JPS60105322A - Digital-analog converter - Google Patents

Digital-analog converter

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Publication number
JPS60105322A
JPS60105322A JP21302283A JP21302283A JPS60105322A JP S60105322 A JPS60105322 A JP S60105322A JP 21302283 A JP21302283 A JP 21302283A JP 21302283 A JP21302283 A JP 21302283A JP S60105322 A JPS60105322 A JP S60105322A
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JP
Japan
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terminal
bias
vcc
potential
vss
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Pending
Application number
JP21302283A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takayuki Kadaka
孝之 香高
Katsuhiko Ishida
勝彦 石田
Toshiyuki Takahashi
俊行 高橋
Takashi Ogata
尾形 隆志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Gakki Co Ltd
Original Assignee
Nippon Gakki Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Gakki Co Ltd filed Critical Nippon Gakki Co Ltd
Priority to JP21302283A priority Critical patent/JPS60105322A/en
Publication of JPS60105322A publication Critical patent/JPS60105322A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/66Digital/analogue converters
    • H03M1/74Simultaneous conversion
    • H03M1/78Simultaneous conversion using ladder network
    • H03M1/785Simultaneous conversion using ladder network using resistors, i.e. R-2R ladders

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)

Abstract

PURPOSE:To minimize the harmonic distortion factor by giving a potential of a half of the sum of two reference potentials Vcc and Vss to a reference bias terminal and a midpoint bias terminal respectively so as to attain an ideal bias state. CONSTITUTION:A bias circuit 20 providing a potential of (Vcc+Vss)/2 to the reference bias terminal 14 and the midpoint bias terminal 16 respectively as bias potentials VT and VM is provided. An analog output VOUT changes around the (Vcc+Vss)/2 so as to prevent a shift of VLSB/2. Thus, the voltage biasing the LSB side termination part of a resistor ladder network LA is nearly (Vcc+ Vss)/2.

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、R−2R形抵抗ラダー網を有するディジタ
ル−アナログ変換器に関し、バイアス条件を特定するこ
とにより高調波歪率を最小にすると共に温度特性ン改善
したものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a digital-to-analog converter having an R-2R type resistance ladder network, which minimizes harmonic distortion and improves temperature characteristics by specifying bias conditions. be.

従来、この種のディジタル−アナログ変換器としては、
第1図に示すような回路構成のものが知られている。
Conventionally, this type of digital-to-analog converter is
A circuit configuration as shown in FIG. 1 is known.

第1図の回路は、10ビツトのディジタル入力をDA変
換して電圧出力を得るためのもので、ディジタル入力の
10ビツトの信号にそれぞれ応答するアナログスイッチ
So〜S9と、これらのアナログスイッチからの信号D
O〜D9 Y入力として一すニアDA変換動作を行なう
R−2R形抵抗ラダー網LAと奢含んでいる。
The circuit shown in Figure 1 is for obtaining a voltage output by converting a 10-bit digital input from analog to analog. Signal D
It includes an R-2R type resistor ladder network LA that performs a near DA conversion operation as an O to D9 Y input.

アナログスイッチSO〜S9は、ディジタル入力に応じ
て第1の基準電位端子10の比較的低い基準電位VS8
(=″L”)又は第2の基準電位端子12の比較的高い
基準電位vcC(=″H”)を選択して抵抗ラダー網L
Aに供給するようになっている。
The analog switches SO to S9 change the relatively low reference potential VS8 of the first reference potential terminal 10 according to the digital input.
(=“L”) or the relatively high reference potential vcC (=“H”) of the second reference potential terminal 12 is selected, and the resistance ladder network L
It is designed to be supplied to A.

抵抗ラダー網LAの最下位ピッ) (LSB ) 側の
終端部には抵抗2RY介して基準ノ5イアス電位VT 
v与えるための基準ノ9イアス端子14が接続されてい
る。また、抵抗ラダー網LAの最上位ピッ) (MSB
 ) 側には、アナログ出力端子18が接続嘔れ、この
端子18には抵抗RM ’&介して中点ノ9イアス端子
16が接続されている。この端子16にL1アナログ出
力VOUTの振れの中心を定めるための中点バイアス電
位VMが与えられる。
The terminal end on the lowest pin (LSB) side of the resistor ladder network LA is connected to the reference potential VT via the resistor 2RY.
A reference terminal 14 is connected to the reference terminal 14 for supplying V. Also, the topmost pin of the resistance ladder network LA) (MSB
) side, an analog output terminal 18 is connected, and this terminal 18 is connected to the midpoint terminal 16 via a resistor RM'&. A midpoint bias potential VM for determining the center of the swing of the L1 analog output VOUT is applied to this terminal 16.

第2図は、第1図の回路の入出力特性を示すものであり
、横軸はアナログスイッチ5ob−8sから抵抗ラダー
網LAに供給されるラダー抵抗入力(Do−DO”)ン
示し、縦軸はアナログ出力VOUTを示す、、、第2図
に示すように、ラダー抵抗入力(又はディジタル入力)
はリニアにDA変換される。なお、A点はDQ−DOの
全ビットがL”の場合、8点はDO(MSB)のみL”
で他ビットがすべて′H”の場合、0点はB及びDの中
間の点、D点はDOのみがH”で他ビットがすべて1”
の場合、E点はDO−DOの全ビットがH”の場合ンそ
れぞれ示す。
Fig. 2 shows the input/output characteristics of the circuit shown in Fig. 1, where the horizontal axis shows the ladder resistance input (Do-DO'') supplied from the analog switch 5ob-8s to the resistance ladder network LA, and the vertical axis shows the input/output characteristics of the circuit shown in Fig. 1. The axis shows analog output VOUT, ladder resistance input (or digital input) as shown in Figure 2.
is linearly converted to DA. Note that at point A, if all bits of DQ-DO are low, at point 8, only the DO (MSB) is low.
If all other bits are 'H', the 0 point is the point between B and D, and at the D point, only DO is 'H' and all other bits are '1'.
In the case of , point E is shown when all bits of DO-DO are H''.

上記のような回路において、適当な電圧値を中心にして
アナログ出力を振らせたい場合には、中点バイアス電位
VM Y適宜定めてやればよい。例えば、 にすると、アナログ出力の振れの中心は大体(Vcc 
+Vss )/2 yal−中心にして振れる。
In the circuit as described above, if it is desired to swing the analog output around an appropriate voltage value, the midpoint bias potential VMY may be determined as appropriate. For example, if , the center of the analog output swing is approximately (Vcc
+Vss)/2 yal- Swings centered.

しかしながら、厳密にいうと、アナログ出力の振れの中
心は(VCC+V8B )/2とはならない。
However, strictly speaking, the center of the swing of the analog output is not (VCC+V8B)/2.

その理由は、従来の構成が第3図に示すように基準バイ
アス端子14i第1の基準電位端子10に接続するよう
になっているために、アナログ出力が、を中心に振れて
しまうからである。すなわち、第4図に示すように振れ
の中心は(vcc +VS8 ) /2よりDV=VL
8B/2だけずれることになる。なお、VL8BはDo
(LSB)のみが6L”で他ビットがすべてH”の場合
のアナログ出力電圧である。
The reason for this is that in the conventional configuration, as shown in FIG. 3, the reference bias terminal 14i is connected to the first reference potential terminal 10, so the analog output swings around . . That is, as shown in Fig. 4, the center of the deflection is (vcc +VS8) /2, so DV=VL
It will be shifted by 8B/2. In addition, VL8B is Do
This is an analog output voltage when only (LSB) is 6L" and all other bits are H".

このように振れの中心がずれた状態においてDA変換に
よりアナログ出力として正弦波出力を発生させると、第
5図に示すように高調波歪率が大きく、交流精度が悪く
なってしまう。
If a sine wave output is generated as an analog output by DA conversion in a state where the center of the deflection is shifted in this way, the harmonic distortion rate will be large as shown in FIG. 5, and the AC accuracy will be poor.

こめ場合、高調波歪率な最小にするためには、とすれば
よい。そこで、従来は、第3図に示すようにVCC及び
VSSの間に抵抗r、rQ及びr’に直列接続してなる
分圧回路を設け、抵抗rQ からなる電圧を取出し、バ
ッファBFY介して端子16に中点バイアス電位VMと
して加えていた。
In this case, in order to minimize the harmonic distortion rate, the following should be used. Therefore, conventionally, as shown in Fig. 3, a voltage divider circuit consisting of resistors r, rQ, and r' connected in series was provided between VCC and VSS, and the voltage formed by resistor rQ was taken out and passed through the buffer BFY to the terminal. 16 as a midpoint bias potential VM.

しかし、このような構成にすると、抵抗ro ’1外部
から調整する必要があって面倒であるばかりでなく、分
圧回路を構成する抵抗の温度特性が合わないためにディ
ジタル−アナログ変換器の温度特性が悪くなる欠点があ
った。
However, with such a configuration, it is not only troublesome because it is necessary to adjust the resistor ro'1 externally, but also because the temperature characteristics of the resistors that make up the voltage divider circuit do not match, the temperature of the digital-to-analog converter may change. There was a drawback that the characteristics deteriorated.

この発明の目的は、このような欠点をなくすると共に高
調波歪率を最小にした新規なディジタル−アナログ変換
器を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a novel digital-to-analog converter that eliminates these drawbacks and minimizes harmonic distortion.

この発明によるディジタル−アナログ変換器は、基準バ
イアス端子及び中点バイアス端子にそれぞれ、2つの基
準電位VCC及びVSSの和の1/2 の電位を与える
ようにしたことを特徴とするもので、以下、添付図面に
示す実施例について評述する。
The digital-to-analog converter according to the present invention is characterized in that a potential that is 1/2 of the sum of two reference potentials VCC and VSS is applied to the reference bias terminal and the midpoint bias terminal, respectively. , the embodiments shown in the accompanying drawings will be described.

第6図は、この発明の一実施例によるディジタルーアナ
ログ変換器の回路構成Z示すもので、第1図におけると
同様の部分には同様の符号χ付して詳細な説明を省略す
る。
FIG. 6 shows a circuit configuration Z of a digital-to-analog converter according to an embodiment of the present invention, and the same parts as in FIG.

第6図の回路の特徴は、基準バイアス端子14及び中点
バイアス端子16にそれぞれバイアス電位VT及びVM
として、(Vcc+Vss)/2なる電位を与えるバイ
アス回路20を設けたことである。このようにすると、
アナログ出力vOUTは(Vcc+Vss)/2 yx
中心にして振れることになり、前述したVLSB/2の
ずれtなくすことができる。
The circuit shown in FIG. 6 has bias potentials VT and VM applied to the reference bias terminal 14 and midpoint bias terminal 16, respectively.
As a result, a bias circuit 20 is provided which provides a potential of (Vcc+Vss)/2. In this way,
Analog output vOUT is (Vcc+Vss)/2 yx
This allows the vibration to be centered, thereby eliminating the VLSB/2 deviation t mentioned above.

また、このようにすると、抵抗ラダー網LAのLSB 
側終端部をバイアスする電圧はほぼ(Vcc +Vss
 )/2になるが、これは次の理由による。
Also, by doing this, the LSB of the resistance ladder network LA
The voltage that biases the side termination is approximately (Vcc +Vss
)/2 for the following reason.

すなわち、アナログ出力が振れる中心となる電圧は、 となシ、終端部での(Vcc Vss)/2の差により
VLSB/2の差ができるので、例えば終端部電圧がで
は、VL8B/8の差となり、許容範囲となる。このと
きの終端部電圧の誤差(vcc−Vss)/8は、例え
ばVCC=10(V:]、Vss=O(V)では、1.
25〔v〕 となり、CVCCfVSS )/2=5 
(V)に対して1.2〔v〕 程度ずれてもよいという
結果を与える。
In other words, the voltage at the center of the analog output swing is as follows.The difference in (Vcc Vss)/2 at the termination section creates a difference of VLSB/2, so for example, if the voltage at the termination section is the difference in VL8B/8, This is within the permissible range. The terminal voltage error (vcc-Vss)/8 at this time is, for example, 1.
25 [v], CVCCfVSS )/2=5
(V), it is possible to deviate by about 1.2 [V].

第7図、第8図及び第9図はいずれもバイアス回路加の
具体例を示すものである。
FIG. 7, FIG. 8, and FIG. 9 all show specific examples of adding a bias circuit.

第7図の回路において、端子14馨ノ々イアスする回路
はVCC及びVSBの間に抵抗2Rを2本直列接続して
分圧回路を構成し、2本の抵抗の相互接続点から(VC
C+V8S)/2なる電位を取出して端子14に与え、
抵抗ラダー網側で端子14に接続される抵抗)k2Rで
はなく、Rとしたものであシ、このような回路構成は第
6図に示すように抵抗2Rに接続された端子14 Y 
(VCC+VBB )/2 テ/’ (7スする回路と
等価である。また、端子16ヲノ々イアスする回路は、
VCC及びVSSの間に抵抗RIY2本直列接続して分
圧回路を構成し、2本の抵抗の相互接続点から取出した
(Vcc +Vss )/2なる電位をバッファ22ヲ
介して端子16に与えるようにしたものである。
In the circuit shown in Fig. 7, the circuit in which the terminal 14 is connected is connected in series with two resistors 2R between VCC and VSB to form a voltage divider circuit, and from the interconnection point of the two resistors (VC
Take out the potential C+V8S)/2 and apply it to the terminal 14,
The resistor (connected to terminal 14 on the resistor ladder network side) is R instead of k2R, and such a circuit configuration has terminal 14Y connected to resistor 2R as shown in Figure 6.
(VCC+VBB)/2 te/' (Equivalent to a circuit that biases 7 terminals. Also, a circuit that biases terminal 16 is
Two resistors RIY are connected in series between VCC and VSS to form a voltage divider circuit, and a potential of (Vcc + Vss)/2 taken out from the interconnection point of the two resistors is applied to the terminal 16 via the buffer 22. This is what I did.

第8図の回路は、第7図の回路においてパンファ四の出
力端の電位が(Vcc +Vss )/2であることに
着目して、これを端子14及び16に与えるようにした
ものである。
The circuit shown in FIG. 8 is constructed by paying attention to the fact that the potential at the output end of amplifier 4 is (Vcc +Vss)/2 in the circuit shown in FIG.

第9図の回路は、2本の抵抗R1ヲ含む分圧回路から取
出した( Vcc + Vss )/2なる電位を別々
のバッファ22A及び22Bン介してそれぞれ端子14
及び16に与えるようにしたものである。
In the circuit of FIG. 9, a potential (Vcc + Vss)/2 taken out from a voltage dividing circuit including two resistors R1 is applied to a terminal 14 through separate buffers 22A and 22B.
and 16.

第10図は、この発明の他の実施例によるディジタル−
アナログ変換器を示すものである。
FIG. 10 shows a digital computer according to another embodiment of the invention.
It shows an analog converter.

ディジタル入力端子INからR−2R形抵抗ラダー網L
Aには、各ビット毎に設けられた入力バツファBFo−
BF9’4介してディジタル入力が供給される。抵抗ラ
ダー網LAのLSB 側終端部には抵抗2RY介して基
準バイアス端子14が接続されている。また、抵抗ラダ
ー網LAのMSB 側と中点バイアス端子16との間に
は、RO及び2RQ の抵抗で構成されるR−2R形波
減衰路LAQが接続されている。
R-2R type resistor ladder network L from digital input terminal IN
A has an input buffer BFo- provided for each bit.
Digital input is provided via BF9'4. A reference bias terminal 14 is connected to the LSB side terminal portion of the resistor ladder network LA via a resistor 2RY. Further, an R-2R wave attenuation path LAQ consisting of RO and 2RQ resistors is connected between the MSB side of the resistance ladder network LA and the midpoint bias terminal 16.

基準バイアス端子14及び中点バイアス端子16には、
第6図乃至第9図について前述したようにしてバイアス
回路加から・5イアスミ位VT及び’VMがそれぞれ与
えられる。
The reference bias terminal 14 and the midpoint bias terminal 16 include
As described above with reference to FIGS. 6 to 9, the bias circuits provide the 5 ia smi levels VT and 'VM, respectively.

減衰回路LAQの複数の出力端からは、(V(H+VM
)/2=V01−1の関係で示されるようにして指数関
数的に減衰度を異にする複数のアナログ電圧が並列的に
発生され、これらのアナログ電圧は減衰回路LAoの複
数の出力端とアナログ出力端子18との間に接続された
アナログスイッチASO−ASi のいずれかのオン動
作に応じて択一的にアナログ出力votr’rとして送
出されるようになっている。
From the plurality of output terminals of the attenuation circuit LAQ, (V(H+VM
)/2=V01-1, multiple analog voltages with exponentially different attenuation degrees are generated in parallel, and these analog voltages are connected to multiple output terminals of the attenuation circuit LAo. In response to the ON operation of any of the analog switches ASO-ASi connected between the analog output terminal 18 and the analog output terminal 18, the signal is selectively output as an analog output votr'r.

第11図は、スパッタリング法によシ半導体つェハ上に
同一寸法の多数の薄膜抵抗間隔成した場合における抵抗
値分布を示すものである。薄膜抵抗の抵抗値は、第11
図に示すよりに、ウェハ中心から陥れるにしたがって増
大する傾向にある。従って、第7図乃至第9図に示した
ようなバイアス回VCC及びVSBにそれぞれ接続され
る抵抗の値をできるだけ等しくするような配置をとるの
が好ましい。
FIG. 11 shows the resistance value distribution when a large number of thin film resistor intervals of the same size are formed on a semiconductor wafer by sputtering. The resistance value of the thin film resistor is the 11th
As shown in the figure, it tends to increase as it falls from the center of the wafer. Therefore, it is preferable to adopt an arrangement in which the values of the resistors connected to the bias circuits VCC and VSB are made as equal as possible as shown in FIGS. 7 to 9.

第12図及び第13図は、VCC側とVSS側とで抵抗
値を等しくするのに有効な薄膜抵抗配置を示すものであ
る。
FIGS. 12 and 13 show thin film resistor arrangements effective for making the resistance values equal on the VCC side and the VSS side.

第12図の例は、ウェハ中心から離れる方向に同一寸法
の4本の薄膜抵抗を同一間隔で並置したもので、中央の
2本の薄膜抵抗R8I及びR82Y VSSと中点端子
PMとの間に直列接続すると共に、R8I及びR82の
両側の2本の薄膜抵抗RCI及びRC2’k Vccと
中点端子PMとの間に直列接続した構成になっている。
In the example shown in Fig. 12, four thin film resistors of the same size are arranged side by side at the same spacing in the direction away from the center of the wafer, and between the two central thin film resistors R8I and R82Y VSS and the midpoint terminal PM. They are connected in series, and are connected in series between the two thin film resistors RCI and RC2'k Vcc on both sides of R8I and R82 and the midpoint terminal PM.

第13図は、ウェハ中心から離れる方向に同一寸法の6
本の薄膜抵抗を同一間隔で並置したもので、中央の4本
の薄膜抵抗’t’V8s用の抵抗R8I及びR82とV
CC用の抵抗RC2及びRC3との左右−組ずつに分け
、左の一組の抵抗の外側の薄膜抵抗をVCC用抵抗RC
□とし、右の一組の抵抗の外側の薄膜抵抗7¥:vss
用抵抗IRsaとし、VCCと中点端子PMとの間に抵
抗RCI〜RC3Y直列接続すると共にVSBと中点端
子PMとの間に抵抗R8I〜R83’!’直列接続した
ものである。
FIG. 13 shows 6
Two thin film resistors are arranged side by side at the same interval, and the four thin film resistors in the center are resistors R8I and R82 for V8s and V
Divide into left and right pairs with CC resistors RC2 and RC3, and use the outer thin film resistor of the left pair of resistors as VCC resistor RC.
□, thin film resistor 7 on the outside of the right set of resistors: vss
IRsa, resistors RCI to RC3Y are connected in series between VCC and the midpoint terminal PM, and resistors R8I to R83'! are connected between VSB and the midpoint terminal PM. 'They are connected in series.

なお、第12図及び第13図において、RDI及びRD
2は最も外側の薄膜抵抗に隣接して薄膜抵抗間隔と同一
間隔で並置された不使用のダミー薄膜抵抗であり、これ
らのダミー薄膜抵抗を配置すると、最も外側の薄膜抵抗
のエツチング精度が向上するので、VCC側の合計抵抗
とVSS側の合計抵抗との差を一層小さくすることがで
きる。
In addition, in FIGS. 12 and 13, RDI and RD
2 is an unused dummy thin film resistor that is placed adjacent to the outermost thin film resistor at the same spacing as the thin film resistor interval, and by placing these dummy thin film resistors, the etching accuracy of the outermost thin film resistor is improved. Therefore, the difference between the total resistance on the VCC side and the total resistance on the VSS side can be further reduced.

以上のように、この発明によれば、基準バイアス端子及
び中点バイアス端子にそれぞれ、2つの基準電位VCC
及びvssの和の1/2の電位を与えるようにしたので
、従来存在したVL8B/2のずれをなくすことができ
る。このため、理想的なバイアス状態となシ、高調波歪
重音最小にすることができる。また、外部にバイアス調
整用の抵抗ン設けなくてよいので、バイアス調整の手間
が省けるのみならず、温度特性同一で且つ抵抗値同一の
2本の抵抗で分圧回路を構成しうるようにl)、ディジ
タル−アナログ変換器の温度特性が改善される効果もあ
る。
As described above, according to the present invention, two reference potentials VCC are provided at the reference bias terminal and the midpoint bias terminal, respectively.
Since a potential of 1/2 of the sum of and vss is applied, the deviation of VL8B/2 that existed conventionally can be eliminated. Therefore, it is possible to minimize harmonic distortion and overtones while maintaining an ideal bias state. In addition, since there is no need to provide an external resistor for bias adjustment, it not only saves the effort of bias adjustment, but also makes it possible to construct a voltage divider circuit with two resistors with the same temperature characteristics and the same resistance value. ), which also has the effect of improving the temperature characteristics of the digital-to-analog converter.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、従来のディジタル−アナログ変換器を示す回
路図、 纂2図は、第1図の回路の入出力特性図、第3図は、第
1図の回路の変形例を示す回路図、第4図は、第3図の
回路の入出力特性図、第5図は、第3図の回路における
中点バイアス電位と高調波歪率との関係ン示すグラフ、
第6図は、この発明の一実施例によるディ、シタルーア
ナログ変換器を示す回路図、 第7図、第8図及び第9図は、バイアス回路の異なる構
成例を示す回路図、 第10図は、この発明の他の実施例によるディジタル−
アナログ変換器を示す回路図、 第11図は、ウェハ上に同一寸法の多数の薄膜抵抗を形
成した場合の抵抗値分布を示すグラフ、第12図及び第
13図は、分圧回路を構成するための薄膜抵抗配置の異
なる例を示す平面図である。 10・・・第1の基準電位端子、12・・・第2の基準
電位端子、14・・・基準バイアス端子、16・・・中
点バイアス端子、18・・・アナログ出力端子、加・・
・バイアス回路、So〜S9・・・アナログスイッチ、
LA・・・R−2R形抵抗ラダー網。 出願人 日本楽器製造株式会社 代理人 弁理士 伊沢敏昭 ラター肴\横入ヵ テ゛イV゛クル入力 第5図 第7図 第11図 ′)7エハfべp゛うめ距雛 第12図 第13図 VCCVS8
Figure 1 is a circuit diagram showing a conventional digital-to-analog converter, Figure 2 is an input/output characteristic diagram of the circuit in Figure 1, and Figure 3 is a circuit diagram showing a modification of the circuit in Figure 1. , FIG. 4 is an input/output characteristic diagram of the circuit of FIG. 3, and FIG. 5 is a graph showing the relationship between the midpoint bias potential and harmonic distortion rate in the circuit of FIG. 3.
FIG. 6 is a circuit diagram showing a digital-cito analog converter according to an embodiment of the present invention; FIGS. 7, 8, and 9 are circuit diagrams showing different configuration examples of the bias circuit; The figure shows a digital computer according to another embodiment of the invention.
A circuit diagram showing an analog converter, Fig. 11 is a graph showing the resistance value distribution when a large number of thin film resistors of the same size are formed on a wafer, and Figs. 12 and 13 are diagrams configuring a voltage dividing circuit. FIG. 4 is a plan view showing different examples of thin film resistor arrangement for the purpose of the present invention. 10... First reference potential terminal, 12... Second reference potential terminal, 14... Reference bias terminal, 16... Midpoint bias terminal, 18... Analog output terminal, addition...
・Bias circuit, So~S9...analog switch,
LA...R-2R type resistance ladder network. Applicant: Nippon Gakki Mfg. Co., Ltd. Agent Patent Attorney: Toshiaki Izawa Rutter / Side entry category V゛Cle input Fig. 5 Fig. 7 Fig. 11') 7 ゛ f vector Fig. 12 Fig. 13 VCCVS8

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (a)比較的低い第1の基準電位!与える第1の基準電
位源と、 (bl比較的高い第2の基準電位を与える第2の基準電
位源と、 (C)ディジタル入力の複数ビットにそれぞれ対応した
複数の入力端子を有すると共に最下位ビット側の終端部
に終端抵抗を介して基準バイアス端子を有し、前記複数
の入力端子からの信号をリニアDA変換するR−2R形
抵抗ラダー網と、(d)前記複数の入力端子にそれぞれ
対応して設けられた複数のアナログスイッチであって、
前記ディジタル入力の複数ビットの信号にそれぞれ応答
して前記第1又は第2の基準電位を選択し、選択された
それぞれの基準電位を前記R−2R形抵抗ラダー網の対
応する入力端子に供給するものと、牟 (e)前記R−2R抵抗ラダー網からアナログ出力を取
出すため出力回路であって、中点バイアス端子を有し、
この中点バイアス端子の電位に応じて前記アナログ出力
の振れの中心を定めるようになっているものと をそなえたディジタル−アナログ変換器において、前記
基準バイアス端子と前記中点バイアス端子とにそれぞれ
、前記第1及び第2の基準電位の和のl/2 の電位を
与えるバイアス回路を設けたことt特徴とするディジタ
ル−アナログ変換器。
[Claims] (a) Relatively low first reference potential! a second reference potential source that provides a relatively high second reference potential; (C) a plurality of input terminals each corresponding to a plurality of bits of digital input; (d) an R-2R type resistor ladder network having a reference bias terminal at the bit side terminal part via a terminating resistor and converting signals from the plurality of input terminals into linear DA; A plurality of correspondingly provided analog switches,
Selecting the first or second reference potential in response to each of the plurality of bits of the digital input signal, and supplying each selected reference potential to the corresponding input terminal of the R-2R type resistor ladder network. and (e) an output circuit for extracting an analog output from the R-2R resistor ladder network, having a midpoint bias terminal;
In the digital-to-analog converter, the center of the swing of the analog output is determined according to the potential of the midpoint bias terminal, and the reference bias terminal and the midpoint bias terminal each include: A digital-to-analog converter comprising a bias circuit that provides a potential equal to 1/2 of the sum of the first and second reference potentials.
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