JPS5992930A - 光フアイバの製造方法 - Google Patents
光フアイバの製造方法Info
- Publication number
- JPS5992930A JPS5992930A JP20146182A JP20146182A JPS5992930A JP S5992930 A JPS5992930 A JP S5992930A JP 20146182 A JP20146182 A JP 20146182A JP 20146182 A JP20146182 A JP 20146182A JP S5992930 A JPS5992930 A JP S5992930A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- preform
- optical fiber
- core
- glass
- clad
- Prior art date
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- Pending
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- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光通信等に用いる光ファイバの製造方法に関
するものである。さらに詳しくは、高純度プリフォーム
製造工程を用いた低損失ガラス系光ファイバの製造方法
を提供するものである。
するものである。さらに詳しくは、高純度プリフォーム
製造工程を用いた低損失ガラス系光ファイバの製造方法
を提供するものである。
従来例の構成と問題点
従来より、ガラス系光ファイバの製造方法には、■二重
るつぼ法、■MCV法(山付は化学気相析出法)、■V
AD法(気相軸付法)等があるか、本発明は、VAD法
を改良したものである。
るつぼ法、■MCV法(山付は化学気相析出法)、■V
AD法(気相軸付法)等があるか、本発明は、VAD法
を改良したものである。
MAD法では、第1図(ai、 (b)に示すように、
出発棒1と呼ばれるガラス棒先端に、酸水素(02+H
2)・・−す2を用いて火炎加水分解によるSiO2や
GeO2などの析出を行ない(第1図(a) >多孔質
母材3の析出の進行とともに棒を引き上げて行き、第1
図fb)のごとくさらに上方のカーボンヒータ4を用い
て多孔質の析出物を溶融し、透明母材6(プリフォーム
)を製造する方法である。なお、このとき、SiO2や
(lreo 2の原料となる5iC14やGeCl4は
、O2+H2をキャリヤガスとして運ばれる。
出発棒1と呼ばれるガラス棒先端に、酸水素(02+H
2)・・−す2を用いて火炎加水分解によるSiO2や
GeO2などの析出を行ない(第1図(a) >多孔質
母材3の析出の進行とともに棒を引き上げて行き、第1
図fb)のごとくさらに上方のカーボンヒータ4を用い
て多孔質の析出物を溶融し、透明母材6(プリフォーム
)を製造する方法である。なお、このとき、SiO2や
(lreo 2の原料となる5iC14やGeCl4は
、O2+H2をキャリヤガスとして運ばれる。
しかし方から、VAI)法では、酸水素バーナを用いる
ため、燃焼後できた水(H2O)と5ill 、等が加
水分解し、プリフォーム中にO)(基が残留する。この
OH基は−Sニー〇Hの形を取り、常温ではガラス中に
安定に固定され、OH振動の吸収スペクトルの高調波が
ファイバの有用なスペクトル領域に現われるために有害
である。光通信によく。
ため、燃焼後できた水(H2O)と5ill 、等が加
水分解し、プリフォーム中にO)(基が残留する。この
OH基は−Sニー〇Hの形を取り、常温ではガラス中に
安定に固定され、OH振動の吸収スペクトルの高調波が
ファイバの有用なスペクトル領域に現われるために有害
である。光通信によく。
用いられるGaAsあるいはGaAlAs光源の発光波
長を用いる場合には特に有害であった。
長を用いる場合には特に有害であった。
この有害スペクトルの影響を取り除く方法として、水素
の代りに水素のアイソトープDを用いる方法も考えられ
ているが、重水素が非常に高価なため現実的ではない。
の代りに水素のアイソトープDを用いる方法も考えられ
ているが、重水素が非常に高価なため現実的ではない。
一方、多孔質状態での脱水処理技術も開発されているが
、現在のところ、OH基残留量ば1ppb程度捷でしか
除去できていない。
、現在のところ、OH基残留量ば1ppb程度捷でしか
除去できていない。
発明の目的
以上述べてきた、従来のVAD法の欠点に鑑み、本発明
の目的は、OH基を含ま力いプリフォームの製造工程を
用いた低損失光ファイバの製造方法を提供することにあ
る。
の目的は、OH基を含ま力いプリフォームの製造工程を
用いた低損失光ファイバの製造方法を提供することにあ
る。
発明の構成
本発明は、加熱エネルギーとして集光した光(例えばレ
ーザ光)を用い、5iC14あるいは5iC14+Ge
c14等と02との反応を出発棒あるいは析出しつつあ
るプリフォーム先端で局所的に生じさせ、S 102あ
るいは5102とGeO2の混合物析出の進行とともに
棒を引き上げて透明ガラス状のグリフ4−ムを形成する
工程を含むことを特徴とした光ファイバの製造方法を提
供するものである。
ーザ光)を用い、5iC14あるいは5iC14+Ge
c14等と02との反応を出発棒あるいは析出しつつあ
るプリフォーム先端で局所的に生じさせ、S 102あ
るいは5102とGeO2の混合物析出の進行とともに
棒を引き上げて透明ガラス状のグリフ4−ムを形成する
工程を含むことを特徴とした光ファイバの製造方法を提
供するものである。
実施例の説明
以下本発明の実施例を第2図及び第3図を用いて説明す
る。
る。
まず、本発明の基本的な概念図を第2図に示す。
例えば、ETLOF型の光ファイバを製造する場袷、あ
らかじめ、密閉容器内にだとえtま石英ガラスからなる
出発棒1をセットし、雰囲気カスとしてガス導入口6よ
り5iC14+02の混合ガスを導入しながら、炭酸ガ
スレーザ光7を集光して出発棒1の先端を加熱し、この
加熱部分にのみ5102を析出させ、析出の進行に供っ
て出発棒1を回転させながら引き上げて行くとプリフォ
ーム57f):%造される。
らかじめ、密閉容器内にだとえtま石英ガラスからなる
出発棒1をセットし、雰囲気カスとしてガス導入口6よ
り5iC14+02の混合ガスを導入しながら、炭酸ガ
スレーザ光7を集光して出発棒1の先端を加熱し、この
加熱部分にのみ5102を析出させ、析出の進行に供っ
て出発棒1を回転させながら引き上げて行くとプリフォ
ーム57f):%造される。
このとき、化学反応式は、
5iC14+02→5i02+C12
となり、H2を用いないので、原理的にOHが残留する
ことはなく、純粋な石英ガラスのコア用プリフォームを
製造することができる。
ことはなく、純粋な石英ガラスのコア用プリフォームを
製造することができる。
なお、レーザ出力、出発棒の回転速度、導入カス量の制
御により、透明のプリフォームを一挙に製造することも
可能である。
御により、透明のプリフォームを一挙に製造することも
可能である。
こ\で、炭酸ガスレーザを用いるのは、炭酸カスレーザ
では波長が10.6μmであるため、石英ガラスの吸収
率が隅く、析出しつつあるプリフォーム先端のみを効率
よく加熱することが出来るからである。従って、プリフ
ォーム先端で5iC144−02の反応を生じさせ、析
出しだSiO2を溶融させるのにも非常に好都合である
。
では波長が10.6μmであるため、石英ガラスの吸収
率が隅く、析出しつつあるプリフォーム先端のみを効率
よく加熱することが出来るからである。従って、プリフ
ォーム先端で5iC144−02の反応を生じさせ、析
出しだSiO2を溶融させるのにも非常に好都合である
。
次に、上述の如く製造されたプレフォームを回転させな
がら、側面を再びレーザで加熱し、こんどは、クランド
の原料となる5il14とBCl3と02の混合ガスを
吹込めば、コア用プリフォームの表面にクラ、ノド用プ
リフォームが析出された光フアイバ用プリフォームを容
易に製造することができる。
がら、側面を再びレーザで加熱し、こんどは、クランド
の原料となる5il14とBCl3と02の混合ガスを
吹込めば、コア用プリフォームの表面にクラ、ノド用プ
リフォームが析出された光フアイバ用プリフォームを容
易に製造することができる。
なお、本発明においては、コア用プリフォームを前述し
た集合した光を用いて製造し、クラッド用プリフォーム
(寸集合した光を用いる方法以外の方法を用いてもよい
。さらにまだ、コア用プリフォームを集合した光を用い
る以外の方法で作成し、クラット用プリフォームを集合
した光を用いる方法で作成してもよい。
た集合した光を用いて製造し、クラッド用プリフォーム
(寸集合した光を用いる方法以外の方法を用いてもよい
。さらにまだ、コア用プリフォームを集合した光を用い
る以外の方法で作成し、クラット用プリフォームを集合
した光を用いる方法で作成してもよい。
次に第3図を用いて、光フアイバ用コア部及びクラッド
部を集合した光を用いて一度に製造する方法について述
べる。例えばC0RNING型の光ファイバを製造する
場合、コア部析出用の炭酸ガスレーザ8と、5ill
4とGeC14と02を供給するガスノズル9、さらに
、クラッド析出用、・の炭酸ガスレーダ10と5iC1
4と02を供給するガスノズル11を用い、まず、出発
棒先端よりコアとなる高ケイ酸ガラス12(主成分51
02で、GeO2を含有する)を析出成長させてゆく。
部を集合した光を用いて一度に製造する方法について述
べる。例えばC0RNING型の光ファイバを製造する
場合、コア部析出用の炭酸ガスレーザ8と、5ill
4とGeC14と02を供給するガスノズル9、さらに
、クラッド析出用、・の炭酸ガスレーダ10と5iC1
4と02を供給するガスノズル11を用い、まず、出発
棒先端よりコアとなる高ケイ酸ガラス12(主成分51
02で、GeO2を含有する)を析出成長させてゆく。
その後、ある程度コアとなる高ケイ酸ガラス棒12か形
成された後、高ケイ酸ガラス棒12の側面より炭酸ガス
レーザを照射し々がら、表面にクラッド用プリフォーム
すなわちクラッドとなる石英ガラス13を析出させる。
成された後、高ケイ酸ガラス棒12の側面より炭酸ガス
レーザを照射し々がら、表面にクラッド用プリフォーム
すなわちクラッドとなる石英ガラス13を析出させる。
このとき、コア部を析出させる室14とクラッドを析出
させる室15は、隔壁て遮−・イしておき、コアを析出
する室側に排気口16を設けて、反応済みガスを排気す
ることにより、クラット析出室j7Gec14やその他
Ge不純物が浸入するのを防ぐことができる。
させる室15は、隔壁て遮−・イしておき、コアを析出
する室側に排気口16を設けて、反応済みガスを排気す
ることにより、クラット析出室j7Gec14やその他
Ge不純物が浸入するのを防ぐことができる。
また、ETLOF型の光ファイバを製造する場合には、
逆に排気口をクラッド室15側に設けておき、コア側の
ガスノズル9から5iC14と02、クラッド側のガス
ノズル11から5iC14,BCl3,02の混合ガス
を吹入めは良い。
逆に排気口をクラッド室15側に設けておき、コア側の
ガスノズル9から5iC14と02、クラッド側のガス
ノズル11から5iC14,BCl3,02の混合ガス
を吹入めは良い。
従って、以上の構成で、出発棒を回転させながら引き上
げてゆけは、連続して光フアイバ用プリフォームを製造
することができる。
げてゆけは、連続して光フアイバ用プリフォームを製造
することができる。
最後に線引機にかけて、長距離用光ファイバを製造する
ことができる。
ことができる。
なお、レーザ8,10は室14.15内に設置してもよ
いし、室14.16タ1から室14.15内に導入して
もよい。このとき室14.15を石英製とするとこの部
分でレーザの吸収が起るため、室14.15のレーザの
導入部はたとえばシリコン等の光透過物で構成するのが
望捷しい。
いし、室14.16タ1から室14.15内に導入して
もよい。このとき室14.15を石英製とするとこの部
分でレーザの吸収が起るため、室14.15のレーザの
導入部はたとえばシリコン等の光透過物で構成するのが
望捷しい。
発明の効果
本発明の方、去を用いることにより、カラス系の低損失
光ファイ・・を容易に製造することができる。
光ファイ・・を容易に製造することができる。
すなわち、ファイバ原料となるプリフォーム中に−OH
基を含まない、すなわち−〇H基の振動による吸収の無
い高精度低損失光ンアイバを製造することができる。
基を含まない、すなわち−〇H基の振動による吸収の無
い高精度低損失光ンアイバを製造することができる。
しかも、加熱は、コアあるいはクラッド原料を析出する
部分のみ極部的に行うことができ、エネルギー効率が非
常によい。まだ、析出面には、高純度の原料ガスのみし
か接触しないので、他の不純物が混入することが無い。
部分のみ極部的に行うことができ、エネルギー効率が非
常によい。まだ、析出面には、高純度の原料ガスのみし
か接触しないので、他の不純物が混入することが無い。
さらKまだ、従来のWAD法と同じように連続製造が可
能なため、継目のない長距離用光ファイバを製造するこ
とかできる。
能なため、継目のない長距離用光ファイバを製造するこ
とかできる。
第1図(aL (b)は従来のvAD法を示す図、第2
図は本発明の一実施例のコア用プリフォームの製造方法
を示す図、第3図は本発明の一実施例の光ファイバーの
製造方法を示す図である。 1・・・・・・出発棒、6,12・・・・・・コア用プ
リフォーム、6・・・・・・ガス導入口、7・・・・・
・集光した光(レーザ光)、8,10・・・・・・レー
ザ、6・・・・・プリフォーム、9,11・・・・−・
ガスノズル、13・・・・・・クラッド用プリフォーム
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 (θ、) rl)) 丁[゛ 第 2 口 ]
図は本発明の一実施例のコア用プリフォームの製造方法
を示す図、第3図は本発明の一実施例の光ファイバーの
製造方法を示す図である。 1・・・・・・出発棒、6,12・・・・・・コア用プ
リフォーム、6・・・・・・ガス導入口、7・・・・・
・集光した光(レーザ光)、8,10・・・・・・レー
ザ、6・・・・・プリフォーム、9,11・・・・−・
ガスノズル、13・・・・・・クラッド用プリフォーム
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 (θ、) rl)) 丁[゛ 第 2 口 ]
Claims (2)
- (1)光フアイバ原料となるガス雰囲気中でガラス棒先
端を集光した光で局部的に加熱し、前記カラス棒の先端
に光フアイバ原料を析出させ、析出の進行とともに前記
ガラス棒を引き上げてコア用プリフォームを形成し、前
記コア用プリフォームの側面にクラッド用プリフォーム
を形成することを特徴とする光フフイハの製造方法。 - (2)ガラス棒を回転させながらその先端を集光した光
で局部的に加熱し、前記加熱した部分へファイバのコア
原料となるガスを吹き付けて前記コア原料を析出させ、
続いて、前記コア原料を析出させ、先部分を集光した光
で局所的に加熱し、この加熱部へファイバのクラッド原
料となるガスを吹き付けてクラツド材を析出させて光フ
アイバ用のプリフォームを製造することを特徴とする光
ファイバの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20146182A JPS5992930A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 光フアイバの製造方法 |
US06/550,548 US4530709A (en) | 1982-11-16 | 1983-11-10 | Method for producing optical fiber |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20146182A JPS5992930A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 光フアイバの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5992930A true JPS5992930A (ja) | 1984-05-29 |
Family
ID=16441470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20146182A Pending JPS5992930A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 光フアイバの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5992930A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS532443A (en) * | 1976-06-25 | 1978-01-11 | Kanebo Ltd | Preparation of 1-phenyl-2-aminoethanol derivatives |
JPS5343407A (en) * | 1976-10-01 | 1978-04-19 | Hitachi Ltd | Cooling device |
JPS5431815A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-08 | Hitachi Ltd | Gas turbine system |
-
1982
- 1982-11-16 JP JP20146182A patent/JPS5992930A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS532443A (en) * | 1976-06-25 | 1978-01-11 | Kanebo Ltd | Preparation of 1-phenyl-2-aminoethanol derivatives |
JPS5343407A (en) * | 1976-10-01 | 1978-04-19 | Hitachi Ltd | Cooling device |
JPS5431815A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-08 | Hitachi Ltd | Gas turbine system |
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