JPS60118688A - 単結晶ファイバ−の製造装置 - Google Patents
単結晶ファイバ−の製造装置Info
- Publication number
- JPS60118688A JPS60118688A JP58223328A JP22332883A JPS60118688A JP S60118688 A JPS60118688 A JP S60118688A JP 58223328 A JP58223328 A JP 58223328A JP 22332883 A JP22332883 A JP 22332883A JP S60118688 A JPS60118688 A JP S60118688A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- meniscus
- single crystal
- fiber
- auxiliary heater
- crystal fiber
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は単結晶ファイバーの製造装置に関する。
近年、光通信用ファイバの研究開発は急速に進歩し、各
分野で応用され始めている。
分野で応用され始めている。
それにつれて研究の重点は石英ファイバーでは光損失が
大きく伝送困難な長波長塘、すなわち波長２〜２０μｍ
伝送用ファイバーの開発へ移向している。このような波
長域を伝送するファイバー用の材料としてフッ化物、カ
ルコゲン化物、ゲルマネートなどのガラス系、金障ハロ
ゲン化物の結晶系などがある。そのうち、車用化が静も
早いとされているのけ、ＫＲ，９−５（ＴＩＢｒ−Ｔｔ
ｌの混晶）およびＡｇＢｒ−ＡｇＣｔ系の多結晶ファイ
バーとＣｓＢｒ、ＣｓＩなどの１０晶７アイバーである
。これらのファイバーの伝送損失が０．２〜０．４ ｄ
Ｂ／ｍまで似下し、レーザー加工機又はレーザーメス
用などへの応用が可能になって＾たためである。
大きく伝送困難な長波長塘、すなわち波長２〜２０μｍ
伝送用ファイバーの開発へ移向している。このような波
長域を伝送するファイバー用の材料としてフッ化物、カ
ルコゲン化物、ゲルマネートなどのガラス系、金障ハロ
ゲン化物の結晶系などがある。そのうち、車用化が静も
早いとされているのけ、ＫＲ，９−５（ＴＩＢｒ−Ｔｔ
ｌの混晶）およびＡｇＢｒ−ＡｇＣｔ系の多結晶ファイ
バーとＣｓＢｒ、ＣｓＩなどの１０晶７アイバーである
。これらのファイバーの伝送損失が０．２〜０．４ ｄ
Ｂ／ｍまで似下し、レーザー加工機又はレーザーメス
用などへの応用が可能になって＾たためである。
金属ハロゲン化物結晶の赤外域での伝送損失理論値が１
０ ｄＢ／ｃｍであることから考えると、現状ははるか
に高損失であるが、結晶ファイバーを一オーダーで型浩
することの田帷さもあり、数ｍ単位で赤外光パワー伝送
に用いるのが現実的である。
０ ｄＢ／ｃｍであることから考えると、現状ははるか
に高損失であるが、結晶ファイバーを一オーダーで型浩
することの田帷さもあり、数ｍ単位で赤外光パワー伝送
に用いるのが現実的である。
前述した多結晶ファイバーと、革結晶ファイバーヲ比較
すると、ハロゲン化セシウムｌｆ晶ファイバーは可撓性
において優れており、又、可視光域でも透過率が高いの
でガイド光と００２レーザー光を同一ファイバーで伝送
できるなどの利便性を備えている。
すると、ハロゲン化セシウムｌｆ晶ファイバーは可撓性
において優れており、又、可視光域でも透過率が高いの
でガイド光と００２レーザー光を同一ファイバーで伝送
できるなどの利便性を備えている。
又、多結晶ファイバーでは粒界による散乱損失の問題が
あり、嘔結晶ファイバーの方が今後低損失化が進展する
可能性が大きいと考オ、ら”れている。
あり、嘔結晶ファイバーの方が今後低損失化が進展する
可能性が大きいと考オ、ら”れている。
単結晶ファイバーの製造方法の代表例として、るつは状
物品の底部に結晶融液流出用の細管を設け。
物品の底部に結晶融液流出用の細管を設け。
細管から流出する融液ｆ：種結晶で受け、該種結晶を徐
々に引き下げることにより単結晶を下方向に成長させる
方法がある。この方法は、結晶融液の流出量を流出用細
管の径と長さで調節し細管の末端すなわちオリスイスの
直下付近が該結晶の融点であるような温度勾配にするこ
とで単結晶ファイバーを製造する。すなわち、オリフィ
スから連続に流出する融液を種子結晶で受け、適当な温
度勾配のもとて種子結晶を徐々に引き下げながら単結晶
ファイバーを下方に成長させるものである。
々に引き下げることにより単結晶を下方向に成長させる
方法がある。この方法は、結晶融液の流出量を流出用細
管の径と長さで調節し細管の末端すなわちオリスイスの
直下付近が該結晶の融点であるような温度勾配にするこ
とで単結晶ファイバーを製造する。すなわち、オリフィ
スから連続に流出する融液を種子結晶で受け、適当な温
度勾配のもとて種子結晶を徐々に引き下げながら単結晶
ファイバーを下方に成長させるものである。
この際に、融液とファイバーとの液・固界面（以下メニ
スカスと称す）が平担であるか、又は上に凸でちるよう
に温度勾配を６Ｍ１節することが重要で。
スカスと称す）が平担であるか、又は上に凸でちるよう
に温度勾配を６Ｍ１節することが重要で。
下に凸であるとファイバーの伝送損失が高くなる。
一
ファイバーの伝送損失は８０４ 、ＣＯａ などの不純
物吸収によるものと、ファイバ形状又は結晶の不完全性
による散乱に大別されるが、上述したメニス、μスの形
状は散乱損失へ影響すると考えられている。
物吸収によるものと、ファイバ形状又は結晶の不完全性
による散乱に大別されるが、上述したメニス、μスの形
状は散乱損失へ影響すると考えられている。
メニスカスの形状制御は、従来オリフィス付近の温度、
結晶成長速度、すなわち引きｆげ速度及び加熱された雰
囲気ガス供給によるメニスカス周囲温度調節などにより
行なわれてきた。
結晶成長速度、すなわち引きｆげ速度及び加熱された雰
囲気ガス供給によるメニスカス周囲温度調節などにより
行なわれてきた。
【７かしながら、従来方法だけではメニスカス制御が困
難である場合が多く、安定して低損失なファイバーが製
造で舞ないのが実状であった。
難である場合が多く、安定して低損失なファイバーが製
造で舞ないのが実状であった。
従来、単結晶ファイバーが多結晶ファイバーに比べて製
造が困難で、量産性に劣るとされている原因のひとつは
このようなメニスカス制御の困難性によるものであった
。というのは、メニスカスは融液流出量（（よっても変
化し、一定の温度勾配と引き下げ速度の千件下で、流出
量が大の時ファイバー径が太くなるだけでなく、メニス
カスが下に凸になり逆に流出量が小の時は、上に凸にな
る傾向がある。
造が困難で、量産性に劣るとされている原因のひとつは
このようなメニスカス制御の困難性によるものであった
。というのは、メニスカスは融液流出量（（よっても変
化し、一定の温度勾配と引き下げ速度の千件下で、流出
量が大の時ファイバー径が太くなるだけでなく、メニス
カスが下に凸になり逆に流出量が小の時は、上に凸にな
る傾向がある。
所望のファイバー径を得るためには流出量を各々調節す
るのであるが、従来の方法だけでは、上述した平坦もし
くけ上に凸のメニスカスはある限られた流出量範囲でし
か得られないという欠点を有していた。又、引き下げ速
度を速くすると、それにつれてメニスカスが下に凸にな
りやすくなり。
るのであるが、従来の方法だけでは、上述した平坦もし
くけ上に凸のメニスカスはある限られた流出量範囲でし
か得られないという欠点を有していた。又、引き下げ速
度を速くすると、それにつれてメニスカスが下に凸にな
りやすくなり。
所望のメニスカス維持するためには製造に長時間を要す
のが通例であった。
のが通例であった。
本発明は前記したファイバー製造上の欠点を解消するた
めになされたものであり、新規な構造を有し、所望のメ
ニスカスが実現できる流出量限定範囲を大幅に拡大し、
かつ引き上げ速度を高め５−を産性が向上した単結晶フ
ァイバー製造装置を提供することを目的とする。
めになされたものであり、新規な構造を有し、所望のメ
ニスカスが実現できる流出量限定範囲を大幅に拡大し、
かつ引き上げ速度を高め５−を産性が向上した単結晶フ
ァイバー製造装置を提供することを目的とする。
本発明者らは、前述した点に鑑みて、鋭意研究を重ねた
結果、単結晶用ファイバーの周辺部に設けられた移動可
能な補助ヒーター及び水冷管と。
結果、単結晶用ファイバーの周辺部に設けられた移動可
能な補助ヒーター及び水冷管と。
前記単結晶ファイバー〇液面界面の監視手段と、前記監
視手段による液面界面状態に基づき補助ヒーター及び冷
却管の少なくとも一種を調整する制御手段とを具備した
単結晶ファイバーの制令装置を用いる事により本発明の
目的を達成できることを見い出し２本発明を完成させる
に至った。
視手段による液面界面状態に基づき補助ヒーター及び冷
却管の少なくとも一種を調整する制御手段とを具備した
単結晶ファイバーの制令装置を用いる事により本発明の
目的を達成できることを見い出し２本発明を完成させる
に至った。
すなわち、結晶融液が流出するオリフィス付近に上記の
補助ヒーターと水冷−Ｔｆヲ配所し、流出ｔ。
補助ヒーターと水冷−Ｔｆヲ配所し、流出ｔ。
引き下げ速度などの製造条件の変化に応じ、各々のｘ、
ｙ、Ｚ方向の位ｔｄｔ調整および補助ヒーター負荷電力
の調節し、所望のメニスカスを実現することを特徴とす
るものでちる。
ｙ、Ｚ方向の位ｔｄｔ調整および補助ヒーター負荷電力
の調節し、所望のメニスカスを実現することを特徴とす
るものでちる。
以下、本発明を更に鮮明に説明する。
単結晶ファイバー製造におけるメニスカス周囲の模式図
を第１図に示す。
を第１図に示す。
第１図で！、られる如く、結晶内部におけるＺ方向の温
度はオリアイス部分（１）では結晶翔点よりも温度が高
く、オリフィス直下に結晶融点があり、それより下方で
は次第に温度が低くなっている。
度はオリアイス部分（１）では結晶翔点よりも温度が高
く、オリフィス直下に結晶融点があり、それより下方で
は次第に温度が低くなっている。
メニスカス部における半径方向（外向前）の熱流をＱＡ
とするとＱＡ） ｌ （ＴＲｌでは第２図（ｈ）に示す
如くメニスカスは妬ぼ平坦になる。この条件が成立せず
Ｑｌｌ、’）０なら第２図［Ｃ）の如くメニスカスは下
に凸１、ＱＲ〈０なら第２図（ａｌの如くメニスカスは
中に凸になる。ＱＡとＱＰそ［７てメニスカスとの関係
を第２図に示す。
とするとＱＡ） ｌ （ＴＲｌでは第２図（ｈ）に示す
如くメニスカスは妬ぼ平坦になる。この条件が成立せず
Ｑｌｌ、’）０なら第２図［Ｃ）の如くメニスカスは下
に凸１、ＱＲ〈０なら第２図（ａｌの如くメニスカスは
中に凸になる。ＱＡとＱＰそ［７てメニスカスとの関係
を第２図に示す。
メニスカス形状すなわちＴｌと１２との関係は前述の如
く、融液流量、引き下げ速度によっても変化するので、
それらの製造条件に応じた温度勾配にする必要がある。
く、融液流量、引き下げ速度によっても変化するので、
それらの製造条件に応じた温度勾配にする必要がある。
第３図に本発明による軽造侍噴の模式断面図を示す。オ
リフィス（１）の開開にＸ、Ｙ、Ｚ方向可変の補助ヒー
ターｆ５） ’ｅ設習し、メニスカス（３）の下部には
、ｘ、ｙ、ｚ方向可変の水冷管＋６１ ｅ 殴ＩＮし、
各々の相対位置関係をｖ８整することにより製造条件に
応じて温度勾配を調節しｔ ＱＡＱ凡の関係を調節し、
平坦もしくは上に凸のメニスカス（３）を得ることがで
外るものである。このと告、図示した補ｎ６ヒーター（
５）下端とオリフィス（１）との距離Ｚｔ、メニスカス
（３）と水冷管（６）上端との距離Ｚ２．そして補助ヒ
ータ（５）と水冷管上端（６）との距離Ｚ３が重要であ
るが、Ｚｌは０〜１０ｍ、Ｚａは１〜４０■の範囲にす
ることが望ましい。
リフィス（１）の開開にＸ、Ｙ、Ｚ方向可変の補助ヒー
ターｆ５） ’ｅ設習し、メニスカス（３）の下部には
、ｘ、ｙ、ｚ方向可変の水冷管＋６１ ｅ 殴ＩＮし、
各々の相対位置関係をｖ８整することにより製造条件に
応じて温度勾配を調節しｔ ＱＡＱ凡の関係を調節し、
平坦もしくは上に凸のメニスカス（３）を得ることがで
外るものである。このと告、図示した補ｎ６ヒーター（
５）下端とオリフィス（１）との距離Ｚｔ、メニスカス
（３）と水冷管（６）上端との距離Ｚ２．そして補助ヒ
ータ（５）と水冷管上端（６）との距離Ｚ３が重要であ
るが、Ｚｌは０〜１０ｍ、Ｚａは１〜４０■の範囲にす
ることが望ましい。
又、真直々ファイバーを得るためには、オリフィス（１
）と補助ヒータ（５）そして水冷ｗ（６）の中心軸が一
数している必豊かあるが、本発明によれば、容易に調整
で★、製造途中の軸ずれ発生に対しても直ちに調整する
ことが可能である。
）と補助ヒータ（５）そして水冷ｗ（６）の中心軸が一
数している必豊かあるが、本発明によれば、容易に調整
で★、製造途中の軸ずれ発生に対しても直ちに調整する
ことが可能である。
以下実施例により四に詳細に説明する。
実施例１
石英ガラスから宍る底部に流出用細管を有するルツボ状
物品内にＣｓＢｒ ２０Ｆを入れ、タングステンヒータ
を甲いた抵抗加熱部内で融膚した。
物品内にＣｓＢｒ ２０Ｆを入れ、タングステンヒータ
を甲いた抵抗加熱部内で融膚した。
この時、炉内ガス雰囲気けＨ２ＳＯ，Ｎ２２０ＶＯＩ俤
であり、流量は２００ ｍ１１５＋である。
であり、流量は２００ ｍ１１５＋である。
融解され細管内を通過した結晶はオリフィス付近に達し
、冷えて固化する。
、冷えて固化する。
直径０．４ｍのタングステン綱を、直径４ｍのコイル状
に５回巻いた補助ヒーターを、 Ｚｌが２目の位置にセ
ットし、６．２Ａの電離を通じて加熱すると、オリフィ
スで固化していた結晶は再び融解され、オリフィスより
練出し始める。
に５回巻いた補助ヒーターを、 Ｚｌが２目の位置にセ
ットし、６．２Ａの電離を通じて加熱すると、オリフィ
スで固化していた結晶は再び融解され、オリフィスより
練出し始める。
これを１司じ（ＣｓＢｒから成る種結晶で受け、これを
徐々に引き下げた。メニスカスの形状をモニター用テレ
ビ等の監視手段で崎察しながら、平坦なメニスカスにな
るべく上述のＺｌ〜Ｚ３を調節した。
徐々に引き下げた。メニスカスの形状をモニター用テレ
ビ等の監視手段で崎察しながら、平坦なメニスカスにな
るべく上述のＺｌ〜Ｚ３を調節した。
引責下げ速度が４．５■／分のときファイバ径は１．３
９ｍ＋でありＺｌ、Ｚ２．Ｚａを各々２，６，９．５ｍ
にすると平坦なメニスカスが得られた。
９ｍ＋でありＺｌ、Ｚ２．Ｚａを各々２，６，９．５ｍ
にすると平坦なメニスカスが得られた。
次に引き上げ速度のみｆ６ＩＩＩＩＩ／分まで高くする
とファイバ径は１．２１■となり、メニスカスは下に凸
になったが、 Ｚｌ、Ｚ２．Ｚａを２ 、４ 、６．５
ｍにすることにより平坦なメニスカスと成った。
とファイバ径は１．２１■となり、メニスカスは下に凸
になったが、 Ｚｌ、Ｚ２．Ｚａを２ 、４ 、６．５
ｍにすることにより平坦なメニスカスと成った。
このようにして得られたファイバーを、端面研摩した後
、ＣＯ２レーザーを入射して伝送損失を測定したところ
、４．５ｍ、６ｍ／分で引き下げた場合、！ｌｒ々０．
３１ 、 ＋１．３２ｄ Ｈ７ｍとなり、有 差はなか
った。なお、炉内′揶明プに水素を用いたのはタングス
テンヒータの劣化を防ぐためである。
、ＣＯ２レーザーを入射して伝送損失を測定したところ
、４．５ｍ、６ｍ／分で引き下げた場合、！ｌｒ々０．
３１ 、 ＋１．３２ｄ Ｈ７ｍとなり、有 差はなか
った。なお、炉内′揶明プに水素を用いたのはタングス
テンヒータの劣化を防ぐためである。
実施例２
白金からなる底部に線用用細管を有するルツボ状物品内
にＣ５Ｒｒ ２０ｔｋ入れ白金ラムヒーターを用いた抵
抗加熱炉内で融解した。炉内了団頷けＡ「とし、２００
ｍ／７’分の流量とした。
にＣ５Ｒｒ ２０ｔｋ入れ白金ラムヒーターを用いた抵
抗加熱炉内で融解した。炉内了団頷けＡ「とし、２００
ｍ／７’分の流量とした。
補助ヒータは直径０５鴎の白金線を直径４酎のコイ状に
５回巻いたものである。
５回巻いたものである。
実施例−と同様ファイバーのｉ９ ｉ′Ａｔを行なった
ところ、引き下げ速度が、５．８ｍでファイバ径は２６
咽のとき、平坦なメニスカスはＺｌ 、Ｚ２ 、Ｚａが
それぞれ。
ところ、引き下げ速度が、５．８ｍでファイバ径は２６
咽のとき、平坦なメニスカスはＺｌ 、Ｚ２ 、Ｚａが
それぞれ。
３ 、３ 、８８Ｍのときに得られた。この時補助ヒー
ターと流出１月罰管の１１４にはＩα径３職の石英管を
置き絶縁用とした。
ターと流出１月罰管の１１４にはＩα径３職の石英管を
置き絶縁用とした。
この）丁イバーのＣ０２レーザ光伝送損失は０２９ｄＢ
／ｍであった。
／ｍであった。
実施例ではるつぼ状物および、細管材質に石英ガラスそ
して白金を用いた一ｈｓ、 これらの材′貞によりメニ
スカスも影響Ａれることが判明した。というのは白金を
用いた場合の方が、メニスカスが平坦から上に凸になり
やすいようである。
して白金を用いた一ｈｓ、 これらの材′貞によりメニ
スカスも影響Ａれることが判明した。というのは白金を
用いた場合の方が、メニスカスが平坦から上に凸になり
やすいようである。
この現豐は現在まだよく解明されていないが。
恐らくは両材質の熱伝導率の差に起因するものと考えら
れる。
れる。
本発明に係る単結晶ファイバーの製造装置によれば、Ｘ
、ｙ、ｚ可変の補助ヒーターと、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向可変の
水冷管とのメニスカスに対する相互位置関係を調整する
ことにより、メニスカス形状全容易に調節することが可
能である。従来のメニカス制御が単にオリフィス温度、
引合下げ速”ｆｔ 加熱された雰囲気ガスのメニスカス
部分への供給量で行なっていたのに比べ、はるかにメニ
スカス形状制御が容易となり、適正流出量の範囲を大幅
に拡大でキ、シかも引き上げの高速ＩＷ化にも対応でき
多結晶ファイバーに比べて欠供とされていたｔ ｉ＞Ｊ
性も改善できるものでネ）る。
、ｙ、ｚ可変の補助ヒーターと、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向可変の
水冷管とのメニスカスに対する相互位置関係を調整する
ことにより、メニスカス形状全容易に調節することが可
能である。従来のメニカス制御が単にオリフィス温度、
引合下げ速”ｆｔ 加熱された雰囲気ガスのメニスカス
部分への供給量で行なっていたのに比べ、はるかにメニ
スカス形状制御が容易となり、適正流出量の範囲を大幅
に拡大でキ、シかも引き上げの高速ＩＷ化にも対応でき
多結晶ファイバーに比べて欠供とされていたｔ ｉ＞Ｊ
性も改善できるものでネ）る。
又、前記実施例にかいて、るつは状物品そして流出用Ｉ
Ｂ管材質に石英ガラスと白金、ヒーター材質にはタング
ステンと白金ロジウム％雰囲気ガスとしてＨ２，Ｎ２．
Ａｒを使用したが、本発明の要旨はこれら材質とは関係
なく、その他の材質雰囲気ガスを用いてもよい。
Ｂ管材質に石英ガラスと白金、ヒーター材質にはタング
ステンと白金ロジウム％雰囲気ガスとしてＨ２，Ｎ２．
Ａｒを使用したが、本発明の要旨はこれら材質とは関係
なく、その他の材質雰囲気ガスを用いてもよい。
その他１本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。
して実施することができる。
第１図は単結晶ファイバー製造の模式図である。
第２図≠→佃社メニスカス形状の関係を表わす。
第３図は本発明に係る単結晶ファイノ（−の製造装置例
を示すの模式図である。 １・・・オリフィス ２・・・結晶融液 ３・・液面界面（メニスカス） ４・・・ファイバー ５・・・補助ヒーター ６・・・水冷管 代理人 弁理士 則近憲佑（他１名） 第 １ 図 １戻− 第２図 （ｌ：Ｌ）（ム） （Ｃ） 第ａ図
を示すの模式図である。 １・・・オリフィス ２・・・結晶融液 ３・・液面界面（メニスカス） ４・・・ファイバー ５・・・補助ヒーター ６・・・水冷管 代理人 弁理士 則近憲佑（他１名） 第 １ 図 １戻− 第２図 （ｌ：Ｌ）（ム） （Ｃ） 第ａ図
Claims (1)
- 単結晶用ファイバーの周辺部に設けられた移動可能な補
助ヒーター及び水冷管と、前記単結晶ファイバー〇液固
界面の監視手段と、前記監視手段による液面界面状態に
基づき補助ヒーター及び冷却管の少なくとも一種を調整
する制御手段とを具備した事を特許とする単結晶ファイ
バーの製造装ｆｌつ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223328A JPS60118688A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 単結晶ファイバ−の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223328A JPS60118688A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 単結晶ファイバ−の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60118688A true JPS60118688A (ja) | 1985-06-26 |
Family
ID=16796427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58223328A Pending JPS60118688A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 単結晶ファイバ−の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60118688A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61291487A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶フアイバの製造方法 |
| EP1160359A1 (en) * | 2000-05-17 | 2001-12-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Process and appparatus for producing an oxide single crystal |
-
1983
- 1983-11-29 JP JP58223328A patent/JPS60118688A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61291487A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶フアイバの製造方法 |
| EP1160359A1 (en) * | 2000-05-17 | 2001-12-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Process and appparatus for producing an oxide single crystal |
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