on state is obtained between the pair of leads 1A and 1B with respect to the number of switch operations (times). The resistance (Ω) is J indicated by the dotted line in Figure 8:
In the second embodiment of the reed switch according to the present invention, which is not shown in FIGS. 1 and 6, each of the leads 1A and 1B is as shown in Example 1.1 shown in Table 1 above. 2.5 to 7.9 and 1o, the cumulative failure rate of the switch operation with respect to the number of switch operations is obtained as shown by the solid line in FIG. 7, and is also shown in Table 1 above. In the case of specific examples 2.5 and 10, the resistance seen between the pair of leads 1A and 1B when an on state is obtained between the pair of leads 1A and 1B with respect to the number of switch operations is the 8th The results were obtained as shown by the solid line in the figure.

このようなことからでも、第1図及び第6図に示1本発
明によるリードスイッチが、第1図及び第2図で上述し
た従来のリードスイッチに比し格段的に優れていること
が明らかであろう。
From these facts, it is clear that the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 6 is significantly superior to the conventional reed switch described above in FIGS. 1 and 2. Will.

次に、本発明によるリードスイッチの第3の実施例を述
べよう。
Next, a third embodiment of the reed switch according to the present invention will be described.

本発明によるリードスイッチの第3の実施例は、第1図
及び第3図、及び第1図及び第6図で上述した本発明に
よるリードスイッチの第1、及び第2の実施例の場合と
同様に、見掛上、第1図で上述したと同様の構成を有す
る。
The third embodiment of the reed switch according to the present invention is similar to the first and second embodiments of the reed switch according to the present invention described above in FIGS. 1 and 3 and FIGS. 1 and 6. Similarly, it has an apparently similar configuration to that described above in FIG.

しかしながら、本発明によるリードスイッチの第3の実
施例は、一対のり一ド1A及び1Bのそれぞれが、第9
図を伴なって次に述べる構成を有する。
However, the third embodiment of the reed switch according to the present invention is such that each of the pair of glue leads 1A and 1B has a ninth
It has the configuration described below with accompanying figures.

第9図に示す本発明によるリードスイッチの一対のリー
ド1A及び1Bのそれぞれは、第6図で上述した本発明
によるリードスイッチの第2の実施例の一対のリード1
A及び1Bにおいて、それらの接点となる遊端部のみに
、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍金
層4が付されていることを除いて、第6図で上述した本
発明によるリードスイッチの第2の実施例の一対のリー
ド1A及び1Bと同様の構成を右する。
Each of the pair of leads 1A and 1B of the reed switch according to the invention shown in FIG.
The reed switch according to the present invention described above in FIG. 6, except that in A and 1B, a metal plating layer 4 mainly composed of rhodium or ruthenium is attached only to the free end portions that serve as the contact points. The structure is similar to that of the pair of leads 1A and 1B of the second embodiment.

以上が、本発明によるリードスイッチの第3の実施例の
構成である。
The above is the configuration of the third embodiment of the reed switch according to the present invention.

このような構成を有する本発明によるリードスイッチに
おいて、そのリード1A及び1Bのそれぞれの具体例は
、次のとおりである。
In the reed switch according to the present invention having such a configuration, specific examples of each of the leads 1A and 1B are as follows.

鉄及びニッケルを主成分とした磁性体でなるリード本体
3が、第1図及び第3図で上述した本発明のリードスイ
ッチの第1の実施例における具体例の場合と同様にして
得られたものである。
A reed body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel was obtained in the same manner as in the specific example of the first embodiment of the reed switch of the present invention described above in FIGS. 1 and 3. It is something.

また、パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金
層6が、上述したようにして得られた鉄及びニッケルを
主成分とした磁性体でなるリード本体3上に、パラジウ
ム(Pd )と、コバルト(CO)とからなり、ぞれら
が、第2表の例11〜14に示す割合(重量%)を有す
るパラジウムを主成分としたパラジウム合金を同表の例
11〜14に示す厚さくμm)に鍍金して得られたもの
である。
Further, a plating layer 6 of a palladium alloy mainly composed of palladium is coated on the lead body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel obtained as described above. CO), each of which has the proportions (wt%) shown in Examples 11 to 14 in Table 2, containing palladium as the main component, and the thickness shown in Examples 11 to 14 in Table 2 (μm) It was obtained by plating.

第2表 さらに、パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍
金層6が、上述したようにして得られた鉄及びニッケル
を主成分とした磁性体でなるリード本体3上に、パラジ
ウム(Pd)と、ニッケル(Ni ’)とからなり、そ
れらが、第3表の例15〜1.6に示す割合(重量%)
を右ツるパラジウムを主成分としたパラジウム合金を同
表の例15〜16に示す厚さくμm)に鍍金して得られ
たものである。
Table 2 Furthermore, a plating layer 6 of a palladium alloy mainly composed of palladium is formed on the lead body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel obtained as described above. , nickel (Ni'), in the proportions (wt%) shown in Examples 15 to 1.6 of Table 3.
These were obtained by plating a palladium alloy containing palladium as a main component to the thickness shown in Examples 15 to 16 in the same table.

第3表 なおさらに、パラジウムを主成分としたパラジウム合金
の鍍金層6が、上述したようにして得られた鉄及びニッ
ケルを主成分とした磁性体でなるリード本体3上に、パ
ラジウム(Pd )と、ルデニウム(Ru )どからな
り、それらが、第4表の例17〜20に示す割合(重量
%)を有するパラジウムを主成分としたパラジウム合金
を同表の例17〜20に示す厚さくμm)に鍍金して得
られたものである。
Table 3 further shows that a plating layer 6 of a palladium alloy mainly composed of palladium is formed on the lead body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel obtained as described above. and Rudenium (Ru), etc., and these have the proportions (wt%) shown in Examples 17 to 20 of Table 4. μm).

第4表 また、パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金
層6が、上述したようにして得られた鉄及びニッケルを
主成分とした磁性体でなるリード本体3上に、パラジウ
ム(Pd )と、銀(Ao )とからなり、それらが、
第5表の例21〜22に示す割合(重量%)を有するパ
ラジウムを主成分としたパラジウム合金を、同表の例2
1〜22に示す厚さくμm)に鍍金して得られたもので
ある。
Table 4 In addition, a plating layer 6 of a palladium alloy containing palladium as a main component is formed on the lead body 3 made of a magnetic material containing iron and nickel as a main component obtained as described above. , silver (Ao), and they are
A palladium alloy mainly composed of palladium having the proportions (wt%) shown in Examples 21 to 22 of Table 5 was prepared in Example 2 of the same table.
It was obtained by plating to a thickness of 1 to 22 μm).

第5表 上述した鍍金は、第1図及び第3図で上述した本発明の
リードスイッチのの第1の実施例における具体例の場合
に準じて行った。
Table 5 The plating described above was carried out in accordance with the specific example of the first embodiment of the reed switch of the present invention described above in FIGS. 1 and 3.

また、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属の
鍍金層4が、上述したように得られたパラジウムを主成
分としたパラジウム合金の鍍金層6上に、ロジウム(R
h)の鍍金層を、第2〜第5表の例11.13.15.
17.19及び21に示す厚さに、またルテニウム(R
U)を、第2〜第5表の例12.14.16.18.2
0及び22に示す厚さにそれぞれ鍍金して得られたもの
である。
Further, a plating layer 4 of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium is formed on a plating layer 6 of a palladium alloy mainly composed of palladium obtained as described above.
The plating layer of h) was prepared using Examples 11, 13, and 15 in Tables 2 to 5.
17. Ruthenium (R
U) in Examples 12.14.16.18.2 of Tables 2 to 5.
These were obtained by plating to the thicknesses shown in 0 and 22, respectively.

以上で、本発明によるリードスイッチの第3の実施例の
構成が明らかとなった。
The configuration of the third embodiment of the reed switch according to the present invention has been clarified above.

第1図及び第9図に示ず本発明によるリードスイッチは
、第1図及び第6図で上述した本発明によるリードスイ
ッチにおいて、その一対のり一ド1A及び1Bのそれぞ
れにおける、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした
金属の鍍金層4が、一対のリード1A及び1Bのそれぞ
れの接点を構成する遊端部のみに付されている構成に代
えられていることを除いて、第1図及び第6図で上述し
た本発明によるリードスイッチと同様の構成を有する。
A reed switch according to the present invention not shown in FIGS. 1 and 9 is a reed switch according to the present invention described above in FIGS. 1 and 6, except that the plating layer 4 made of metal as the main component is applied only to the free end portions of the pair of leads 1A and 1B that constitute the contact points. It has a similar configuration to the reed switch according to the invention described above in the figures.

従って、第1図及び第9図に示す本発明によるリードス
イッチは、詳細説明は省略するが、第1図及び第3図で
上述した本発明によるリードスイッチの場合と同様の優
れた特徴を有する。
Therefore, the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 9 has the same excellent characteristics as the reed switch according to the present invention described above in FIGS. 1 and 3, although detailed explanation is omitted. .

ちなみに、第1図及び第2図で上述した従来のリードス
イッチにおいて、そのリード1A及び1Bのそれぞれに
おける、金または銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍
金層5が、0.25μmの厚さを有し、また、ロジウム
またはルテニウムを主成分とした金属の鍍金層4が3μ
mの厚さを右−4る場合において、前述したスイッチ動
作の回数(回)に対するスイッチ動作の累積不良率(%
)が、第10図で点線図示のように得られ、また、第1
図及び第2図で上述した従来のリードスイッチにおいて
、そのリード1Δ及び1Bのそれぞれにおける、金また
は銀もしくは銅を主成分どした金属の鍍金層5が、0.
25μmの厚さを有し、また、ロジウムまたはルテニウ
ムを主成分とした金属の鍍金層4が6μmの厚さを有す
る場合において、スイッチ動作の回数(回)に対する、
一対のリード1A及びIBI!!]でオンの状態が得ら
れたときの、それら一対のり一ド1A及び1B間でみた
抵抗(Ω〉が、第11図で点線図示のように得られたに
対し、第1図及び第9図に示す本発明によるリードスイ
ッチの第3の実施例において、そのリード1A及び1B
のそれぞれが、前述した具体例12.15及び16を有
している場合、スイッチ動作の回数に対づるスイッチ動
作の累積不良率が、第10図で実線図示のように得られ
、また、スイッチ動作の回数に対する、一対のリード1
A及び1B間でオンの状態が得られたときの、それら一
対のリード1A及び1B間ぐみた抵抗が、第11図で実
線図示のにうに得られた。
Incidentally, in the conventional reed switch described above in FIGS. 1 and 2, the plating layer 5 of a metal mainly composed of gold, silver, or copper on each of the leads 1A and 1B has a thickness of 0.25 μm. In addition, the metal plating layer 4 mainly composed of rhodium or ruthenium has a thickness of 3 μm.
When the thickness of m is minus 4, the cumulative failure rate (%) of the switch operation with respect to the number of switch operations (times) mentioned above is
) is obtained as shown by the dotted line in FIG. 10, and the first
In the conventional reed switch described above with reference to FIG. 2 and FIG.
When the thickness is 25 μm and the metal plating layer 4 mainly composed of rhodium or ruthenium has a thickness of 6 μm, the number of switch operations (times) is
A pair of leads 1A and IBI! ! ] When the on state is obtained, the resistance (Ω〉) between the pair of glued wires 1A and 1B is obtained as shown by the dotted line in FIG. In a third embodiment of the reed switch according to the invention shown in the figure, leads 1A and 1B thereof
have the above-mentioned specific examples 12.15 and 16, the cumulative failure rate of the switch operation with respect to the number of switch operations is obtained as shown by the solid line in FIG. Pair of leads 1 for the number of operations
The resistance across the pair of leads 1A and 1B when an on state was obtained between leads A and 1B was obtained as shown by the solid line in FIG.

このJ:うなことからでも、第1図及び第9図に示す本
発明によるリードスイッチが、第1図及び第2図で上述
した従来のリードスイッチに比し格段的に優れているこ
とが明らかであろう。
From this fact, it is clear that the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 9 is significantly superior to the conventional reed switch described above in FIGS. 1 and 2. Will.

次に、本発明に声るリードスイッチの第一4の実施例を
述べよう。
Next, a fourth embodiment of the reed switch according to the present invention will be described.

本発明によるリードスイッチの第4の実施例は、第1図
及び第3図で上述した本発明によるリードスイッチの第
1の実施例の場合と同様に、見掛上、第1図で上述した
と同様の構成を有する。
The fourth embodiment of the reed switch according to the invention is similar in appearance to the first embodiment of the reed switch according to the invention described above in FIGS. 1 and 3. It has a similar configuration.

しかしながら、本発明によるリードスイッチの第4の実
施例は、一対のリードスイッチ1A及び1Bそれぞれが
、第12図を伴なって次に述べる構成を有する。
However, in a fourth embodiment of the reed switch according to the present invention, each of the pair of reed switches 1A and 1B has the configuration described below with reference to FIG.

第12図において、第9図との対応部分に同一符号をH
して示す。
In Fig. 12, the same reference numerals are used for parts corresponding to those in Fig. 9.
and show.

第12図に示す本発明によるリードスイッチの一対のり
一ド1A及び1Bのそれぞれは、第9図で上述した本発
明によるリードスイッチの第3の実施例の一対のり−ド
1A及び1Bにおいて、パラジウムを主成分としたパラ
ジウム合金の鍍金層6と、ロジウムまたはルテニウムを
主成分とした金属の鍍金層4と間に、パラジウムを主成
分としたパラジウム合金の鍍金層6と同様のパラジウム
を主成分としたパラジウム合金の鍍金層16が介挿され
ていることを除いて、第9図で上述した本発明によるリ
ードスイッチの第3の実施例の一対のり−ド1A及び1
Bと同様の構成を有する。
Each of the pair of reeds 1A and 1B of the reed switch according to the invention shown in FIG. 12 is made of palladium. Between the plating layer 6 of a palladium alloy containing as a main component and the plating layer 4 of a metal containing rhodium or ruthenium as a main component, a plating layer 6 containing palladium as a main component, similar to the plating layer 6 of a palladium alloy containing palladium as a main component, is provided. The pair of reed switches 1A and 1 of the third embodiment of the reed switch according to the invention described above in FIG.
It has the same configuration as B.

以上が、本発明によるリードスイッチの第4の実施例の
構成である。
The above is the configuration of the fourth embodiment of the reed switch according to the present invention.

このような構成を有する本発明によるリードスイッチに
おいて、そのリード1A及び1Bのそれぞれの具体例は
、次のとおりである。
In the reed switch according to the present invention having such a configuration, specific examples of each of the leads 1A and 1B are as follows.

鉄及びニッケルを主成分とした磁性体でなるリード本体
3が、第1図及び第3図で上述した本発明のリードスイ
ッチの第1の実施例におりる具体例の場合と同様にして
得られたものである。
The reed main body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel is obtained in the same manner as in the specific example of the first embodiment of the reed switch of the present invention described above in FIGS. 1 and 3. It is something that was given.

また、パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金
層6が、上述したようにして得られた鉄及びニッケルを
主成分とした磁性体でなるリード本体3上に、パラジウ
ム(Pd )と、コバルト(Go >とからなり、それ
らが、75:25の割合(型口%)を有するパラジウム
を主成分としたパラジウム合金を、22μmに鍍金して
得られたものである。
Further, a plating layer 6 of a palladium alloy mainly composed of palladium is coated on the lead body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel obtained as described above. Go >, which were obtained by plating a palladium alloy mainly composed of palladium having a ratio (mold mouth %) of 75:25 to a thickness of 22 μm.

また、パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金
層16が、上述したようにして得られたパラジウムを主
成分としたパラジウム合金の鍍金層6上に、パラジウム
(Pd )と、コバルト(Co )とからなり、それら
が、95:5の重ω%の割合を有するパラジウムを主成
分としたパラジウム合金を、0.2μmの厚さに鍍金し
て得られたものである。
Further, a plating layer 16 of a palladium alloy mainly composed of palladium is formed on the plating layer 6 of a palladium alloy mainly composed of palladium obtained as described above. These are obtained by plating a palladium alloy mainly composed of palladium having a weight ω% ratio of 95:5 to a thickness of 0.2 μm.

また、ロジウムまたはルテニウムを主成分としだ金属の
鍍金層4が、上述したように得られたパラジウムを主成
分どしたパラジウム合苓の鍍金層16十に、ロジウl\
(Rh )の鍍金層を、1.5μmの厚さに鍍金して得
られたものである。
Further, the plating layer 4 of a metal containing rhodium or ruthenium as a main component is added to the plating layer 16 of a palladium alloy containing palladium as a main component obtained as described above.
It was obtained by plating a (Rh) plating layer to a thickness of 1.5 μm.

以上で、本発明にょろり一′ドスイッヂの第4の実施例
の構成が明らかとなった。
The structure of the fourth embodiment of the Nyorori switch of the present invention has been clarified above.

第1図及び第12図に示す本発明によるリードスイッチ
は、第1図及び第19図で上述し□た本発明によるリー
ドスイッチにおいて、その一対のり一ド1A及び1Bの
イれぞれにおける、パラジウムを主成分としたパラジウ
ム合金の鍍金層6と、ロジウムまたはルテニウムを主成
分とした金属の鍍金層4との間に、パラジウムを主成分
としたパラジウム合金の鍍金層16が介挿されているこ
とを除いて、第1図及び第9図にで上述した本発明によ
るリードスイッチと同様の構成を有する。
The reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 12 is the reed switch according to the present invention described above in FIGS. A plating layer 16 of a palladium alloy mainly composed of palladium is interposed between a plating layer 6 of a palladium alloy mainly composed of palladium and a plating layer 4 of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium. Except for this, it has a similar construction to the reed switch according to the invention described above in FIGS. 1 and 9.

従って、第1図及び第12図に示す本発明ににるリード
スイッチは、詳細説明は省略するが、第1図及び第9図
で上述した本発明によるリードスイッチの場合と同様の
優れた特徴を有する。
Therefore, the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 12 has the same excellent features as the reed switch according to the present invention described above in FIGS. 1 and 9, although detailed explanation is omitted. has.

次に、本発明によるリードスイッチの第5の実施例を述
べよう。
Next, a fifth embodiment of the reed switch according to the present invention will be described.

本発明によるリードスイッチの第5の実施例は、第1図
及び第3図で上述した本発明によるリードスイッチの第
1の実施例の場合と同様に、見掛上、第1図で上述した
と同様の構成を有する。
The fifth embodiment of the reed switch according to the invention is similar in appearance to the first embodiment of the reed switch according to the invention described above in FIGS. 1 and 3. It has a similar configuration.

しかしながら、本発明ににるリードスイッチの第5の実
施例は、一対のリードスイッチIA及び1Bそれぞれが
、第13図を伴なっ°C次に述べる構成を有する。
However, in a fifth embodiment of the reed switch according to the present invention, each of the pair of reed switches IA and 1B has the configuration described below with reference to FIG.

第13図において、第9図との対応部分に同一符号を付
して示す。
In FIG. 13, parts corresponding to those in FIG. 9 are designated by the same reference numerals.

第13図に示す本発明によるリードスイッチの一対のリ
ード1A及び1Bのそれぞれは、第9図で上述した本発
明によるリードスイッチの第3の実施例の一対のり一ド
1A及び1Bにおいて、鉄及びニッケルを主成分とした
磁性体でなるリード本体3と、パラジウムを主成分とし
たパラジウム合金の鍍金層6との間に、パラジウムを主
成分としたパラジウム合金の鍍金層6と同様の、パラジ
ウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金層26が介挿
されていることを除いて、第9図で上述した本発明によ
るリードスイッチの第3の実施例の一対のリード1A及
び1Bと同様の構成を右ツる。
Each of the pair of leads 1A and 1B of the reed switch according to the invention shown in FIG. 13 is made of iron and Between the lead body 3 made of a magnetic material mainly composed of nickel and the plating layer 6 of a palladium alloy mainly composed of palladium, palladium is applied, similar to the plating layer 6 of a palladium alloy mainly composed of palladium. The structure is similar to that of the pair of leads 1A and 1B of the third embodiment of the reed switch according to the present invention described above in FIG. 9, except that a plating layer 26 of palladium alloy as the main component is inserted. Turn right.

以上が、本発明によるリードスイッチの第2の実施例の
構成である。
The above is the configuration of the second embodiment of the reed switch according to the present invention.

このような構成を有する本発明によるリードスイッチに
おいて、そのリード1A及び1Bのそれぞれの具体例は
、次のとおりである。
In the reed switch according to the present invention having such a configuration, specific examples of each of the leads 1A and 1B are as follows.

鉄及びニッケルを主成分とした磁性体でなるリード本体
3が、第1図及び第3図で上述した本発明のリードスイ
ッチの第1の実施例における具体例の場合と同様にして
得られたものである。
A reed body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel was obtained in the same manner as in the specific example of the first embodiment of the reed switch of the present invention described above in FIGS. 1 and 3. It is something.

また、パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金
層26が、上述したようにして得られた鉄及びニッケル
を主成分とした磁性体でなるリード本体3上に、パラジ
ウム(Pd)と、]パル1〜(CO)とからなり、それ
らが、95:5の重量%の割合を有するパラジウムを主
成分としたパラジウム合金を0.2μmの厚さに鍍金し
て得られたものである。
Further, a plating layer 26 of a palladium alloy mainly composed of palladium is coated on the lead body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel obtained as described above. 1 to (CO), which were obtained by plating a palladium alloy mainly composed of palladium in a ratio of 95:5 by weight to a thickness of 0.2 μm.

また、パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金
層6が、上述したように得られた鉄及びニッケルを主成
分とした磁性体でなるリード本体3及びパラジウムを主
、成分としたパラジウム合金の鍍金層26上に、パラジ
ウム(P’d>と、コバルト(GO)、W=から、それ
らが75:25の重量%の割合を有するパラジウムを生
成分としたパラジウム合金を、2μmの厚さに鍍金して
得られたものである。
Further, the plating layer 6 of a palladium alloy mainly composed of palladium is formed by plating the lead body 3 made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel obtained as described above and the plating layer 6 of a palladium alloy mainly composed of palladium. On the layer 26, a palladium alloy made of palladium (P'd>, cobalt (GO), W=, in a weight percent ratio of 75:25) is plated to a thickness of 2 μm. This is what was obtained.

また、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属の
鍍金層4が、上述したように得られたパラジウムを主成
分としたパラジウム合金の鍍金層6上に、ロジウム(R
h ”)の鍍金層を、1.5μmの厚さに鍍金して得ら
れたものである。
Further, a plating layer 4 of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium is formed on a plating layer 6 of a palladium alloy mainly composed of palladium obtained as described above.
It was obtained by plating the plating layer (h") to a thickness of 1.5 μm.

以上で、本発明によるリードスイッチの第5の実施例の
構成が明らかとなった。
The configuration of the fifth embodiment of the reed switch according to the present invention has been clarified above.

第1図及び第13図に示す本発明にJ:るり−ドスイッ
ヂは、第1図及び第9図で上述した本発明にJ、るリー
ドスイッチにおいて、鉄及びニッケルを主成分どじた磁
性体でなるリード本体3の遊螺:部において、それと、
パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金層6と
の間に、パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍
金層2Gが介挿されていることを除いて、第1図及び第
9図で」−述した本発明によるリードスイッチと同様の
構成を有する。
The reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 13 is a reed switch according to the present invention shown in FIGS. At the free screw part of the lead body 3, and
1 and 9 except that a plating layer 2G of a palladium alloy containing palladium as a main component is interposed between a plating layer 6 of a palladium alloy containing palladium as a main component. It has the same configuration as the reed switch according to the present invention described above.

従って、第1図及び第13図に示す本発明によるリード
スイッチは、詳細μ2明は省略するが、第1図及び第9
図で上述した本発明によるり一ドスイッヂの場合と同様
の優れた特徴を有する。
Therefore, the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 13 is similar to the one shown in FIGS.
It has the same excellent features as the single-domain switch according to the invention described above in the figures.

なお、上述においては、本発明の僅かな実施例を示した
に留まり、本発明の精神を脱することなしに、種々の変
型、変更をなし得るであろう。
Note that the above description merely shows a few embodiments of the present invention, and various modifications and changes may be made without departing from the spirit of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、従来のリードスイッチ、及び本発明によ2監
ドスイツチの見掛上の構成を示す路線的断面図である。 第2図は、従来のリードスイッチにおける、一対のリー
ドの遊端部を示す路線的断面図である。 第3図は、本発明にJ:るリードスイッチの第1の実施
例における一対のリードの遊端部を示す゛路線的断面図
である。 第4図は、第1図及び第3図に示す本発明によるリード
スイッチの第1の実施例の、スイッチ動作の回数(回)
に対する、スイッチ動作の累積不良率(%)の関係を示
す線図である。 第5図は、第1図及び第3図に示す本発明によるリード
スイッチの第1の実施例の、スイッチ動作の回数(回)
に対する、一対のリード間がオンの状態になったときの
、それら一対のリード間でみた、抵抗(Ω)の関係を示
す線図である。 第6図は、本発明によるリードスイッチの第2の実施例
にお番プる一対のリードの遊端部を示す路線的断面図で
ある。 第7図は、第1図及び第6図に示す本発明によるリード
スイッチの第2の実施例の、スイッチ動作の回数(回)
に対する、スイッチ動作の累積不良率(%)の関係を示
す線図である。 第8図は、第1図及び第6図に示り本発明にJ、るリー
ドスイッチの第2の実施例の、スイッチ動作の回数(回
)に対する、一対のリード間がオンの状態になったとき
の、それら一対のリード間でみた、抵抗(Ω)の関係を
示す縮図である。 第9図は、本発明によるリードスイッチの第3の実施例
における一対のリードの遊端部を示す路線的断面図であ
る。 第10図は、第1図及び第9図に示す本発明によるリー
ドスイッチの第3の実施例の、スイッチ動作の回数(回
)に対する、スイッチ動作の累積不良率(%)の関係を
示す線図である。 第11図は、第1図及び第9図に示す本発明によるリー
ドスイッチの第3の実施例の、スイッチ動作の回数(回
)に対する、一対のリード間がオンの状態になったとき
の、それら一対のリード間でみた、抵抗(Ω)の関係を
示す線図である。 第12図は、本発明によるリードスイッチの第4の実施
例における、一対のリードの遊端部を示す路線的断面図
である。 第13図は、本発明によるリードスイッチの第5の実施
例における、一対のリードの遊端部を示す路線的断面図
である。 IA、IB・・・・・・リード 2・・・・・・・・・・・・・・・・・・容器3・・・
・・・・・・・・・・・・・・・リード本体4・・・・
・・・・・・・・・・・・・・ロジウムまたはルテニウ
ムを主成分とした金属の鍍金層 5・・・・・・・・・・・・・・・・・・金または銀も
しくは銅を主成分とした金属の鍍金層 6.1G、26 ・・・・・・パラジウムを主成分としたパラジウム合金
の鍍金層 出願人  株式会社生野製作所 第、12図 1A 1B 第13周 A  IB
FIG. 1 is a line sectional view showing the apparent structure of a conventional reed switch and a two-control switch according to the present invention. FIG. 2 is a sectional view showing the free ends of a pair of leads in a conventional reed switch. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the free ends of a pair of leads in the first embodiment of the reed switch according to the present invention. FIG. 4 shows the number of switch operations (times) of the first embodiment of the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 3.
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the cumulative defective rate (%) of switch operation and the switch operation. FIG. 5 shows the number of switch operations (times) of the first embodiment of the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 3.
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between resistance (Ω) between a pair of leads when the pair of leads are in an on state. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the free ends of a pair of leads in a second embodiment of the reed switch according to the present invention. FIG. 7 shows the number of switch operations (times) of the second embodiment of the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 6.
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the cumulative defective rate (%) of switch operation and the switch operation. FIG. 8 shows the on state between a pair of leads with respect to the number of switch operations (times) of the second embodiment of the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 6. This is a microcosm showing the relationship in resistance (Ω) between the pair of leads when FIG. 9 is a linear sectional view showing the free ends of a pair of leads in a third embodiment of the reed switch according to the present invention. FIG. 10 is a line showing the relationship between the cumulative failure rate (%) of switch operations and the number of switch operations (times) for the third embodiment of the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 9. It is a diagram. FIG. 11 shows the number of switch operations (times) of the third embodiment of the reed switch according to the present invention shown in FIGS. 1 and 9 when the pair of leads is in the on state. It is a diagram showing the relationship of resistance (Ω) between the pair of leads. FIG. 12 is a line sectional view showing the free ends of a pair of leads in a fourth embodiment of the reed switch according to the present invention. FIG. 13 is a linear sectional view showing free ends of a pair of leads in a fifth embodiment of the reed switch according to the present invention. IA, IB...Lead 2...Container 3...
・・・・・・・・・・・・Lead body 4・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・Metal plating layer 5 mainly composed of rhodium or ruthenium・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Gold, silver or copper Plating layer of metal whose main component is 6.1G, 26... Plating layer of palladium alloy whose main component is palladium Applicant Ikuno Seisakusho Co., Ltd. No. 12 Figure 1A 1B 13th round A IB

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、鉄及びニッケルを主成分とした磁性体でなるリード
本体の少くとも遊端部上に、ロジウムまたはルテニウム
を主成分とした金属の鍍金層が付されている一対のリー
ドを有し、該一対のリードの少くとも遊端部が、それら
を近接対向させた状態で、容器内に封入されている構成
を有するリードスイッチにおいて、上記一対のリード中
の少くとも一方が、上記鉄及びニッケルを主成分とした
磁性体でなるリード本体と、上記ロジウムまたはルテニ
ウムを主成分とした金属の鍍金層との間に介挿された、
パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金層を有
し、上記ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属
の鍍金層が、0.1〜5μmの厚さを有し、上記パラジ
ウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金層が、0.0
1〜10μmの厚さを有していることを特徴とするリー
ドスイッチ。 2、特許請求の範囲第1項記載のリードスイッチにおい
て、上記パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍
金層が、パラジウムとコバルトとの合金でなることを特
徴とするリードスイッチ。
[Claims] 1. A pair of lead bodies made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel, and at least on the free end thereof, a plating layer of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium is attached. In a reed switch having a structure in which at least the free ends of the pair of leads are enclosed in a container with the free ends of the pair of leads closely facing each other, at least one of the pair of leads is , inserted between the lead body made of a magnetic material mainly composed of iron and nickel and the plating layer of a metal mainly composed of rhodium or ruthenium,
The palladium alloy has a plating layer containing palladium as a main component, and the plating layer of a metal containing rhodium or ruthenium as a main component has a thickness of 0.1 to 5 μm, and the palladium alloy mainly contains palladium. The alloy plating layer is 0.0
A reed switch having a thickness of 1 to 10 μm. 2. The reed switch according to claim 1, wherein the plating layer of the palladium alloy containing palladium as a main component is made of an alloy of palladium and cobalt.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1990013685A1 (en) * 1989-05-10 1990-11-15 Furukawa Electric Co., Ltd. Electric contact material, method of producing said material, and electric contact produced therefrom
US5409762A (en) * 1989-05-10 1995-04-25 The Furukawa Electric Company, Ltd. Electric contact materials, production methods thereof and electric contacts used these
US5597064A (en) * 1989-05-10 1997-01-28 The Furukawa Electric Co., Ltd. Electric contact materials, production methods thereof and electric contacts used these
JP2013258041A (en) * 2012-06-12 2013-12-26 Oki Sensor Device Corp Manufacturing method of reed switch and reed switch

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS555406B2 (en) * 1974-06-24 1980-02-06
JPS5524323B2 (en) * 1975-06-03 1980-06-28

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS555406B2 (en) * 1974-06-24 1980-02-06
JPS5524323B2 (en) * 1975-06-03 1980-06-28

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1990013685A1 (en) * 1989-05-10 1990-11-15 Furukawa Electric Co., Ltd. Electric contact material, method of producing said material, and electric contact produced therefrom
US5409762A (en) * 1989-05-10 1995-04-25 The Furukawa Electric Company, Ltd. Electric contact materials, production methods thereof and electric contacts used these
US5597064A (en) * 1989-05-10 1997-01-28 The Furukawa Electric Co., Ltd. Electric contact materials, production methods thereof and electric contacts used these
JP2013258041A (en) * 2012-06-12 2013-12-26 Oki Sensor Device Corp Manufacturing method of reed switch and reed switch

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