JPS5989472A - 光導電性材料 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光導電性無機材料に関し、更に詳しく云えば、
事務用複写機、レーザープリンタ、その他の感光装置に
有用であシ、且つ硫化カドミウム（以下Ｃｄ８という）
よシも長波長側に最大感度波長を有するＣｄＳ −Ｃｄ
８ｅ （セレン化カドミウム）系光導電性無機材料の提
供を目的とする。
事務用複写機、レーザープリンタ、その他の感光装置に
有用であシ、且つ硫化カドミウム（以下Ｃｄ８という）
よシも長波長側に最大感度波長を有するＣｄＳ −Ｃｄ
８ｅ （セレン化カドミウム）系光導電性無機材料の提
供を目的とする。
従来、ＣｄＳ系、Ｃｄ Ｓｅ系およびＣｄ５−ＣｄＳｅ
系の光導電性材料は公知であｌ）、ｃａｓ系は視感度曲
線に近い所は最大感度を有し、ＣｄＳｅ系は比較的長波
長側に最大感度を有しているが、各種感光装置において
は、それらの光源が多様化するとともに、それらに対応
する高感度の光導電性材料が要求されてきている。これ
らの要求に対応するために、Ｃｄ Ｓ −Ｃｄ Ｓｓ系
先光導電性材料提案されている〃ζこれらの混合系のも
のはＣｄＳｅのコストが高いために、ＣｄＳｅの使用量
の増加とともに製品コストがアップし、また、 ＣｄＳ
ｅの使用によって得られる光導電性材料の暗所での絶縁
性が低下するという欠点がある。
系の光導電性材料は公知であｌ）、ｃａｓ系は視感度曲
線に近い所は最大感度を有し、ＣｄＳｅ系は比較的長波
長側に最大感度を有しているが、各種感光装置において
は、それらの光源が多様化するとともに、それらに対応
する高感度の光導電性材料が要求されてきている。これ
らの要求に対応するために、Ｃｄ Ｓ −Ｃｄ Ｓｓ系
先光導電性材料提案されている〃ζこれらの混合系のも
のはＣｄＳｅのコストが高いために、ＣｄＳｅの使用量
の増加とともに製品コストがアップし、また、 ＣｄＳ
ｅの使用によって得られる光導電性材料の暗所での絶縁
性が低下するという欠点がある。
本発明者は、上述の如き従来技術の欠点を解決すべく鋭
意研究の結果、Ｃｄ Ｓ Ｃｄ Ｓｓ系先光導電性材
料構成を特定の構成とすることによって、上記の従来技
術の欠点が同時に解決されることを知見して本発明を完
成したものである。
意研究の結果、Ｃｄ Ｓ Ｃｄ Ｓｓ系先光導電性材
料構成を特定の構成とすることによって、上記の従来技
術の欠点が同時に解決されることを知見して本発明を完
成したものである。
すなわち、本発明は、硫化カドミウムおよび該硫化カド
ミウム１重量あたシ約０，０５〜９．０重量部のセレン
化カドミウムからなシ、硫化カドミウムが中心部分を、
且つセレン化カドミウムが外皮部分を構成していること
を特徴とする光導電性材料である。
ミウム１重量あたシ約０，０５〜９．０重量部のセレン
化カドミウムからなシ、硫化カドミウムが中心部分を、
且つセレン化カドミウムが外皮部分を構成していること
を特徴とする光導電性材料である。
本発明の詳細な説明すると、本発明のＣｄ Ｓ−ＣｄＳ
ｅ系光導電性材料は、従来公知の材料が、ＣｄＳ系材料
とＣｄ Ｓｅ系材料との混合物または固溶体であるに対
して、ＣｄＳ系化合物粒子が中心部分となシ、その周囲
をＣｄ Ｓｅ系化合物が包囲して、外皮部分を形成して
いるととを特徴としており、理論的な理由は必ずしも明
らかではないが、上記の如き構成とすることによって、
従来のものに比して、よシ少量のＣｄ Ｓｅの使用であ
っても、得られる光導電性材料の最大感度波長をよシ長
波長側に移させることができるのであシ、この点におい
て従来の欠点であったＣｄ Ｓｅの使用によるコスト高
を軽減したものである。更に、従来のものに比して、暗
所における絶縁性を著しく高めることができたものであ
る。
ｅ系光導電性材料は、従来公知の材料が、ＣｄＳ系材料
とＣｄ Ｓｅ系材料との混合物または固溶体であるに対
して、ＣｄＳ系化合物粒子が中心部分となシ、その周囲
をＣｄ Ｓｅ系化合物が包囲して、外皮部分を形成して
いるととを特徴としており、理論的な理由は必ずしも明
らかではないが、上記の如き構成とすることによって、
従来のものに比して、よシ少量のＣｄ Ｓｅの使用であ
っても、得られる光導電性材料の最大感度波長をよシ長
波長側に移させることができるのであシ、この点におい
て従来の欠点であったＣｄ Ｓｅの使用によるコスト高
を軽減したものである。更に、従来のものに比して、暗
所における絶縁性を著しく高めることができたものであ
る。
また、更に、ＣｄＳｅ系化合物の使用量を必要に応じて
変更することによって、Ｃｄ’Ｓ系光導電光導電性材料
感度波長とＣｄ Ｓｅ系光導電性材料の最大感度波長と
の間において、その最大感度波長を任意に変更し得ると
いう利点も達成された。
変更することによって、Ｃｄ’Ｓ系光導電光導電性材料
感度波長とＣｄ Ｓｅ系光導電性材料の最大感度波長と
の間において、その最大感度波長を任意に変更し得ると
いう利点も達成された。
本発明におけるＣｄＳ −ＣｄＳｅ系光導電性材料は、
好ましくは、以下の如き方法によって製造することがで
きる。
好ましくは、以下の如き方法によって製造することがで
きる。
中心部分を構成するＣｄＳ系化合物は、従来公知の方法
によって得られるものであって、Ｃｄ８単独でもよいし
、酸化亜鉛その他の材料との固溶体や混合物であっても
よい。また、付活剤によってすでに増感処理済のもので
あってもよいし、あるいは未処理のものであってもよい
。また、それらの粒子径としては、約１．０〜６．０μ
のものを使用するのが好ましい。
によって得られるものであって、Ｃｄ８単独でもよいし
、酸化亜鉛その他の材料との固溶体や混合物であっても
よい。また、付活剤によってすでに増感処理済のもので
あってもよいし、あるいは未処理のものであってもよい
。また、それらの粒子径としては、約１．０〜６．０μ
のものを使用するのが好ましい。
−ｈ記の如き中心部を構成するＣｄＳ系粉体を、塩化カ
ドミウム、硫酸カドミウムその他の水溶性カドミウム塩
の水溶液中に分散させておき、該分散液中にセレン化水
素、セレンのナトリウム塩等のセレン化合物を導入する
ことによって、Ｃｄ’ｓ化合物をＣｄＳ系化合物粒子の
表面に析出沈着せしめる。
ドミウム、硫酸カドミウムその他の水溶性カドミウム塩
の水溶液中に分散させておき、該分散液中にセレン化水
素、セレンのナトリウム塩等のセレン化合物を導入する
ことによって、Ｃｄ’ｓ化合物をＣｄＳ系化合物粒子の
表面に析出沈着せしめる。
この操作時に、ＣｄＳ系粒子とともに、酸化亜鉛、セレ
ン化亜鉛、硫化亜鉛、酸化チタン等の粒子あるいはこれ
らとＣｄＳとの固溶体粒子あるいは亜鉛塩等の塩類を併
存させておくことによシ、得られる光導電性材料の特性
を修正してもよい。また、上記操作時に、ナトリウム、
カリウム、カルシウム、マグネシウム、銅、銀、金、ア
ルミニウム等の化合物の如き周期律表第１ａ、第１ｂ、
Ｉ［ａ、］［ｂ、■ｂ族元素の化合物を水溶液中に加え
ておいて、ＣｄＳ −Ｃｄ Ｓｅ系粒子の生成時に、そ
れらの付活用元素を該粒子に吸着、吸蔵あるいは共沈さ
せておいてもよい。
ン化亜鉛、硫化亜鉛、酸化チタン等の粒子あるいはこれ
らとＣｄＳとの固溶体粒子あるいは亜鉛塩等の塩類を併
存させておくことによシ、得られる光導電性材料の特性
を修正してもよい。また、上記操作時に、ナトリウム、
カリウム、カルシウム、マグネシウム、銅、銀、金、ア
ルミニウム等の化合物の如き周期律表第１ａ、第１ｂ、
Ｉ［ａ、］［ｂ、■ｂ族元素の化合物を水溶液中に加え
ておいて、ＣｄＳ −Ｃｄ Ｓｅ系粒子の生成時に、そ
れらの付活用元素を該粒子に吸着、吸蔵あるいは共沈さ
せておいてもよい。
以上の如くして得られたＣｄ Ｓ ＣｄＳｅ系粒子は
、必要に応じて上記の如き付活剤を加え、あるいは塩化
アンモニウム、食塩、塩化カリウム、塩化カドミウム、
塩化亜鉛等の融剤を必要量添加し、好ましくは窒素雰囲
気中で約４００〜８００℃の温度で、約３０〜１２０分
間程度−次焼成を行い、更に必要に応じて融剤を添加し
、好ましくは硫黄雰囲気中で、約４００〜６００℃の温
度で、約３０〜１２０分間程度二次焼成を行うことによ
り、本発明のＣｄ Ｓ Ｃｄ Ｓｅ系光導電性材料が
得られる。
、必要に応じて上記の如き付活剤を加え、あるいは塩化
アンモニウム、食塩、塩化カリウム、塩化カドミウム、
塩化亜鉛等の融剤を必要量添加し、好ましくは窒素雰囲
気中で約４００〜８００℃の温度で、約３０〜１２０分
間程度−次焼成を行い、更に必要に応じて融剤を添加し
、好ましくは硫黄雰囲気中で、約４００〜６００℃の温
度で、約３０〜１２０分間程度二次焼成を行うことによ
り、本発明のＣｄ Ｓ Ｃｄ Ｓｅ系光導電性材料が
得られる。
本発明においては、ＣｄＳ’ ＣｄＳｅ系光導電性材
料において使用するＣｄＳｅ系化合物の量は、ＣｄＳ系
成分１重量部あたシ、約０．０５〜９．０重量部、好ま
しくは０．１〜５．０重量部であり、０．０５部以下の
割合でちると最大感度波長の長波長側への移行が不十分
となシ、また、９．０部よ９大なる割合ではコスト的な
利点がない。また、ＣｄＳ −ＣｄＳｅ系に包含させる
付活剤の量は、例えばＣｕが約１００〜３００ ｐｐｍ
、 ＣＬが約１００〜１０００ ｐｐｍ程度が好ましい
。また、最終的に得られる製品の粒子径は約１０μ以下
が好ましい。
料において使用するＣｄＳｅ系化合物の量は、ＣｄＳ系
成分１重量部あたシ、約０．０５〜９．０重量部、好ま
しくは０．１〜５．０重量部であり、０．０５部以下の
割合でちると最大感度波長の長波長側への移行が不十分
となシ、また、９．０部よ９大なる割合ではコスト的な
利点がない。また、ＣｄＳ −ＣｄＳｅ系に包含させる
付活剤の量は、例えばＣｕが約１００〜３００ ｐｐｍ
、 ＣＬが約１００〜１０００ ｐｐｍ程度が好ましい
。また、最終的に得られる製品の粒子径は約１０μ以下
が好ましい。
以上の如くして得られた本発明のＣｄ Ｓ Ｃｄ Ｓ
ｅ系光導電性材料は、従来のＣｄ Ｓ Ｃｄ Ｓｅ系
材料と比較すると、比較的少割合のＣｄ Ｓｅの使用に
よって最大感度波長を長波長側に移行させることができ
、同時に暗所での電気絶縁性が著しく高められている。
ｅ系光導電性材料は、従来のＣｄ Ｓ Ｃｄ Ｓｅ系
材料と比較すると、比較的少割合のＣｄ Ｓｅの使用に
よって最大感度波長を長波長側に移行させることができ
、同時に暗所での電気絶縁性が著しく高められている。
次に、参考例および実施例を挙げて本発明を更に具体的
に説明する。
に説明する。
参考例１
粒径約２〜４μのＣｄＳ粉末１００ｆ、 ＣｄＣｌ２・
％Ｈ２Ｏ１０ｔ、 ＣｕＣＡ２ ・２Ｈ２００，０５ｆ
および純水１５０ ｃｃを十分に混合し、乾燥した。該
乾燥物を小塊にくだき、石英管中で窒素気流中で６００
℃で３０分間焼成後、純水中に十分に解膠し、十分に水
洗する。その後０．１ｍｏｔ／ｌのＮＨ４Ｃ１水溶液１
５０ ｃａ 中に浸し、濾過し、乾燥する。乾燥したも
のを硫黄０．１ｆが予め入れである石英管に入れて窒素
気流中で５００℃で３０分間焼成し、その後純水中に十
分に分散させて水洗し、乾燥して、光導電性材料Ａ（粒
径は約６〜８μ）を得た。
％Ｈ２Ｏ１０ｔ、 ＣｕＣＡ２ ・２Ｈ２００，０５ｆ
および純水１５０ ｃｃを十分に混合し、乾燥した。該
乾燥物を小塊にくだき、石英管中で窒素気流中で６００
℃で３０分間焼成後、純水中に十分に解膠し、十分に水
洗する。その後０．１ｍｏｔ／ｌのＮＨ４Ｃ１水溶液１
５０ ｃａ 中に浸し、濾過し、乾燥する。乾燥したも
のを硫黄０．１ｆが予め入れである石英管に入れて窒素
気流中で５００℃で３０分間焼成し、その後純水中に十
分に分散させて水洗し、乾燥して、光導電性材料Ａ（粒
径は約６〜８μ）を得た。
参考例２
粒径約２〜３μのＣｄ Ｓｓ粉末１００ ｔ 、 ｃｄ
ｃｔ２− ％ Ｈ２Ｏ１０ｆ、ｃｄｃｚ２−２Ｈ２００
，０５Ｆおよび純水１５０ ｃｃを使用し、他は参考例
１と同様にして光導電性材料Ｅ（粒径約７〜８μ）を得
た。
ｃｔ２− ％ Ｈ２Ｏ１０ｆ、ｃｄｃｚ２−２Ｈ２００
，０５Ｆおよび純水１５０ ｃｃを使用し、他は参考例
１と同様にして光導電性材料Ｅ（粒径約７〜８μ）を得
た。
参考例３〜５
参考例１におけるＣｄＳ粉末に代えて、ＣｄＳとＣｄ５
ａとの粉末混合物を使用し、他は参考例１と同様にして
混合系光導電性材料Ｂ、ＣおよびＤを得た。
ａとの粉末混合物を使用し、他は参考例１と同様にして
混合系光導電性材料Ｂ、ＣおよびＤを得た。
参考例１〜５のＣｄＳ −ＣｄＳｅのモル比（ｃｄ Ｓ
／ｃｄｓｏ）は次の通シである。
／ｃｄｓｏ）は次の通シである。
ＢＣＤＥ
ｃａｓ（り） １００ ６３．８ ４３ ２４．
５ ０ＣｄＳｅ（ｆ） ０ ３６．２ ５７
７５．５ １００実施例１ 粒径約２〜４μのＣｄＳ粉末６３．８ ｆ、ｃａｓｏ４
・％Ｈ２Ｏ４Ｂ、５ｆおよび純水５００ ｃｃをよく混
合分散し、該分散液中にセレン化水素ガスをＣｄイオン
が無くなるまで通気し、Ｃｄ８粒子表面にＣｄＳｅを析
出沈着させ、次いで生成した沈澱を十分に水洗し、乾燥
し、以下参考例１と同様にして焼成を行い光導電性粉体
Ｆを得た。
５ ０ＣｄＳｅ（ｆ） ０ ３６．２ ５７
７５．５ １００実施例１ 粒径約２〜４μのＣｄＳ粉末６３．８ ｆ、ｃａｓｏ４
・％Ｈ２Ｏ４Ｂ、５ｆおよび純水５００ ｃｃをよく混
合分散し、該分散液中にセレン化水素ガスをＣｄイオン
が無くなるまで通気し、Ｃｄ８粒子表面にＣｄＳｅを析
出沈着させ、次いで生成した沈澱を十分に水洗し、乾燥
し、以下参考例１と同様にして焼成を行い光導電性粉体
Ｆを得た。
実施例２および３
実施例１におＵるｃｄｓｏ４・％ｎ２ｏの量を変え、他
は実施例１と同様にしてＣｄＳ −Ｃｄ５５系光導電性
材料ＧおよびＨを得た。
は実施例１と同様にしてＣｄＳ −Ｃｄ５５系光導電性
材料ＧおよびＨを得た。
実施例Ｆ−ＨのＣｄ Ｓ Ｃｄ Ｓｅ系のモル比は次
の通シである。
の通シである。
Ｆ Ｇ Ｈｃａｓ（ｙ
） ６３．８ ４３ ２４．５Ｃ
ｄＳ０４−９ｉＨ２０（ｆ） ４８．５
７６．４ １０１．２ＣｄＳ／ｃｄｓｅ （モル比）
％％赳 実施例４（最大感度波長の測定） 参考例１〜５および実施例１〜３で得られた光導電性材
料の最大感度波長を測定したところ、下記の結果が得ら
れた。
） ６３．８ ４３ ２４．５Ｃ
ｄＳ０４−９ｉＨ２０（ｆ） ４８．５
７６．４ １０１．２ＣｄＳ／ｃｄｓｅ （モル比）
％％赳 実施例４（最大感度波長の測定） 参考例１〜５および実施例１〜３で得られた光導電性材
料の最大感度波長を測定したところ、下記の結果が得ら
れた。
光導電性材料 ＡＢＣＤＥｉ
最大感度波長（ゐ ６，３００ ６，８００ ７，０
００ ７，３００ ７．８００光導電性材料
ＦＧＨ 最大感度波長（ゐ ６，９４０ ７，２００
７．４８０上記測定結果によれば、Ｃｄ Ｓ／ｃｄＳ
ｅ比において、Ｂ＝Ｆ、Ｃ＝Ｇ、Ｄ＝Ｈであるが、最大
感度波長はいずれもＦ＞Ｂ、Ｇ）Ｃ，Ｈ）Ｄであり、Ｃ
ｄＳとＣｄ Ｓｅとを単に混合して焼成した参考例よシ
も、本発明による方法が、同一のＣｄＳｅ量で最大感度
波長を長波長側に移行できる、すなわち、少量のＣｄ
Ｓｅ量で長波長側に移行させることができ、経済的であ
ることが判る。
００ ７，３００ ７．８００光導電性材料
ＦＧＨ 最大感度波長（ゐ ６，９４０ ７，２００
７．４８０上記測定結果によれば、Ｃｄ Ｓ／ｃｄＳ
ｅ比において、Ｂ＝Ｆ、Ｃ＝Ｇ、Ｄ＝Ｈであるが、最大
感度波長はいずれもＦ＞Ｂ、Ｇ）Ｃ，Ｈ）Ｄであり、Ｃ
ｄＳとＣｄ Ｓｅとを単に混合して焼成した参考例よシ
も、本発明による方法が、同一のＣｄＳｅ量で最大感度
波長を長波長側に移行できる、すなわち、少量のＣｄ
Ｓｅ量で長波長側に移行させることができ、経済的であ
ることが判る。
実施例５（電流の測定）
参考例１〜５および実施例１〜３の光導電性材料の暗電
流および明電流を測定したところ、下記の結果が得られ
た。
流および明電流を測定したところ、下記の結果が得られ
た。
ＢＣＤＥ
暗電流（アンペア） ｌＸ１０−”５刈ｏ−９１刈ｏ
−７２刈ｏ−６９刈ｏ−６明電流（アｙへ７） ３Ｘ
１０−’７Ｘ１０−５８Ｘ１０−’ｌＸｌ０−３８Ｘ１
０−３測定波長（Ａ） ６，３００ ６，８
００ ７．０００ ？、３００ ７．８００ＦＧＩ（ 暗電流（アンペア） ２刈ｏ ９刈ｏ ６刈０明
電流（アンペア） １刈ｏ ５刈ｏ ３刈０測定
波長員 ６，９４０ ７，２００ ７
．４８０上記結果によれば、参考例のものは、Ｃｄ Ｓ
ｓの量が増加するに従って、暗抵抗が激減するが、本発
明のものは、暗抵抗の低下の傾向が少な（、Ｃｄ５ｅＯ
量が増加してもすぐれた絶縁性を保持していることが明
らかであシ、明電流も十分であシ、明電流／暗電流の比
も十分に大きい。
−７２刈ｏ−６９刈ｏ−６明電流（アｙへ７） ３Ｘ
１０−’７Ｘ１０−５８Ｘ１０−’ｌＸｌ０−３８Ｘ１
０−３測定波長（Ａ） ６，３００ ６，８
００ ７．０００ ？、３００ ７．８００ＦＧＩ（ 暗電流（アンペア） ２刈ｏ ９刈ｏ ６刈０明
電流（アンペア） １刈ｏ ５刈ｏ ３刈０測定
波長員 ６，９４０ ７，２００ ７
．４８０上記結果によれば、参考例のものは、Ｃｄ Ｓ
ｓの量が増加するに従って、暗抵抗が激減するが、本発
明のものは、暗抵抗の低下の傾向が少な（、Ｃｄ５ｅＯ
量が増加してもすぐれた絶縁性を保持していることが明
らかであシ、明電流も十分であシ、明電流／暗電流の比
も十分に大きい。
実施例６
ＣｄＳ粉末４３１、ｃａｓｏ４・鳥Ｈ２０５７，４ｆ、
ｃａｃｚ２ ”９／２Ｈ２０１６，１Ｎ’、 ＣａＣｌ
２−２Ｈ２００，０５？および純水５００ｃｃをホモミ
キサーで十分混合分散させ、カドミウムイオンが無くな
るまでセレン化水素ガスを通気し、ＣｄＳ粒子表面にＣ
ｄ Ｓｅを析出沈着せしめ、次いで生成した粒子を十分
に洗浄し、乾燥し、その後石英管に入れて、蟹素気流中
で６００℃で３０分間焼成し、次いで、硫黄雰囲気中で
、５００℃、３０分間焼成し、本発明のＣｄＳ −Ｃｄ
５５系光導電性材料■（ｃａｓ ／ ＣｄＳｅモル比３
Ａ）を得た。
ｃａｃｚ２ ”９／２Ｈ２０１６，１Ｎ’、 ＣａＣｌ
２−２Ｈ２００，０５？および純水５００ｃｃをホモミ
キサーで十分混合分散させ、カドミウムイオンが無くな
るまでセレン化水素ガスを通気し、ＣｄＳ粒子表面にＣ
ｄ Ｓｅを析出沈着せしめ、次いで生成した粒子を十分
に洗浄し、乾燥し、その後石英管に入れて、蟹素気流中
で６００℃で３０分間焼成し、次いで、硫黄雰囲気中で
、５００℃、３０分間焼成し、本発明のＣｄＳ −Ｃｄ
５５系光導電性材料■（ｃａｓ ／ ＣｄＳｅモル比３
Ａ）を得た。
実施例７
実施例６におけるＣａＣｌ２ ” ２Ｈ２００，０５ｆ
を沈澱時に加えず、焼成時に加える以外は実施例６と同
様にして本発明のＣｄ Ｓ Ｃｄ Ｓｓ系光導電性材
料Ｊを得た。
を沈澱時に加えず、焼成時に加える以外は実施例６と同
様にして本発明のＣｄ Ｓ Ｃｄ Ｓｓ系光導電性材
料Ｊを得た。
参考例６
参考例１で得られたＣｄＳ粉末４３Ｆ、参考例２で得ら
れたＣｄ Ｓｅ粉末５７ｆＳＣｄｃｔ２・％Ｈ２Ｏ１ｏ
ｆ および純水１５０ｃｃを使用し、他は参考例１と同
様にして光導電性材料Ｋ （Ｃｄ８ ／ Ｃｄ８ｅモル
比Ｈ）を得た。
れたＣｄ Ｓｅ粉末５７ｆＳＣｄｃｔ２・％Ｈ２Ｏ１ｏ
ｆ および純水１５０ｃｃを使用し、他は参考例１と同
様にして光導電性材料Ｋ （Ｃｄ８ ／ Ｃｄ８ｅモル
比Ｈ）を得た。
上記の光導電性材料Ｉ−Ｈについて、最大感度波長およ
び電流を求めたところ、下記の結果が得られた。
び電流を求めたところ、下記の結果が得られた。
Ｉ Ｊ Ｋ最大
感度波長（Ａ） ７，２５０ ７，２３０
６．９５０（測定波長） 暗電流（アンペア） ５Ｘ１０−１０ １ＸＩＦ
１１ ６Ｘ１０−６明電流（アンペア） ４Ｘ１
０−’ ２Ｘ１０−’ １刈０−３Ｃｄ ｓ／
ｃａ Ｓｅ （モル比＞３’、 ３／％上記
測定結果によれば、粉末同士の混合系である光導電性材
料Ｋに対して、本発明の光導電性材料ＩおよびＪの最大
感度波長は、よシ長波長側に移行しており、且つ暗抵抗
は著しくすぐれていることが明らかである。
感度波長（Ａ） ７，２５０ ７，２３０
６．９５０（測定波長） 暗電流（アンペア） ５Ｘ１０−１０ １ＸＩＦ
１１ ６Ｘ１０−６明電流（アンペア） ４Ｘ１
０−’ ２Ｘ１０−’ １刈０−３Ｃｄ ｓ／
ｃａ Ｓｅ （モル比＞３’、 ３／％上記
測定結果によれば、粉末同士の混合系である光導電性材
料Ｋに対して、本発明の光導電性材料ＩおよびＪの最大
感度波長は、よシ長波長側に移行しており、且つ暗抵抗
は著しくすぐれていることが明らかである。
なお、上記における電流は下記の条件で行ったものであ
る。
る。
照射光：モノクロメータ−，６０ｍＷ、４ （６０００
Ｘ）印加電圧 ：ＤＣ５００Ｖ
Ｘ）印加電圧 ：ＤＣ５００Ｖ
Claims (1)
- （１）硫化カドミウムおよび該硫化カドミウム１重量部
あたシ約０．０５〜９．０重量部のセレン化カドミウム
からなシ、硫化カドミウムが中心部分を、且つセレン化
カドミウムが外皮部分を構成していることを特徴とする
光導電性材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198967A JPS5989472A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 光導電性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198967A JPS5989472A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 光導電性材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5989472A true JPS5989472A (ja) | 1984-05-23 |
| JPS6320029B2 JPS6320029B2 (ja) | 1988-04-26 |
Family
ID=16399901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57198967A Granted JPS5989472A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 光導電性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5989472A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5036376A (en) * | 1986-01-31 | 1991-07-30 | Texas Instruments Incorporated | Passivation oxide conversion |
| JP2003073120A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 複合微細粒子およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0874980A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-19 | Kubota Corp | ベルト式無段変速装置 |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP57198967A patent/JPS5989472A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0874980A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-19 | Kubota Corp | ベルト式無段変速装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5036376A (en) * | 1986-01-31 | 1991-07-30 | Texas Instruments Incorporated | Passivation oxide conversion |
| JP2003073120A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 複合微細粒子およびその製造方法 |
| JP4596705B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2010-12-15 | 富士フイルム株式会社 | 複合微細粒子およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6320029B2 (ja) | 1988-04-26 |
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