JPS5994463A - Ｄｈｄ型シヨツトキ−バリアダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
Ｄｈｄ型シヨツトキ−バリアダイオ−ドの製造方法Info
- Publication number
- JPS5994463A JPS5994463A JP58202605A JP20260583A JPS5994463A JP S5994463 A JPS5994463 A JP S5994463A JP 58202605 A JP58202605 A JP 58202605A JP 20260583 A JP20260583 A JP 20260583A JP S5994463 A JPS5994463 A JP S5994463A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barrier
- bump electrode
- schottky barrier
- diode
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子の両端子に放熱体（ヒートシンク）
を接触させて成るＤＨＤ （ダブルヒートシンクダイオ
ード）型のショットキーバリアダイオードに関するもの
である。
を接触させて成るＤＨＤ （ダブルヒートシンクダイオ
ード）型のショットキーバリアダイオードに関するもの
である。
ＤＨＤダイオードはテレビジョン受像機の例えばチュー
ナの回路等にも利用されているが、それに伴いダイオー
ドのｖＦ特性を小さくする必要性が生じた。ところで接
合ダイオードにおいては■Ｆは一定であるので材料等に
よって■、を変えることのできるショットキーバリアダ
イオードについてもＤＨＤ化することが必要されるに至
っている。
ナの回路等にも利用されているが、それに伴いダイオー
ドのｖＦ特性を小さくする必要性が生じた。ところで接
合ダイオードにおいては■Ｆは一定であるので材料等に
よって■、を変えることのできるショットキーバリアダ
イオードについてもＤＨＤ化することが必要されるに至
っている。
ところで、ＤＨＤダイオードは一般にダイオードの最も
重要な要素となるｐｎ接合の直上に半導体基板上の配線
層を介して銀バンプ電極（突出状“電極）を形成した構
造であり、ＤＨＤのガラス封止に際して生じるガラス、
ヒートシンクの収縮によりバンブ電極を通じてｐｎ接合
に対しじかに機械的圧力が加わる。そして、一般のＤＨ
Ｄダイ゛オードの場合はその機械的圧力程度ではダイオ
ード特性に大きな影響を与えることはないが、′ショッ
トキーバリアダイオードをショットキー化した場合、銀
バンプ電極を通じて加わる機械的圧力によつて逆方向特
性の劣化（ＩＲ増大）、ダイオ・−ドしたがって本発明
は障壁に機械的圧力が加わるのを防止し、それによりダ
イオードの特性の劣化を防止することを目的とする。
重要な要素となるｐｎ接合の直上に半導体基板上の配線
層を介して銀バンプ電極（突出状“電極）を形成した構
造であり、ＤＨＤのガラス封止に際して生じるガラス、
ヒートシンクの収縮によりバンブ電極を通じてｐｎ接合
に対しじかに機械的圧力が加わる。そして、一般のＤＨ
Ｄダイ゛オードの場合はその機械的圧力程度ではダイオ
ード特性に大きな影響を与えることはないが、′ショッ
トキーバリアダイオードをショットキー化した場合、銀
バンプ電極を通じて加わる機械的圧力によつて逆方向特
性の劣化（ＩＲ増大）、ダイオ・−ドしたがって本発明
は障壁に機械的圧力が加わるのを防止し、それによりダ
イオードの特性の劣化を防止することを目的とする。
以下本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明に従って形成されるＤＨＤ型シヨシヨツ
トキーバリアダイオード子状態の断面図である。
トキーバリアダイオード子状態の断面図である。
１はｎ＋型半導体基板、２は上記基板上に形成したｎ−
型半導体成長層、３は半導体表面をパシベーションする
ＳｉＱ□膜、Ｂはバリアを作る金属膜（例えばタングス
テン）、４は上記ｎ−半導体層の一部のバリアＢに接続
する金属膜（例えばＣｒ、Ａｇ膜）、５は上記金属膜４
の一部に突設した銀バンプ電極である。このダイオード
素子においては、一方でその障壁Ｂはペレット中心から
離れた位置に形成され他方、銀バンプ電極５はベレット
中心位置に形成されており、したがって、障壁Ｂと銀バ
ンプ電極５の位置が互いに一致しないように形成されて
いる。
型半導体成長層、３は半導体表面をパシベーションする
ＳｉＱ□膜、Ｂはバリアを作る金属膜（例えばタングス
テン）、４は上記ｎ−半導体層の一部のバリアＢに接続
する金属膜（例えばＣｒ、Ａｇ膜）、５は上記金属膜４
の一部に突設した銀バンプ電極である。このダイオード
素子においては、一方でその障壁Ｂはペレット中心から
離れた位置に形成され他方、銀バンプ電極５はベレット
中心位置に形成されており、したがって、障壁Ｂと銀バ
ンプ電極５の位置が互いに一致しないように形成されて
いる。
第２図は第１図に示したショットキーダイオード素子の
基板１側をジュメット線７の端部からなる一方のヒート
シンク６に接続し、その銀バンブ電極５に対しジュメッ
ト線９の端部からなる他方のヒートシンク８を接触させ
た状態で同図に示すようにガラスチューブ１０により封
止した場合において、その収縮時に銀バンプ電極５を通
じてペレットに機械的圧力が加わっても、銀バンプ電極
直下に障壁Ｂが位置しないので、大きな圧力が障壁に加
わることはない。その結果、ショットキーバリアダイオ
ードの特性が劣化するのが防止され、具体的には■ の
増大、ｃｄの増大を防止できる。
基板１側をジュメット線７の端部からなる一方のヒート
シンク６に接続し、その銀バンブ電極５に対しジュメッ
ト線９の端部からなる他方のヒートシンク８を接触させ
た状態で同図に示すようにガラスチューブ１０により封
止した場合において、その収縮時に銀バンプ電極５を通
じてペレットに機械的圧力が加わっても、銀バンプ電極
直下に障壁Ｂが位置しないので、大きな圧力が障壁に加
わることはない。その結果、ショットキーバリアダイオ
ードの特性が劣化するのが防止され、具体的には■ の
増大、ｃｄの増大を防止できる。
バンプ電極直下に障壁を設けるようにしたＤＨＤダイオ
ードと本発明のようにバンブ電極と障壁の位置を一致さ
せないようにしたＤＨＤダイオードとを逆方向電流１μ
Ａにおける陰極、陽極間の電圧■８について比較したと
ころ、前者は封止前において１０〜１５■であったが封
止後においてはＯＶとなり、ショート状態になっていた
が、後者は封止の前後を問わず１０〜１５Ｖであり、特
性劣化は全く認められなかった。
ードと本発明のようにバンブ電極と障壁の位置を一致さ
せないようにしたＤＨＤダイオードとを逆方向電流１μ
Ａにおける陰極、陽極間の電圧■８について比較したと
ころ、前者は封止前において１０〜１５■であったが封
止後においてはＯＶとなり、ショート状態になっていた
が、後者は封止の前後を問わず１０〜１５Ｖであり、特
性劣化は全く認められなかった。
第３図は本発明に従ってＤＨＤ型シヨシヨツトキーバリ
アダイオード造する場合の製造態様を工程順に示すもの
である。
アダイオード造する場合の製造態様を工程順に示すもの
である。
（ａ） シリコンペレット（半導体基板）１の中心位
置から離れた位置に５ｉｎ２膜３のエツチング部を設け
、その後金属膜４（配線層）を形成してオーミックコン
タクトさせ、次いでペレットの中心位置に窓開部１２を
有するフォトレジスト膜１２を形成する。
置から離れた位置に５ｉｎ２膜３のエツチング部を設け
、その後金属膜４（配線層）を形成してオーミックコン
タクトさせ、次いでペレットの中心位置に窓開部１２を
有するフォトレジスト膜１２を形成する。
（ｂ） その後、電気メッキにより上記窓開部に露出
する金腐膜上に銀バンブ電極５を突出形成する。
する金腐膜上に銀バンブ電極５を突出形成する。
ＴＣ） 次いで、上記フォトレジスト膜１１を除去す
る。
る。
なお、フォトレジメト膜をマスクとしないで、５ｉＱ２
膜その他の絶縁膜をマスクとして銀メッキし、バンブ電
極５を形成する方法によっても本発明に係るショットキ
ーダイオードを製造することができる。この後、第２図
に示したようにショットキーダイオードをヒートシンク
６と８で挾みガラスチー−プ１０により封止する。
膜その他の絶縁膜をマスクとして銀メッキし、バンブ電
極５を形成する方法によっても本発明に係るショットキ
ーダイオードを製造することができる。この後、第２図
に示したようにショットキーダイオードをヒートシンク
６と８で挾みガラスチー−プ１０により封止する。
第４図は本発明の他の実施例を示すものである。
この実施例は障壁Ｂをペレットの中心部に配置し、その
中心部上に中空部が位置するようにドーナツ状のバンブ
電極を形成してなるものである。
中心部上に中空部が位置するようにドーナツ状のバンブ
電極を形成してなるものである。
もちろんこの場合も第２図に示すようにＤＨＤ封止され
る。
る。
このような形態によっても障壁Ｂにバンプを通じての機
械的圧力が加わらないようにすることができる。
械的圧力が加わらないようにすることができる。
第１図は本発明に従って形成されるＤＨＤ型シヨシヨツ
トキーバリアダイオード子状態の断面図、第２図は第１
図に示した素子をＤＨＤ封止した場合の断面図、第３図
（ａｌ〜（ｃｌは本発明に従って、ＤＨＤ型シヨシヨツ
トキーバリアダイオード造する場合の製造態様を示す断
面図である。 第４図は本発明の他の実施例に係るダイオードの断面図
である。 １・・・ｎ＋型半導体基板、２・・・ｎ−型半導体成長
層、３・・・ＳｉＱ、層、４・・・金属膜（配線層）、
５・・・バンプ電極、７，９・・・ジュメット線、８．
１０・・・ジュメット線端部（ヒートシンク）、１１・
・・フォトレジスト膜、１２・・・窓開部。 ＼、−一ノ゛ 第 １ 図 が 第２図
トキーバリアダイオード子状態の断面図、第２図は第１
図に示した素子をＤＨＤ封止した場合の断面図、第３図
（ａｌ〜（ｃｌは本発明に従って、ＤＨＤ型シヨシヨツ
トキーバリアダイオード造する場合の製造態様を示す断
面図である。 第４図は本発明の他の実施例に係るダイオードの断面図
である。 １・・・ｎ＋型半導体基板、２・・・ｎ−型半導体成長
層、３・・・ＳｉＱ、層、４・・・金属膜（配線層）、
５・・・バンプ電極、７，９・・・ジュメット線、８．
１０・・・ジュメット線端部（ヒートシンク）、１１・
・・フォトレジスト膜、１２・・・窓開部。 ＼、−一ノ゛ 第 １ 図 が 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板の一部にショットキーバリアを形成し、
このバリアに接続する金属配線層を形成する工程、 上記金属配線層のショットキバリアから離れた部分を選
択的に露出するように、メッキ用マスクを形成する工程
。 上記露出された金属配線層上にバンブ電極をメッキによ
り形成する工程、 上記バンブ電極を有する半導体基板をＤ）ＩＤ封止する
工程、 とを有することを特徴とするＤＨＤ型シヨシヨツトキー
バリアダイオード造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58202605A JPS5994463A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | Ｄｈｄ型シヨツトキ−バリアダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58202605A JPS5994463A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | Ｄｈｄ型シヨツトキ−バリアダイオ−ドの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6772176A Division JPS52151569A (en) | 1976-06-11 | 1976-06-11 | Dhd diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994463A true JPS5994463A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16460196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58202605A Pending JPS5994463A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | Ｄｈｄ型シヨツトキ−バリアダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994463A (ja) |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP58202605A patent/JPS5994463A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5915179A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US3634929A (en) | Method of manufacturing semiconductor integrated circuits | |
| US3942187A (en) | Semiconductor device with multi-layered metal interconnections | |
| US3461357A (en) | Multilevel terminal metallurgy for semiconductor devices | |
| US3617824A (en) | Mos device with a metal-silicide gate | |
| US3434020A (en) | Ohmic contacts consisting of a first level of molybdenum-gold mixture of gold and vanadium and a second level of molybdenum-gold | |
| US5047833A (en) | Solderable front metal contact for MOS devices | |
| JP3369391B2 (ja) | 誘電体分離型半導体装置 | |
| US3449825A (en) | Fabrication of semiconductor devices | |
| US3567506A (en) | Method for providing a planar transistor with heat-dissipating top base and emitter contacts | |
| US4600658A (en) | Metallization means and method for high temperature applications | |
| US4495222A (en) | Metallization means and method for high temperature applications | |
| US4695869A (en) | GAAS semiconductor device | |
| US3721868A (en) | Semiconductor device with novel lead attachments | |
| GB2095904A (en) | Semiconductor device with built-up low resistance contact and laterally conducting second contact | |
| JPS5994463A (ja) | Ｄｈｄ型シヨツトキ−バリアダイオ−ドの製造方法 | |
| US3659156A (en) | Semiconductor device | |
| KR0169471B1 (ko) | 바이폴라 범프 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| JP2754693B2 (ja) | メッキ電極の製造方法 | |
| JP3372109B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2737654B2 (ja) | 集積回路の製造方法 | |
| US4916515A (en) | Microwave circuit integrating | |
| JPS62262458A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS58197882A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6252962A (ja) | 半導体装置 |