JPS5998553A - ＧａＡｓ半導体装置の電極構造 - Google Patents
ＧａＡｓ半導体装置の電極構造Info
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- JPS5998553A JPS5998553A JP20820482A JP20820482A JPS5998553A JP S5998553 A JPS5998553 A JP S5998553A JP 20820482 A JP20820482 A JP 20820482A JP 20820482 A JP20820482 A JP 20820482A JP S5998553 A JPS5998553 A JP S5998553A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はＧａＡｓ半導体装置の信頼性を向上させる電
極構造に関するものである。
極構造に関するものである。
オ１図は従来のＧａＡ３太陽電池を示す断面図であり、
オ１図においてｎ形ＧａＡ３基板１１；の１表面上にＰ
型Ｇ ａ Ａｓ ＠ ｆｉｌ ｆ）；形成されており、
光起電力の発生に必要なＰｎ接合が形成されている。こ
こで高い耐放射線性を維持するために、Ｐ形ＧａＡｓ鳩
（２１の厚みを１μｍ以下とし、接合の深さを極めて浅
くしている。さらにＰ形ＧａＡａ層（２１の上部にはＰ
形ＧａニーｘＡＩＸＡｅ層（３）が設けられており、そ
の上部には反射防止膜（４）が形成されている。反射防
止膜（４）の一部には開口部≠５設けられ、この開口部
の直下のＧａ、−、ＡｌＸＡｓ層（８）は除去されてＰ
形ＧａＡｓ層（２）が露出されている。この露出された
Ｐ形ＧａＡｓ層（２１上にｋＷ −Ｚｎ合金またはＡｕ
−Ｚｎ 合金などを用いたＰ形電極（５）が設けられ
、ｎ形ＧａＡｓ基板ｆｉ＋の裏面にはｎ形電極（６）が
形成されている。
オ１図においてｎ形ＧａＡ３基板１１；の１表面上にＰ
型Ｇ ａ Ａｓ ＠ ｆｉｌ ｆ）；形成されており、
光起電力の発生に必要なＰｎ接合が形成されている。こ
こで高い耐放射線性を維持するために、Ｐ形ＧａＡｓ鳩
（２１の厚みを１μｍ以下とし、接合の深さを極めて浅
くしている。さらにＰ形ＧａＡａ層（２１の上部にはＰ
形ＧａニーｘＡＩＸＡｅ層（３）が設けられており、そ
の上部には反射防止膜（４）が形成されている。反射防
止膜（４）の一部には開口部≠５設けられ、この開口部
の直下のＧａ、−、ＡｌＸＡｓ層（８）は除去されてＰ
形ＧａＡｓ層（２）が露出されている。この露出された
Ｐ形ＧａＡｓ層（２１上にｋＷ −Ｚｎ合金またはＡｕ
−Ｚｎ 合金などを用いたＰ形電極（５）が設けられ
、ｎ形ＧａＡｓ基板ｆｉ＋の裏面にはｎ形電極（６）が
形成されている。
上記のような構造のＧａＡａ太陽電池は、優れた温度特
性及び耐放射線性を有しており、最近、人工衛生電源と
して期待されている。ここでＰ形ＧａＡθ層（２）の電
極材料には、従来のＰ形ｊｌ−Ｖ族化合物半導体への電
極材料として用いられるＡ１Ｚｎ合金、あるいは）、ｕ
−Ｚｎ合金等のｚｎを含む合金が使われているため十分
なオー八性力（与えられている。
性及び耐放射線性を有しており、最近、人工衛生電源と
して期待されている。ここでＰ形ＧａＡθ層（２）の電
極材料には、従来のＰ形ｊｌ−Ｖ族化合物半導体への電
極材料として用いられるＡ１Ｚｎ合金、あるいは）、ｕ
−Ｚｎ合金等のｚｎを含む合金が使われているため十分
なオー八性力（与えられている。
しかしながら、上記のＰ形電極（５）は接着強度力（約
５００２と低く、特別に高い信頼性カニ要求される人工
衛生用太陽電池としては十分ではなく、信頼性が低いと
いう欠点があった。
５００２と低く、特別に高い信頼性カニ要求される人工
衛生用太陽電池としては十分ではなく、信頼性が低いと
いう欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、 ＧａＡｌ３半導体唄域に振軸し
て形成されたＴｉ層と、このＴ１層上に形成されたＡ２
層とを備えることにより、電極の接着強度を強くし、信
頼性を高くすることができるＧ ａ Ａｓ半導体装置の
電極構造を提供することを目的としている。
めになされたもので、 ＧａＡｌ３半導体唄域に振軸し
て形成されたＴｉ層と、このＴ１層上に形成されたＡ２
層とを備えることにより、電極の接着強度を強くし、信
頼性を高くすることができるＧ ａ Ａｓ半導体装置の
電極構造を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第２
図はこの発明の一実施例を示すＧａＡｓ太陽電池の断面
図である。第２図において１１１〜（６）は従来のもの
と同様に構成されており、従来のものと異なるところは
Ｐ形Ｇａよ−ＸＡｌｘＡθ層１３１及び反射防止膜（４
）の開口部にＩｉｐ形ＧａＡＩＢ層（２）に接触して形
成されたＴｉ１ｍｆ７１と、このＴｉ層（７）上に形成
されたＡ２層（８）の二層からなるＴｉ −Ａｐ電極が
設けられている点である。Ｔｉ −Ａｊ電檜はまたＰ形
眞、−ｘＡＩＸＡａ層１３）に層液３している。
図はこの発明の一実施例を示すＧａＡｓ太陽電池の断面
図である。第２図において１１１〜（６）は従来のもの
と同様に構成されており、従来のものと異なるところは
Ｐ形Ｇａよ−ＸＡｌｘＡθ層１３１及び反射防止膜（４
）の開口部にＩｉｐ形ＧａＡＩＢ層（２）に接触して形
成されたＴｉ１ｍｆ７１と、このＴｉ層（７）上に形成
されたＡ２層（８）の二層からなるＴｉ −Ａｐ電極が
設けられている点である。Ｔｉ −Ａｊ電檜はまたＰ形
眞、−ｘＡＩＸＡａ層１３）に層液３している。
ＧａＡｓ半導体は、８１．Ｇθ等と異なる物性をもって
おりｓ Ｓｌ １ ”ｆ３半導体に使われる技術がその
ままＧａＡｓ半導体に通用するとは限らず、（）ａＡ６
半導体と他の物質量の物性を調べ、確認する必要がある
。上記のように構成されたＧａＡｓ半導体装置からなる
ＧａＡｓ太陽電池のＴｉ −Ａノミ極は、Ｐ形ＧａＡｓ
層（２）に対してオーム性接鋤するという新らしい知見
を得た。接働抵抗は、従来のＡＮ −ＺｎもしくはＡｕ
−ｚｎ電極と比べて若干高くなる。したがってＬＥＤ
等の高電流密度で動作する半導体装置にＴｉ −ＡＰ電
極を用いると問題となるが、数十ｍ Ｙａｒｄ程度の低
い電流密度で動作するＧａ Ａｓ太陽電池にＴｉ −Ｉ
ｙ Ｔｉ極を用いた場合には、上記接触抵抗の影響はほ
とんど見られない。また本発明のＴｉ −ＡＰ電極Ｆ′
ｉＰ形（）ａＡｓ層（２１への接着強度が約２９と極め
て扁く、信頼性面の不安がない。さらに接合深さが１／
Ｉｍ以下と極めて浅い場合においても、ＡＰの拡散の障
壁となるＴ１層（７）が介在するので接合リークがなく
なり、特性が劣化するという問題が生じないため、０．
８８〜０．８５程度の極めて高い曲線因子が再現性よく
得られ、特性の安定性および歩留りも非常に良好である
。
おりｓ Ｓｌ １ ”ｆ３半導体に使われる技術がその
ままＧａＡｓ半導体に通用するとは限らず、（）ａＡ６
半導体と他の物質量の物性を調べ、確認する必要がある
。上記のように構成されたＧａＡｓ半導体装置からなる
ＧａＡｓ太陽電池のＴｉ −Ａノミ極は、Ｐ形ＧａＡｓ
層（２）に対してオーム性接鋤するという新らしい知見
を得た。接働抵抗は、従来のＡＮ −ＺｎもしくはＡｕ
−ｚｎ電極と比べて若干高くなる。したがってＬＥＤ
等の高電流密度で動作する半導体装置にＴｉ −ＡＰ電
極を用いると問題となるが、数十ｍ Ｙａｒｄ程度の低
い電流密度で動作するＧａ Ａｓ太陽電池にＴｉ −Ｉ
ｙ Ｔｉ極を用いた場合には、上記接触抵抗の影響はほ
とんど見られない。また本発明のＴｉ −ＡＰ電極Ｆ′
ｉＰ形（）ａＡｓ層（２１への接着強度が約２９と極め
て扁く、信頼性面の不安がない。さらに接合深さが１／
Ｉｍ以下と極めて浅い場合においても、ＡＰの拡散の障
壁となるＴ１層（７）が介在するので接合リークがなく
なり、特性が劣化するという問題が生じないため、０．
８８〜０．８５程度の極めて高い曲線因子が再現性よく
得られ、特性の安定性および歩留りも非常に良好である
。
なお上記実施例ではＴｉ −ＡｊＦ電極は主としてＰ形
ＧａＡ３層（２）に接着し、Ｐ形（）ａ、 −ｘ Ａｊ
、Ａｓ層（３）にも接触していたが、Ｐ形Ｇａ、ＸＡＪ
ｘＡｓ層（３）のみに接触する構造であってもよい。
ＧａＡ３層（２）に接着し、Ｐ形（）ａ、 −ｘ Ａｊ
、Ａｓ層（３）にも接触していたが、Ｐ形Ｇａ、ＸＡＪ
ｘＡｓ層（３）のみに接触する構造であってもよい。
領域に接触されたＮ形電極であっても同様に所期の目的
金運し得る。
金運し得る。
さらに上記実施例ではＧａＡｓ太陽電池の電極構造であ
ったが、他のＧａＡｓ半導体装置の電極構造であっても
よいことは言うまでもない。
ったが、他のＧａＡｓ半導体装置の電極構造であっても
よいことは言うまでもない。
以上のように、この発明によれば、ＧａＡθ半導体頭域
に接触して形成されたＴｉ層と、このＴｉ層上に形成さ
れたＡＮ層とを備えた電極構造にしたので電極接着強度
が強く、ＧａＡｓ半導体装置の信頼性の向上を計ること
ができるという効果がある０
に接触して形成されたＴｉ層と、このＴｉ層上に形成さ
れたＡＮ層とを備えた電極構造にしたので電極接着強度
が強く、ＧａＡｓ半導体装置の信頼性の向上を計ること
ができるという効果がある０
第１図は従来のＧａＡｓ太陽電池を示す断面図、第２図
はこの発明の一実施例を示す断面図である。 図において＋２１ 、 ｆｉｌはＧａＡ３半導体領域、
（７Ｈ−ｊ：Ｔｉ層、（８）はＡ２層である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 、り 第２図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 昭和６７年１１月２６日提出の特許願 ４２、発明の名
称 Ｇａ Ａｓ半導体装置の電極構造 ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ５、 Ｍ正の対象 明細書の全文 ６、 補正の内容 明細書の全文を別紙の通り補正する。 ７、 添付書類の目録 訂正明細書 １通以上 訂 正 明 細 書 １、発明の名称 Ｇａ Ａｓ半導体装置の電極構造 ２、特許請求の範囲 （１） Ｇａ Ａｓ半導体領域に接触して形成されたＴ
ｉ層と、このＴｉ層上に形成されたＡｇ層とを備えたＧ
ａＡｓ半導体装置の電極構造。 ８、発明の詳細な説明 発明の技術分野 この発明はＧａＡｓ 半導体装置の信頼性を向上させる
電極構造に関するものである。 従来技術 第１図は従来のＧａ Ａｓ 太陽電池を示す断面図であ
り、第１図においてｎ形ＧａＡｓ基板（１）の上にＧａ
Ａｓ半導体領域を構成するＰ形Ｇａ Ａｓ層（２）が
形成されており、光起電力の発生に必要なＰｎ接合が形
成されている。ここで高い耐放射線性を維持するため１
こ、Ｐ形Ｇａ Ａｓ層（２）の厚みを１μｍ以下とし、
接合の深さを極めて浅くしている。 さらにＰ形Ｇａ Ａｓ層（２）の上部にはＰ形Ｇａ １
−）（ＡＡ’）（Ａｓ層（３）が設けられており、その
上部には、反射防止膜（４）が形成されている。反射防
止膜（４）の一部には開口部が設けられ、この開口部の
直下のＧａ ｌ −Ｘ ｆｉＪｘ Ａｓ ＩＩ （３）
は除去されてＰ形Ｇａ Ａｓ層（２）が露出され”Ｃい
る。この露出されたＰ形Ｇａ Ａｓ層（２）上に〜−Ｚ
ｎ合金またはＡｕ −Ｚｎ合金などを用いたＰ形電極（
５）が設けられ、ｎ形Ｇａ Ａｓ基板（１）の裏面１こ
はｎ形電極（６）が形成されている。 上記の様な構造のＧａ Ａｓ太陽電池は、優れた温度特
性及び耐放射線性を有しており・最近・人工衛星電源と
して期待されている。ここでＰ形電極（５）の材料１こ
は、Ｐ形１−Ｖ族化合物半導体への電極材料とし′Ｃ従
来一般（こ用いられているＡｇ−Ｚｎ合金あるいはＡｕ
−Ｚｎ合金等のＺｎを含む合金が使われているため、十
分なオーム性が与えられている。 しかしながら、上記のＰ形電極（５）は接着強度が約５
００ｆ と低く、特別に高い信頼性が要求される人工
衛星用太陽電池とし′Ｃは十分ではなく、信頼性が低い
という欠点があった。 発明の概要 この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
め幅こなされたもので、ＧａＡｓ半導体領域に接触して
形成されたＴｉ層と、このＴｉ層上１こ形成されたＡｇ
層とで電極を形成することによす、電極の接着強度を強
くし、信頼性を高くすることができるＧａ Ａｓ半導体
装置の電極構造を提供することを目的としている。 発明の実施例 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第２
図はこの発明の一実施例を示すＧａ Ａｓ太陽電池の断
面図である。第２図において（１）〜（４）および（６
）は従来のものと同様に構成されており、従来のものと
異なるところはＰ形Ｇａ １−ｘＡｌ）（Ａｓ層（３）
および反射防止膜（４）の開口部にはＰ形ＧａＡｓ層（
２）に接触して形成されたＴｉ層（７）と、このＴｉ層
（７）上に形成されたＡｇ １（８）の二層からなるＴ
ｉ −Ａｇ電極が設けられている点である。Ｔｉ−Ａｇ
電極はまたＰ形Ｇａ １−ｘＡｇ）（Ａｓ層（３）にも
接触している。 Ｇａ Ａｓ半導体は、Ｓｉ、Ｇｅ等と異なる物性をもっ
ており、Ｓｉ、Ｇｅ半導体１こ使われる技術がそのまま
Ｇａ Ａｓ半導体に通用するとは限らず、Ｇａ Ａｓ半
導体と他の物質量の物性を調べ、確認する必要がある。 上記のように構成されたＧａ Ａｓ半導体装置からなる
Ｇａ Ａｓ太陽電池のＴｉ−Ａｇ電極は、Ｐ形Ｇａ Ａ
ｓ層（２）に対してオーム性接触するという新らしい知
見を得た。接触抵抗は、従来のＡｇ −ＺｎもしくはＡ
ｕ −Ｚｎ 電極と比べて若干高くなる。したがってＬ
ＥＤ等の高電流密度で動作する半導体装置にＴｉ−Ａｇ
電極を用いると問題となるが、数＋ｍｖｃ−程度の低い
電流密度で動作するＧａ Ａｓ太陽電池にＴｉ −Ａｇ
１＝Ｉｔ極を用いた場合には、上記接触抵抗の影響は
ほとんｔ見られない。 また本発明のＴｉ−Ａｇ電極はＰ形Ｇａ Ａｓ層（２）
への接着強度が約２ ｋＱと極めて高く、信頼性面の不
安がない。さら１こ接合深さが１μｍｉｕ下と極め°Ｃ
浅い場合においても、Ａｇの拡散の障壁となるＴｉ層（
７）が介在するので接合リークがなくなり、特性が劣化
するという問題が生じないため、０．８８〜０．８６程
度の極めて高い曲線因子が再現性よく得られ、特性の安
定性および歩留りも非常に良好である。 すなわち、Ａｇ−Ｚｎ合金やＡｕ−Ｚｎ合金を電極材料
とした場合は、Ａｇや油が接合部まで拡散され・Ｃ接合
が破壊され、接合リークが生じて太陽電池特性の１つで
ある曲線因子が劣化し、出力が低下するという問題が起
りやすかったが、Ｔｉ−〜電極の場合はかかる問題を生
じることがない。 なお上記実施例では、Ｔｉ−Ａｇ電極は主としてＰ形Ｇ
ａ Ａｓ層（２）＋ｃ接着し、Ｐ形Ｇａ Ｉ −ｘ ｌ
’Ｊ ＸＡＳ層（３）にも接触していたが、Ｐ形Ｇａ
トｘＡＩＩ ＸＡ８層（３）のみ１こ接触する構造であ
ってもよい。 また上記実施例では、Ｔｉ −Ａｇ ｆｉｔ極はＰ形Ｇ
ａＡｓ領域に接触されたＰ形電極であったが、Ｎ形Ｇａ
Ａｓ領域−こ接触されたＮ形電極であっても同様に所
期の目的を達し得る。さら１こ上記実施例ではＧａ Ａ
ｓ太陽電池の電極構造であったが、他のＧ ａ Ａ ｓ
半導体装置の電極構造であってもよいことは占うまでも
ない。 発明の効果 以上のよう１こ、この発明によれば、ＧａＡｓ半導体領
域に接触して形成されたＴｉ層と、このＴｉ層上に形成
されたＡｇ層とを備えた電極構造屯こしたので電極接着
強度が強く、ＧａＡｓ半導体装置の信頼性の向上を計る
ことができるという効果がある。 ４、図面の簡単な説明 第１図は従来のＧａ Ａｓ太陽電池を示す断面図、第２
図はこの発明の一実施例を示す断面図である。 図において（２） 、 （３）はＧａ Ａｓ半導体領域
、（７）はＴｉ層、（８）はＡｇ層である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − ２４７−
はこの発明の一実施例を示す断面図である。 図において＋２１ 、 ｆｉｌはＧａＡ３半導体領域、
（７Ｈ−ｊ：Ｔｉ層、（８）はＡ２層である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 、り 第２図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 昭和６７年１１月２６日提出の特許願 ４２、発明の名
称 Ｇａ Ａｓ半導体装置の電極構造 ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ５、 Ｍ正の対象 明細書の全文 ６、 補正の内容 明細書の全文を別紙の通り補正する。 ７、 添付書類の目録 訂正明細書 １通以上 訂 正 明 細 書 １、発明の名称 Ｇａ Ａｓ半導体装置の電極構造 ２、特許請求の範囲 （１） Ｇａ Ａｓ半導体領域に接触して形成されたＴ
ｉ層と、このＴｉ層上に形成されたＡｇ層とを備えたＧ
ａＡｓ半導体装置の電極構造。 ８、発明の詳細な説明 発明の技術分野 この発明はＧａＡｓ 半導体装置の信頼性を向上させる
電極構造に関するものである。 従来技術 第１図は従来のＧａ Ａｓ 太陽電池を示す断面図であ
り、第１図においてｎ形ＧａＡｓ基板（１）の上にＧａ
Ａｓ半導体領域を構成するＰ形Ｇａ Ａｓ層（２）が
形成されており、光起電力の発生に必要なＰｎ接合が形
成されている。ここで高い耐放射線性を維持するため１
こ、Ｐ形Ｇａ Ａｓ層（２）の厚みを１μｍ以下とし、
接合の深さを極めて浅くしている。 さらにＰ形Ｇａ Ａｓ層（２）の上部にはＰ形Ｇａ １
−）（ＡＡ’）（Ａｓ層（３）が設けられており、その
上部には、反射防止膜（４）が形成されている。反射防
止膜（４）の一部には開口部が設けられ、この開口部の
直下のＧａ ｌ −Ｘ ｆｉＪｘ Ａｓ ＩＩ （３）
は除去されてＰ形Ｇａ Ａｓ層（２）が露出され”Ｃい
る。この露出されたＰ形Ｇａ Ａｓ層（２）上に〜−Ｚ
ｎ合金またはＡｕ −Ｚｎ合金などを用いたＰ形電極（
５）が設けられ、ｎ形Ｇａ Ａｓ基板（１）の裏面１こ
はｎ形電極（６）が形成されている。 上記の様な構造のＧａ Ａｓ太陽電池は、優れた温度特
性及び耐放射線性を有しており・最近・人工衛星電源と
して期待されている。ここでＰ形電極（５）の材料１こ
は、Ｐ形１−Ｖ族化合物半導体への電極材料とし′Ｃ従
来一般（こ用いられているＡｇ−Ｚｎ合金あるいはＡｕ
−Ｚｎ合金等のＺｎを含む合金が使われているため、十
分なオーム性が与えられている。 しかしながら、上記のＰ形電極（５）は接着強度が約５
００ｆ と低く、特別に高い信頼性が要求される人工
衛星用太陽電池とし′Ｃは十分ではなく、信頼性が低い
という欠点があった。 発明の概要 この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
め幅こなされたもので、ＧａＡｓ半導体領域に接触して
形成されたＴｉ層と、このＴｉ層上１こ形成されたＡｇ
層とで電極を形成することによす、電極の接着強度を強
くし、信頼性を高くすることができるＧａ Ａｓ半導体
装置の電極構造を提供することを目的としている。 発明の実施例 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第２
図はこの発明の一実施例を示すＧａ Ａｓ太陽電池の断
面図である。第２図において（１）〜（４）および（６
）は従来のものと同様に構成されており、従来のものと
異なるところはＰ形Ｇａ １−ｘＡｌ）（Ａｓ層（３）
および反射防止膜（４）の開口部にはＰ形ＧａＡｓ層（
２）に接触して形成されたＴｉ層（７）と、このＴｉ層
（７）上に形成されたＡｇ １（８）の二層からなるＴ
ｉ −Ａｇ電極が設けられている点である。Ｔｉ−Ａｇ
電極はまたＰ形Ｇａ １−ｘＡｇ）（Ａｓ層（３）にも
接触している。 Ｇａ Ａｓ半導体は、Ｓｉ、Ｇｅ等と異なる物性をもっ
ており、Ｓｉ、Ｇｅ半導体１こ使われる技術がそのまま
Ｇａ Ａｓ半導体に通用するとは限らず、Ｇａ Ａｓ半
導体と他の物質量の物性を調べ、確認する必要がある。 上記のように構成されたＧａ Ａｓ半導体装置からなる
Ｇａ Ａｓ太陽電池のＴｉ−Ａｇ電極は、Ｐ形Ｇａ Ａ
ｓ層（２）に対してオーム性接触するという新らしい知
見を得た。接触抵抗は、従来のＡｇ −ＺｎもしくはＡ
ｕ −Ｚｎ 電極と比べて若干高くなる。したがってＬ
ＥＤ等の高電流密度で動作する半導体装置にＴｉ−Ａｇ
電極を用いると問題となるが、数＋ｍｖｃ−程度の低い
電流密度で動作するＧａ Ａｓ太陽電池にＴｉ −Ａｇ
１＝Ｉｔ極を用いた場合には、上記接触抵抗の影響は
ほとんｔ見られない。 また本発明のＴｉ−Ａｇ電極はＰ形Ｇａ Ａｓ層（２）
への接着強度が約２ ｋＱと極めて高く、信頼性面の不
安がない。さら１こ接合深さが１μｍｉｕ下と極め°Ｃ
浅い場合においても、Ａｇの拡散の障壁となるＴｉ層（
７）が介在するので接合リークがなくなり、特性が劣化
するという問題が生じないため、０．８８〜０．８６程
度の極めて高い曲線因子が再現性よく得られ、特性の安
定性および歩留りも非常に良好である。 すなわち、Ａｇ−Ｚｎ合金やＡｕ−Ｚｎ合金を電極材料
とした場合は、Ａｇや油が接合部まで拡散され・Ｃ接合
が破壊され、接合リークが生じて太陽電池特性の１つで
ある曲線因子が劣化し、出力が低下するという問題が起
りやすかったが、Ｔｉ−〜電極の場合はかかる問題を生
じることがない。 なお上記実施例では、Ｔｉ−Ａｇ電極は主としてＰ形Ｇ
ａ Ａｓ層（２）＋ｃ接着し、Ｐ形Ｇａ Ｉ −ｘ ｌ
’Ｊ ＸＡＳ層（３）にも接触していたが、Ｐ形Ｇａ
トｘＡＩＩ ＸＡ８層（３）のみ１こ接触する構造であ
ってもよい。 また上記実施例では、Ｔｉ −Ａｇ ｆｉｔ極はＰ形Ｇ
ａＡｓ領域に接触されたＰ形電極であったが、Ｎ形Ｇａ
Ａｓ領域−こ接触されたＮ形電極であっても同様に所
期の目的を達し得る。さら１こ上記実施例ではＧａ Ａ
ｓ太陽電池の電極構造であったが、他のＧ ａ Ａ ｓ
半導体装置の電極構造であってもよいことは占うまでも
ない。 発明の効果 以上のよう１こ、この発明によれば、ＧａＡｓ半導体領
域に接触して形成されたＴｉ層と、このＴｉ層上に形成
されたＡｇ層とを備えた電極構造屯こしたので電極接着
強度が強く、ＧａＡｓ半導体装置の信頼性の向上を計る
ことができるという効果がある。 ４、図面の簡単な説明 第１図は従来のＧａ Ａｓ太陽電池を示す断面図、第２
図はこの発明の一実施例を示す断面図である。 図において（２） 、 （３）はＧａ Ａｓ半導体領域
、（７）はＴｉ層、（８）はＡｇ層である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − ２４７−
Claims (1)
- 装置の電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20820482A JPS5998553A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | ＧａＡｓ半導体装置の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20820482A JPS5998553A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | ＧａＡｓ半導体装置の電極構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5998553A true JPS5998553A (ja) | 1984-06-06 |
Family
ID=16552384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20820482A Pending JPS5998553A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | ＧａＡｓ半導体装置の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5998553A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6255963A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | ＧａＡｓ半導体装置 |
| US5049954A (en) * | 1988-12-07 | 1991-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | GaAs field effect semiconductor device having Schottky gate structure |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS497628A (ja) * | 1972-05-25 | 1974-01-23 |
-
1982
- 1982-11-26 JP JP20820482A patent/JPS5998553A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS497628A (ja) * | 1972-05-25 | 1974-01-23 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6255963A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | ＧａＡｓ半導体装置 |
| US5049954A (en) * | 1988-12-07 | 1991-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | GaAs field effect semiconductor device having Schottky gate structure |
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