JPS60116339A - アレイ型超音波探触子の製造方法 - Google Patents

アレイ型超音波探触子の製造方法

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JPS60116339A
JPS60116339A JP22486483A JP22486483A JPS60116339A JP S60116339 A JPS60116339 A JP S60116339A JP 22486483 A JP22486483 A JP 22486483A JP 22486483 A JP22486483 A JP 22486483A JP S60116339 A JPS60116339 A JP S60116339A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は、各素子間のクロストークを低減化し、かつ製
造が容易となるアレイ型超音波探触子およびその製造方
法に関する。
[発明の技術的背景とその問題点] 近年、超音波診断法は、広く医学分野で使用される様に
なってきた。例えば体表面から、超音波パルスを体内に
発射し、生体内の音響的な情報を診断の要に供する診断
法が提案されている。この様な超音波診断装置はX線装
置に比べ、生体軟組織像を造影剤を用いることなしに、
容易に造影できる点、放射線障害がなく、取扱いが容易
である点、近年の超音波造影技術の進歩により、以前よ
り画質が向上した点などが見直され、医学分野における
臨床診断装置として一般化してきている。
しかし、これら従来の超音波診断装置は、殆んと生体表
面から超音波パルスを送受波する装置であるので、体表
面から深い位置の臓器の診断がむずかしく、且つ分解能
の優れた高い周波数の超音波診断ができないこと、骨、
気体の存在によって診断できない部位があること、個人
差の大きな皮下脂肪の影響をうけることなどの欠点があ
り、体腔内からの超音波診断が必要となり、体腔内に挿
入可能となる管状容器内に超音波を送受波する超音波探
触子を収容した体腔内超音波診断装置が製品化される様
になった。
体腔外から体表面に当接させて上記超音波を送受波する
超音波探触子は、それ程小型化の必要がないが、食道等
を通して体腔内に挿入して使用する場合には小型のもの
が要求される。
第1図乃至第3図は従来例に係り、第1図は超音波ビー
ムを走査する方向から見たアレイ型超音波探触子の構造
を示す断面図、第2図は第1図の側面拡大断面図、第3
図は第2図をさらに拡大した断面図である。
即ち、従来例のアレイ型超音波探触子1は、板状の厚み
方向に分極可能とされるPZT等の圧電素子板を板の垂
直方向から細い幅で薄く切断し、隣接するものとわずか
に離間するよう平行に整列したアレイ型の圧電素子2.
・・・、2が形成されている。各圧電素子2の厚み方向
の両面には銀等を蒸着等して電極3a、3bが形成され
ており、超音波が送受波される側の一方の電極38面は
アース側電極とされ、板状で導電性のフレキシブル基板
4で各電極3aが導通保持され、さらにフレキシブル基
板4の上に各圧電素子2と同形状で細長5− に形成された第1及び第2の音響的整合層5及び6を貼
着する等して積層状に形成されている。
前記第2の整合1i6の上面には各圧電素子2の長手方
向の中央が凸となる音響レンズ7が形成されている。
一方、前記各圧電素子2の正極側電極3b面は、絶縁性
部材、例えば結晶化ガラス等を用いた絶縁層8を介装し
てダンピング部(層)9に固着されて各超音波振動子エ
レメントが形成されている。
前記正極側電極3bはフレキシブルリード10bによっ
て長手方向の両側からダンピング部9の裏面側に引き出
され、又、アース側電極3aもフレキシブルリード10
aで、裏面側に引き出されている。
前記絶縁層8の両側のすき間には、エポキシ系等の接着
剤11を用いて絶縁層8をダンピング層9に固着しであ
る。
前記第1及び第2の整合層5及び6は、音響レンズ7の
前面(上面)が当接される体腔内壁等に圧電素子2から
送波(及び受波)される超音波を6− (反射を少くして)能率良く体腔内壁側に伝達できるよ
うに、圧電素子2と体腔内壁との音響インピーダンスの
中間の値に設定され、2層の整合層5.6にすることに
よってより円滑に整合できるようにしである。
前記ダンピング層9は、各圧電素子2が両電極3a、3
t+に印加された高周波パルスによって励振して超音波
を送出する際、裏面側に送出された超音波を速やかにダ
ンピングさせて、ダンピング層9の裏面で反射されたも
のが受波されて分解能を悪化するのを防止するためのも
のである。このダンピング層9は、体腔外での使用にお
いてはその厚みを大きくして充分な減衰機能を有するよ
うにできるが、体腔内で使用する場合には最も嵩ばる部
材となるので厚みの少いものが要求される。
この場合、ダンピング層9の材質として、タングステン
粉末をエポキシ、シリコーン、塩化ビニル樹脂等に該タ
ングステン粉末の分散量を重患比で95%前後となるよ
うに分散したものを用いることによりほぼ満足できる減
衰量を実現できるようにしである。
又、前記ダンピング層9は結晶化ガラスの音響インピー
ダンス(約14X166kgm ’ 5ec−1程度)
になるよう調整されていて絶縁1l18とダンピング層
9との界面における反射がないようにしである。このよ
うにすることによって絶縁層8の厚みを精度良く特定の
厚み(波長の1/4の整数倍)にする必要がなくなり、
探触子が組立て易くなっている。
前記材質のダンピング層9の場合には、その電気抵抗が
低いので、人体に対する安全対策上、超音波送受面側が
アース電位側となり、ダンピング層9側が正極側に設定
されるので、ダンピング層9が直接正極側に接触すると
、該ダンピング層9を形成する部材の低い抵抗(インピ
ーダンス)によってアレイ状に分割された各超音波振動
子エレメントが導通してしまう不都合が生じるため、前
記絶縁層8によって絶縁している。
又各超音波振動子は、各エレメント間のクロストークを
防ぐために、隣接する各エレメント間には空隙部がそれ
ぞれ形成されており、この場合圧電素子2.2間のみに
空隙部12を設ける場合よりも、第1及び第2の整合層
5.6を含めた3層にわたって空隙部12を形成するこ
とによって、より確実にクロストークを防止できるよう
にしである。
ところで、前記構造からなるアレイ型超音波探触子1の
空隙部12は第1.第2整合層5.6と圧電素子とを一
体化してダイヤモンドカッタ等で絶縁層8の一部にまで
切り込むようにして製造される。この場合、圧電素子2
の底部側(正極側電極3b側)の固定が十分でないと切
り込みに不都合を来たすことがあり、あまりフレキシブ
ルな面に圧電素子2の底部を固着することは好ましくな
い。この点結晶化ガラスは切り込み加工性が良く、しか
もフレキシブルでないので、底部の固着性が良くなり、
切り込み時の不都合を防止することができる。
しかしながら、前記空隙部12を製造する場合、該空隙
部12の幅が十分大きいときには問題はな9− いが、高周波セクター用アレイ探触子のような場合には
、素子間のピッチを極めて小さくすることが要求されて
いる。このことは、アレイを構成する素子幅も小さくす
ることが要求されることとなり、その結果一つの素子が
超音波を送受する面積が小さくなることを意味する。前
記送受する面積が小さくなることは、感度が小さくなる
ことに対応するため、素子間のピッチが小さくなっても
、送受する面積はできるだけ太き(保つことが必要とな
る。従って、空隙部12を狭くすればよいが、カッタの
刃(ブレード)の強度の関係から十分深く切り込むこと
ができない。
例えば、5MHzの超音波探触子としては、圧電素子の
厚さ−0,38mm、第1音響的整合層の厚さ=0.2
8mm、第2音響的整合層の厚さ=0゜14mm、フレ
キシブル基板の厚さ−0,05mm。
絶縁層の切り込み深さ=0.1mmとなり合計0゜95
mmとなる。ところが、通常刃厚と、切り込み深さの関
係は、刃厚が薄くなると切り込み深さは浅くしなければ
ならず、例えば刃厚が50JJIlの場10− 合においてPZTセラミックときには、1n+m以下の
深さまで切り込むことができるが、30JJIIlでは
Q、 7mm、 20JJIIlでは0.5mm程度と
なる。従ッて、30周あるいは20燭の刃厚のカッタを
用いても、前記総厚み0.95mmを切り込むことがで
きない。
[発明の目的] 本発明は上述した点に鑑みてなされたもので、アレイを
構成する各素子間のクロストークを低減でき、高感度で
かつ簡単で安価に製造できるアレイ型超音波探触子およ
びその製造方法を提供することを目的とする。さらに他
の目的は、前記探触子について機械的強度を増大し、耐
湿性を向上することができることである。
[発明の概要] 上記目的を達成するために本発明は、アレイ型超音波探
触子を、圧電素子の超音波を送受波する一方の面に、音
響的整合層がそれぞれ形成され、他方の面に絶縁層を介
してダンピング部が形成された構造を有する各超音波振
動子エレメントにおける隣接するエレメント間に空隙部
を設けて形成したアレイ型超音波探触子において、前記
圧電素子の空隙部が形成された方向の幅を厚み方向の中
途位置から変更し、広い空隙部および狭い空隙部を形成
するように構成している。又、前記アレイ型超音波探触
子の製造方法を、台座上に平板状の圧電素子板を固着し
、この圧電素子板にフレキシブル基板および絶縁層を接
着剤で加圧し接着する加圧接着工程と、前記加圧接着工
程後に数条の切り込み溝を形成する第1切り込み工程と
、前記第1切り込み工程後に、前記切り込み溝を形成し
た側にダンピング層を接着し、かつ前記圧電素子板、フ
レキシブル基板、絶縁層およびダンピング層の層状接着
体を前記台座より外し圧電素子板側に音響的整合層を接
着する接着工程と、前記接着工程後音響的整合層側から
前記第1切り込み工程の溝と重なるよう調整して切り込
み溝を圧電素子板の中途まで形成する第2切り込み工程
とから構成している。さらに前記アレイ型超音波探触子
の絶縁層側の空隙部に接着剤を充填し固着するよう構成
している。
[発明の実施例] 以下、図面を参照して本発明を具体的に説明する。
第4図及び第5図は本発明の第一実施例のアレイ型超音
波探触子に係り、第4図は超音波ビームを走査する方向
と直角方向から見たアレイ型超音波探触子の構造を示す
断面図、第5図は第4図の部分拡大した断面図である。
第一実施例に係るアレイ型超音波探触子21は、前記従
来例と同様の圧電素子22、電極23a。
23b1フレキシブル基板24、第1及び第2の音響的
整合層25及び26、音響レンズ27、絶縁層28、ダ
ンピング部29等から形成されており、詳細な説明は省
略する。
又、各超音波振動子、各エレメント間のクロストークを
防ぐために、隣接する各エレメント間には空隙部がそれ
ぞれ形成されている。この空隙部は、第1.第2音響的
整合層25.26及び圧電素子22の中途まで多少広い
空隙部32と、この13− 空隙部32に連設して絶縁層28まで前記空隙部32よ
り狭い空隙部33とから構成されている。
即ち、圧電素子22の厚さ方向の途中において幅が段階
状に形成されており、広い空隙部32は、例えば幅30
埠程度で深く、狭い空隙部33は、例えば20JJII
l程度で浅くなっている。
このように構成されたアレイ型超音波探触子21では、
前記隣接する圧電素子22.22間が、整合層25.2
6も含めて空隙部32.33で分離されているため、ク
ロストークが十分防止されている。
次に、前記第一実施例に係るアレイ型超音波探触子の製
造方法について説明する。第6図(a)。
(t+)、(c)、(d)、(e)は第一実施例に係る
アレイ型超音波探触子の製造方法を示す説明図である。
まず第6図(a)に示すように、台座41の上にワック
ス等で所定厚さの平板状の圧電素子板42を固着し、こ
の圧電素子板42にフレキシブル基板43および絶縁層
44をこの順にエポキシ等14− の接着剤を用いてプレス装置45で加圧し接着する加圧
接着工程を行う。次に前記加圧接着工程で十分接着し硬
化された後に、第6図(b )に示すように刃厚が20
JJlllのカッタ46を用いて規定の数だけ切り込み
溝を形成する第1切り込み工程を行う。この第1切り込
み工程は圧電素子板42、フレキシブル基板43、絶縁
層44を20.Lllnの刃厚で十分に切り込んで溝を
形成することができる。
次に前記第1切り込み工程後に、第6図(C)に示すよ
うに切り込んだ上にエポキシ等の接着剤を用いてダンピ
ング層47を接着し、そして、その後第6図(d )に
示すように前記圧電素子板42、フレキシブル基板43
、絶縁層44、及びダンピング層47の層状の接着体を
台座41から取り外し、圧電素子板42側を上にして、
該圧電素子板42面に第1及び第2音響的整合層48.
49を接着する接着工程を行う。次に前記接着工程後に
、第6図(e)に示すように刃厚が30埠のカッタ50
を用いて、前記第1切り込み工程の溝と重なるように調
整して切り込み溝を形成する第2切り込み工程を行う。
この第2切り込み工程は、第1及び第2音管整合層48
.49側から圧電素子板42の中途の深さまで切り込ん
で溝が形成される。
以上の様な工程を経た後音響レンズを接着して第一実施
例のアレイ型超音波探触子21が製造される。
このように構成されたアレイ型超音波探触子の製造方法
によれば、第1切り込み工程で狭い空隙部33を、又第
2切り込み工程で広い空隙部32をそれぞれカッタの刃
厚に対して強度上無理を与えることなく実現することが
できる。従って、空隙部を十分狭くしてクロストークを
低減でき、高感度なアレイ型超音波探触子21を簡単に
製造することができる。
第7図は本発明の第二実施例のアレイ型超音波探触子に
係り、超音波ご−ムを走査する方向と直角方向から見た
アレイ型超音波探触子の構造を示す拡大断面図である。
尚、第一実施例と同一の部分及び部材は同一の符号を記
す。
この実施例のアレイ型超音波探触子51は、前記第一実
施例と同様に形成された狭い空隙部33にエポキシ等の
接着剤52が充填され固着されている。この接着剤52
は各素子をダンピング層29に強く固着するとともに隣
の素子同志も固着されている。
このように構成されたアレイ型超音波探触子51によれ
ば、接着剤52が充填され固着されているために素子の
倒れがおこりにくくなる。圧電素子22の音響インピー
ダンスが33X10’kam’ 5ea−’程度である
のに対し接着剤52の音響インピーダンスは約4 x 
106kgm ’ 5ea−’程度なので、はとんど超
音波は界面で反射され、又樹脂の充填されている部分の
面積も小さいのでアイソレーションにはほとんど影響を
及ぼさない。さらに樹脂の充填が圧電素子22の正極側
の少し上まで施すようにすれば、該電極の耐湿性を向上
させてマイグレーションを防止できる。
尚、前記実施例では、空at部を溝幅が狭いものと広い
ものとの2種としているが、さらに段階的に形成するよ
うにしてもよく、音響的整合層側あ17− るいは絶縁層側のいずれを狭くあるいは広く形成しても
よ(1oこのようにすることによりカッタの刃厚を厚い
ものから順次薄いものにすること等ができる。この場合
製造方法は第1あるいは第2切り込み工程のいずれであ
ってもよい。
又、前記実施例では、整合層が2層としであるが、本発
明は2層の場合はもとより3層以上の場合及び1層の場
合も含むものである。さらに、組成物の割合を連続的に
可変して整合層の音響インピーダンスを連続的に可変し
たものについても本発明に属するものである。
尚、前記実施例ではカッタを単一の厚さを持ったものと
しているが、広い刃厚と狭い刃厚の複合したカッタによ
れば第1切り込み工程を省略することもできる。
[発明の効果] 以上述べたように本発明によれば、アレイ状に配列され
た各超音波振動子エレメントを分離する空隙部を広い空
隙部と狭い空隙部とで形成しているために、カッタの刃
厚を薄くして、かつ強度上18− 無理を与えることなく製造でき、各素子間のクロストー
クを低減でき高感度にすることができる。
又、空隙部内の一部に接着剤を充填し固着するようにす
れば機械的強度が増大し、耐湿性を向上させることがで
きる効果をあげることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は従来例に係り、第1図は超音波ビー
ムを走査する方向から見たアレイ型超音波探触子の構造
を示す断面図、第2図は第1図の側面拡大断面図、第3
図は第2図をさらに拡大した断面図、第4図及び第5図
は本発明の第一実施例のアレイ型超音波探触子に係り、
第4図は超音波ビームを走査する方向と直角方向から見
たアレイ型超音波探触子の構造を示す断面図、第5図は
第4図の部分拡大した断面図、第6図(a)。 (b)、(c)、(d)、(e)は第一実施例に係るア
レイ型超音波探触子の製造方法を示す説明図、第7図は
本発明の第二実施例のアレイ型超音波探触子に係り、超
音波ビームを走査する方向と直角方向から見たアレイ型
超音波探触子の構造を示す拡大断面図である。 21.51・・・アレイ型超音波探触子22・・・圧電
素子 24・・・フレキシブル基板 25.26・・・音響的整合層 28・・・絶縁層29
・・・ダンピング部 32.33・・・空隙部 41・・・台座42・・・圧
電素子板 43・・・フレキシブル基板 44・・・絶縁層47・
・・ダンピング層

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)圧電素子の超音波を送受波する一方の面に、音響
    的整合層がそれぞれ形成され、他方の面に絶縁層を介し
    てダンピング部が形成された構造を有する各超音波振動
    子エレメントにおける隣接するエレメント間に空隙部を
    設けて形成したアレイ型超音波探触子において、前記圧
    電素子の空隙部が形成された方向の幅を厚み方向の中途
    位置から変更し、広い空隙部および狭い空隙部を形成し
    たことを特徴とするアレイ型超音波探触子。
  2. (2)空隙部は、絶縁層側を均一な溝幅からなる狭い空
    隙部とし、音響的整合層側を均一な溝幅からなる広い空
    隙部としたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    のアレイ型超音波探触子。
  3. (3)圧電素子の超音波を送受波する一方の面に、音響
    的整合層がそれぞれ形成され、他方の面に絶縁層を介し
    てダンピング部が形成された構造を有する各超音波振動
    子エレメントにおける隣接するエレメント間に空隙部を
    設けて形成したアレイ型超音波探触子の製造方法におい
    て、台座上に平板状の圧電素子板を固着し、この圧電素
    子板にフレキシブル基板および絶縁層を接着剤で加圧し
    接着する加圧接着工程と、前記加圧接着工程後に数条の
    切り込み溝を形成する第1切り込み工程と、前記第1切
    り込み工程後に、前記切り込み溝を形成した側にダンピ
    ング層を接着し、かつ前記圧電素子板、フレキシブル基
    板、絶縁層およびダンピング層の層状接着体を前記台座
    より外し圧電素子板側に音響的整合層を接着する接着工
    程と、前記接着工程後音響的整合層側から前記第1切り
    込み工程の溝と重なるよう調整して切り込み溝を圧電素
    子板の中途まで形成する第2切り込み工程とからなるこ
    とを特徴とするアレイ型超音波探触子の製造方法。
  4. (4)第1切り込み工程は、第2切り込み工程より切り
    込み溝が狭いことを特徴とするアレイ型超音波探触子の
    製造方法。
  5. (5)圧電素子の超音波を送受波する一方の面に、音響
    的整合層がそれぞれ形成され、他方の面に絶縁層を介し
    てダンピング部が形成された構造を有する各超音波振動
    子エレメントにおける隣接するエレメント間に空隙部を
    設けて形成したアレイ型超音波探触子において、前記圧
    電素子の空隙部が形成された方向の幅を厚み方向の中途
    位置から変更し、広い空隙部および狭い空隙部を形成し
    、かつ前記絶縁層側の空隙部に接着剤を充填し固着した
    ことを特徴とするアレイ型超音波探触子。
  6. (6)接着剤は、絶縁層およびダンピング層を接着する
    のに用いたと同一の材料であることを特徴とするアレイ
    型超音波探触子。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6373938A (ja) * 1986-09-17 1988-04-04 富士通株式会社 超音波探触子の製造方法
JP2004503300A (ja) * 2000-06-10 2004-02-05 サイメディカ リミテッド 多孔質及び/又は多結晶質ケイ素の整形用インプラント
JP2006270725A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Toshiba Corp 超音波プローブ及び超音波診断装置
JP2007181684A (ja) * 2006-01-06 2007-07-19 General Electric Co <Ge> z軸相互接続を有するトランスデューサアセンブリ
JP2008109641A (ja) * 2006-09-26 2008-05-08 Toshiba Corp 超音波探触子及び圧電振動子
US7781938B2 (en) 2007-07-11 2010-08-24 Denso Corporation Ultrasonic sensor including a piezoelectric element

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS529990A (en) * 1975-07-14 1977-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ultrasonic probe
JPS5590196A (en) * 1978-12-27 1980-07-08 Toshiba Corp Ultrasonic probe
JPS5660199A (en) * 1979-10-11 1981-05-23 Yokogawa Hewlett Packard Ltd Electroacoustic transducer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS529990A (en) * 1975-07-14 1977-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ultrasonic probe
JPS5590196A (en) * 1978-12-27 1980-07-08 Toshiba Corp Ultrasonic probe
JPS5660199A (en) * 1979-10-11 1981-05-23 Yokogawa Hewlett Packard Ltd Electroacoustic transducer

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6373938A (ja) * 1986-09-17 1988-04-04 富士通株式会社 超音波探触子の製造方法
JP2004503300A (ja) * 2000-06-10 2004-02-05 サイメディカ リミテッド 多孔質及び/又は多結晶質ケイ素の整形用インプラント
JP2006270725A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Toshiba Corp 超音波プローブ及び超音波診断装置
JP2007181684A (ja) * 2006-01-06 2007-07-19 General Electric Co <Ge> z軸相互接続を有するトランスデューサアセンブリ
JP2008109641A (ja) * 2006-09-26 2008-05-08 Toshiba Corp 超音波探触子及び圧電振動子
US7781938B2 (en) 2007-07-11 2010-08-24 Denso Corporation Ultrasonic sensor including a piezoelectric element

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JPH0556973B2 (ja) 1993-08-20

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