JPS5996728A - レジストパタ−ン形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS5996728A JPS5996728A JP20643282A JP20643282A JPS5996728A JP S5996728 A JPS5996728 A JP S5996728A JP 20643282 A JP20643282 A JP 20643282A JP 20643282 A JP20643282 A JP 20643282A JP S5996728 A JPS5996728 A JP S5996728A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- electron beam
- dose
- substrate
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は集積回路等の製造に用いられるレジストパター
ンの形成方法に係り特にポジ型レジストに対して、レジ
スト断面形状が垂直となるパターンを、電子ビーム賞光
により形成する方法に関する。
ンの形成方法に係り特にポジ型レジストに対して、レジ
スト断面形状が垂直となるパターンを、電子ビーム賞光
により形成する方法に関する。
（ｂ） 技術の背景
基板上に微細１パターンを形成する方法として、ｂ子ビ
ーム鮪光による方法が実用化されつつある。
ーム鮪光による方法が実用化されつつある。
即ち、基板上に塗布されたレシスＨ片を、形成す、べき
パターンに従って電子ビームを走食蕗光し、所定の珈角
（を行ない、隆沼拡散、工、チング等のためのレジスト
パターンを形成するものである。
パターンに従って電子ビームを走食蕗光し、所定の珈角
（を行ない、隆沼拡散、工、チング等のためのレジスト
パターンを形成するものである。
この秒、な電子ビーム露光法によれは微細パターンの形
成が可能となる。周知のとりＤ 、’７．子ビーム露光
で中いられるレジストに４力型とポジ型の７種類がある
。ポジ型レジストは、電子ビームが照射された所が埃像
液に浴酔されるレジストであり、ネガ型よりもパターン
解鍼性が良いので広く用いられている。ポジ型レジスト
に′電子ビームを照射すると、照射した電子ビームの大
小により納１図に示す様に基体１上のレジスト２のｉ！
Ｔ面形状がａ）台形ｂ）垂直、Ｃ）逆台形と食化するこ
と、（照射量ｔＤ ｉａｌ、 （ｂ＋、 （ｃ、＋の順
に多い）又、犬きての異なるパターンに対してレジスト
断面形状か一定の形状（たとえば垂直）となる電子ビー
ムの照射量は第２図に示した様にパターンの大きさが小
さいほど照射量°は多く必要とすること等が知られてい
る。
成が可能となる。周知のとりＤ 、’７．子ビーム露光
で中いられるレジストに４力型とポジ型の７種類がある
。ポジ型レジストは、電子ビームが照射された所が埃像
液に浴酔されるレジストであり、ネガ型よりもパターン
解鍼性が良いので広く用いられている。ポジ型レジスト
に′電子ビームを照射すると、照射した電子ビームの大
小により納１図に示す様に基体１上のレジスト２のｉ！
Ｔ面形状がａ）台形ｂ）垂直、Ｃ）逆台形と食化するこ
と、（照射量ｔＤ ｉａｌ、 （ｂ＋、 （ｃ、＋の順
に多い）又、犬きての異なるパターンに対してレジスト
断面形状か一定の形状（たとえば垂直）となる電子ビー
ムの照射量は第２図に示した様にパターンの大きさが小
さいほど照射量°は多く必要とすること等が知られてい
る。
ところで集積回路を製造するための半導体プロセスは尚
柄度パターンを形成する目的でエツチング液を用いない
、いわゆるドライエツチング化が進み、この様なドライ
エツチングのマスク材として前記ポジ型レジストを用い
る場合、サイドエッチを少なくシ、加工精度向上を図る
ために、その断面形状にレジスト底面の幅と上面の幅が
等しい即ち、Ｑ１図（ｂ）に示した断面垂直のパターン
形状であることが要求される。
柄度パターンを形成する目的でエツチング液を用いない
、いわゆるドライエツチング化が進み、この様なドライ
エツチングのマスク材として前記ポジ型レジストを用い
る場合、サイドエッチを少なくシ、加工精度向上を図る
ために、その断面形状にレジスト底面の幅と上面の幅が
等しい即ち、Ｑ１図（ｂ）に示した断面垂直のパターン
形状であることが要求される。
任意の大きさのパターンに対して断面形状が垂直となる
照射角・を得るためにね°第２図に示した関係を求めて
おく必１；Ｓる。。
照射角・を得るためにね°第２図に示した関係を求めて
おく必１；Ｓる。。
（Ｃ） 従来技術と問題点
従来、第２図の関係に各種の大きさの矩形をそれぞれ電
子ビームの照射量を変えて露光し、レジスト断面形状が
垂直になる廓をプロットして、笑１ｌｌＩＪより得てい
た。
子ビームの照射量を変えて露光し、レジスト断面形状が
垂直になる廓をプロットして、笑１ｌｌＩＪより得てい
た。
しかしながら、実験により第２図の関係を求める方法で
に多数の測定点に対してレジストの断面形状を′丙子顕
微欽・で観測する必要かあり多大な時間を値するため、
露光条件が変化した場合迅速に第２図の関係を求めるこ
とができない。
に多数の測定点に対してレジストの断面形状を′丙子顕
微欽・で観測する必要かあり多大な時間を値するため、
露光条件が変化した場合迅速に第２図の関係を求めるこ
とができない。
（ｄｌ 発明の目的
本発明の目的は上記従来技術の欠点を除き、任意の大き
さのパターンに対してレジスト断面形状が垂直となる獅
子ビームの照射量を容易に決定し、その照射量で露光す
ることにより断面垂直なレジストパターンを形成する方
法を提供するにある。
さのパターンに対してレジスト断面形状が垂直となる獅
子ビームの照射量を容易に決定し、その照射量で露光す
ることにより断面垂直なレジストパターンを形成する方
法を提供するにある。
（ｅＪ 発明・考案の＆取
基体上に塗布されたレジストの残膜率と電子ビーム照射
量の関係から得られた所定のレジストパターンの残膜率
がＯべとなる該電子ビームの照射量と物、像された該レ
ジストパターンの側面が該基体に対して垂直となる電子
ビームの照射量との比率を用いて、該レジストパターン
とは異なる大きさのパターンに対して側面が該基体に対
して垂直となる電子ビームの照射量を求め、該釆めた照
射量で露光を行ない枦像することを特徴とする。
量の関係から得られた所定のレジストパターンの残膜率
がＯべとなる該電子ビームの照射量と物、像された該レ
ジストパターンの側面が該基体に対して垂直となる電子
ビームの照射量との比率を用いて、該レジストパターン
とは異なる大きさのパターンに対して側面が該基体に対
して垂直となる電子ビームの照射量を求め、該釆めた照
射量で露光を行ない枦像することを特徴とする。
ｆｆ） 発明の実施例
即ち本発明は第３図（ａｌ、 （ｂｊに示した様に任意
の大きさのパターンに対し、そのパターンを露光し、現
像した後レジスト２の底面が基板１に達した時の１！＠
射角Ｑｏ、Ｑｏｌ（残膜率０・系の照射量・）とそのパ
ターンのレジスト断面形状が第３図（Ｃ１，（ｄｌ ｇ
示す様に垂直となる時の照射量Ｑｖ、 Ｑｖ’の比率Ｄ
Ｉｄレジスｌｉｔり厚や現像条件等の周囲の条件が定ま
ればパターンの大きさによらずはぼ一定であるという事
実を実験的に見出し、この比率一定の１ヅｊ係から、任
意のパターンに対し、断面垂直となる照射量を求めるこ
とができるという知見を得て成されたものである。
の大きさのパターンに対し、そのパターンを露光し、現
像した後レジスト２の底面が基板１に達した時の１！＠
射角Ｑｏ、Ｑｏｌ（残膜率０・系の照射量・）とそのパ
ターンのレジスト断面形状が第３図（Ｃ１，（ｄｌ ｇ
示す様に垂直となる時の照射量Ｑｖ、 Ｑｖ’の比率Ｄ
Ｉｄレジスｌｉｔり厚や現像条件等の周囲の条件が定ま
ればパターンの大きさによらずはぼ一定であるという事
実を実験的に見出し、この比率一定の１ヅｊ係から、任
意のパターンに対し、断面垂直となる照射量を求めるこ
とができるという知見を得て成されたものである。
以下で本発明による任意のパターンに対する照射量の次
定法の十舶について述べる。第４図はポジ型レジストの
感度曲線（残膜厚曲縁）を示している。電子ビーム照射
量を垢加していくと膜厚が激少し、Ｑｏの照射でゼロ、
即ちレジスト底面が基板に達する。（一般にこの感度曲
線は５μｍ以上（実線で示づ−）のパターンをが身１．
電を亥−えて露光し２その−のレジスト膜厚の変化を表
面あらさ針切。
定法の十舶について述べる。第４図はポジ型レジストの
感度曲線（残膜厚曲縁）を示している。電子ビーム照射
量を垢加していくと膜厚が激少し、Ｑｏの照射でゼロ、
即ちレジスト底面が基板に達する。（一般にこの感度曲
線は５μｍ以上（実線で示づ−）のパターンをが身１．
電を亥−えて露光し２その−のレジスト膜厚の変化を表
面あらさ針切。
により測定することで求めている）さらに即＃、Ｉｔを
増加しレジスト断面形状が畢（至）となる照射ｉＱｖを
レジスト断面形状を観察することでｙ、い出す。
増加しレジスト断面形状が畢（至）となる照射ｉＱｖを
レジスト断面形状を観察することでｙ、い出す。
コワからＱ ｖ／Ｑ ｖを計１！！−すると比率りが求
まる。任が゛の大きさのパターンのレジスト断面形状が
垂直となる照射シの＊め方はゆ、下の様である。任意の
大きさのパターン（破内で示す）も残胎厚ゼロの熱々〕
ａ Ｑ。ｊｃが存在する。そしてＱｖｘは先に求めた比
率りと一致するからこのパターンに対してＱｏｘがわか
れば、ＱｖＸは容易に求めることができる。
まる。任が゛の大きさのパターンのレジスト断面形状が
垂直となる照射シの＊め方はゆ、下の様である。任意の
大きさのパターン（破内で示す）も残胎厚ゼロの熱々〕
ａ Ｑ。ｊｃが存在する。そしてＱｖｘは先に求めた比
率りと一致するからこのパターンに対してＱｏｘがわか
れば、ＱｖＸは容易に求めることができる。
Ｑｏｘは以上の計算から求める。
電子ビームがレジスト中に熱々Ｊされた場合の散乱１ｉ
ｆ１分布ｆ（ｒｊｉｄ、ビーム中上・からの距ｋＶ ｒ
）関数として次式 ％式％ で表わされ第１項は削方散乱、扼２狽は後方散乱によっ
て与えられる。（１）式でＡ、 Ｂ、 ＣＵ定足数ある
。又レジストにパターンが形成される時の現像エネルギ
ー５度Ｅは照射部゛ＱＯと（１）式を描画ノくター＝
Ｑｏ Ｆ’（’ｌ・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・（３）ここで９１に感島曲肪から得られ
たＱＯを１（太し、和分した値がＦ （Ｒ１で両名の組
として現併エネルギーが１；度Ｅが水捷る。
ｆ１分布ｆ（ｒｊｉｄ、ビーム中上・からの距ｋＶ ｒ
）関数として次式 ％式％ で表わされ第１項は削方散乱、扼２狽は後方散乱によっ
て与えられる。（１）式でＡ、 Ｂ、 ＣＵ定足数ある
。又レジストにパターンが形成される時の現像エネルギ
ー５度Ｅは照射部゛ＱＯと（１）式を描画ノくター＝
Ｑｏ Ｆ’（’ｌ・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・（３）ここで９１に感島曲肪から得られ
たＱＯを１（太し、和分した値がＦ （Ｒ１で両名の組
として現併エネルギーが１；度Ｅが水捷る。
ところで、未知パターンの大きさがＸμｍ２でああると
すれば次式も又成り立つＯ Ｅ ＝ Ｑ、ｏｘづＪ ｘ（（「）ｄｘ ＝ ＱｏｘＦ
（ｘｌ−＝・＝−（ｚｌｉ、°、Ｑｏｘ ＝ Ｅ／ ）
ｉ”ｌ−−・＝ ｆＦｉ＋″ｊなわち（！＋１式かられ
かるように未知）（ターンに対し、そのパターンにわた
って′ホ子ビームｏｙｚ跣賢良分亜を和分したイ１ｉ＃
で感度曲縁から求めた机像エネルギー社晟を割ることで
残恥辱ゼロの鍬、牙１量Ｑ、ｏｘが求■る。めとりこの
Ｑ。Ｘと先に求めたＤととのｉｔ＞ｉ−で断面形状が乗
置となる照射ｊｔ ＱＮ、ｌ ＄か求まる。
すれば次式も又成り立つＯ Ｅ ＝ Ｑ、ｏｘづＪ ｘ（（「）ｄｘ ＝ ＱｏｘＦ
（ｘｌ−＝・＝−（ｚｌｉ、°、Ｑｏｘ ＝ Ｅ／ ）
ｉ”ｌ−−・＝ ｆＦｉ＋″ｊなわち（！＋１式かられ
かるように未知）（ターンに対し、そのパターンにわた
って′ホ子ビームｏｙｚ跣賢良分亜を和分したイ１ｉ＃
で感度曲縁から求めた机像エネルギー社晟を割ることで
残恥辱ゼロの鍬、牙１量Ｑ、ｏｘが求■る。めとりこの
Ｑ。Ｘと先に求めたＤととのｉｔ＞ｉ−で断面形状が乗
置となる照射ｊｔ ＱＮ、ｌ ＄か求まる。
（ｇｉ 発明の効果
以上のように、本発明を用いることにより知、子顕像鋳
による断面形状の観鮎に９１１えに５μｍ以上のパター
ン（感度曲縁を得るためのパターン）の−粒・類につい
てのみ行なえは艮く測定の工欽が従来、に比較して大幅
に短縮することができ、又任意の大ききのパターンに対
して迅速にそのパターンの断面形状が垂直となる電子ビ
ームの脂身・刷を決定することができる。
による断面形状の観鮎に９１１えに５μｍ以上のパター
ン（感度曲縁を得るためのパターン）の−粒・類につい
てのみ行なえは艮く測定の工欽が従来、に比較して大幅
に短縮することができ、又任意の大ききのパターンに対
して迅速にそのパターンの断面形状が垂直となる電子ビ
ームの脂身・刷を決定することができる。
４−１僚１の簡単なｇ５７明
５、第１図は照＃４鎗の変化に対してレジスト断面形状
が変化する過程を示した図、第２区１は描画パターンの
大きさと照射量と断面形状の関係を表わした図、第３図
は本発明の幕下となる脂身・−倉の比率一定の関係を説
明するための図、犯４図は本発明の一実施例を説明する
ための図である。
が変化する過程を示した図、第２区１は描画パターンの
大きさと照射量と断面形状の関係を表わした図、第３図
は本発明の幕下となる脂身・−倉の比率一定の関係を説
明するための図、犯４図は本発明の一実施例を説明する
ための図である。
図において１に基体、２１４レジストを示す。
躬 １ 図
莞 ２ 図
第３ 圀
第 ４ 図
Claims (1)
- 基体上に塗布されたレジストの残紗率と電子ビーム照射
１°の関係から得られた所定のレジストノくターンの残
＃率が０チとなる該電子ビームの照身４弁とり像された
該レジストパターンの側面が該基体に対して垂直となる
電子ビームの照射量との比率を用いて該レジストパター
ンとは異なる大きさのパターンに対して側面が該基体に
対して垂直となる物、子ビームの照射量−を求め、該求
めた照射量で露光を行ない現像することを％徴とするレ
ジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20643282A JPS5996728A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | レジストパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20643282A JPS5996728A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | レジストパタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996728A true JPS5996728A (ja) | 1984-06-04 |
| JPH0568848B2 JPH0568848B2 (ja) | 1993-09-29 |
Family
ID=16523273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20643282A Granted JPS5996728A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | レジストパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996728A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10397578B2 (en) | 2010-10-01 | 2019-08-27 | Dolby International Ab | Nested entropy encoding |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562730A (en) * | 1978-11-02 | 1980-05-12 | Toshiba Corp | Electron beam exposure device |
| JPS57162337A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Nec Corp | Charged particle beam type lithographic method |
-
1982
- 1982-11-25 JP JP20643282A patent/JPS5996728A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562730A (en) * | 1978-11-02 | 1980-05-12 | Toshiba Corp | Electron beam exposure device |
| JPS57162337A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Nec Corp | Charged particle beam type lithographic method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10397578B2 (en) | 2010-10-01 | 2019-08-27 | Dolby International Ab | Nested entropy encoding |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0568848B2 (ja) | 1993-09-29 |
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