JPS60102785A - パルスレ−ザ装置 - Google Patents
パルスレ−ザ装置Info
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- JPS60102785A JPS60102785A JP21045583A JP21045583A JPS60102785A JP S60102785 A JPS60102785 A JP S60102785A JP 21045583 A JP21045583 A JP 21045583A JP 21045583 A JP21045583 A JP 21045583A JP S60102785 A JPS60102785 A JP S60102785A
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- Japan
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- laser
- circuit
- output
- timing
- maximum
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1123—Q-switching
- H01S3/115—Q-switching using intracavity electro-optic devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/1305—Feedback control systems
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はピーク出力の高いレーザ出力でパルス発振を
行うパルスレーザ装置に関するものである。
行うパルスレーザ装置に関するものである。
第１図は従来のパルスレーザ装置の構成図である。第１
図において、（１１はレーザ発振器、（２）はフラッシ
ュランプ（４）に放電エネルギを供給する電源、（３）
はポッケルスセル（７）の駆動回路、（５）はフラッシ
ュランプ（４）の発光により励起されるレーザ活性物質
、（６）はレーザ発振光の偏光面を限定する偏光子、（
８）はレーザ出力を取り出す第１の反射鏡、（９）は高
い反射率を有する第２の反射鏡、帥はフラッシュランプ
（４）の発光開始時間に同期した同期信号をポッケルス
セル（７）の動作時間までに遅延させる遅延回路、０υ
は遅延回路ａ１の出力信号によりパルス信号を得るため
のパルス発生回路、ａ２はパルス発生回路（Ｉυの出力
信号により高圧のパルスを得るための高圧パルス発生回
路である。
図において、（１１はレーザ発振器、（２）はフラッシ
ュランプ（４）に放電エネルギを供給する電源、（３）
はポッケルスセル（７）の駆動回路、（５）はフラッシ
ュランプ（４）の発光により励起されるレーザ活性物質
、（６）はレーザ発振光の偏光面を限定する偏光子、（
８）はレーザ出力を取り出す第１の反射鏡、（９）は高
い反射率を有する第２の反射鏡、帥はフラッシュランプ
（４）の発光開始時間に同期した同期信号をポッケルス
セル（７）の動作時間までに遅延させる遅延回路、０υ
は遅延回路ａ１の出力信号によりパルス信号を得るため
のパルス発生回路、ａ２はパルス発生回路（Ｉυの出力
信号により高圧のパルスを得るための高圧パルス発生回
路である。
従来のパルスレーザ装置は上記のように構成され、フラ
ッシュランプ（４）は電源（２）からのエネルギの供給
を受けて発光する。レーザ活性物質（５）はフラッシュ
ランプ（４）の発光により励起され高い反転分布を形成
する。
ッシュランプ（４）は電源（２）からのエネルギの供給
を受けて発光する。レーザ活性物質（５）はフラッシュ
ランプ（４）の発光により励起され高い反転分布を形成
する。
このときレーザ活性物質（５）から偏光子（６）ヲ通し
て第２の反射鏡（９）の側を見たときの反射率は零であ
りレーザ発振は起こシ得々い。すなわち、ポッケルスセ
ル（７）を往復した発振光の偏波面は９０°回転させら
れるためレーザ活性物質（５）から偏光子（６）を通過
した発振光が第２の反射鏡（９）で反射して再び偏光子
（６）に到達したとき発振光の偏波面が９０°回転して
いることから偏光子（６）での通過が阻止される。この
状態から、やがてレーザ活性物質（５）の反転分布が最
大となる。このとき、遅延回路α１はあらかじめ反転分
布が最大となるタイミングに設定され、パルス発生器Ｑ
ｌ）及び高圧パルス発生回路醤が動作し、ポッケルスセ
ル（５）が駆動される。ポッケルスセル（５）が動作す
るとレーザ活性物質（５）から偏光子（６）を通して第
２の反射鏡（９）の側を見た反射率が急速に１００％に
近い値となり、急速にレーザ発振器（１１の利得が増大
し、ピーク出力の大きなパルスレーザ見損が起こる。こ
のときのフラッシュランプ（４）の発光強度波形及びレ
ーザ活性物質（５）の反転分布を第２図に示す。
て第２の反射鏡（９）の側を見たときの反射率は零であ
りレーザ発振は起こシ得々い。すなわち、ポッケルスセ
ル（７）を往復した発振光の偏波面は９０°回転させら
れるためレーザ活性物質（５）から偏光子（６）を通過
した発振光が第２の反射鏡（９）で反射して再び偏光子
（６）に到達したとき発振光の偏波面が９０°回転して
いることから偏光子（６）での通過が阻止される。この
状態から、やがてレーザ活性物質（５）の反転分布が最
大となる。このとき、遅延回路α１はあらかじめ反転分
布が最大となるタイミングに設定され、パルス発生器Ｑ
ｌ）及び高圧パルス発生回路醤が動作し、ポッケルスセ
ル（５）が駆動される。ポッケルスセル（５）が動作す
るとレーザ活性物質（５）から偏光子（６）を通して第
２の反射鏡（９）の側を見た反射率が急速に１００％に
近い値となり、急速にレーザ発振器（１１の利得が増大
し、ピーク出力の大きなパルスレーザ見損が起こる。こ
のときのフラッシュランプ（４）の発光強度波形及びレ
ーザ活性物質（５）の反転分布を第２図に示す。
図においてイはフラッシュランプ＋４１の発光強度９口
はレーザ活性物質（５）の反転分布を示す。
はレーザ活性物質（５）の反転分布を示す。
反転分布口はレーザ発振が起こる直前までは発光強度イ
の増加とともに大きくなるが、レーザ発振が起こると急
速に減少する。
の増加とともに大きくなるが、レーザ発振が起こると急
速に減少する。
なお、レーザ発振が生ずる前までの反転分布ｎの時間変
化はつぎの式で表わすことができる一＝ωｐ （ｎｔ−
ｎ） −−’−・・卵重・（１）αｔ ｖｆ ここでωｐはフラッシュランプ（４）の発光強度に比例
する量であり＋ｎｔはレーザ遷移に関係するエネルギレ
ベルの総原子数、τｆは自然放出寿命である。通常の固
体レーザ活性物質ではτｆは十分大きいので１反転分布
ｎはフラッジ−ランプ（４）の発光強度に比例して増加
する。
化はつぎの式で表わすことができる一＝ωｐ （ｎｔ−
ｎ） −−’−・・卵重・（１）αｔ ｖｆ ここでωｐはフラッシュランプ（４）の発光強度に比例
する量であり＋ｎｔはレーザ遷移に関係するエネルギレ
ベルの総原子数、τｆは自然放出寿命である。通常の固
体レーザ活性物質ではτｆは十分大きいので１反転分布
ｎはフラッジ−ランプ（４）の発光強度に比例して増加
する。
レーザ出力は上記反転分布が最大となる時間にポッケル
スセル（７）が動作するとき、すなわちＱスイッチング
が行われるとき最大となる。
スセル（７）が動作するとき、すなわちＱスイッチング
が行われるとき最大となる。
通常、このポッケルスセル（７）の動作するタイミング
はあらかじめ遅延回路０１で設定される。
はあらかじめ遅延回路０１で設定される。
すなわち、電源（２）から供給するエネルギを一定と、
レーザ発振出力を測定し、最大出力を得るタイミングに
設定される。
レーザ発振出力を測定し、最大出力を得るタイミングに
設定される。
しかし、上記のような構成では電源（２）からの供給エ
ネルギが変化したシ、フラッジ−ランプ（４）の交換、
劣化などでポッケルスセルの最適動作タイミングが変化
し、安定した最大のレーザ出力を得ることができない。
ネルギが変化したシ、フラッジ−ランプ（４）の交換、
劣化などでポッケルスセルの最適動作タイミングが変化
し、安定した最大のレーザ出力を得ることができない。
第８図にフラッシュランプ（４）の放電回路の等価回路
を示す。図において、 Ｑ３はフラッシュランプ（４）
の放電エネルギを蓄積するコンデンサ。
を示す。図において、 Ｑ３はフラッシュランプ（４）
の放電エネルギを蓄積するコンデンサ。
α４はフラッシュランプ（４）の放電電流波形を整形す
るためのチョークコイルを示す。
るためのチョークコイルを示す。
第８図において、フラッシュランプ（４）に放電電流が
流れはじめたときに電流ｉに関し、っぎの式が成り立つ
。
流れはじめたときに電流ｉに関し、っぎの式が成り立つ
。
ス、ＫＯはフラッシュランプ（４）の固有インピーダン
ス、Ｃはコンデンサ０３の容量、ＶＯはコンデンサ０１
の充電電圧である。
ス、Ｃはコンデンサ０３の容量、ＶＯはコンデンサ０１
の充電電圧である。
ここでＺｏ −（Ｌｌｏ ）’ 、 ｉ ＝ Ｉ Ｖｏ
／Ｚｏ 。
／Ｚｏ 。
％
Ｔ＝ ｔ／Ｔ 、 Ｔ＝ （Ｌ Ｏ） 、 （！＝ＫＯ
／ （ＶＯＺ・）Ａ とおき＋２１式についての数値計
算結果の一例を第４図に示す。第４図は縦軸に電流ｉの
規格値■を、横軸に時間ｔの規格値τをとったもので、
パラメータαの値によシＩが最大となる時間τが変化す
ることを示す。図において。
／ （ＶＯＺ・）Ａ とおき＋２１式についての数値計
算結果の一例を第４図に示す。第４図は縦軸に電流ｉの
規格値■を、横軸に時間ｔの規格値τをとったもので、
パラメータαの値によシＩが最大となる時間τが変化す
ることを示す。図において。
ハはαが０．６のときの電流波形、二はαが０．８のと
きの電流波形、ホはαが１．０のときの電流波形を示す
。
きの電流波形、ホはαが１．０のときの電流波形を示す
。
このようにフラッシュランプ（４）の放電電流波形が変
化すると同様に発光強度波形も変化し。
化すると同様に発光強度波形も変化し。
第８図に示す反転分布口も変化することになる。したが
ってレーザ出力が最大となるタイミングすなわち反転分
布口が最大となるタイミングも変化することになる。
ってレーザ出力が最大となるタイミングすなわち反転分
布口が最大となるタイミングも変化することになる。
なお、パラメータαは、Ｋｏ、Ｖｏ、Ｚｏの値に依存し
、たとえば、ＶＯはフラッシュランプ（４）への放電エ
ネルギの大きさにより変化し、 ＫＯはフラッジ−ラン
プ（４１を交換したとき又は劣化したときに変化する。
、たとえば、ＶＯはフラッシュランプ（４）への放電エ
ネルギの大きさにより変化し、 ＫＯはフラッジ−ラン
プ（４１を交換したとき又は劣化したときに変化する。
以上、上記のようにポッケルスセル（７）の動作タイミ
ンクを遅延回路−で一定値に設定したのでは、パラメー
タαが変化したとき、すなわちコンデンサ（１３の充電
電圧ＶＯあるいはフラッシュランプ（４）を交換して固
有インピーダンスＫＯが変化し、放電電流波形が変化し
たときは可能な最大のレーザ出力を得ることができない
という欠点があった。
ンクを遅延回路−で一定値に設定したのでは、パラメー
タαが変化したとき、すなわちコンデンサ（１３の充電
電圧ＶＯあるいはフラッシュランプ（４）を交換して固
有インピーダンスＫＯが変化し、放電電流波形が変化し
たときは可能な最大のレーザ出力を得ることができない
という欠点があった。
この発明はかかる欠点を改善する目的でなされたもので
レーザ活性物質（５）の自然放出光を観測し、自然放出
光強度が最大となるタイミングを測定して、常にレーザ
活性物質（５）の反転分布が最大となるタイミングにポ
ッケルスセル（７）全動作させるような駆動回路（３）
を備えたパルスレーザ装置を提案するものである。
レーザ活性物質（５）の自然放出光を観測し、自然放出
光強度が最大となるタイミングを測定して、常にレーザ
活性物質（５）の反転分布が最大となるタイミングにポ
ッケルスセル（７）全動作させるような駆動回路（３）
を備えたパルスレーザ装置を提案するものである。
第５図はこの発明の一実施例を示す構成図であり、（１
１〜（９）及び（ｔｌ）−Ｈは上記従来装置と同−又は
相当するもので０９はレーザ活性物質（５）の自然放出
光強度を観測する光検出器、（ＩＱは光検出器０′−３
の出力信号を増幅する増幅回路、ｔｉηは増幅回路の出
力信号を微分する微分回路、ａ措は微分回路面の出力が
零と力るタイミングを検出する零値検出回路、 （ｔｌ
はフラッシュランプ（４）の発光後の一定時間内のみ駆
動回路（３）の動作を可能とするゲート回路、（イ）は
自然放出光の一部を光検出器ａつに導くためのビームス
プリッタ、 ａＩ）は自然放出光の射出方向を示す矢印
である。
１〜（９）及び（ｔｌ）−Ｈは上記従来装置と同−又は
相当するもので０９はレーザ活性物質（５）の自然放出
光強度を観測する光検出器、（ＩＱは光検出器０′−３
の出力信号を増幅する増幅回路、ｔｉηは増幅回路の出
力信号を微分する微分回路、ａ措は微分回路面の出力が
零と力るタイミングを検出する零値検出回路、 （ｔｌ
はフラッシュランプ（４）の発光後の一定時間内のみ駆
動回路（３）の動作を可能とするゲート回路、（イ）は
自然放出光の一部を光検出器ａつに導くためのビームス
プリッタ、 ａＩ）は自然放出光の射出方向を示す矢印
である。
上記のように構成されたパルスレーザ装置においては、
レーザ活性物質（５）の自然放出光強度の波形すなわち
時間変化は光検出器Ｉｉ９によシ観測され、光検出器α
９の出力信号は増幅器（ＩＧにより増幅される。微分回
路ｔｉηは増幅器αｅの出力信号の時間変化に比例した
大きさの信号を得るもので、増幅器翰の出力信号の時間
変化が零となったときは微分回路面の出力も零となる。
レーザ活性物質（５）の自然放出光強度の波形すなわち
時間変化は光検出器Ｉｉ９によシ観測され、光検出器α
９の出力信号は増幅器（ＩＧにより増幅される。微分回
路ｔｉηは増幅器αｅの出力信号の時間変化に比例した
大きさの信号を得るもので、増幅器翰の出力信号の時間
変化が零となったときは微分回路面の出力も零となる。
すなわち、光検出器（ｌＦＪから得られるフラッシュラ
ンプ（４）の発光強度波形が最大となるタイミングでは
微分回路αηの出力が零となる。零値検出回路珀は微分
回路αηの出力が零となるタイミングにトリガ信号を発
生するもので、このトリガ信号を受けて、さらに一定の
遅れが与えられて、パルス発生回路（ＩＩ）よりパルス
が発生する。高圧パルス発生回路ａっはパルス発生回路
（Ｉυの出力により動作し、高圧のパルスを発生してポ
ッケルスセル（７）を駆動する。
ンプ（４）の発光強度波形が最大となるタイミングでは
微分回路αηの出力が零となる。零値検出回路珀は微分
回路αηの出力が零となるタイミングにトリガ信号を発
生するもので、このトリガ信号を受けて、さらに一定の
遅れが与えられて、パルス発生回路（ＩＩ）よりパルス
が発生する。高圧パルス発生回路ａっはパルス発生回路
（Ｉυの出力により動作し、高圧のパルスを発生してポ
ッケルスセル（７）を駆動する。
なお光検出器（ＬＳはレーザ発振波長のみを検出するだ
めの波長選択性を有する光検出器ａ！９である。
めの波長選択性を有する光検出器ａ！９である。
自然放出光は（１）式の右辺の第２項に示すごとく自然
放出寿命τｆと反転分布ｎにより決まり、反転分布ｎの
大きさに比例して自然放出光強度も大きくなる。よって
、自然放出光強度が最大のときに反転分布も最大となシ
最大のレーザ出力を取シ出し得ることになる。
放出寿命τｆと反転分布ｎにより決まり、反転分布ｎの
大きさに比例して自然放出光強度も大きくなる。よって
、自然放出光強度が最大のときに反転分布も最大となシ
最大のレーザ出力を取シ出し得ることになる。
このためにフラッシュランプ（４）の放電エネルギを変
化するためにコンデンサ０：９の充電電圧■０を変化し
たり、フラッシュランプ（４１を交換して固有インピー
ダンスＫＯが変化した場合にフラッシュランプ（４）の
発光強度の波形が変化しても常にレーザ活性物質（５）
の反転分布が最大となるタイミングにポッケルスセル（
７）が動作することになる。したがってレーザ出力は常
に最大の出力を得ることが可能となる。
化するためにコンデンサ０：９の充電電圧■０を変化し
たり、フラッシュランプ（４１を交換して固有インピー
ダンスＫＯが変化した場合にフラッシュランプ（４）の
発光強度の波形が変化しても常にレーザ活性物質（５）
の反転分布が最大となるタイミングにポッケルスセル（
７）が動作することになる。したがってレーザ出力は常
に最大の出力を得ることが可能となる。
なお、上記実施例ではビームスプリッタ翰を用いて光検
出器（Ｉ！９に自然放出光を導いたが、ビームスプリッ
タを用いないで偏光子（６）の反射あるいは漏れによる
自然放出光を検出しても同様の動作を期待できる。
出器（Ｉ！９に自然放出光を導いたが、ビームスプリッ
タを用いないで偏光子（６）の反射あるいは漏れによる
自然放出光を検出しても同様の動作を期待できる。
この発明は以上説明したとおりレーザ活性物質（５）の
自然放出光強度波形を観測し、ポッケルスセル（７）の
駆動回路（３）においてレーザ活性物質（５）の反転分
布が最大となるタイミングを検出し、このタイミングで
ポッケルスセル（７）を駆動することで、フラッシュラ
ンプ（４）の放電エネルギが変化したときや、フラッシ
ュラングの交換。
自然放出光強度波形を観測し、ポッケルスセル（７）の
駆動回路（３）においてレーザ活性物質（５）の反転分
布が最大となるタイミングを検出し、このタイミングで
ポッケルスセル（７）を駆動することで、フラッシュラ
ンプ（４）の放電エネルギが変化したときや、フラッシ
ュラングの交換。
劣化によりフラッシュランプ（４１０発光強度波形が変
化しても、常に最大のレーザ出力を取シ出すことができ
る効果を有する。
化しても、常に最大のレーザ出力を取シ出すことができ
る効果を有する。
第１図は従来のパルスレーザ装置の構成図。
第２図はフラッジ−ランプ（４）の発光強度とレーザ活
性物質の反転分布の時間変化を示す図、第３図はフラッ
シュランプの放電回路を示す等価回路図、第４図はフラ
ッシュランプの放電電流の時間変化を示す図、第５図は
この発明の一実施例を示す図である。 図において（１）はレーザ発振器、（２）は電源、（３
）は駆動回路、（４）はフラッシュランプ、（５）はレ
ーザ活性物質、（６１１′ｉ偏光子、（７１はポッケル
スセル、（８）は第１の反射鏡、（９）は第２の反射鏡
、０１は遅延回路、 （１１１はパルス発生回路、０３
は高圧パルス発生回路、０：１はコンデンサ、 （１４
１はチョークコイル、０５は光検出器、 ０１は増幅回
路、 ｔＬ？）は微分回路、０秒は零値検出回路、ぐ１
はゲート回路、翰はビームスプリッタである。 なお各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第２図 第３図
性物質の反転分布の時間変化を示す図、第３図はフラッ
シュランプの放電回路を示す等価回路図、第４図はフラ
ッシュランプの放電電流の時間変化を示す図、第５図は
この発明の一実施例を示す図である。 図において（１）はレーザ発振器、（２）は電源、（３
）は駆動回路、（４）はフラッシュランプ、（５）はレ
ーザ活性物質、（６１１′ｉ偏光子、（７１はポッケル
スセル、（８）は第１の反射鏡、（９）は第２の反射鏡
、０１は遅延回路、 （１１１はパルス発生回路、０３
は高圧パルス発生回路、０：１はコンデンサ、 （１４
１はチョークコイル、０５は光検出器、 ０１は増幅回
路、 ｔＬ？）は微分回路、０秒は零値検出回路、ぐ１
はゲート回路、翰はビームスプリッタである。 なお各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 励起光源としてのフラッジ−ランプと、前記励起光源に
よシ励起されるレーザ活性物質と。 発振光の偏波面を限定する偏光子及びポッケルスセルと
、レーザ共振器を構成する２枚の反射鏡と、上記フラッ
シュランプに放電エネルギを供給する電源と、上記レー
ザ活性物質の自然放出光を観測する光検出器と、ポッケ
ルスセルを動作させるタイミングを上記光検出器の出力
の変化に応じて可変させる機能を有するポッケルスセル
駆動回路とを具備したことを特徴とするパルスレーザ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21045583A JPS60102785A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | パルスレ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21045583A JPS60102785A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | パルスレ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60102785A true JPS60102785A (ja) | 1985-06-06 |
| JPH0426230B2 JPH0426230B2 (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=16589616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21045583A Granted JPS60102785A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | パルスレ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60102785A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189513A (ja) * | 1999-12-04 | 2001-07-10 | Carl Zeiss Jena Gmbh | パルス幅調整可能なｑスイッチ固体レーザ |
| JP2007096041A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ光源 |
| JP2010537441A (ja) * | 2007-08-31 | 2010-12-02 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | レーザー装置およびレーザー装置の駆動方法 |
-
1983
- 1983-11-09 JP JP21045583A patent/JPS60102785A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189513A (ja) * | 1999-12-04 | 2001-07-10 | Carl Zeiss Jena Gmbh | パルス幅調整可能なｑスイッチ固体レーザ |
| JP2007096041A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ光源 |
| US7876794B2 (en) | 2005-09-29 | 2011-01-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Laser light source |
| JP2010537441A (ja) * | 2007-08-31 | 2010-12-02 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | レーザー装置およびレーザー装置の駆動方法 |
| JP2012191239A (ja) * | 2007-08-31 | 2012-10-04 | Robert Bosch Gmbh | レーザー装置およびレーザー装置の駆動方法 |
| US8707921B2 (en) | 2007-08-31 | 2014-04-29 | Robert Bosch Gmbh | Laser device and method for operating same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0426230B2 (ja) | 1992-05-06 |
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