JPS5996735A - ウエツトエツチング槽及びそれを用いたウエツトエツチング装置 - Google Patents
ウエツトエツチング槽及びそれを用いたウエツトエツチング装置Info
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- JPS5996735A JPS5996735A JP20601282A JP20601282A JPS5996735A JP S5996735 A JPS5996735 A JP S5996735A JP 20601282 A JP20601282 A JP 20601282A JP 20601282 A JP20601282 A JP 20601282A JP S5996735 A JPS5996735 A JP S5996735A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(並架上の第1」用分封)
不党明はLSI製造に2いて、ウェハの酸・アルカリ柴
品なとによる尚相反りエットエツテング槽及びそオシ音
用いたエツチング装置に関するものでβ心。
品なとによる尚相反りエットエツテング槽及びそオシ音
用いたエツチング装置に関するものでβ心。
(従来技術)
従来では、ウェットエツチングの軸度ン向上でせるには
、エツチング液の温度會制御丁ゐことにLυ実現できる
と考えらrしていた。このため、エツチング槽内のエツ
チング液の温度’k 一定に保持させる方法として、エ
ツチング液の入ったエツテンク惰勿一定環境庫にあるク
リーンペンテ同に放置したり、めるいは−矩温度の水浴
内に浸漬させる方法がとらrしていたが、エツチング槽
内のエツチング液が一冗温度VCなるのにo tilt
が力・か9、またエツチング槽の置かnている環視に左
右さn−?丁く、常に一足温度に保持して寂くことか難
しかった。唸だ、エツチング液か一定温度になっている
こと?確認し、ウェットエツチング液に浸漬させた場付
にも、エツチング槽内のエツチング液の温度VC変動が
生じたシして、ロット内のウェハ問およびウェハ曲内で
のエツチングはらつきか人さくなり、エツチングの制御
性・8現性などに問題〃)めった。
、エツチング液の温度會制御丁ゐことにLυ実現できる
と考えらrしていた。このため、エツチング槽内のエツ
チング液の温度’k 一定に保持させる方法として、エ
ツチング液の入ったエツテンク惰勿一定環境庫にあるク
リーンペンテ同に放置したり、めるいは−矩温度の水浴
内に浸漬させる方法がとらrしていたが、エツチング槽
内のエツチング液が一冗温度VCなるのにo tilt
が力・か9、またエツチング槽の置かnている環視に左
右さn−?丁く、常に一足温度に保持して寂くことか難
しかった。唸だ、エツチング液か一定温度になっている
こと?確認し、ウェットエツチング液に浸漬させた場付
にも、エツチング槽内のエツチング液の温度VC変動が
生じたシして、ロット内のウェハ問およびウェハ曲内で
のエツチングはらつきか人さくなり、エツチングの制御
性・8現性などに問題〃)めった。
このため、エツチング槽とホンダと熱父侯器?配置′V
Cより結付ざぜ、ホンダてエツチング液全エツチング憎
と熱父侯器1bjにai創ぜて、熱父侠器により直接エ
ツチング液の温度勿制御する方法も利用さ扛1いる。し
7+ユし、このようにエツチング槽内の歌温を一足に市
1」御してt1エツナンク槽内でのエンテンク准の流f
L方に起因するエツチングはらつき力・生じるため、エ
ツチングの制御性・再現性は禾だ不光分でめった。
Cより結付ざぜ、ホンダてエツチング液全エツチング憎
と熱父侯器1bjにai創ぜて、熱父侠器により直接エ
ツチング液の温度勿制御する方法も利用さ扛1いる。し
7+ユし、このようにエツチング槽内の歌温を一足に市
1」御してt1エツナンク槽内でのエンテンク准の流f
L方に起因するエツチングはらつき力・生じるため、エ
ツチングの制御性・再現性は禾だ不光分でめった。
以上の久点刀島めるため、Brmの岸さのエツチングを
行うには、ウェハ【エツチング液に浸漬させてから、一
定時間毎にウニ/Sf引き上は目視したり、エツナンク
映厚2 a+++定ずゐ必恢かめ、9、L、SIN造フ
ロセスにおけるエツチング工程が極めて夛ト幼率8’J
であるとともに、七の工程の自相υ化娑し」晃xvLI
、てい瓦。
行うには、ウェハ【エツチング液に浸漬させてから、一
定時間毎にウニ/Sf引き上は目視したり、エツナンク
映厚2 a+++定ずゐ必恢かめ、9、L、SIN造フ
ロセスにおけるエツチング工程が極めて夛ト幼率8’J
であるとともに、七の工程の自相υ化娑し」晃xvLI
、てい瓦。
(発明の目的)
本発明はこ扛らの欠点ケ除去するため、エツチング槽内
のエツフ゛ンク液勿ボンフにより熱父挾器を介して循環
名ゼ、エツチング7夜の直接r晶度制御勿行うとともに
、更にエツチング槽内てエツチング液かロット内の谷つ
エノ\面内に一様な栄件で流ILるような槽構造ケ湊案
じ、こ扛によりエツチングの制帥性・再現性の同上2図
り、ウェットエツチング工程の自動化k ml 籠ニ’
i−ルことt目的と−」−ゐものでめる。
のエツフ゛ンク液勿ボンフにより熱父挾器を介して循環
名ゼ、エツチング7夜の直接r晶度制御勿行うとともに
、更にエツチング槽内てエツチング液かロット内の谷つ
エノ\面内に一様な栄件で流ILるような槽構造ケ湊案
じ、こ扛によりエツチングの制帥性・再現性の同上2図
り、ウェットエツチング工程の自動化k ml 籠ニ’
i−ルことt目的と−」−ゐものでめる。
(発明の構&)
前部の目的し1與jる7λめ、本発明はエツチング槽ビ
Jのエツチング処理部と、削iじのエツチング槽にエツ
チング液ケ供給するエツチング液供煽部と、眩エツチン
グ槽Vc刊眩さIしたエツチング液回収部と、姥エツナ
ンクn久回収都よりのエツナンク液km度制りl Lだ
上−〇エツチング槽に循環流出せしめる伽塚数ωL出5
「4と、該楯しン仮流出1′より苑出し1こエツチング
it kエツチング対象物の接触面に一抹に流ず′f′
cめの制御4に(桁と音物えることr特徴とするウエソ
)・エツチング槽を発明の貴官とするものでりる。
Jのエツチング処理部と、削iじのエツチング槽にエツ
チング液ケ供給するエツチング液供煽部と、眩エツチン
グ槽Vc刊眩さIしたエツチング液回収部と、姥エツナ
ンクn久回収都よりのエツナンク液km度制りl Lだ
上−〇エツチング槽に循環流出せしめる伽塚数ωL出5
「4と、該楯しン仮流出1′より苑出し1こエツチング
it kエツチング対象物の接触面に一抹に流ず′f′
cめの制御4に(桁と音物えることr特徴とするウエソ
)・エツチング槽を発明の貴官とするものでりる。
さらに本発明はエツチング槽と、Nll記のエツチング
槽より取シ出したエツチング対象物のエツチングm。勿
洗い流す水洗憎と、前記の水抗佃よシ取り出したエツチ
ング対象43;a F乾燥さゼる乾燥装置と、これらの
間にエツナンク対象物忙、その垂直移!VI運展と水半
朴劾ガセ度と1エツナンク液のエツチング速1ltV(
対ルシ、させ1制御秒勤せしめる移動機構と葡倫えゐこ
とに’け似とするワエットエッチング装置奮発明り表旨
と丁ゐもりでめる。
槽より取シ出したエツチング対象物のエツチングm。勿
洗い流す水洗憎と、前記の水抗佃よシ取り出したエツチ
ング対象43;a F乾燥さゼる乾燥装置と、これらの
間にエツナンク対象物忙、その垂直移!VI運展と水半
朴劾ガセ度と1エツナンク液のエツチング速1ltV(
対ルシ、させ1制御秒勤せしめる移動機構と葡倫えゐこ
とに’け似とするワエットエッチング装置奮発明り表旨
と丁ゐもりでめる。
次に本発明の実施例を姉fJ図LFilについて説明す
る。な2大流例は一つv) (<1小てりつ−し、本発
明の軸押を逸脱しない馳囲内で、担々の笈史めるいは改
良ケ行いうろことは言う1でもない。
る。な2大流例は一つv) (<1小てりつ−し、本発
明の軸押を逸脱しない馳囲内で、担々の笈史めるいは改
良ケ行いうろことは言う1でもない。
第1図は本発明の実施例であって、図によ・いて、1は
エツチング槽でるり、2はエツチング槽からのオーバフ
ローのエツチング徹回収部、312よひ32は液l検出
器、4は温風検出器、5はエツナング液供粘配管、6は
純水供給配管、7はエツチング槽甲板(ナカイタ)、8
はポンプ、91は熱15C侠器、92は熱交侠益用温度
匍」御器、101〜105はエア弁、111〜115は
配管、12は廃液排出音、13はエツテングfの循塚腋
流出1゛、1413よひ142はオーバフローのエツチ
ング液の導入板、157−1:ウェハキャリヤ、Pよひ
16はウェハである。26はヘリであって、オーバフロ
ーしたエツチング液が一様に流才りるために、ウェハを
囲むよシに設けたへりである。
エツチング槽でるり、2はエツチング槽からのオーバフ
ローのエツチング徹回収部、312よひ32は液l検出
器、4は温風検出器、5はエツナング液供粘配管、6は
純水供給配管、7はエツチング槽甲板(ナカイタ)、8
はポンプ、91は熱15C侠器、92は熱交侠益用温度
匍」御器、101〜105はエア弁、111〜115は
配管、12は廃液排出音、13はエツテングfの循塚腋
流出1゛、1413よひ142はオーバフローのエツチ
ング液の導入板、157−1:ウェハキャリヤ、Pよひ
16はウェハである。26はヘリであって、オーバフロ
ーしたエツチング液が一様に流才りるために、ウェハを
囲むよシに設けたへりである。
第2図Vi該エツナング槽の側面図である。
lた、第3図を191の熱父侠器と92の熱父換器用制
御4I器の配置図でめジ、17は黙父侠用タンク、18
は温度検出器、19は熱父換器設置台でめる。
御4I器の配置図でめジ、17は黙父侠用タンク、18
は温度検出器、19は熱父換器設置台でめる。
第1図に示したエツチング装置の制御は、作業油゛自身
で行うことができるか、制御装置の設置によりエツチン
グ装置の自動詞#もiij菌してるる。以下に、自動制
御により、ウェハのエッテンク葡付シ手ノ唄を示づ−6 (1)、エツチング液の供給方法 エツチング液の供給は、101 、1022よび103
のエア升勿閉じ、104のエア弁を開けて、エッテンダ
液供話目己せ5により行い、エツチング槽lに供給δ扛
る。エツチング槽へのエツチング液の供給は液l1fO
恢出器32により検知さnるが、さらに供給δrしてエ
ツチング液回収部2にオーバフローする。准面恢出器3
1か恨知丁ゐとポンツー8か始動し、黙交侠器を介して
エツチング液が俯環する。このホンン°始動時は、自己
管113 。
で行うことができるか、制御装置の設置によりエツチン
グ装置の自動詞#もiij菌してるる。以下に、自動制
御により、ウェハのエッテンク葡付シ手ノ唄を示づ−6 (1)、エツチング液の供給方法 エツチング液の供給は、101 、1022よび103
のエア升勿閉じ、104のエア弁を開けて、エッテンダ
液供話目己せ5により行い、エツチング槽lに供給δ扛
る。エツチング槽へのエツチング液の供給は液l1fO
恢出器32により検知さnるが、さらに供給δrしてエ
ツチング液回収部2にオーバフローする。准面恢出器3
1か恨知丁ゐとポンツー8か始動し、黙交侠器を介して
エツチング液が俯環する。このホンン°始動時は、自己
管113 。
114、熱父候器などに強制的にエツチング畝葡送り込
むため、エツチング液回収部2の液■刀為一時的に下が
る。この間、供松配首5によシエツテング准が供給さt
している〃)ら、伽塊糸全体にエツチング液が光足さγ
Lると、書ひエツチング液回収部2の液面が上が9、液
面検出器31に検知される。このときエア弁104か開
じ、エツチング液の供給に停止さ扛る・・ (11)敢接触面の拐科 第1図のエツチング装置で1エツナンク准と接触すると
ころは丁べて配糸品性のめる4話4月旨拐料ヶ使用し一
〇いる。エツチング槽はテフロン、グイフロン寺勿秋用
し、自己管はテフロン製でめる。ポンプ′も1叙接)う
出面は丁べてテフロン製でめる必女か1地ベロー71イ
ンブを使j’l’l してV)る。ベローボンフ′Uユ
ーイ里のヒ゛ストン運鯛でン保會送出δぜるため、エツ
テンク畝が1ilxηCになる。−i yこ、熱父保器
内の徹接触面も丁へ−CCノンンで一41戊している。
むため、エツチング液回収部2の液■刀為一時的に下が
る。この間、供松配首5によシエツテング准が供給さt
している〃)ら、伽塊糸全体にエツチング液が光足さγ
Lると、書ひエツチング液回収部2の液面が上が9、液
面検出器31に検知される。このときエア弁104か開
じ、エツチング液の供給に停止さ扛る・・ (11)敢接触面の拐科 第1図のエツチング装置で1エツナンク准と接触すると
ころは丁べて配糸品性のめる4話4月旨拐料ヶ使用し一
〇いる。エツチング槽はテフロン、グイフロン寺勿秋用
し、自己管はテフロン製でめる。ポンプ′も1叙接)う
出面は丁べてテフロン製でめる必女か1地ベロー71イ
ンブを使j’l’l してV)る。ベローボンフ′Uユ
ーイ里のヒ゛ストン運鯛でン保會送出δぜるため、エツ
テンク畝が1ilxηCになる。−i yこ、熱父保器
内の徹接触面も丁へ−CCノンンで一41戊している。
このような耐架品1生の必り拐A→忙使用し1いるIC
の、エツチング液りC装LIi!、栴)戎拐科か俗解し
、ウエノ・tfIj染ぢせゐこと力・生じない。
の、エツチング液りC装LIi!、栴)戎拐科か俗解し
、ウエノ・tfIj染ぢせゐこと力・生じない。
(IN)エツテンク畝の温度制御
エツチング液の11−炬は熱父俟器用制御器92から竹
ない、エツチング液の温匿市1j餌τ熱父侠器91F、
(弁じて行わ7Lゐ。丁なわち、エツチング1ダケホン
78により、エツテング4’+’i 11)ユラエソテ
ンク徹回収部2、白Clf Ill 、 112 、1
13ゲ辿し1熱父侠器9i IIC流入芒ぜ、第3図に
ボした熱交侠器円の温度挟田岳18の恢知温反に基つき
、熱文快器用nfl (却命9zに弁し一〇熱父侯器H
のエツチング畝娑刀LI熱X 7Cは耐坤して、エツチ
ング液の幌度市1」1剃17行なう。このイダ、トj−
自1142よひ循環7佼θn出看13を介してエツチン
グ槽に旅出芒ぜ、エツチング槽甲板7の多奴の穴〃・ら
エツチング郁vC伽璋aせる。このような檜だになって
いる′l))ら、エツチング槽内のエツチング敢r常に
b1定の扇風に、址た慴ビ」での温度分布t±0.1℃
の罹度で電り但1jテることか町有巳でりゐ。
ない、エツチング液の温匿市1j餌τ熱父侠器91F、
(弁じて行わ7Lゐ。丁なわち、エツチング1ダケホン
78により、エツテング4’+’i 11)ユラエソテ
ンク徹回収部2、白Clf Ill 、 112 、1
13ゲ辿し1熱父侠器9i IIC流入芒ぜ、第3図に
ボした熱交侠器円の温度挟田岳18の恢知温反に基つき
、熱文快器用nfl (却命9zに弁し一〇熱父侯器H
のエツチング畝娑刀LI熱X 7Cは耐坤して、エツチ
ング液の幌度市1」1剃17行なう。このイダ、トj−
自1142よひ循環7佼θn出看13を介してエツチン
グ槽に旅出芒ぜ、エツチング槽甲板7の多奴の穴〃・ら
エツチング郁vC伽璋aせる。このような檜だになって
いる′l))ら、エツチング槽内のエツチング敢r常に
b1定の扇風に、址た慴ビ」での温度分布t±0.1℃
の罹度で電り但1jテることか町有巳でりゐ。
(V)エツチング液の流tしの制御
エツチング槽lbに工・りるエツチング液の流γしの制
僻はl+発明の安息であり、熱父侯で温度 −制イ1l
−1Iさ7’L7とエツチング液は、備1米畝宛出前1
3〃)らエツチング液のノ氏(rc向力)うて流出芒ぜ
、ここでエツナンク敢ヲ^し流にし7たりと1エツチン
グ僧中板7の多数の穴からエツテンダ+!円に流出させ
、エツナンク慣円でのエツチング液のMC7tが、ウェ
ハキャリヤ15(ハ)の谷ウェハ面16に同一の条件で
一様に流jLるようにしたあと、エツチング種の四方の
へりから、ヘリ一体に一様にオーバフローさゼ°て、エ
ツチング液回収都2で回収し、ホンプ8で餉城させる。
僻はl+発明の安息であり、熱父侯で温度 −制イ1l
−1Iさ7’L7とエツチング液は、備1米畝宛出前1
3〃)らエツチング液のノ氏(rc向力)うて流出芒ぜ
、ここでエツナンク敢ヲ^し流にし7たりと1エツチン
グ僧中板7の多数の穴からエツテンダ+!円に流出させ
、エツナンク慣円でのエツチング液のMC7tが、ウェ
ハキャリヤ15(ハ)の谷ウェハ面16に同一の条件で
一様に流jLるようにしたあと、エツチング種の四方の
へりから、ヘリ一体に一様にオーバフローさゼ°て、エ
ツチング液回収都2で回収し、ホンプ8で餉城させる。
このような猶造にすることにより、エツチング種りでの
エツチング液の流jLは谷ウェハに対して同一の条件に
なり、′:l:た槽内でのエツチング液の温度分布も±
0.1℃以内で一致することから、尚相反のウェハのエ
ツチングケ実埃することが口」能になった。
エツチング液の流jLは谷ウェハに対して同一の条件に
なり、′:l:た槽内でのエツチング液の温度分布も±
0.1℃以内で一致することから、尚相反のウェハのエ
ツチングケ実埃することが口」能になった。
ここで、該エツチング装置ハペローポンス全使用してと
り、循環するエツチング″#!iは脈直になる。このた
め、エツナンク惜円の谷ウェハに接触するエツチング液
のびLt’L L7)栄件ケ一定にするには、循環液流
出管13から流用するエツチング液の液流上清中板7で
いかに調整する〃1ということに技術的散点がるり、以
下に槽中板に関する検討触りを説明する。
り、循環するエツチング″#!iは脈直になる。このた
め、エツナンク惜円の谷ウェハに接触するエツチング液
のびLt’L L7)栄件ケ一定にするには、循環液流
出管13から流用するエツチング液の液流上清中板7で
いかに調整する〃1ということに技術的散点がるり、以
下に槽中板に関する検討触りを説明する。
用いたベローホンプは10回のヒストン動作で約1.6
5tのエンチング液?送出させる。また、試′4+は7
.62錆(3インナ)直径のシリコンウェハ上に形成さ
せたシリコン融化膜を用い、エツチング前とエツチング
液の取化挨の膜厚分布t?エバ面全体に渡って、特定位
置の137点ycついて6111 wし、エツチング液
佐の取化映厚の着がらウェハ曲内のエツチングの均−注
を評価した。
5tのエンチング液?送出させる。また、試′4+は7
.62錆(3インナ)直径のシリコンウェハ上に形成さ
せたシリコン融化膜を用い、エツチング前とエツチング
液の取化挨の膜厚分布t?エバ面全体に渡って、特定位
置の137点ycついて6111 wし、エツチング液
佐の取化映厚の着がらウェハ曲内のエツチングの均−注
を評価した。
し〃・シ、以下に述べるエツチングはらっさの数字は計
n七簡単にするたの、第4図に示すウェハ曲内の特定の
5点り位置について、テフロンキャリヤ内の25枚のウ
ェハのエッナンク映厚會測定し、平均値を求めためと、
その平均値からのすγしの最も大きい埴勿瑯ひ、平均値
に対するすれのバーセンテイジr求めてエツチングはら
つきと走教したか、こCによって問題は生じない。lだ
、エツチング族としては3%1(Fと緩衝フッ岐畝(N
H4F +’HF )を用いたが、ここではエツチング
液の*jtの影響に敏感な緩衝フッ酸液を用いた。なお
、g温は22℃でエツチング時間は2分であり、このと
きのエソテンク狭厚は約1000穴である。
n七簡単にするたの、第4図に示すウェハ曲内の特定の
5点り位置について、テフロンキャリヤ内の25枚のウ
ェハのエッナンク映厚會測定し、平均値を求めためと、
その平均値からのすγしの最も大きい埴勿瑯ひ、平均値
に対するすれのバーセンテイジr求めてエツチングはら
つきと走教したか、こCによって問題は生じない。lだ
、エツチング族としては3%1(Fと緩衝フッ岐畝(N
H4F +’HF )を用いたが、ここではエツチング
液の*jtの影響に敏感な緩衝フッ酸液を用いた。なお
、g温は22℃でエツチング時間は2分であり、このと
きのエソテンク狭厚は約1000穴である。
第5図に7.’62cInウエノ・用の槽中板の実施秒
1示す。なV、 φは穴の直径上水し、Pは穴と穴の
間隔(ピッチ)奮示す。第6図のψ= 2 tnM。
1示す。なV、 φは穴の直径上水し、Pは穴と穴の
間隔(ピッチ)奮示す。第6図のψ= 2 tnM。
P = 10 mn+の1台中板盆用い、9自塚液流出
官13會4本平行Vこ設置した場合のウニ/%のエツチ
ングはらつきは±1.79bでめった。一方、幽も6図
と一一ノ情甲板(ψ= 2 yen 、 P = 10
tren ) k用い、循環液流出管13 ’c交互
に対面方向力)ら4本設置した場合には、エツチングは
うつき力・±3.0%と慾化し、循環液流出管の設定方
法に影響することがわかる。このことば、両方向のa*
* ’leL bit出管〃・らのエツチング液の流
出条件r同一にすることか畑しいことによる。
官13會4本平行Vこ設置した場合のウニ/%のエツチ
ングはらつきは±1.79bでめった。一方、幽も6図
と一一ノ情甲板(ψ= 2 yen 、 P = 10
tren ) k用い、循環液流出管13 ’c交互
に対面方向力)ら4本設置した場合には、エツチングは
うつき力・±3.0%と慾化し、循環液流出管の設定方
法に影響することがわかる。このことば、両方向のa*
* ’leL bit出管〃・らのエツチング液の流
出条件r同一にすることか畑しいことによる。
紀8図は槽中板7・の他の実施例でめジ、ウェハギヤリ
ヤか匝かれる槽中板の中央4夕II kφ=2.6sn
ト大さくしてエツチング液が流nヤi−くし、他の列は
全てφ=2篩の穴の11とした。
ヤか匝かれる槽中板の中央4夕II kφ=2.6sn
ト大さくしてエツチング液が流nヤi−くし、他の列は
全てφ=2篩の穴の11とした。
たたし、いづゴしもへ間隔はP = 10 mmでるり
、また循環液流出管13は第6図のようK 4不平行に
設定した。この場合のエツチングばらつきは±1.9%
であることがわかり、第6図の槽中板(ψ= 2 +n
m 、 P = 10mm )のように均一な穴の分布
の刀かエツチングはらつきか±1.7%と小さいことか
ら屋ましいことかわかる。
、また循環液流出管13は第6図のようK 4不平行に
設定した。この場合のエツチングばらつきは±1.9%
であることがわかり、第6図の槽中板(ψ= 2 +n
m 、 P = 10mm )のように均一な穴の分布
の刀かエツチングはらつきか±1.7%と小さいことか
ら屋ましいことかわかる。
次に、均一の穴の分布でへ自体七/」・さくした場合(
ψ= 1.5 tea 、 P = 10mm )、つ
1ジ第6図での穴の直径の与會ψ=2.0咽からψ=1
.5陥に小3くした場合には、エツチングはらつきは±
1.4%と最良の1mを得た。史にこのφ=1・5祁の
穴の’JEEで穴の数のか72倍にした場合には、エツ
チングはらつきは±2.4%と逆に瑣刀口した。次に、
こC1でのホンプ流童はできるかきり遅くした9、5t
/分でめったが、この光重t13、O11分2よひ17
.4A/分と増加させ、槽中板の最良の条件(φ−1,
5ttaa 、 P = 10 mm’ )で行った場
合にもエツチングはうつきは慾化し、たとえは0に重1
7.411分で±3.2%とfKも悪くなった。
ψ= 1.5 tea 、 P = 10mm )、つ
1ジ第6図での穴の直径の与會ψ=2.0咽からψ=1
.5陥に小3くした場合には、エツチングはらつきは±
1.4%と最良の1mを得た。史にこのφ=1・5祁の
穴の’JEEで穴の数のか72倍にした場合には、エツ
チングはらつきは±2.4%と逆に瑣刀口した。次に、
こC1でのホンプ流童はできるかきり遅くした9、5t
/分でめったが、この光重t13、O11分2よひ17
.4A/分と増加させ、槽中板の最良の条件(φ−1,
5ttaa 、 P = 10 mm’ )で行った場
合にもエツチングはうつきは慾化し、たとえは0に重1
7.411分で±3.2%とfKも悪くなった。
こnから、@4発したエツチング種に2いて、最良のエ
ツチング相度業得る米作は、循環液流出管13 F、(
第6図の4本同一方向の平h′型にし、檜甲板の穴につ
いては穴の直径をφ”1.5mm。
ツチング相度業得る米作は、循環液流出管13 F、(
第6図の4本同一方向の平h′型にし、檜甲板の穴につ
いては穴の直径をφ”1.5mm。
穴間隔k P = 10聰の一様な分布にし、ポンプ流
量?低速VCすることであることがわかった。こrしに
よジ、エツチングはらっさは±1.4%の筒軸度にする
ことが1」能になった。yx2、エツチング惰からのオ
ーバ70−會惜の四カのへIJ一体から一様に竹うこと
も条件の1っでるり、実際にこのオーバフロ一方法上止
め、エツチング液全第9図のエツチング液回収配管2o
で回収する方法で行い、ポンプで伽塚避せた場合にはエ
ツチングはらつきが忌化テることか明らかとなった。
量?低速VCすることであることがわかった。こrしに
よジ、エツチングはらっさは±1.4%の筒軸度にする
ことが1」能になった。yx2、エツチング惰からのオ
ーバ70−會惜の四カのへIJ一体から一様に竹うこと
も条件の1っでるり、実際にこのオーバフロ一方法上止
め、エツチング液全第9図のエツチング液回収配管2o
で回収する方法で行い、ポンプで伽塚避せた場合にはエ
ツチングはらつきが忌化テることか明らかとなった。
また、第10図に示すよりに憎甲板?2枚使用し、槽中
板間にエツチング液のバッファ層を設けることにより、
槽内のエツチング液の流γLが谷9エバ而で同一の米作
になり一?ターく、エツチング軸度が史VC改筈さ1し
ることがわかった。たとえは、上の槽中板ンφ=2.0
諺r P = 4 waにし、−トの慣中板勿φ−2,
Oram 、 P = 10 rrrmとした場合にエ
ツチング゛はらつきが±0.7 %とざらに扁a度にな
ることが確認さnた。また、循環液流出室13の流出口
?僧紙に回りなくても、エソテンク鞘展は1−1.7饅
恒匿にすることができた。
板間にエツチング液のバッファ層を設けることにより、
槽内のエツチング液の流γLが谷9エバ而で同一の米作
になり一?ターく、エツチング軸度が史VC改筈さ1し
ることがわかった。たとえは、上の槽中板ンφ=2.0
諺r P = 4 waにし、−トの慣中板勿φ−2,
Oram 、 P = 10 rrrmとした場合にエ
ツチング゛はらつきが±0.7 %とざらに扁a度にな
ることが確認さnた。また、循環液流出室13の流出口
?僧紙に回りなくても、エソテンク鞘展は1−1.7饅
恒匿にすることができた。
(■廃液の排出力法
エツチング液の廃液は第1図のポン7s奮作mgせた状
態で、エア* lol、 102 、103 wmす、
エツチング惰1、オーバ70−のエンチング液回収都2
、ポンプ゛8、熱又侯籍91 、自己管111〜115
内等力・らエソテンク液會屍徹排出1・12t則してエ
ツチング装置外に排出ぢせる。−!、た、第3凶刃・ら
熱交保谷の人出ロカ向を1頃けさせるための熱又侠器設
直台19上に熱父侠器2直いているため、熱交俟用タン
ク17内のエツチング族の残液が排出ざILヤアい方法
にしてめる。
態で、エア* lol、 102 、103 wmす、
エツチング惰1、オーバ70−のエンチング液回収都2
、ポンプ゛8、熱又侯籍91 、自己管111〜115
内等力・らエソテンク液會屍徹排出1・12t則してエ
ツチング装置外に排出ぢせる。−!、た、第3凶刃・ら
熱交保谷の人出ロカ向を1頃けさせるための熱又侠器設
直台19上に熱父侠器2直いているため、熱交俟用タン
ク17内のエツチング族の残液が排出ざILヤアい方法
にしてめる。
上記の排出操作後に、エア弁103を閉じ、ポンプ8の
〜■絖的な圧縮空気でホン7“8(ハ)、配置113内
、あ゛よひ熱又俟器用タンク17内の残液葡口]耗な〃
・さり廃液排出管12に送出芒ぜる。
〜■絖的な圧縮空気でホン7“8(ハ)、配置113内
、あ゛よひ熱又俟器用タンク17内の残液葡口]耗な〃
・さり廃液排出管12に送出芒ぜる。
次に、エア弁101 、102 $−よひ103に閉に
し7’c ”!まエア升105i開け、純水配管6によ
り純水?]l−流出ちせ、エッチング処理槽11エツチ
ング液 父侠器91にνd腺さセて、エツチング装置全体ケ洗浄
する。その佐に先の発数排出と同一の排出シーケンスに
従い、便用循みの純水r排出官12全通して排出部せる
。
し7’c ”!まエア升105i開け、純水配管6によ
り純水?]l−流出ちせ、エッチング処理槽11エツチ
ング液 父侠器91にνd腺さセて、エツチング装置全体ケ洗浄
する。その佐に先の発数排出と同一の排出シーケンスに
従い、便用循みの純水r排出官12全通して排出部せる
。
このような廃液排出シよひぞの佐の槽抗浄t1回以上行
フことによシ、エツチング族の汚朱2よび抗浄抜の残液
によるエツチング液の濃度震動などによるエツチング精
度の劣化荀防ぐことがでさ、丹抗性の良いクリーンなエ
ツナング工程會笑現することか口」蛇になる。
フことによシ、エツチング族の汚朱2よび抗浄抜の残液
によるエツチング液の濃度震動などによるエツチング精
度の劣化荀防ぐことがでさ、丹抗性の良いクリーンなエ
ツナング工程會笑現することか口」蛇になる。
TJ. 11図は本発明によるウェハの自動ウェットエ
ツチング装置の実施側」でめって、lはエツチング槽、
15はウエハヤヤリャ、16ホウエハ、21はローダ、
22は水洗慴、23はウェハ乾燥機、24はハンドロボ
ットのナヤツク、25tまハンドロボットでおる。Cr
Lにより、ウェハのエツチングを行うには、エツチング
惰11’lのエツチング液が前足の温度(rcなつ/ζ
めと、ローダ21上にめるウェハ16の入ったワエハキ
ャリャtナヤソタ24でつかり、ハンドロボット25で
移T#Jちぜ、エツチング惰1に浸漬δぜてエツチング
を行う。DI定のエツチング時■」後にハンドロボット
25ですみやか°pc水抗憎22に移動芒ゼ、急白な時
間の水洗後にウェハ乾燥機23にウェハを移動ぢゼ乾燥
6ぜる。
ツチング装置の実施側」でめって、lはエツチング槽、
15はウエハヤヤリャ、16ホウエハ、21はローダ、
22は水洗慴、23はウェハ乾燥機、24はハンドロボ
ットのナヤツク、25tまハンドロボットでおる。Cr
Lにより、ウェハのエツチングを行うには、エツチング
惰11’lのエツチング液が前足の温度(rcなつ/ζ
めと、ローダ21上にめるウェハ16の入ったワエハキ
ャリャtナヤソタ24でつかり、ハンドロボット25で
移T#Jちぜ、エツチング惰1に浸漬δぜてエツチング
を行う。DI定のエツチング時■」後にハンドロボット
25ですみやか°pc水抗憎22に移動芒ゼ、急白な時
間の水洗後にウェハ乾燥機23にウェハを移動ぢゼ乾燥
6ぜる。
従来では、上記のようなハンドリンクの自動化にさいし
、ウェハのエツチングはらつきが犬さくなるのが1つり
問題でりつ7ヒ9,このため、本発明ではハンドロボッ
トの上−ト方向の移動時間と横力向の移動時間を以−計
に述べる方法で制御することVCより、ハントリンクの
自動化に伴うエツチングばらつピの太〜刀Ll勿寂さえ
ることをCIIJ能に・した。
、ウェハのエツチングはらつきが犬さくなるのが1つり
問題でりつ7ヒ9,このため、本発明ではハンドロボッ
トの上−ト方向の移動時間と横力向の移動時間を以−計
に述べる方法で制御することVCより、ハントリンクの
自動化に伴うエツチングばらつピの太〜刀Ll勿寂さえ
ることをCIIJ能に・した。
第12図はハンドロボットによりウニハケエツチング槽
IVC入γL、Cr定のエツチング時l1Il仮にウェ
ハをエツチング槽から取り出し、次の水洗槽22に入扛
るシーケンスの途中の状態を示したものでるる。ここで
、Xui wウエノ・の上端、Xdiケ9エハリ下端(
ここに1=i、2.−−一とする)、L’1ll−ウェ
ハの直径、ve會エツチング憎位置でのハンドロボット
の上1万回の移動速度、SJ、、に水fUr421位置
でのハンドロボットの上下刃向のMl動速度、Akエツ
チング備中のエツチング速度、B會エツチング惰から水
洗槽VC移動する間のウェハ表面上のエツチング液敢に
よるウェハのエツチング速度とする。このとさ、ハンド
ロボットによジウエハがエツチング槽に入れてから水洗
槽に入nるlでに、一般にウェハの上端と下端では移動
に伴いエツチング槽・水洗槽に浸漬される時Uか異なる
なとエツナンク条件が異なり、側端でエツチング膜厚か
相違してくる。この1山]端でのエツチング膜犀會同−
にするには、エツチング槽でのウエノ\の上−ト移hJ
速度鳩と水洗槽での上F移動速度VW會次式が取立する
ようVC訣めることでりる。
IVC入γL、Cr定のエツチング時l1Il仮にウェ
ハをエツチング槽から取り出し、次の水洗槽22に入扛
るシーケンスの途中の状態を示したものでるる。ここで
、Xui wウエノ・の上端、Xdiケ9エハリ下端(
ここに1=i、2.−−一とする)、L’1ll−ウェ
ハの直径、ve會エツチング憎位置でのハンドロボット
の上1万回の移動速度、SJ、、に水fUr421位置
でのハンドロボットの上下刃向のMl動速度、Akエツ
チング備中のエツチング速度、B會エツチング惰から水
洗槽VC移動する間のウェハ表面上のエツチング液敢に
よるウェハのエツチング速度とする。このとさ、ハンド
ロボットによジウエハがエツチング槽に入れてから水洗
槽に入nるlでに、一般にウェハの上端と下端では移動
に伴いエツチング槽・水洗槽に浸漬される時Uか異なる
なとエツナンク条件が異なり、側端でエツチング膜厚か
相違してくる。この1山]端でのエツチング膜犀會同−
にするには、エツチング槽でのウエノ\の上−ト移hJ
速度鳩と水洗槽での上F移動速度VW會次式が取立する
ようVC訣めることでりる。
(υ式はエツチング槽にウェハ奮出入nするときの上端
と下端のエツチング膜厚の相違ケ水洗槽に入才しるとじ
の速度によって、この相違を相殺させる米作から棉出す
ることかできる。このようにすることVCよって、ハン
ドリンクの自動化によるエツチングはらつさの工冒刀i
勿抑えることが可能になる。
と下端のエツチング膜厚の相違ケ水洗槽に入才しるとじ
の速度によって、この相違を相殺させる米作から棉出す
ることかできる。このようにすることVCよって、ハン
ドリンクの自動化によるエツチングはらつさの工冒刀i
勿抑えることが可能になる。
第13図はエツチング槽から水洗槽1でのハンドロボッ
トの7r!6動時闇に対するウェハのエツチング速度と
ウェハ面V」のはらつさをボし罠ものである。こfLか
ら、エツチング槽から水洗槽までの8;励時間か30秒
程度會超えると桜鯛中のエツチング速度か減少し、ウェ
ハのエツチングはらつきの増大することかわかる。この
ことから、ハンドロボットの移動時間力・30秒以下に
なるように、移動距離と移動速度盆決める必要がるり、
このようにすることによってウェハのエツチングはらつ
きがlチ程度と筒札度のエツチングを保持することかで
きる。lν、第13図におけるエツチング速度Aおよび
Bk用い、(1)式全計其すると V’W = 1.5 Ve ’ (2
Jと簡単な関係式になり、水洗槽でのハンドロボットの
上下方向の移動速度盆エツナング槽1の上下刃向の移動
速度の1.5倍にすると、ハンドリングによるエツチン
グはらつさ會小ちくてさることがわたる。
トの7r!6動時闇に対するウェハのエツチング速度と
ウェハ面V」のはらつさをボし罠ものである。こfLか
ら、エツチング槽から水洗槽までの8;励時間か30秒
程度會超えると桜鯛中のエツチング速度か減少し、ウェ
ハのエツチングはらつきの増大することかわかる。この
ことから、ハンドロボットの移動時間力・30秒以下に
なるように、移動距離と移動速度盆決める必要がるり、
このようにすることによってウェハのエツチングはらつ
きがlチ程度と筒札度のエツチングを保持することかで
きる。lν、第13図におけるエツチング速度Aおよび
Bk用い、(1)式全計其すると V’W = 1.5 Ve ’ (2
Jと簡単な関係式になり、水洗槽でのハンドロボットの
上下方向の移動速度盆エツナング槽1の上下刃向の移動
速度の1.5倍にすると、ハンドリングによるエツチン
グはらつさ會小ちくてさることがわたる。
第14図は本発明による自動ウェットエツチング装置ケ
用い、汲慟フッ臓液による7、62on(3インチ)シ
リコンウェハ上の酸化瞑りエツチングの実施例である。
用い、汲慟フッ臓液による7、62on(3インチ)シ
リコンウェハ上の酸化瞑りエツチングの実施例である。
ここにエツチング液Nu、F−)fF、 エツチング
温度22℃である。第14図はエツチング状態ン示す3
?に7cの図で横軸はいわゆるX軸に相掘し、斜方間の
軸はいわゆるY軸に相当し、暎厚さはZ@に相当し、1
中の横方向は走る做ky、本の線は膜厚上水す。斡ノは
シリコン酸化膜のエツチング前の膜厚分布であり、(b
)は約100OAエツチング後の膜厚分布に示しておシ
、ウェハ面内で均一にエツチングさ扛ていることかわか
る。本装置によりロフト円の25枚のワエハ間、盪たロ
ット間のフェノ1も言めてエツチングはらつき荀l〜2
%以内の尚相反のエツチングか実状でき、エツチング時
11]たけでエツチング眼岸會正雑に制御できるウェッ
トエツチングの自動化が゛1首1となった。
温度22℃である。第14図はエツチング状態ン示す3
?に7cの図で横軸はいわゆるX軸に相掘し、斜方間の
軸はいわゆるY軸に相当し、暎厚さはZ@に相当し、1
中の横方向は走る做ky、本の線は膜厚上水す。斡ノは
シリコン酸化膜のエツチング前の膜厚分布であり、(b
)は約100OAエツチング後の膜厚分布に示しておシ
、ウェハ面内で均一にエツチングさ扛ていることかわか
る。本装置によりロフト円の25枚のワエハ間、盪たロ
ット間のフェノ1も言めてエツチングはらつき荀l〜2
%以内の尚相反のエツチングか実状でき、エツチング時
11]たけでエツチング眼岸會正雑に制御できるウェッ
トエツチングの自動化が゛1首1となった。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明ではエツチング額の温度寂
よひ赦の流rしの匍」碑盆行うことにより、エツチング
槽内でのエソテンク欣の温度分布のはらつさ全±0.1
u以(ハ)にでき、またエツチング液が各ウェハ面に
同一の末汗で冗才りるようにすることが1」能になつ′
fcため、エツチング温度とエツチング時間を指定する
たけで、エツチングはらつさかウエノ・面内、ちりにロ
ット間を含め1チ程度と尚相反なエツチングを実現する
ことができた。11ζ、エツチングの尚棺度化を保持で
きるノ・ンドリンクの自動化等によ)、ウェットエツチ
ングの自動化kWかb]耗となシ、LSI製造フロセス
に2ける制御性、書塊性の向上や無人化等葡図ることが
できるなとの多くのオリ点かめる。
よひ赦の流rしの匍」碑盆行うことにより、エツチング
槽内でのエソテンク欣の温度分布のはらつさ全±0.1
u以(ハ)にでき、またエツチング液が各ウェハ面に
同一の末汗で冗才りるようにすることが1」能になつ′
fcため、エツチング温度とエツチング時間を指定する
たけで、エツチングはらつさかウエノ・面内、ちりにロ
ット間を含め1チ程度と尚相反なエツチングを実現する
ことができた。11ζ、エツチングの尚棺度化を保持で
きるノ・ンドリンクの自動化等によ)、ウェットエツチ
ングの自動化kWかb]耗となシ、LSI製造フロセス
に2ける制御性、書塊性の向上や無人化等葡図ることが
できるなとの多くのオリ点かめる。
第1図は本発明装置の一実施例の俄−図、第2図は第1
図に示したエツチング槽の側面図、第3図は熱父侠器2
よひ熱父挨器用制御器の配置図、第4図は3インナウエ
ハのエツチングはらつきの測定点、弔5図は槽中板の実
施例、第6図と第7図は槽中板と循環液ηC出眉′の配
匝夕;」、第8図は槽中板の実施例、第9図はエツチン
グ槽におけるエツチング液の回収例、第10図はバッフ
ァ層全有する槽中板の実施例、第11図は自動ウエット
エツチング装置の実施例、第12図はハンドリンフロホ
ットによるウエノ1#動速度に関する説明図、第13図
はハンドロホットによる移動時間に対するエツチング精
度への影響上水1−た図でめ9、また第14図は本発明
による自動ウェットエツチング871によるシリコン酸
化膜のエツチング?llを示す。 1・・・・・・・・・・・・エツチング槽2・・・・・
・・・・・・・オーバフローのエツチング液回収部31
、32・・・・・・液面検出器 4・・・・・・・・・・・・温度検出器5・・・・・・
・・・・・・エツチング液惧粘配管6・・・・・・・・
・・・・純水供粘上官7・・・・・・・・・・・・槽中
板 8・・・・・・・・・・・・ポンプ 91・・・・・・・・・・・・熱交侠器92・・・・・
・・・・・・・熱交侠器用制イ叶器101〜105・・
・エア弁 111〜115 ・・・ 自己 官 12・・・・・・・・・・・廃液排出管13・・・・・
・・・・・・・循環液流出管141 、142・・・オ
ーバ70−のエツチング液導入板15・・・・・・・・
・・・・ウェハキャリヤ16・・・・・・・・・・・・
ウェハ 17・・・・・・・・・・・・熱交侠用タンク18・・
・・・・・・・・・・温度検出器19・・・・・・・・
・・・・熱父侠器用設置台20・・・・・・・・・・・
・エツチング液回収部2621・・・・・・・・・・・
・ロータ 22・・・・・・・・・・・・水洗槽 23・・・・・・・・・・・・ウエノ1乾線磯24・・
・・・・・・・・・ノ1ントロボットのチャック25・
・・・・・・・・・・・ノ1ンドロホット26・・・・
・・・・・・・・ヘリ 特許出願人 日本電信電話公社 第1図 第2図 第13図 ハンドロボットの移1力時九呵 けケ)第3図 ]14 第4図 第5図 第6図 [−□ 第9図 第1O図 第11図 第12図
図に示したエツチング槽の側面図、第3図は熱父侠器2
よひ熱父挨器用制御器の配置図、第4図は3インナウエ
ハのエツチングはらつきの測定点、弔5図は槽中板の実
施例、第6図と第7図は槽中板と循環液ηC出眉′の配
匝夕;」、第8図は槽中板の実施例、第9図はエツチン
グ槽におけるエツチング液の回収例、第10図はバッフ
ァ層全有する槽中板の実施例、第11図は自動ウエット
エツチング装置の実施例、第12図はハンドリンフロホ
ットによるウエノ1#動速度に関する説明図、第13図
はハンドロホットによる移動時間に対するエツチング精
度への影響上水1−た図でめ9、また第14図は本発明
による自動ウェットエツチング871によるシリコン酸
化膜のエツチング?llを示す。 1・・・・・・・・・・・・エツチング槽2・・・・・
・・・・・・・オーバフローのエツチング液回収部31
、32・・・・・・液面検出器 4・・・・・・・・・・・・温度検出器5・・・・・・
・・・・・・エツチング液惧粘配管6・・・・・・・・
・・・・純水供粘上官7・・・・・・・・・・・・槽中
板 8・・・・・・・・・・・・ポンプ 91・・・・・・・・・・・・熱交侠器92・・・・・
・・・・・・・熱交侠器用制イ叶器101〜105・・
・エア弁 111〜115 ・・・ 自己 官 12・・・・・・・・・・・廃液排出管13・・・・・
・・・・・・・循環液流出管141 、142・・・オ
ーバ70−のエツチング液導入板15・・・・・・・・
・・・・ウェハキャリヤ16・・・・・・・・・・・・
ウェハ 17・・・・・・・・・・・・熱交侠用タンク18・・
・・・・・・・・・・温度検出器19・・・・・・・・
・・・・熱父侠器用設置台20・・・・・・・・・・・
・エツチング液回収部2621・・・・・・・・・・・
・ロータ 22・・・・・・・・・・・・水洗槽 23・・・・・・・・・・・・ウエノ1乾線磯24・・
・・・・・・・・・ノ1ントロボットのチャック25・
・・・・・・・・・・・ノ1ンドロホット26・・・・
・・・・・・・・ヘリ 特許出願人 日本電信電話公社 第1図 第2図 第13図 ハンドロボットの移1力時九呵 けケ)第3図 ]14 第4図 第5図 第6図 [−□ 第9図 第1O図 第11図 第12図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (IJ エツチング槽すのエツチング処理部と、前記
のエツチング槽にエツチング液を供帽テるエツナンク数
供給抑と、砥エツナンタ惰に何故δ7したエツチング液
回収部と、該エツチング液回収部よりのエツナンク*會
m度制御した上でエツチング槽に循塊流出せしめる伽環
7改元出官と、し循塊腋ηL出1・より流出し1こエソ
テンク液倉エツチング対象物の接触■に一様にmし丁た
のの制御恢構とt協えること勿特徴と1−心りエツトエ
ツチング窄。 (2〕 エツチング液の流fLを匍」御す/)4咲栴
に2いて、エツチング液のηL出口をエツチング槽の抵
しC同り−たエツチング敢流出宮と、エツチング液かエ
ツチング対象物の接触面に同一な条件で一株に流れるよ
うにするための多数の穴を分布芒セた憎cfI&と、万
一バフローのエツチング液か全体に直って一様に角りす
ために被エツテンク対象物會囲vJ−ようvc槽の円部
に収りたヘリと會俯えることt材似とす/b丑訂珀求の
範囲第l少自己躯のクエントエソテング惜。 (3) エツチング液のηCγしt甫I」御丁ゐ憾栴
VCs、−イテ、エツチング液かエツチング対象物の接
触面に同一な栄件で一様に流rしるように丁ゐために、
多数の穴7分布させた2設以上の僧中板で、その間にバ
ッファ層2設り゛た制#慎帯と、オーバフローのエツチ
ング液が全体に枝って一様に流すためVC扱エンナンク
対象物に囲υ・ようVC僧の円部に設けたヘリと?伽え
ることt特慎とする特許請求の範囲第l狽す己躯θクエ
ットエソナング槽。 (4) エツチング槽と、前記のエツチング槽より取
り出しicエツナング対象物のエツチング液を洗い流丁
水洗槽と、前記の水力槽より取り出したエツチング対象
物全乾燥させる乾燥装置と、こγしらの間にエツチング
対象物t1その垂直移動速度と水平移動速度と?エツチ
ング液のエツチング速度に対応芒ぜて制御移動セーしめ
る移動憔構とt1ii!えること?!″特徴とするウェ
ットエツチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20601282A JPS5996735A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | ウエツトエツチング槽及びそれを用いたウエツトエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20601282A JPS5996735A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | ウエツトエツチング槽及びそれを用いたウエツトエツチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5996735A true JPS5996735A (ja) | 1984-06-04 |
JPH0413850B2 JPH0413850B2 (ja) | 1992-03-11 |
Family
ID=16516441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20601282A Granted JPS5996735A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | ウエツトエツチング槽及びそれを用いたウエツトエツチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5996735A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100432495B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-05-22 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼 에칭장치 |
US6797063B2 (en) | 2001-10-01 | 2004-09-28 | Fsi International, Inc. | Dispensing apparatus |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56152970A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | Etching device |
-
1982
- 1982-11-26 JP JP20601282A patent/JPS5996735A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56152970A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | Etching device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6797063B2 (en) | 2001-10-01 | 2004-09-28 | Fsi International, Inc. | Dispensing apparatus |
KR100432495B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-05-22 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼 에칭장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0413850B2 (ja) | 1992-03-11 |
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